DE2643503B2

DE2643503B2 - Verfahren zur Herstellung eines Injektionslasers

Info

Publication number: DE2643503B2
Application number: DE2643503A
Authority: DE
Inventors: Yoshitaka Musashino Furukawa; Hitoshi Yamato Kawaguchi
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1975-10-07
Filing date: 1976-09-28
Publication date: 1979-01-04
Also published as: GB1557061A; US4128815A; JPS5245296A; FR2327657A1; CA1072666A; DE2643503A1; FR2327657B1; DE2643503C3

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines streifenförmiges in einem einzigen Transversalmodus schwingenden Doppelheterostruktur-Injektionslasers nach dem Oberbegriff des Anspruchs I. Ein solcher Laser ist Gegenstand der älteren Patentanmeldung P 26 00 195.6.

Halbleiterlaser mit doppelter HeteroStruktur aus GaAs-AI,Gai-,As sind bemerkenswert, weil sie bei Zimmertemperatur im Dauerbetrieb erregt werden können. Deshalb kommen sie mit der Verbesserung ihrer Lebensdauer zunehmend in Gebrauch. Wenn man solche Diodenlaser als Lichtquelle für optische Nachrichtenverbindungen unter Verwendung einer Faseroptik mit einem einzigen Ausbreitungsmodus einsetzen will, muß die Breite des Emissionsspektrums gering sein, damit die Pulsverbreiterung durch die Dispersion des Fasermaterials verringert wird; ferner ist die Stabilisierung eines einzigen Longitudinalmodus erforderlich. Wenn eine Kopplung mit der Faseroptik in Betracht gezogen sind, empfiehlt sich die Anregung der; Diodenlasers im Transversalmodus, damit überall nur

ein einziger Modus vorherrscht.

Durch die Einführung der doppelten HeteroStruktur konnten stabile Schwingungen im transversalen Grundmodus erhalten werden (vgl. Journal of Applied Physics, Bd.45(1974),Nr.5,Seiten2168-2173).Diestreifenförmige Ausbreitung der Lichtwellen wurde hierbei durch Protonenbeschuß erzwungen, um dem Substrat beiderseits des Streifens einen hohen Widerstand zu verleihen, so daß der elektrische Strom nur durch den Streifen fließen kann. Bei höheren Stromstärken trtiten aber instabile Stromflußschwankungen auf, durch die höhere Moden angeregt werden.

Ein allgemeines Verfahren, um die Anregung auf den Grundmodus zu beschränken, besteht darin, die verschiedenen Epitaxialschichten rechts und links von einem streifenförmigen Mesabereich bis unmittelbar oberhalb der aktiven Schicht wegzuätzen, so daß der elektrische Strom allein durch den Mesabereich fließen muß. Ein solcher sog. Streifenlaser wurde in einem Artikel mit dem Titel »Me::a-Stripe-Geometry Double-Heterostructure Injection Lasers« von T. T s u k a d a et al in IEEE Journal of Quantum Electronics, VoL QE-9 Nr. 2, Februar 1973, Seite 356-361 beschrieben. Durch die Ätzung verringert sich die Stromausbreitung, die Schwingung wird nur in der aktiven Schicht unmittelbar unterhalb des Mesastreifens stimuliert und in der Nähe der Schwellenstromstärke tritt nur der niedrigste Transversalmodus auf. Bei höheren Betriebsstromstärken erhält man aber auch wieder Schwingungen in höheren Transversalmoden, so daß keine stabilen Eigenschaften erzielt werden können.

Aus der US-PS 38 83 821 ist ein Injektionslaser mit doppelter HeteroStruktur bekannt, bei dem ein Teil der aktiven Schicht in Form eines Streifens verdickt ist, um so einen optischen Wellenleiter zu bilden. Es hat sich aber herausgestellt, daß bei diesem Laser durch die Bearbeitung der aktiven Schicht die Lebensdauer ungünstig beeinflußt wird und daß infolge der Stromausbreitung unter der Elektrode die Schwellen-Stromstärke erhöht wird.

Ein ähnlicher Injektionslaser ist in der älteren Patentanmeldung P 26 00 195.6 vorgeschlagen worden. Die zur Ausbildung des Mesastreifens erforderliche selektive Ätzung erfordert hier große Sorgfalt, damit die mit der aktiven Schicht in Berührung stehende Pufferschicht nicht angegriffen wird, denn deren Dicke ist von großer Bedeutung für die Ausbildung des gewünschten Fortpflanzungsmodus. Zur Bildung des pn-Übergangs wird ferner die Diffusion von Zink aus einer an der Pulferschicht anliegenden Deckschicht verwendet; hierbei dringt das Zink bis zu der aktiven Schicht vor. Durch das Konzentrationsgefälle innerhalb der aktiven Schicht wird die Gefahr einer Anregung von Moden höherer Ordnung heraufbeschworen.

Aufgabe der im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegebenen Erfindung ist die Bereitstellung eines Herstellungsverfahrens für Injektionslaser der zuletzt genannten Art, das besser beherrschbar ist und in einfacher Weise zu gut reproduzierbaren Ergebnissen führt.

Da die als Pufferschicht wirkende dritte Schicht und ihre Deckschicht (vierte Schicht) erfindungsgemäß verschieden große Aluminiumanleilc enthalten, kann die selektive Ätzung ohne Zuhilfenahme elektro-chemischer Ätzverfahren durchgeführt werden, ohne daß die Gefahr besteht, daß die; Pufferschicht angegriffen wird; die Ätzung laßt sich vielmehr leicht so durchführen, daß sie selbsttätig an der Grenze der Pufferschicht zum

Stehen kommt. Ferner läßt sich der Diffusionsvorgang des Zinks von außen durch die Kontaktierungsschicht hindurch leicht so leiten, daß die Dotierung mit Zink genau an der Grenze der Pufferschicht und ihrer Deckschicht zum Stehen kommt; die aktive Schicht wird von vornherein mit einer genau definierten Dicke ausgebildet Dieser Diffusionsvorgang wird zweckmäßig vor dem Ätzen durchgeführt.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend anhand der Zeichnung erläutert Hierin sind

F i g. 1 eine perspektivische Darstellung eines nach dem Verfahren der Erfindung hergestellten Injektionslasers,

Fig.2 eine schematische Schnittdarstellung eines dem Gebilde nach Fig. 1 äquivalenten optischen Wellenleiters,

F i g. 3 ein Diagramm der Beziehungen zwischen der Dicke der Pufferschicht und der maximalen Wellenleiterbi'eite für Einfachmodenbetrieb,

Fig.4 eine perspektivische Darstellung eines weiteren, nach dem Verfahren der Erfindung hergestellten Lasers,

Fig. 5A — 5G Darstellungen verschiedener Zwischenstufen der Herstellung dieses Lasers und

Fig.6A und 6B, sowie 7A und 7B Diagramme der Transversalmoduseigenschaften des Lasers nach F i g. 4 für verschiedene Betriebsstromstärken, wobei sich F i g. 6A und 6B auf das Nahfeld und 7A und 7B auf das Fernfeld beziehen.

Gemäß Fig. I ist auf der einen Seite einer aktiven Halbleiterschicht 1 vom p-Typ mit dem Brechungsindex /ii, die als optischer Wellenleiter wirkt, eine Pufferschicht 2 vom p-Typ mit dem Brechungsindex η_έ vorgesehen. Auf der Pufferschicht 2 befindet sich eine streifenförmige Halbleiterschicht 6 vom p-Typ mit dem Brechungsindex n_b, die den Modus bestimmt. Die Schicht 6 ist mit einer zur Kontaktierung dienenden Deckschicht 8 vom ρ+ -Typ versehen, die ihrerseits einen ohmschen Kontakt 10 trägt. Auf der anderen Seite der aktiven Schicht 1 befindet sich eine optische Sperrschic't 3 vom η-Typ mit dem Brechungsindex Πι, die auf ein Substrat 7 vom η-Typ aufgewachsen ist. An dem Substrat 7 ist ein ohmscher Kontakt 9 ausgebildet. Ein optischer Resonator wird durch einander gegenüberliegende parallele Spaltflächen gebildet. Wenn der Brechungsindex der an die Pufferschicht 2 und die Modenst-juerschicht 6 angrenzenJen Luft Il mit nw bezeichnet wird, ist On = I. Zwischen den verschiedenen Brechnungsindices sollen dann folgende Beziehungen gelten:

/;„ ■

"ι

Um die Eigenschaften des in dem beschriebenen Laser ausgebildeten optischen Wellenleiters klarzustellen, soll die nähemngsweise äquivalente Anordnung der Fig. 2 betrachtet werden. Die optische Sperrschicht 3 und die Pufferschicht 2 wirken stark dämpfend auf das Licht, so daß das Substrat 7 und die Kontaktierungsschicht 8 der Anordnung nach Fig. I keinen wesentlichen optischen Einfluß ausüben. Die Ausbreitungseigenschaften des optischen Wellenleiters nach Fig. 2 können näherungsweise nach einem Verfahren der äquivalenten Brechungsindexdifferenz berechnet werden, das in einem Artikel mit dem Titel »Novel Optical Waveguide for Integra id Optics« in »Applied Optics«, Bd. 13 (1974), Nr. 2, Seite 322 bis 326 in Anwendung auf dielektrische optische Wellenleiter beschrieben ist

Hierzu denkt man sich den optischen Wellenleiter 1 in Fi g. 2 in eine Region A und zwei Regionen Bunterteilt,

ι Die Region A ist der Teil unterhalb der slreifenförmigen Modensteuerschicht 6 und die Regionen B sind die Teile unterhalb der Luft mit dem Brechungsindex/7m = I. Die Dicke des optischen Wellenleiters 1 sei b, diejenige der Pufferschicht 2d und die Breite der streifenförmigen

in Schicht a. Die Dicke b des optischen Wellenleiters ist so gering (z. B. 0,2 bis 0,5 μιτι) im Vergleich zur Streifenbreite a (z. B. 5 bis 10 μηι), daß die Apertur als rechteckig angesehen werden kann. In diesem Falle kann der Modus in die Richtungen χ und y aufgeteilt

ι ϊ werden. Durch Vergleich der Ausbreitungsbedingungen in diesen beiden Richtungen kann man eine Formel für die Breite a des Streifens in Abhängigkeit von der Dicke b der aktiven Schicht 1 und der Dicke d der Pufferschicht 2 ableiten. Diese Beziehung, in die noch

-¹H die Brechungsindices der betreffenden Schichten eingehen, sind in F i g. 3 dargestellt

Die Kurven der Fig. 3 wun/en an folgendem Ausführungsbeispiel gewonnen:

j-, Optischer Wellenleiter 1: GaAs, /j| = 3,62

Pufferschicht 2: AloiGao^As,

m = 3,48
Optische Sperrschicht 3: Aio.jGaoyAs,

/Ji = 3,41

in Modensteuernde Schicht 6: A!_tGai_₍As
wobei, für/ = 0,4, n_b = 3,35 und

für/= 0,5,/j„ = 3,29
Luft 11: /J₁₁ = I

In F i g. 3 sind die Dicke dder Pufferschicht 2 auf der Abszisse und die höchstzulässige Breite a_mj, des optischen Wellenleiters für einen einfachen Modus auf der Ordinate aufgetragen. Als Parameter ist die Breite b der aktiven Schicht 1 für vier verschiedene Werte b = 0,2 bis 0,5 μΐπ gewählt, und zwar gelten die aisgezogenen Linien für einen Aluminiumgehalt y = 0,4 in der Zusammensetzung AlyGai_>As der Modussteuerschicht 6, während die gebrochenen Linien für den Fall y —■ 0,5 gelten. Es sei bemerkt, daß dieses Diagramm den E^v-Modus bei einer Emissionswcllcnlänge = 0,85 μίτι des Injektionslasers darstellt.

Das Diagramm zeigt, daß z. B. für die Dicke b = 0,3 μΓη des optischen Weilenleiters 1 und die Dicke d - 0,4 μπι der Pufferschicht 2 nur der Grundmodus fortpflanzungsfähig ist, wenn die Breite des optischen Wellenleiters a™, < etwa 8 μηι. Um die Betriebsslromstärke des Injektionslasers zu verringern, muß man im allgemeinen die Dicke des optischen Wellenleiters 1 auf etwa 0,2 bis 0,5 mm herabsetzen. Deshalb wäre ohne die Verwendung der Pufferschicht 2 der Lbhtverlusi auf dem optischen Wellenleiter 1 so stark, daß für den Ims-Laser der eingangs erwähnten Art (d = 0 in F i g. 3) die Differenz zwischen ßA und ßn groß würde und die äquivalente spe .ifische Brechungsindexdifferenz Δη etwa 3 χ 10~' betragen würde. Um gemäß Formel (4) einen optischen Wellenleiter für Hinfachmodusbetrieb zu bilden, müßte in diesem Falle die Brei-e des optischen Wellenleiters zu etwa I μιτι gewählt werden; dies würde zu erheblichen Herstellungs- und Betriebsschwicrigkeiten führen.

Wenn dagegen die Dicke d der Pufferschicht 2 vergrößert wird, kann auch die Breite α des optischen

Wellenleiters I erhöht werden, wie aus F-' i g. i hervorgeht. In diesem [-'alle wird allerdings, wie F-'ormcl (4) zeigt, die äquivalente Brechungsindexdifferen/ geringer, die WeNenleitcrwirkung nimmt ab und der Modus wird infolge der mangelnden Gleichmäßigkeit der epitaklischen Schicht und der Stromdichtcschwankungcn instabil. Allgemein werden die Moduscigen ■■'haften so stark von Dickeschwanktingen der Pufferschicht bceinfluOt, daß die Dicke derselben während des Aufwaehsens des epitaktischen Films aus der flüssigen Phase gcnaucstens geregelt werden muß.

In Anbetracht der Modusstabilität und der Betriebserleichtcrung empfiehlt es sich, die Dicke des optischen Wellenleiters zu 0,2 bis 0,5 μηι, die Dicke der Pufferschicht 2 ebenfalls zu 0,2 bis 0.5 μπι und die Breite .; des optischen Wellenleiters etwa zu 3 bis 8 μπι zu wählen. Als besonders vorteilhaft haben sich die Werte h - 0.3 (im. d = 0,4 μπι und a = 5 μπι erwiesen.

Für die aktive Schicht des optischen Wellenleiters kann statt OaAs auch AI,Gai ,As (0 < χ < 0,1) verwendet werden. Der Grund, warum der Aluminiumanteil der aktiven Schicht höchstens 0,1 betragen soll, besteht darin, daß der Aluminiumgehalt der Pufferschicht bis auf 0.2 heruntergehen kann, so daß es vorkommen kann, daß der Brechungsindex der aktiven Schicht kleiner als derjenige der Pufferschicht gewählt wird.

In einer ausgeführten Laseranordnung nach Fig. I besteht außer den ohmschen Kontakten 9 und 10 auch die Kontaktierungsschicht 8 aus GaAs vom p-Typ, die Modensteuerschicht 6 besteht aus AI,Gai-..As vom P-Typ (v =0.4 oder 0.5). die Pufferschicht besteh! aus AI.,:Gar,((As vom p-Typ. die aktive Schicht 1 des optischen Wellenleiters ist aus GaAs oder AIGaAs vom η-Typ. p-Typ oder Kompensationstyp, die optische Sperrschicht 3 besteht aus AlojGaoyAs vom η-Typ und das Substrat 7 besteht aus GaAs vom η-Typ. Die p- und η-Typen können hierbei vollständig miteinander vertauscht werden.

Ein Laser benötigt außerdem reflektierende Flächen .in den F.nden des Lichtweges, die durch vertikales Spalten oder Ätzen bis auf die optische Wellenleiterschicht und den p-n-I übergang gebildet wird. Wenn an diese Anordnung eine Spannung in Durchlaßrichtung angelegt wird, erhält man Laserlicht im Grundmodus.

Nachstehend wird die praktische Herstellung eines Ausführungsbeispiels beschrieben.

Fig. 4 zeigt den fertigen Laser. Außer den bereits 'Vüher besprochenen Schichten erkennt man eine Diffusionsschicht 14 vom p-Typ, den Mesabereich 11. die Ätzbereiche 13. zwei Stützbereiche 12 und eine Oxidschicht 15.

Die Stützbereiche 12 werden beiderseits des svromdurchflossenen Mesabereichs 11 ausgebildet, so daß der Laser mit der p-Seite nach unten leicht auf einer Unterlage befestigt werden kann. Die einzelnen Herstellungsschritte dieser Anordnung werden anhand der Figuren 5A bis 5G erläutert.

I Gemäß F i g. 5A wird auf dem GaAs-Substrat 7 vom η-Typ ein epitaktischer Film aus fünf Schichten in der flüssigen Phase nach bekanntem Verfahren aufgebracht Diese fünf Schichten sind in der angegebenen Reihenfolge die Schicht 3 aus AlojGao,7As vom η-Typ mit einer Dicke von 5 μητ, die Schicht 1 aus GaAs vom p-Typ mit einer Dicke von 03 μπι, die Schicht 2 aus Als^GaoaAs vom p-Typ mit einer Dicke von 0,4 μπι, die Schicht 6 aus Alo.4Gao.6As vom p-Typ mit einer Dicke von I μιπ und die Schicht 8 aus GaAs vom n-Typ mi einer Dicke von 0.7 μπι.

Dann wird eine Oxidschicht aus SiO; in einci Dicke von 0.1 bis 0,2 μπι als Difftisionsmaski mittels eines llochfrequcnzspritzvcrfahrcns auf gebracht (nicht dargestellt).

Il In die vierte und fünfte Schicht 6, 8 wird Zink durch die Maske selektiv eindiffundiert, um die Diffusionsschicht 14 zu bilden. Die Diffusion vor Zn wird an der Grenzfläche zwischen der dritter Schicht 2 und der vierten Schicht 6 unterbrocher (siehe F ig. 5B).

III In nichldargestellter Weise werden strcifenförmi ge Fenster in einer Diffusionsmaske aus SiO. durch Photoätzen gebildet, durch welche da* GaAs vom η-Typ in der fünften Schicht 8 mit einei Lösung von II2O2 + NH4OII weggeätzt wird Hierbei wird die Zinkdiffusionsschicht 14 nichi geätzt (siehe Fi g. 5c).

IV Die vierte Schicht aus AI₀₄GaOhAS vom p-Typ wird mit HF geätzt. Die dritte Schicht 2 aui Alo?Gan«As vom p-Typ wird nicht geätzt (siehe F i g. 5D).

V Der isolierende Oxidfilm 16 wird mit FI2O2 arr Boden der ausgeätzten Furchen gebildet (siehe F ig. 5E).

V! Zur Bildung der ohmschen Kontakte 9 und IC werden Au-Cr auf der p-Seite und Au-Ge - N auf der η-Seite des Gebildes in einer Dicke vor etwa 0,5 μπι aufgedampft.

Auf der p-Seite ist der ausgeätzte Teil durch der Oxidfilm gegen den Kontakt isoliert. Ferner bestehen die Stützteile 12 aus n-GaAs. Wenn eine Spannung in Durchlaßrichtung des p-n-Übergangs zwischen dem Mesabereich und dem Substrat angelegt wird, kann wegen des Sperrwiderstandes des p-n-Übergangs zwischen der vierten Schicht 6 und fünften Schicht 8 kein elektrischer Strom fließen. Deshalb kann, wie F i g. 5F zeigt, der Kontakt 10 ohne weiteres über die gesamte Oberfläche gezogen werden.
VlI Senkrecht zu der Streifenrichtung und den p-n-Übergängen werden Stirnflächen durch Spaltung ausgebildet.

VIII Das fertige Gebilde wird mit Indium 17, das die Zwischenräume ausfüllt, mit der p-Seite nach unten auf eine diamantene Wärmesenke 16 aufgeklebt und an den Kontakt 9 wird eine Zuleitung 18 angelötet, so daß ein elektrischer Strom in Durchlaßrichtung zugeführt werden kann (siehe F i g. 5G).

In diesem Ausführungsbeispiel bestehen die Pufferschicht 2 und die Modussteuerschicht 6 aus verschiedenen Verbindungen. Sie können aber auch aus der gleichen Verbindung hergestellt werden, wenn die Ätzgeschwindigkeit entsprechend gesteuert wird.

In F i g. 6 und 7 sind Meßergebnisse der Fimissionseigenschaften des Injektionslasers nach Fig.4 im Transversalmodus wiedergegeben. Das Probestück hatte folgende Eigenschaften:

Aktive optische Wellenleiterschicht: Pufferschicht: Modussteuemde Schicht:

GaAs 0,3 μπι dick. AIo^Gao^As, 0,4 μπι dick.

1 μπι dick, 1 μιτι breit

Opiische Sperrschicht:

Substrat:

Kontaktierende Deckschicht:

Wellenleiterbreite:

Abmessungen über alles:
Abstand der Spaltflächen:
D.cke:

Breite in der Richtung
vertikal zu p-n-Übergang
und Streifen:

5 μπι dick.

GaAs etwa 70 μιη dick.

GaAs 0,7 μπι dick.

ΙΟμπι.

etwa 250 μηι.
etwa 76 μπι.

etwa 30\> μίτι.

Die Schwellenstromstärke für den Schwingungseinsatz des Lasers betrug etwa 12OmA. Fig.6A und 6B r» zeigen die Nahfeldverteilung in der Richtung * der Spiegelflächen. Die Messung wurde nach einem bekannten Verfahren mit Hilfe eines Galvanometerspiegels durchgeführt; dieses Verfahren ist beschrieben in dem Aufsatz »optical Waveguiiding in Proton-im- .ό planted GaAs« von E. G a r m i r e et al in Appl. Phys. Letters, Vol. 21, 1972, Seite 87. Die Abszisse stellt den Abstand in der Richtung χ und die Ordinate die Leistungsverteilung, d. h. die Nahfeldverteilung dar. F i g. 6A gilt für eine Betriebsstromstärke von 300 mA und F i g. 6 B für eine Stromstärke von 125 mA.

Fig. 7A und 7B zeigen die Fernfeldverteilung, und zwar gilt F i g. 7A für eine Betriebsstromstärke von 300 mA und F i g. 7B für eine solche von 200 mA. Der Winkel ist in Abszissenrichtung und die Leistung in Ordinatenrichtung aufgetragen. Die Schwellenstromstärke für den Schwingungseinsatz betrug 120 mA.

Die Hauptvorteile des beschriebenen Injektionslasers sind die folgenden:

1. Durch die Modussteuerung mittels der äquivalenten Brechungsindexdifferenz wird ein stabiler Dauerbetrieb in einem einzigen Transversalmodus ermöglicht.

2. Da dieser Betrieb selbst dann möglich ist, wenn die Streifenbreite groß (etwa ΙΟμπι) ist oder die Betriebsstromstärke ein Mehrfaches des Schwellenwertes beträgt, läßt sich ein Laser für Einzelmodus mit großer Ausgangsleistung herstellen.

3. Die Herstellung wird durch Verwendung solcher Maßnahmen wie selektive Ätzung der einzelnen Schichten, Isolierung mit einem Oxidfilm von AlGaAs und dergleichen erleichtert.

Ha ή\ς »ktivc -Schicht keinerlei Bearbeitung unterliegt, kann ein Injektionslaser mit hohei Lebensdauer erzeugt werden.

Statt der beschriebenen Werkstoffe aus der GaAs-AlGaAs-Serie kann das vorgeschlagene Prinzip in gleicher Weise auf jede doppelte HeteroStruktur der Werkstoffserien InGaAs, InGaAsP, AIGaAsP oder AlGaAsSb angewandt werden, so lange die Brechungsindices der verschiedenen Halbleiterschichten der Formel (1) genügt.

Hierzu 5 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung eines streifenförmigen, in einem einzigen Transversalmodus schwin- ι genden Doppelheterostruktur-Injektionslasers, bei dem nacheinander epitaktisch auf einem n-leitenden GaAs-Substrat eine erste, n-|eitende Schicht aus Al₁GaI -,As mit dem Brechungsindex /I₃, eine zweite, aktive Schicht mit dem Brechungsindex ηχ, eine in dritte Schicht aus Al*Gai __xAs mit dem Brechnungsindex ni, eine vierte, p-leitende Schicht aus AI,Gai-,As mit dem Brechungsindex /J₆ und eine fünfte, zur Kontaktierung dienende Schicht aus GaAs, wobei der Anteil χ jeweils zwischen 0,2 und ι τ O^ Hegt, ausgebildet werden, bei welchem Verfahren anschließend die beiden letzten Schichten selektiv bis auf einen Streifen der Breite a selektiv weggeätzt werden und außerdem Zink in die Schichten des Streifens eindiffundiert wird, dadurch gekenn- >» zeichnet, daß die Aluminiumanteile χ und Dotierungen der dritten und der vierten Schicht (2,

6) so gewählt werden, daß nt < m und beide p-Ieitend sind, und daß das Zink von außen durch die Kontaktierungsschicht (8) und die vierte Schicht (6) ;>-, hindurch bis zu deren Grenze eindiffundiert wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Diffusionsschritt vor dem Ätzen durchgeführt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch κι gekennzeichnet, daß zum Ätzen der fünften und der vierten Schicht zwei verschiedene Ätzmittel verwendet werden, welche die Zinkdiffusionsschicht (14) bzw. die Puffersdiicht (2) nicht angreifen.

4. Verfahren nach einem der vorhergehenden r> Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht (2) aus Alo„?Gao,8As und die daran angrenzende Schicht (6) aus Al0.4Ga0.eAs oder Alo.5Gao.5As besteht.

5. Verfahren nach einem der vorhergehenden in Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß nur der Grund der ausgeätzten Furchen (13) mit einer Oxidschicht (15) überzogen wird.