DE2642554A1 - Verfahren zur herstellung von alpha- silizium-nitrid-pulver (alpha-si tief 3 n tief 4 -pulver) - Google Patents

Verfahren zur herstellung von alpha- silizium-nitrid-pulver (alpha-si tief 3 n tief 4 -pulver)

Info

Publication number
DE2642554A1
DE2642554A1 DE19762642554 DE2642554A DE2642554A1 DE 2642554 A1 DE2642554 A1 DE 2642554A1 DE 19762642554 DE19762642554 DE 19762642554 DE 2642554 A DE2642554 A DE 2642554A DE 2642554 A1 DE2642554 A1 DE 2642554A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
powder
weight
silicon
carbon
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19762642554
Other languages
English (en)
Other versions
DE2642554B2 (de
DE2642554C3 (de
Inventor
Hiroshi Inoue
Katsutoshi Komeya
Takao Ohta
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Publication of DE2642554A1 publication Critical patent/DE2642554A1/de
Publication of DE2642554B2 publication Critical patent/DE2642554B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2642554C3 publication Critical patent/DE2642554C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/584Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/068Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
    • C01B21/0685Preparation by carboreductive nitridation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/61Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/62Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Description

PATENTANWÄLTE F.W. HEIVMER1Ch · GEIO VüLLEH · Ü. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
Verfahren zur Herstellung vonX-Silizium-Nitrid-Pulver, ( öL-Si N. -Pulver)
Gegenstand dieser Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von oC -Silizium-Nitrid-Pulver, (oC-Si„N^- Pulver)o
Sinterwerkstoffe aus Silizium-Nitrid - Yttrium-Oxid (Si„Nr - Yp^T) sowie aus Silizium-Nitrid - Magnesium-Oxid (SiN, - MgO) haben eine außerordentlich gute mechanische Festigkeit und eine außerordentlich gute Hitzebeständigkeit ο Aus diesem Grunde wird die Verwendung solcher ¥erkstoffe für hochtemperaturfeste Gasturbinenmotoren empfohlen,, Sollen diese vorerwähnten Si N. -Metalloxidprodukte jedoch in der Praxis als Ferkstoffe eingesetzt und dabei hohen Temperaturen und hohen Belastungen ausgesetzt werden, dann ist es sehr wichtig, daß sie bei hohen Temperaturen eine hohe physikalische Stabilität, eine hohe chemische Stabilität und eine große Zuverlässigkeit zeigen. Die thermischen und mechanischen Eigenschaften dieser Sinterwerkstoffe, welche besonders wichtige Faktoren sind,werden von der Art der Ausgangsstoffe und den in diesen Stoffen enthaltenen Verunreinigungsanteilen stark beeinflußt; und was das Silizum-Nitrid betrifft, so sollte ein möglich großer Anteil an oC -Si-Ni -Pulver darin enthalten seino Für eine Verwendung als Sinterwerkstoff ist es erforderlich, daß ein fGinverteiltes <^-Si„Nr-Pulver Verwendung findet.
Nachstehend sind nun die bisher für die Gewinnung des Si„N.-Pulvers verwendete Verfahren angeführt:-
(l) Direktnitrierung von Silizum:
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEN'.MERICH · GERC MÖLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
3Si + 2N2 ^ Si3N4
(2) Dampfphasenreaktion von Silizum-Tetrachlorid oder Silane mit Ammoniak:
3SiCl^ + 4NH3 > Si3N4 + 12HC1 lind
dergleichen mehr.
(3) Nitrierung von SiO, welches durch die Reduzierung von Siliziumdioxid (SiO2) mit Kohlenstoff im stöchiometrischen Verhältnis hergestellt worden ist:
+ 6g + 2N2 > Si3N4 +
dergleichen mehr
Bei dem unter (l) angeführten Verfahren verläuft das Aufnitrieren des Silizium als eine exotherme Reaktion, so daß während des Herstellungsverfahrens die Wärmeentwicklung kontrolliert und überwacht werden muß«, Darüber hinaus handelt es sich bei dem handelsüblichen Silizium um ein relativ grobkörniges Pulver, so daß nach dem Aufnitrieren im allgemeinen ein Feinmahlvorgang erforderlich ist. Als Folge des Feinmahlvorganges ist das Hereinschleppen von Verunreinigungen nicht zu vermeiden0 Das Sintermaterial kann deshalb zur Herstellung feuerfester Werkstoffe allgemein Verwendung finden, beispielsweise zur Herstellung von feuerfesten Ziegeln, wäre aber für Hochtemperatur-Gasturbinen ungeeignet.
Was den Werkstoff betrifft, der mit dem unter (2) angeführten Verfahren hergestellt wird, so kann dieser für die Oberflächenbeschichtung von Halbleiterelementen oder ähnlichen Dingen verwendet werden« Dieser Werkstoff ist jedoch für die Massenfertigung von anorganischen feuerfesten Werkstoffen nicht ge-
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÖLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
OC/OCC/, -bh-
L·. *>-J H- L, \J sJ ^e ί r\ Q ι c\*y £
^ 10#o#197o
t - 3 7
Für das unter (3) angeführte Verfahren müssen als Ausgangswerkstoffe sorgfältig gereinigtes SiO2-PuI-ver und Kohlenstoffpulver eingesetzt werden. Von Nachteil ist auch, daß es sich bei dem Reaktionsprodukt, das aus der Reaktion des in stöchiometrischen Verhältnis vorliegenden Gemenges aus SiOp und C um ein Meltfxstoffsystem handelt, das sich zusammensetzt aus-x-Si N,, P-Si N., Silizum-Oxyninitird (SiON ) sowie SiC und dergleichen mehr,, V. wobei der Anteil anaC-Si„Nn, der entsteht, gering ist. Hierzu kann gesagt werden, daß mit diesem Verfahren der Vorteil darin besteht, daß die Reaktion keine Schwierigkeiten bereitet; weil andererseits aber - dies ist bereits zuvor beschrieben worden - der Anteil an «i--Si-N^ gering ist, ist auch die Aus br ingungs leistung schlecht, so daß dieses Verfahren in der Praxis nicht bevorzugt wirdo
Nunmehr hat man festgestellt, daß dann, wenn bei dem unter (3) angeführten Verfahren, das die Reduktion und das Auf nitrieren -von Siliziumdioxid (SiO_) in sich einschließt, der Anteil an Kohlenstoff (c) über eine bestimmte Menge erhöht wird, wenn eine vorgegebene und bestimmte Menge an metallischen Silizum (Si) vorhanden ist, wenn die Aufnitrierungsreaktion und eine nachfolgende Wärmebehandlung in einer oxidierenden Atmosphäre durchgeführt werden, 5!—Silizium-Nitrid, (<-Si Ji, ), hoher Qualität erzeugt wird, und zwar in außergewählich guter feinkörniger Form und in ausreichender Menge.
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEWMERICH · GERD VÖLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
Die Erfindung geht daher von der Aufgabe aus, ein Herstellungsverfahren zu schaffen, mit dem ein für die Herstellung von feuerfesten Si„N. -Metalloxidwerkstoffen für den Einsatz unter Hochtemperaturbedingungen und für hohe Beanspruchung geeignetes oC -Si„N. -Pulver in großen Mengen gewonnen werden kann, ohne daß dazu komplizierte Verfahren oder komplizierte Apparate erforderlich sind»
In Übereinstimmung mit dieser Erfindung ist die Herstellung vonoC-Silizium-Nitrid-Pulver dadurch gekennzeichnet, daß ein Gemenge aus Siliziumdioxidpulver, aus Kohlenstoffpulver und aus metallischem Siliziumpulver in einer nichtoxydierenden Atmosphäre, die Stickstoff oder Ammoniak enthält, bis auf die Aufnitrierungstemperatur derart erwärmt wird, daß ein Produkt entsteht, welches Silizium-Nitirid enthält, daß schließlich das derart entstandene und Silizium-Nitrid enthaltende Produkt dann in einer oxydierenden Atmosphäre auf höhere Temperaturen gebracht wird, um den in diesen Produkt enthaltenen Kohlenstoff zu entfernen«
Das vorzugsweise verwendete Pulvergemenge setzt sich zusammen aus 1 Gewichtsanteil Siliziumdioxydpulver (SiO_-Pulver), aus ungefähr O.k Gewichtsanteilen bis ungefähr h Gewichtsanteilen Kohlenstoffpulver sowie aus ungefähr O0Ol Gewichtsanteilen bis ungefähr 2 Gewichtsanteilen - vorzugsweise 0„1 Gewichtsanteile bis ungefähr 2 Gewichtsanteile - metallisches Siliziumpulver „ Wunschgemäß wird das Pulvergemenge durch Erwärmen auf eine Temperatur von ungefähr 135O°C bis unge-
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERC MüLLCR · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
fähr I55O C - vorzugsweise aber auf eine Temperatur zwischen ungefähr 135O°C bis ungefähr l48O°C - in einer nichtoxydierenden und Stickstoff enthaltenden Atmosphäre gebracht und bei dieser Temperatur gebrannt. Während dieses ErwärmungsVorganges laufen die Reaktionen der Reduktion und der Aufnitrierung ab, während dieses ErwärmungsVorganges entsteht auch das Silizium-Nitrid (Si_N. )„ Auf diesen Vorgang folgt ein Aufheizvorgang in oxydierender Atmosphäre, beispielsweise in Luft, der vorzugsweise bei einer Temperatur von ungefähr 600 C bis ungefähr 800 C, beispielsweise bei einer Temperatur von rund 600 C bis rund 700°C, gefahren wirdo
Für das Gemenge aus Siliziumdioxid, Kohlenstoff und metallischem Silizium, d.ho für das SiO9-C-Si Gemenge, wird das Mischungsverhältnis aus dem nachstehend angeführten Gründen vorzugsweise auf 1 : rund 0.4 bis rund 4 : rund 0.1 bis rund 2 eingestellte Es ist festgestellt worden, daß sich dann eine große Menge Si9ON9 bildet, wenn die Mischung oder das Gemenge weniger als 0.4 Gewichtsanteile Kohlenstoff gegen 1 Gewichtsanteil Siliziumdioxid (SiO9) aufweist, wobei andererseits wiederum die Menge des ^—Silizium-Nitrides,
(«■■< Si N. ) gering isto Bei einem Mischungsverhältnis
von ungefähr 4 Gewichtsanteilen Kohlenstoff (c) gegen 1 Gewichtsanteil Siliziumdioxid (Si0p) hat man festgestellt, daß -Silizium-Nitrid. (^-Si Nj und Siliziumkarbid (Sie) entstehen, was wiederum zur Folge hat, daß die Reinheit des <* -Silizium-Nitrides (ö/-Si„N^) beeinträchtig wird,und eine geringere Menge an («*-Si„N4)
709814/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMER ICH · GERC V.ÜLLCR · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
9 - 6 -
ov.-Silizium-Nitrid erzeugt wird. Weist nun das Gemenge weniger als ungefähr 0.1 Gewichtsanteile Silizium (Si) gegenüber 1 Gewichtsanteil Siliziumdioxid (SiOp) auf, dann wird die Menge des gewonnenen oL -Si N. nur geringfügig größer, wohingegen dann, wenn das Mischungsverhältnis von Silizium (Si) zu Siliziumdioxid (SiO2) größer ist als 2 Gewichtsanteile Silizium (Si) gegen 1 Gewichtsanteil Siliziumdioxid (SiO2),ein feinkörniges Si-Nr-Pulver, dessen Korngröße oder Korndurchmesser nicht größer ist als 1 /im, nur sehr schwer hergestellt werden kann. Ein solcher Fall macht einen Mahlvorgang erforderlich, bei dem Verunreinigungen eingeschleppt werden können, so daß die gewünschte Feinverteilung im Silizium-Nitrid-Pulver nicht erzielt werden kann.
Ein jeder der Ausgangsstoffe sollte vorzugsweise eine Reinheit von 99 °ß> haben. Dies gilt für das Siliziumdioxid (SiO ), für den Kohlenstoff (c) und für das metallische Silizium (Si). Was die Korngrößen betrifft,so haben das Siliziumdioxid (SiO2) und der Kohlenstoff (c) einen Korndurchmesser von durchscnittlieh 1 /um, während das metallische Silizium (Si) einen durchschnittlichen Korndurchmesser von 10 /um hat„
Die entsprechend dieser Erfindung ablaufende Nitrierungsreaktion wird in einer Atmosphäre aus Np, NEL sowie aus einem aus N2 und Wasserstoff (Η«)-bestehenden Gasgemisch ablaufen. Zu dieser Atmosphäre kann auch ein Schutzgas, beispielsweise Argon, gehören, das Hauptreaktionsgas aber muß immer N? oder NHL sein. Es ist experimentell nachgewiesen worden, daß diese
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEWMERlCH · GERD iV.üLLRR · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
10.8.1976
Gase N„ und. NH„ die Gewinnung von oL -Si„N^ hoher Qualität sehr stark fördern,, Was nun die Temperatur betrifft, auf die das SiO„-C-Si Gemenge erwärmt wird oder bei der dieses Gemenge SiO_-C-Si gebrannt wird, und zwar in der vorerwähnten nichtoxydierenden Atmosphäre,die aus dem Hauptreaktionsgas N^ oder NH„ besteht, so wird für diese Temperatur der Bereich von ungefähr 1350OC bis ungefähr 1550 C gewählt, vorzugsweise aber der Temperaturbereich von ungefähr 1350 C bis ungefähr l48O C. Dieser Temperaturbereich ist aus den nachstehend angeführten Gründen gewählt worden:- Xst die Temperatur geringer als 1350 C, dann bilden sich die Si_N.-Partikel nur schwer. Überschreitet die Temperatur den oberen Grenzwert, dann entsteht Siliziumkarbid (SiC) , dann kann das gewünschte .^-Si N.-Pulver nicht in einer Form gewonnen werden, die zur Herstellung von hochtemperaturbeständigen und hochbeanspruchbaren Ferkstoffen erforderlich isto
vorerwähnten Erwärmungs-und Brennvorgang, der in einer Atmosphäre, deren Hauptreaktionsgas zur Herbeiführung der Nitrierung N2 oder dergleich ist, durchgeführt wird, ist eine Wärmebehandlung in oxydierender Atmosphäre nachgeschaltet, mit der der restliche Kohlenstoff entfernt werden solle Für diesen nachgeschalteten ErwärmungsVorgang wird eine Temperatur im Bereich von ungefähr 600°C bis ungefähr 800°C gewählt, vorzugsweise eine Temperatur im Temperaturbereich von ungefähr 600°C bis 700°C 9 und zwar aus folgenden Gründen:- Wird bei der Wahl des Temperaturbereiches zur Entfernung des nicht in Reaktion gegangenen Kohlenstoffes (c).
7098U/0898
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMEFCCH · GERD V.ÜLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
der jedoch noch immer vorhanden ist, der vorerwähnte Temperaturbereich überschritten, dann wird dadurch eine Oxydation des erzeugten οζ. -Si_N. verursacht ,so daß das gewünschte Si_N.-Pulver der ÖL-Ausführung nicht gewonnen werden kann.
Überschreitet der Kohlenstoff (c) das stöchiometrische Mischungsverhältnis stark und wird bei der Reduktion und bei dem NitrierungsVorgang verwendet, wie dies zuvor beschrieben worden ist, dann wird die Reduktion des Siliziumdioxides (SiO2) stark gefördert, dann verläuft auch die Nitrierung des Siliziums (Si) glatt, wobei ein oC -Si^N.-Pulver hoher Qualität mit einem hohen Anteil an Si„N. in ausreichend guter Menge gewonnen wird,, Bei Verwendung des mit dieser Erfindung vorliegenden Verfahrens läßt sich ein Si„N.-Pulver, das sich zur Herstellung von Si N.-Sinterwerkstoffen, (d„ho von Si„Nj,-Metalloxid-Sinterwerkstoffen) , die hochtemperaturbeständig und hochbeanspruchbar sind, leicht herstellen und gewinnen« Als Grund dafür wird angenommen, daß die Reduktion von Siliziumdioxid SiO?
in Siliziumoxid SiO - SiO2 + C ^ SiO + CO
als die Hauptreaktion abläufto Bei dieser Reaktion handelt es sich um eine Festphasenreaktiono Ist nun das Mischungsverhältnis C/SiO? groß, dann vollzieht sich diese Reaktion relativ schnell, und das dabei erzeugte Siliziumoxid (SiO) reagiert noch leichter mit dem Np oder mit dem NH„. Bei dieser Reaktion können das Siliziumoxid (SiO) und das N2 oder das ΝΗ~ im Zustand der Dampfphase vorhanden seinj und deshalb kann gesagt werden, daß von dem vorhandenen Anteil an
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEIVMER1CH · GE3C VöLLEH ■ D. GROSSE · F. POLLMEIER 72
JlX - 9 -
Kohlenstoff (θ) die Reduktions-und Nitrierungsreaktion des Siliziumoxides (SiO) gesteuert und geregelt wird. ¥as nun den Fall betrifft, in dem sich der Anteil an Kohlenstoff (c) im stöchiometrischen Mischungsverhältnis befindet oder dieses stöchiometrische Mischungsverhältnis nur geringfügig überschreitet, so ist festgestellt worden,daß SipON« entsteht, und die Umwandlung des Si„ON2 in ein Sx„Nk der O^ -Ausführung außergewöhnlich schwierig isto Der Anteil an Kohlenstoff (c) überschreitet das stöchiometrische Mischungsverhältnis, wie dies zuvor beschrieben ist, sehr stark, und es hat den Anschein, daß aus diesem Grunde die Bildung von Si 0N„ verhindert wird, was wiederum zur Folge hat, das c^ -Si„Ni leicht hergestellt und gewonnen werden kanne Einmal fördert eine Überschußmenge an Kohlenstoff (c) die Bildung von Si„N. der <*- -Ausführung, zum anderen aber verursacht sie auch die Bildung und Einführung von Siliziumkarbid (SiC) und anderen Verunreinigungen, wodurch wiederum der Anteil an Si-Nr der0*- -Ausführung relativ klein wird. Bei dem mit dieser Erfindung geschaffenen Verfahren ist aber auch eine bestimmte und vorgegebene Menge an Silizium-Pulver, (Si-Pulver) im Reaktionssystem vorhandene Nun wird dieses Siliziumpulver (Si-Pulver) selber nitriert, aber die Reaktion
SiO2 > SiO ist stärker,, Und weil dem so ist,
kommt es leicht zu einem Entstehen des SiO-Dampfes, was wiederum zur Folge hat, daß durch die dann ablaufende Reaktion SiO + C + N $ oi -Si N. das
Si N^ der 0^-Aus führung leicht gewonnen wird, und zwar als C*v. -Si„N^ in einem feinkörnigen Zustand. Es
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICri ■ '3EPD MÜLLER · O. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
- 10 -
hat den Anschein, daß aus diesem Grunde der Anteil und die Ausbringung der Substanz sehr stark vergrößert werden, und dies unter Verhinderung der Bildung von Siliziumoxid SiO und unter Verhinderung der Bildung und Einführung von Verunreinigungen. Ganz besonders die Tatsache, daß die Bildung von Siliziumoxid SiO gefördert wird, beschleunigt die dann folgende Gewinnung von Sx„Nk der —Ausführung. Aus diesem Grunde entsteht dann auch ein feinkörniges Pulver mit einheitlicher Form, wie dies mit der beiliegenden Figur dargestellt ist. Diese Figur zeigt eine Mikrofotografie, die mit einer Vergrößerung von χ 3000 die feine Partxkelverteilung einer Probe des Si N, der dL-Ausführung wiedergibt, das mit einem dieser Erfindung entsprechenden Verfahren synthetisch gewonnen und hergestellt worden isto Durch Sintern dieses Stoffes mit einem geeigneten Metalloxid kann ein sehr zuverlässiger Sinterwerkstoff hergestellt werden,
Damit aber kann bei Verwendung dieser Erfindung ein oc-Si_N.-Pulver gewonnen und hergestellt werden, das eine hohe Qualität aufweist, das einen hohen Anteil an Si„NY derot -Ausführung hat und nur geringe Mengen an Siliziumkarbid SiC und anderen Verunreinigungen enthält. Damit eignet sich aber das mit dieser Erfindung entwickelte Verfahren zur Gewinnung und Herstellung von Si„Nr-Pulver, das als Ausgangswerkstoff für gesinterte Konstruktionselemente eingesetzt werden kann, die hohe Temperaturen und hohe Beanspruchungen aushalten können, beispielsweise als Bauelemente für
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GEFiD FÜLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
- bh -
10.8.1976
Gasturbinen a
Nachstehend soll nun diese Erfindung anhand der Beispiele 1 bis l4 näher erläutert werdeno Bei den mit den Buchstaben a bis g gekennzeichneten Beispielen handelt es sich um Referenzbeispiele.
Ausführungsbeispiele
Siliziumdioxidpulver - SiO_-Pulver - mit einem Korndurchmesser von durchschnittlich 13 /um, Kohlenstoffpulver - C-Pulver - mit einem Korndurchmesser von durchschnittlich 29 /um sowie metallisches Silizium-Si-Pulver mit einem Korndurchmesser von durchschnittlich Io8 /U sind in den mit Tabelle angeführten Mischungsverhältnissen miteinander vermischt und vermengt worden o
Die vorerwähnten Pulver oder Pulvergemenge sind für die Dauer von 2 Stunden bis 5 Stunden in einer nichtoxydierenden N„, N„ - KL, N„ - A oder NH„-Atmosphäre auf eine Temperatur von 1350 C bis I5OO C gebracht und bei dieser Temperatur gebrannt worden; Diesem Vorgang folgte eine Wärmebehandlung in oxydierender Atmosphäre, die bei einer Temperatur von 700 C durchgeführt wurde und 8 Stunden dauerteo Mit diesem Verfahren konnten Pulver des Si N.-Systems hergestellt und gewonnen werden,, Für jedes der Pulver des Si„N. Systemes wurden bestimmt und festgestellt: Der Stickstoffanteil N (in Gewichtsprozenten), der Anteil an £ -Si^N. (nachgewiesen durch das Röntgen-Beugungsbild), der Anteil an Siliziumkarbid SiC (Gewichtsprozente), die Anteile von metallischen Silizium Si sowie von anderen anderen metallischen Verunreinigungen (Gewichtsprozente) sowie die durchschnittliche Abmessung und
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÜLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
- 12 -
die durchschnittliche Partikelgröße. Alle diese Werte sind in der Tabelle angeführt,,
Für die Tabelle verwendet wurden die nachstehend angeführten Kurbezeichnungen und Symbole:-
p = Siliziumdioxidpulver
C = Kohlenstoffpulver
Si = metallisches Siliziumpulver
temp. = Temperatur (Grad Celsius)
während der Reaktionsbehändlung.
T = Zeit zur Durchführung der
Reaktionsbehandlung (Stunde)
S = durchschnittlicher Korndurch
messer (Mikron)
N = Stickstoffanteil (Gewichts
prozente)
OC-Si N. = Anteil an -Si N. (Gewichts
prozente)
SiC = Anteil an Siliziumkarbid SIC
(Gewichtsprozente)
Verunreinigungen = andere metallische Verunreinigungen (Gewichtsprozente).
Bei einem modifizierten Verfahren dieser Erfindung kann das Kohlenstoffpulver ganz oder zum Teil ersetzt werden durch ein Kohlenwasserstoff (Cx Hy), vorzugsweise durch ein festes Kohlenwasserstoff in Pulverform, (beispielsweise polyzyklisches, aromatisches Kohlenwasserstoff, wie beispielsweise Anthrazen)„ Bei einer anderen Modifikation des Verfahrens kann das metallische Siliziumpulver ersetzt werden durch eine anorganische Siliziumverbindung, welches in der Wärmebehandlung metallisches Silizium bilden läßt»
7098 U/0698
Tabelle
CVl I
ir-
in xj
P
CM
t- I
ON
H
ο cn
CO H
O
O
H I
Beispiel
Nr.
Zusammen
setzung
(Gewichts-
, C Si Reaktionsbe
dingungen
T
(h)
Atmos
phäre
N2 Eigenschaften des N (o/o) erzeugten Pulvers 0.09 igungeij ro
(T)
LLMEIER anteile) 2 0.2 Temp. 5 N2 N2 S Cm) 37.3 -Si3N^ [O/Oj 0.22
O
Q-
1 SiO. 3 1 i4oo 5 N2 N2 0.78 36.8 98 I SiC (0/0) Verunrein: 0.09 P1O
cn
U-
UJ
2 1 2 2 i4oo 5 N2 N2 0.78 37 o0 98 0.08 0o23

S
3 1 4 0.5 i4oo 5 N2 N2 0.77 37.1 98 0.18 O0O5
cc
(D
4 1 0.4 o.i i4oo 5 N2 N2 0.8 34.8 98 0o07 O.O5
O 5 1 2 0.2 1400 5 N2 N2 0.77 36.1 96 O.32 o.o4
CC
UJ
6 1 2 0.2 i4oo 5 N2 N2 0.77 34.0 97 < OoOl 0.08
•ο D 7 1 2 0.2 1380 2 N2 N2 0.74 37oO 97 < OoOl O.O7
co Q
Qr
8 1 2 0.2 1450 H
2
2
N2 + H2 0.83 36.9 98 OoOl O.O7
0.06
00 UJ
O
9 1 2 0.2
2 0.2
1400 1 : 1
NH
NH
0.75 37 ο 1
31.6
98 0.1 0o08 i
EMMERICH · 10
11
1 2 0.2 i4oo
1350
2 '-'N0 + A 0.74
0.7
35ol 89
97
O0O6 O.O5
8690 X 12 1
1
2 0.1 i4oo V.
5
0.66 36.9 97 O0O2 O.O5
U-' 13 1 2 0.05 i4oo 5 0.68 25.1 96 O.O5 O.27
UJ
b
14 1 4.5 - i4oo 2 0.7 19.2 94 O.O6 O.O9
a 1 2 l4oo 2 0.8 16.3 83 0.04 O.O9
I b 1 2 l4oo 2 0.71 35.2 81 O.9I O.O5
UJ C 1 0.4 - 1500 2 1.2 9.1 82 0.50 O.O5
d 1 0.4 - i4oo 2 0.77 34.1 77 2.91 0.01
e 1 - 1 1500 2 1.1 36.6 80 0.04 O.O7
f 1 2 0.05 i4oo 2 2.0 19.0 66 1.17
S - i4oo 0.78 83 -I
1 o.o4

Claims (8)

  1. PATENTANWÄLTE F.W. HEMWIEPICH · GtRO MÜLLER · ü. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
    - bh -
    2642554 10.8.1976
    Patentansprüche;-
    Verfahren zur Herstellung von «Λ. -Silizium-Nitrid-Pulver t
    dadurch gekennzeichnet, daß ein aus Silizumdioxidpulver, aus Kohlenstoffpulver und aus metallischen Siliziumpulver zusammengesetztes Gemenge in einer nichtoxydierenden Atmosphäre, die Stickstoff oder Ammoniak enthält, derart auf die Nitrierungstemperatur erwärmt wird, daß ein Produkt entsteht, welches Silizium-Nitrid enthält; daß das derart erhaltene Produkt sodann zur Entfernung des in ihm enthaltenen Kohlenstoffes auf höhere Temperaturen in einer oxydierenden Atmosphäre erwärmt wird,
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 2,
  3. dadurch gekennzeichnet, daß das Gemenge sich zusammensetzt aus: 1 Gewichtsanteil Siliziumdioxydpulver, aus ungefähr 0.
  4. 4 Gewichtsanteilen bis ungefähr h Gewichtsanteilen Kohlenstoffpulver sowie aus ungefähr 0,01 Gewichts anteilen bis ungefähr 2 Gewichtsanteilen metallisches Siliziumpulvere
    β Verfahren nach Anspruch 2,
    da durch gekennzeichnet, daß sich das Pulvergemenge zusammensetzt aus: 1 Gewichtsanteil Siliziumdioxidpulver, aus 0,4 Gewichtsanteilen bis ungefähr 4 Gewichtsanteilen Kohlenstoffpulver sowie aus ungefähr O0I Gewichtsanteilen bis ungefähr 2 Gewichtsanteilen metallisches Siliziumpulver.
    7098U/0B98
    PATENTANWÄLTE F.W. HEMMEPlCH - GhRD MÜLLER - D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
    - bh -
    2642554 10.8.1976
    - 15 -
    k. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Pulvergemenge zum Zwecke des Aufnitrierens auf eine Temperatur im Bereich von 1350 C bis ungefähr 1550 C erwärmt wird.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch kt
    dadurch gekennzei c~h net, daß das Pulvergemenge zum Zwecke des Aufnitrierens auf eine Temperatur erwärmt wird die im Temperaturbereich zwischen 1350 C bis ungefähr l48O°C liegt.
  6. 6. Verfahren nach irgendeinem der Anspruch 1 bis 5f dadurch gekennzeichnet, daß das aus dem Nitrierungsprozeß entstandene Produkte zum Zwecke der Entkohlung oder der Entfernung des Kohlenstoffes durch Erwärmen auf eine Temperatur im Temperaturbereich von 600 C bis ungefähr 800 C gebracht wird.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 6,
    dadurch gekennzeichnet, daß das im Nitrierungsprozeß gewonnene Produkt zur Entkohlung oder Entfernung des Kohlenstoffes auf eine Temperatur von ungefähr 600 C bis ungefähr 70O°C erwärmt wird.
  8. 8. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dafl das Kohlenstoffpulver durch einen Kohlenwasserstoff ersetzt wird.
    9· Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,
    7098U/0693
    PATENTANWÄLTE F.W. HEWMERICH · GEHC V.ÖLLCR · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
    - bh -
    2642554 10.8.1976 t - 16 -
    daß das metallische Siliziumpulver ersetzt wird von einer organischen Siliziumverbindung, die unter Wärmezufuhr metallisches Silizium entstehen läßt β
    - Ende -
    709814/0898
DE2642554A 1975-09-22 1976-09-22 Verfahren zur Herstellung von a- Siliziumnitrid Expired DE2642554C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50113762A JPS5238500A (en) 1975-09-22 1975-09-22 Production of alpha-silicon nitride powder

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2642554A1 true DE2642554A1 (de) 1977-04-07
DE2642554B2 DE2642554B2 (de) 1978-09-14
DE2642554C3 DE2642554C3 (de) 1979-05-03

Family

ID=14620488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2642554A Expired DE2642554C3 (de) 1975-09-22 1976-09-22 Verfahren zur Herstellung von a- Siliziumnitrid

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4117095A (de)
JP (1) JPS5238500A (de)
DE (1) DE2642554C3 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4514370A (en) * 1981-11-25 1985-04-30 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Process for preparing silicon nitride powder

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4218257A (en) * 1975-04-07 1980-08-19 Ngk Insulators, Ltd. Sintered silicon nitride body and a method of producing the same
JPS5290499A (en) * 1976-01-27 1977-07-29 Toshiba Ceramics Co Process for preparing siliconnitride having high alphaaphase content
JPS5443899A (en) * 1977-09-16 1979-04-06 Chisso Corp Preparation of silicon nitride
JPS5953234B2 (ja) * 1978-05-08 1984-12-24 日本特殊陶業株式会社 高強度窒化けい素焼結体の製造法
JPS5515964A (en) * 1978-07-21 1980-02-04 Tokyo Shibaura Electric Co Producing silicon nitride sintered body
JPS5527844A (en) * 1978-08-16 1980-02-28 Tokyo Shibaura Electric Co Manufacture of silicon nitride sintered article
US4376652A (en) * 1979-01-08 1983-03-15 Gte Products Corporation High density high strength Si3 N4 ceramics prepared by pressureless sintering of amorphous Si3 N4 powder and Ti
JPS55113603A (en) * 1979-02-19 1980-09-02 Toshiba Corp Manufacture of alpha silicon nitride powder
JPS5673603A (en) * 1979-11-14 1981-06-18 Toshiba Corp Manufacture of silicon nitride
JPS5673604A (en) * 1979-11-22 1981-06-18 Toshiba Corp Manufacture of silicon nitride
US4396587A (en) * 1980-08-29 1983-08-02 Asahi-Dow Limited Method for manufacture of silicon nitride
US4388255A (en) * 1981-03-27 1983-06-14 Boeing Aerospace Co. (A Division Of The Boeing Company) Method for producing pre-shaped α-silicon nitride whisker compacts and loose whiskers for composite material reinforcement
SE449221B (sv) * 1983-04-19 1987-04-13 Kemanord Ind Ab Forfarande for framstellning av kiselnitrid genom omsettning av kiseldioxid, kol och kveve vid en temperatur over 1300?59oc
US4552711A (en) * 1983-06-21 1985-11-12 Cornell Research Foundation, Inc. Use of free silicon in liquid phase sintering of silicon nitrides and sialons
US4487840A (en) * 1983-06-21 1984-12-11 Cornell Research Foundation, Inc. Use of silicon in liquid sintered silicon nitrides and sialons
US4582696A (en) * 1985-04-15 1986-04-15 Ford Motor Company Method of making a special purity silicon nitride powder
US4604273A (en) * 1985-04-19 1986-08-05 Gte Products Corporation Process for the growth of alpha silicon nitride whiskers
US4701316A (en) * 1986-08-29 1987-10-20 Allied Corporation Preparation of silicon nitride powder
US5538675A (en) * 1994-04-14 1996-07-23 The Dow Chemical Company Method for producing silicon nitride/silicon carbide composite
US5935705A (en) * 1997-10-15 1999-08-10 National Science Council Of Republic Of China Crystalline Six Cy Nz with a direct optical band gap of 3.8 eV
RU2556931C1 (ru) * 2014-02-11 2015-07-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук Способ получения композиционных порошков на основе альфа-фазы нитрида кремния методом свс
KR20220131011A (ko) * 2021-03-19 2022-09-27 주식회사 아모텍 기판 제조용 질화규소 분말 제조방법 및 이를 통해 제조된 질화규소 분말

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1104384A (en) * 1904-12-30 1914-07-21 George Westinghouse Process of producing silicon monoxid.
US1054901A (en) * 1909-11-23 1913-03-04 Basf Ag Compounds containing silicon and nitrogen and process of producing such compounds.
GB1121293A (en) * 1963-10-28 1968-07-24 Mini Of Technology Improvements in the manufacture of silicon nitride
US3244480A (en) * 1964-03-03 1966-04-05 Robert C Johnson Synthesis of fibrous silicon nitride
US3728436A (en) * 1970-11-09 1973-04-17 V Kokin Method of obtaining silicon monoxide
US3855395A (en) * 1972-09-06 1974-12-17 Univ Utah Production of silicon nitride from rice hulls
US3959446A (en) * 1974-03-01 1976-05-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Synthesis of high purity, alpha phase silicon nitride powder

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4514370A (en) * 1981-11-25 1985-04-30 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Process for preparing silicon nitride powder

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5413240B2 (de) 1979-05-29
DE2642554B2 (de) 1978-09-14
US4117095A (en) 1978-09-26
JPS5238500A (en) 1977-03-25
DE2642554C3 (de) 1979-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2642554A1 (de) Verfahren zur herstellung von alpha- silizium-nitrid-pulver (alpha-si tief 3 n tief 4 -pulver)
DE2814235A1 (de) Verfahren zur herstellung von alpha- siliziumnitridpulver
DE2736861C3 (de) Polykohlenstofffluoride und Verfahren zur Herstellung derselben
DE2733354A1 (de) Verfahren zur herstellung eines keramikproduktes
DE2909023A1 (de) Verfahren zur herstellung eines siliciumcarbidpulvers
DE3023297C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Vorproduktes für die Erzeugung von Siliziumcarbid
EP0012915B1 (de) Verfahren zur Herstellung von oxidischen Kernbrennstoffkörpern
DE3719515A1 (de) Oxidationsbeständiger Körper aus Kohlenstoff und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2940629A1 (de) Verfahren zur erzeugung oxidationsbestaendiger siliciumnitrid-sinterkoerper mit verbesserter mechanischer festigkeit
DE3510264A1 (de) Amorphes feinteiliges pulver und verfahren zur herstellung einer feinteiligen pulvermischung aus siliciumnitrid und siliciumcarbid
DE102008062177A1 (de) Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumnitrid
DE2700208A1 (de) Polykristalliner siliziumnitrid- koerper und verfahren zu dessen herstellung
DE3100554C2 (de)
DE2909104A1 (de) Sinternde siliziumkarbidpulver und verfahren zu deren herstellung
DE2833909A1 (de) Aktives siliziumcarbidpulver, enthaltend eine borkomponente, und verfahren zu dessen herstellung
DD279465A5 (de) Verfahren zur herstellung selbsttragender keramikkoerper mit gerader form
DE3338755A1 (de) Formkoerper auf siliziumkarbidbasis zum einsatz bei der halbleiterherstellung
DE3531790A1 (de) Verfahren zur herstellung de (beta)-form von si(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts)n(pfeil abwaerts)4(pfeil abwaerts)
DE282748C (de)
DE3602647C2 (de)
DE3543752C2 (de)
DE102021131748B3 (de) Verfahren zum Herstellen von hochreinem Siliziumkarbid-Pulver
DE2244526C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Metallcarbide!!
DE19502385C2 (de) Verfahren zum Verstärken von keramischen Formkörpern und verstärkte keramische Formkörper
DE102018110731B4 (de) Azotiertes Silicium-haltiges Pulver

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP

8339 Ceased/non-payment of the annual fee