DE2617481A1 - Halleffekt-bauelement - Google Patents
Halleffekt-bauelementInfo
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Classifications
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- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
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Landscapes
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
Böblingen, den 20. April 1976 bu~fr
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: · Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: RA 974 014
Halleffekt-Bauelement
Vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halleffekt-Bauelement
gemäss Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Magnetköpfe mit Halleffekt-Bauelementen sind allgemein bekannt.
Derartige Halleffekt-Bauslernente erzeugen im allgemeinen eine
Hallspannung mit einem Ausgangswert von bestenfalls 10 bis 20 mV pro Kilogauss, wie es z.B. beschrieben in IEEE Transactions on
Electronic Devices, Vol. ED-16, No. 1, Januar 1969, Seiten 35
bis 39 ist. Hier wird ein MOS Siliziummagnetfeldumsetzer hoher Empfindlichkeit beschrieben. Die Empfindlichkeit dieses Bauelementes
ergibt eine Ladungsträgerbeweglichkeit in der Grössenord-
nung von 116 cm /Vs. Die Ausgangsempfindlichkeit an den Hallanschlüssen
liegt in der Grössenordnung von 10 mV pro Kilogauss.
Es wird in dem Artikel ausserdem festgestellt, dass man für die Hall-Beweglichkeit bestenfalls den theoretischen Wert von 150 cm /
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Vs erreichen kann. Das an die verschiedenen, in diesem Artikel
erwähnten Bauelemente angelegte Feld beträgt ungefähr 180 Volt/
cm.
Ein anderes Halleffekt-Bauelement, und zwar in T-Form, ist in der
üS-Patentschrift Nr. 3 114 009 beschrieben. Andere Patentschriften
die Halleffekt-Bauelemente zeigen, sind die US-Patentsehriften
Nr. 3 715 522 und 3 852 802. Ein weiterer Typ eines Halleffekt-Bauelementes in integrierter Schaltungsbauweise ist im "IBM
Technical Disclousure Bulletin", Vol. 17. No. 7, Dezember 1974, Seiten 1895 und 1896, gezeigt.
Neben vielen anderen Beschreibungen dieser Art v/erden die oben zitierten als für den Stand der Technik repräsentativ gehalten
und als Basis vorliegender Erfindung angesehen. Ein allgemein bekannter und hinreichend beachteter Effekt ist der, dass bei Erhöhung
der Steuerspannung und damit des angelegten elektrischen Feldes die Beweglichkeit der Ladungsträger im Hallplättchen abnimmt,
wobei die Ursachen hierfür noch nicht vollständig bekannt sind. Die Änderungen der Trägerbeweglichkeit v/erden entweder dem längs
dem Kanal in FET-Ausführung einwirkenden elektrischen Feld oder dem senkrecht zum Kanal verlaufenden elektrischen Feld oder beiden
zugleich zugeschrieben. Eine zufriedenstellende theoretische Erklärung für diesen Effekt ist wie gesagt noch nicht gefunden,
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obgleich empirische Lösungen vorgeschlagen sind. Festgestellt ist
lediglich, dass bei Feldstärkeerhöhung ab einer bestimmten an das Hallplättchen angelegten elektrischen Feldstärke die Elektronenbeweglichkeit
gegenüber dem Wert bei niedrigem Anregungsfeld von
annähernd 115 cm /Vs abzuweichen und abzunehmen beginnt. Das elektrische
Feld, bei dem diese Erscheinung für Elektronen auftritt,
4
liegt in der Grössenordnung von 10 Volt/cm. (Siehe: Cobbold, "Theory in Applications of Field Effect Transistors", Wiley Interscience, N.Y. 1970). Siehe auch IEEE Trans, on Electronic Devices, Vol. ED-19., Seiten 681 bis 690, Mai 1972 und IEEE Transactions on Electron Devices, ED-14 Vol. 37, Januar 1967 und IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED--12, Seiten 248 bis 254, Mai 1965, wo klar gezeigt ist, dass die Elektronenbeweglichkeit oder die Ladungsträgerbeweglichkeit bei Halleffekt-Bauelementen bei ange-
liegt in der Grössenordnung von 10 Volt/cm. (Siehe: Cobbold, "Theory in Applications of Field Effect Transistors", Wiley Interscience, N.Y. 1970). Siehe auch IEEE Trans, on Electronic Devices, Vol. ED-19., Seiten 681 bis 690, Mai 1972 und IEEE Transactions on Electron Devices, ED-14 Vol. 37, Januar 1967 und IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED--12, Seiten 248 bis 254, Mai 1965, wo klar gezeigt ist, dass die Elektronenbeweglichkeit oder die Ladungsträgerbeweglichkeit bei Halleffekt-Bauelementen bei ange-
4 legten Feldern in der Grössenordnung von 10 Volt/cm abzufallen beginnt, obwohl wie gesagt,' dieser Vorgang nicht vollständig verstanden
wird.
Die Aufgabe der Erfindung besteht nun darin r ein Halleffekt-Bauelement
bereitzustellen, das bei hoher Ladungsträgerbeweglichkeit eine vorteilhafte Anwendung-zur Magnetfluss-- Magnetfeldabfühlung,
wie beispielsweise bei Magnetköpfen gestattet.
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Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss gelöst, wie im Kennzeichen des
Patentanspruchs 1 angegeben.
Unter solchen Voraussetzungen lassen sich in vorteilhafter Weise Signaländerungen bzw. Signalspannungen erzielen, die um eine
Grössenordnung höher liegen, als sie bisher erreicht worden sind und zwar etwa ein bis zwei Volt pro Kilogauss.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen
zu entnehmen.
Mit Hilfe einer Ausführungsbeispielsbeschreibung wird die Erfindung
an Hand unten aufgeführter Zeichnungen im einzelnen erläutert
Es zeigen:
Fig. 1
Fig. 2
in schematischer Weise ein Ausführungsbeispiel der Erfindung,
ein Halleffekt-Bauelernent gemüss der Erfindung
in einer beispielhaften Betriebsschaltungsart,
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Fig. 3 ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfin
dung zur vorteilhaften Kompensation der in Halleffekt-Bauelementen
auftretenden Verlagerungsspannung ,
Fig. 4 ein Diagramm der Ladungsträgerbeweglichkeit als
Funktion des Quadratflächenwiderstandes in Ohm,
wie er bei verschiedenen Dotierungstiefen in einem Halbleiter vorliegt.
;Fig. 5 ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfin-
dung in integrierter Schaltungstechnik und zwar in ähnlicher Form wie in Fig. 3 gezeigt,
Fig. 6 eine graphische Darstellung der Ladungsträger
geschwindigkeit, in Abhängigkeit von der Stärke des angelegten elektrischen Feldes,
Fig. 7 ein Schema zur Erläuterung der Arbeitsweise der
Erfindung ohne angelegtes Magnetfeld und
Fig. 8 ein Schema zur Erläuterung der Arbeitsweise der
Erfindung bei angelegtem Magnetfeld.
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In Fig. 1 ist ein Schema eines Ausführungsbeispieles der Erfindung
gezeigt. Ein Hallplättchen 1 hat die Elektroden 2 und 3 für die daran anzulegende Steuerspannung. Eine einpolig geerdete
' SteuerSpannungsquelle ist beispielsweise mit der Elektrode 2 ver- j
; bunden, während die Elektrode 3 an Erde liegt. Es besteht dann zwischen den Elektroden 2 und 3 ein elektrisches Feld E. Nimmt man
; an, dass das Hallplättchen 1. über seiner Länge einen gleichmässig
ι verteilten Widerstand besitzt, so lässt sich das elektrische
Potential an irgendeinem Punkt im Hallplättchen 1 leicht im ;Verhältnis zur Steuerspannung ableiten. Ein Vorsprung 4 des HaIl-
:plättchens 1 mit einem Hallanschluss liegt darstellungsgemass an
;einer Stelle zwischen den Elektroden 2 und 3. Die sich ergeben-
!de Hallspannung, auf Erdpotential bezogen, ist ebenfalls angedeu-
!tet.
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Völlig unerwartet wurde festgestellt, dass die Signalausgangsspannung
am Abfühlkontakt 4 ungefähr 1 oder 2 Grössenordnungen höher liegt als bei den besten bisher bekannten
Hallelementen, wenn die spezifische Leitfähigkeit des Halbleiterkörpers 1 innerhalb bestimmter Mindestbereiche
und das elektrische Feld zwischen den Anschlüssen 2 und 3 auf ausreichender Höhe gehalten werden. Das zeigt, dass
eine Ladungsträgerbeweglichkeit erreicht werden kann, die sich den Beweglichkeitswerten massiven Halbleitermaterials
nähert. Die Arbeitsweise des Elementes, wie es in einer der Fign. 1 bis 5 gezeigt ist, wird hier zusammen mit einer
Ableitung der Formeln besprochen, welche die zugehörigen physikalischen Vorgänge beschreiben.
Das Grundprinzip der Hallelemente scheint darin zu liegen, dass die Lorentzablenkung geladener Träger eine Hall-Spannung
ergibt. Fig. 7 zeigt schematisch die Grundstruktur eines erfindungsgemässen Elementes, in der eine Spannungsquelle
an die Kontakte 2 und 3 angeschlossen ist, die an gegenüberliegenden Kanten eines Körpers aus Halbleitermaterial 1
angeordnet sind. Eine Sonde oder ein Kontaktpunkt 4 liegt zwischen den Kontakten 2 und 3 auf dem Körper 1. Der Abstand
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in der Länge L des Körpers 1, an dem die Sonde 4 angeschlossen ist, wird mit X bezeichnet, und die Spannung
V„ zwischen dem Kontaktpunkt 4 und Erde ist die zu überwachende
Ausgangsspannung. Die Breite des Körpers 1 ist W, und das elektrische Feld E existiert zwischen den Kontakten
Z und 3 über der Länge L. Nimmt man einen gleichförmigen
spezifischen Widerstand des Körpers 1 zwischen den Kontakten Z und 3 an, dann ist das Spannungspotential
an einem Punkt X der Länge L proportional dem Abstand von der Quelle V . Eine Stromdichte J von fliessenden Ladungsträgern
besteht gemäss Darstellung in Fig. 7.im Körper 1.
In Fig. 7 zeigen die verschiedenen gestrichelten vertikalen Linien die Aequipotentiallinien im Körper 1 an. In dem in
Fig. 7 gezeigten Zustand wurde kein Magnetfeld B am Halbleiterkörper angelegt. Der Fühler spricht aber auf senkrecht
auf seine Fläche gerichtete magnetische Felder beider Polaritäten an.
Fig. 8 gibt im wesentlichen die Fig. 7 wieder, jedoch ist hier ein Magnetfeld B in die Ebene des Papiers gerichtet,
was durch das XR im Körperteil der Fig. 8 angezeigt ist.
Der Effekt besteht darin, die Aequipotentiallinien so zu
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- 8 -
; " 609848/0 589
drehen, dass ihre Enden um eine Strecke S gegenüber der ursprünglichen vertikalen in Fig. 7 gezeigten Lage verlagert
oder versetzt sind. Dieser Drehwinkel ist ausgedrückt als Θ, oder Hallwinkel der Drehung, wie er in Fig.
8 gezeigt ist. Aus einem Vergleich der Fign: 7 und 8 geht klar hervor, dass die Drehung der Aequipotentiallinien
innerhalb der Halbleiterplatte durch die Einführung eines magnetischen Feldes bewirkt wurde, dessen Richtung senkrecht
zur Oberfläche der Platte 1 verläuft. Die nachfolgende Gleichung (1) stellt einen Ausdruck der Spannung V„ dar, gemessen
zwischen der Sonde 4 und Erde, wie es in den Fign. 7 und gezeigt ist.
Vv[i(i) ■ (υ
Die obige Gleichung (1) basiert auf der Annahme, dass der spezifische Widerstand des Körpers 1 auf der ganzen Länge
derselbe ist und dass die Spannung V„ an jedem Punkt eine Funktion des Abstandes in der Länge L (der τ- Teil der
Gleichung (I)) und einer Signalkomponente S ist, die durch die Drehung der Aequipotentiallinien nach Darstellung in
Fig. 8 herbeigeführt wird (der γ Teil der Gleichung (I)).
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Der Ausdruck S in Gleichung (1) ist eine Funktion der
IVinkeldrehung der Aequipotentiallinien in Fig. 8, die
sich aus dem Anlegen eines Magnetfeldes der Dichte B normal zur Plattenoberfläche 1 ergibt. Die nachfolgende
Gleichung (2) ergibt S ausgedrückt durch den Drehwinkel Θ, , die :Plattenbreite W, die Flussdichte B und die Ladungsträgerbeweglichkeit
μ.
tg (eh) = ψ - μΒ (2)
Löst man die obige Gleichung (2) nach S auf und setzt diesen Wert in die Gleichung (1) ein, so ergibt sich die
nachfolgende Gleichung (3):
V0 s . L
Die Gleichung (3) ist der fundamentale Ausdruck für das Potential, das an der Sonde 4 gemessen wird, die in einem
Abstand X vom Erdanschluss 3 am Körper 1 des Fühlers liegt. Die Gleichung (3) gibt dieses Potential an als eine Funktion
der Trägerbeweglichkeit μ, der Magnetflussdichte B und der Plattenform ■:-, sowie der Klemmenspannung V . Die Ausgangs-
L· S
spannung Vn enthält zwei Ausdrücke. Der Ausdruck V ·γ stellt
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eine Verlagerungsgleichspannung an der Sonde 4 dar, die mittels einer Spannung vom Wert V~, abgegriffen v/ie Fig.
2 zeigt durch ein einstellbares Potentiometer R an der Spannung V , kompensiert werden kann. Das bevorzugte Verfahren
zur Kompensation der Verlagerungsspannung ist in der abgeglichenen, doppelt T-förmigen Fühlerstruktur der
Fig. 3 gezeigt, die später beschrieben wird. Das Ausgangssignal der in Fig. 3 gezeigten Struktur ist durch die nachfolgende
Gleichung (4) gegeben.
= Vs · I - Bu (4)
Der Wert der Be\\'eglichkeit μ, wie er in der vorliegenden
Erfindung beschrieben ist, entspricht recht genau dem Massenbeweglichkeits\vert· im Ladungsträgerm'aterial 1. Für
eine gegebene Quellenspannung V , die eine genügend grosse den kritischen Wert E übersteigende Feldstärke erzeugt, von
der später noch die Rede sein wird, kann die Empfindlichkeit
W des Fühlers durch die Wahl des Verhältnisses γ modifiziert
werden. Es kann gezeigt werden, dass das Signal/Rauschverhältnis bei einem derartigen magnetischen Fühler annähernd
proportional istij-J2.
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Aequivalente Ausdrücke für die obige Gleichung (4) sind:
V0 = W RhJB (5)
V0 - W VdB (6)
R IB
V = —-— Γ7Ί
V 0 T L '}
worin T die Dicke der Scheibe 1 bedeutet, R, ist gleich ρμ=™,
was die Hall-Konstante ist, V, ist gleich der Driftgeschwindigkeit
der Ladungsträger, B steht für das Magnetfeld in Gauss, I für den Quellenstrom und W ist die Breite des
Fühlers.
Die obige Gleichung (7) zeigt, dass die Fühlerausgangsspannung oder die Hall-Spannung umgekehrt proportional der
Dicke der Halbleiterplatte 1 ist. Macht man eine solche Platte dünn, so müsste man daher pro Einheit des Feldes B
eine grosse Hall-Spannung bekommen.
Einige andere Ausdrücke für die Fühlerausgangsspannung an der Sonde 4 sind folgende:
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= BI · μ - Rs (8)
V = By -W- yP^R"1 (9)
Die Gleichung (6) hat gezeigt, dass die Hall-Spannung oder die Ausgangsspannung proportional ist der Geschwindigkeit
und nicht der Anzahl der Ladungsträger. Hierbei handelt es sich um einen wichtigen Punkt, der später noch
genauer behandelt wird. Die obige Gleichung (8) zeigt, dass die Ausgangsspannung ausgedrückt ist durch den angelegten
Strom und das Produkt von Trägerbeweglichkeit und spezifischem Flächenwiderstand R des Halbleiterkörpers im aktiven
Bereich.
Die Gleichung (4) reflektiert den Umstand, dass die Ausgangsspannung
durch die angelegte Spannung und die Trägerbeweglichkeit, zusammen mit der Magnetflussdichte und dem
geometrischen Formverhältnis des Elementes ausgedrückt werden kann. Weder die Gleichung (8) noch die Gleichung (4)
zeigen jedoch die innewohnenden Begrenzungen der Spannungsoder Stromwerte, die an das Halbleiterelement angelegt
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werden können. Nach diesen Gleichungen könnte die Ausgangsspannung
pro Einheit des angelegten Feldes durch Anlegen eines ausreichenden Stromes oder einer Spannung auf jeden
gewünschten Wert geregelt werden, solange die im Halbleiterkörper erzeugte Hitze abgeleitet werden kann. Es müssen
deshalb--auch die Grenzen gezeigt werden, die durch die im
aktiven Bereich des Halbleiterkörpers entwickelte Stromdichte gezogen sind. Das ist der Zweck der Gleichung (9)·
Die Gleichung (9) ist als der praktischste Ausdruck anzusehen, da sie die Ausgangs- oder Hall-Spannung durch die Trägerbeweglichkeit
μ, den spezifischen Flächenwiderstand R des Elementes, die Breite des Elementes W und die Leistungsdichte
P, die sich im leitenden Bereich des Fühlerkörpers ergibt, ausdrückt. Anschliessend wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel
der Erfindung beschrieben, das in FET-Technik ausgeführt wird.
Zuerst müssen jedoch verschiedene Ueberlegungen angestellt werden. Am Anfang steht die durch die Gleichung (4) gezeigte
Tatsache, dass die Ausgangsspannung proportional ist der Beweglichkeit μ der Ladungsträger. Es ist allgemein bekannt,
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dass bei Zunahme des an einen Halbleiterkörper angelegten elektrischen Feldes E die Beweglichkeit μ abnimmt. Die
Gründe hierfür sind nicht vollständig bekannt. Als Beispiele für die zahlreichen Betrachtungen und Untersuchungen
sind jedoch anschliessend einige Literaturstellen aufgeführt: Gibbons'· J.F. Abhandlung über "Carrier Drift Velocities in
Silicon at High Electric Field Strengths", IEEE Transactions on Electron Devices, Ed-14, Vol. 37, Januar 1967, oder
Merkel G. und Joseph B. und Cupcea N.Z. "An Accurate Large Signal MOS Transistor Model für Use in Computer Aided Design",
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-19, Seiten
681 bis 690, Mai 1972, und Cobbold R.S.C. "Theory and Application
of Field Effect Transistors", Wiley Interscience, Seiten 102 bis 105, New York, 1970. Siehe auch Caughey B.M.
und Thomas R.E. "Carrier Mobilities in Silicon Empirically Related to Doping in Field", Proceedings of the IEEE Letters,
Vol. 55, Seiten 2191 und 2193, Dezember 1967.
Zusammengefasst lehrt die Technik bisher, dass grössere Hall-Aus gangs spannungen erreicht werden durch Erhöhung der Beweglichkeit
und dass die Erhöhung des elektrischen Feldes über dem Element diese Beweglichkeit und damit auch die HaIl-
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Ausgangsspannung herabsetzt. Bei der Verwendung von Silizium
für das Hallelement mit hoher Empfindlichkeit, wie es in dem im ersten Abschnitt der Einleitung erwähnten Vortrag
gezeigt ist, erhält man die besten Hall-Spannungen mit
2 Beweglichkeitswrerten in der Grössenordnung von 150 cm /Vs
für die'zugrundegelegte Substanz. Bekanntlich können andere Substanzen wie Galliumarsenid eine wesentliche höhere Ladungsträgerbeweglichkeit
aufweisen, die mit der gewöhnlichen Driftbeweglichkeit für Silizium und Germanium durchaus vergleichbar
ist, so gezeigt in "The Physics of Semiconductors", von S.M. Sze, Seite 40, Herausgeber John Wiley and Sons, 1969.
Wie dort auf Seite 45 gezeigt wird, muss die Hall-Beweglichkeit auch genau von der Driftbeweglichkeit der Ladungsträger unterschieden
werden.
Sowohl die Hall-Beweglichkeit als auch die Ladungsträgeroder Driftbeweglichkeit nehmen aber bekanntlich mit zunehmendem
elektrischen Feld ab, wie schon früher gesagt wurde, und daher gehen die Ansichten der Fachleute bisher, verglichen
mit der vorliegenden Erfindung, genau in die entgegengesetzte Richtung. Laut diesem sollte man kein grosses elektrisches
Feld benutzen, da es die Beweglichkeit herabsetzt und zu
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einer geringeren Hall-Ausgangsspannung führt. Die Schwierigkeiten
liegen bisher in den Ausdrücken, mit denen auf theoretischer Basis ermittelt wurde, welche Hall-Ausgangsspannung
vorliegen könnte.
Wie aus den obigen Ableitungen zu ersehen ist, ist das massgebende
Kriterium die Trägergeschwindigkeit und nicht die Beweglichkeit. Erreicht man jedoch eine hohe Trägergeschwindigkeit
nur durch Anlegen eines hohen elektrischen Feldes, so würde das zu verheerenden Folgen wegen Ueberhitzung
führen, wie viele Forscher zweifellos unbeabsichtigt erfahren haben. Der spezifische Widerstand des Materials ist eine
Funktion des Verunreinigungsgrades, die berücksichtigt werden muss, da sie ebenfalls die Träger- und die Hall-Beweglichkeit
beeinflusst, wie auf Seite 40 des zuletzt genannten Dokuments gezeigt ist. Die obige Gleichung (9) tut das.
Die. bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung und alle Funktionsbeispiele, welche den bisher bekannten Grad der
Leistungsfähigkeit überschreiten, erfordern daher bestimmte Mindestkriterien. Zuerst muss das Halbleitermaterial, dessen
Art keine Rolle spielt, immerhin so gewählt werden,· dass ein
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spezifischer Flächenwiderstand von ungefähr 500 Ω oder mehr erreicht wird. Dieser Widerstand wird erzielt durch
die Wahl der Dicke der Halbleiterplatte und die Höhe der Verunreinigungskonzentration, wie dies in Fachkreisen
bekannt ist. Verschiedene Verfahren zur Einstellung der Verunreinigungskonzentration sind ebenfalls bekannt. Das
andere zu erfüllende Kriterium ist ein elektrisches Erregungsfeld in der Grössenordnung von wenigstens 500 Volt/cm,
um die erforderlichen Trägergeschwindigkeiten zu erreichen und so die verbesserte Ausgangsspannung zu erzielen.
Die Kombination dieser Kriterien verlangt ein besonderes Element mit einzigartigen Betriebsverhältnissen, das ein
bisher unbekanntes Ergebnis zeitigt, welch letzteres ausser-
dem im Widerspruch zu der allgemein anerkannten Ansicht über Hallelemente steht.
Im Diagramm der Fig. 4 ist die Ladungsträgerbeweglichkeit als eine Funktion des spezifischen Flächenwiderstandes aufgezeichnet.
Die Verunreinigungskonzentration ist ebenfalls aufgezeichnet als Anzahl der Donatoratome pro Kubikzentimeter
in der Kurve für N-leitendes Silizium. Daraus geht
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hervor, dass der spezifische Widerstand und damit die Trägerbeweglichkeit um .so höher ist, je niedriger die
Verunreinigungskonzentration ist.
Anhand der Gleichung (6) wird gezeigt, dass die Signalausgangsspannung
proportional der Driftgesclwindigkeit V, ist. Fig. 6 zeigt den Einfluss des elektrischen Feldes oder
der Trägergeschwindigkeit für verschiedene Halbleitermaterialien und für Elektronen und Defektelektronen (= Löcher).
4 Es ist klar, dass bei einem elektrischen Feld von 3 . 10 Volt/cm die Trägergeschwindigkeit sich der Sättigung nähert
. 7 und dass die Geschwindigkeit von 10 cm/sec. eigentlich
unabhängig ist vom Material und vom Trägertyp (Defektelektronen und Elektronen). Aus der Gleichung (6) geht hervor,
dass ein elektrisches Feld von 3 · 10 Volt/cm erwünscht ist, und dass die Hall-Signalspannung im Grunde genommen
unabhängig vom verwendeten Material oder der Art der Ladungsträger ist. Zur Erzielung dieses Feldes müssen die
für diese Erfindung geltenden Kriterien mit Bezug auf den spezifischen Mindest-Flächenwiderstand der leitenden Platte
in Ohm unbedingt beachtet werden. Aus der obigen Beschreibung geht hervor, dass die Zusammensetzung des Halbleitermaterials
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-ZO'
oder die Art der benutzten Ladungsträger zum Erzielen einer grossen Signalspannung unwesentlich ist, vorausgesetzt dass
die Kombination des genannten Flächenwiderstandes und des einwirkenden elektrischen Feldes gleichzeitig erfüllt sind.
Es ist wichtig zu wissen, dass die Kriterien sowohl für das elektrische Feld als auch für den spezifischen Flächenwiderstand
erfüllt sein müssen, um ein funktionsfähiges Element zu erhalten, das nicht wegen übermässiger Leistungsbeanspruchung
durchbrennt. Unterhalb dieser Grenzwerte kann zwar so ein Element funktionieren, damit werden jedoch
nicht die verbesserten Betriebseigenschaften der vorliegenden Erfindung erreicht.
Im Zusammenhang mit Fig. 5 wird anschliessend ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel. der Erfindung beschrieben, das in
FET-Technik und mit Steuerung des Verunreinigungsgrades und der Eindringtiefe durch Ionenimplantation ausgeführt ist.
Die Technik der Ionen-Implantation zur Steuerung des Verunreinigungsgrades
und der Eindringtiefe in Halbleitern ist allgemein bekannt und in den US-Patentschriften Nr. 3.341.754,
'3.434.894 und 3.653.977 beschrieben. Da die Ionenimplantation nur eine Methode der Steuerung des Verunreinigungsgrades und
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der Kanaltiefe in Halbleitern ist und viele andere Methoden ebenso bekannt sind, erübrigt sich hier eine detaillierte
Beschreibung dieser Verfahren. Das Element muss lediglich in halbleitendem Material wie Silizium, Germanium oder
Galliumarsenid mit einem Verunreinigungsgrad so ausgeführt sein, dass die Anzahl der Donatoratome pro Kubikzentimeter
gemäss Darstellung in Fig. 4 im allgemeinen im Bereich unter
18
10 liegt, so dass man einen spezifischen Flächenwiderstand von mindestens 500 Ω erreicht.
10 liegt, so dass man einen spezifischen Flächenwiderstand von mindestens 500 Ω erreicht.
In Fig. 5 ist eine bevorzugte Form der Erfindung gezeigt, die ähnlich aufgebaut ist wie das Element der Fig. 3. Fig.
5A zeigt eine Draufsicht auf zwei durch Ionenimplantation gebildete Halbleiterbereiche 6, die zwischen sich einen
gemeinsamen unterteilenden Diffusionsbereich und Anschlussstreifen haben, der ein elektrischer Kontakt Cl des Fühlers
ist. Die anderen Enden der genannten Halbleiterbereiche 6 werden durch Diffusionsstreifen abgeschlossen, welche die
elektrischen Kontakte C2 und CZ bilden. Die Fühlersonden 4
sind an einer Kante der Implantationsbereiche oder Kanäle 6 angeordnet, so dass sie im wesentlichen die Längen L der
eigentlichen Implantationsbereiche halbieren. Die gezeigten
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: 609848/058
Fühlersonden sind von der bevorzugten Art, bei denen ein schmaler Implantationsbereich aus dem Hauptkörper des
Halbleitermaterials hervorragt, so dass bei Herstellung eines Diffusionskontaktes keine weiteren Verunreinigungen
in den Hauptkörper des Halbleiters eingeführt werden. Andere Möglichkeiten zur Befestigung eines Anschlusses
sind ebenfalls brauchbar .wie beispielsweise durch direkte physische Berührung mit einem Mikrokontakt, Verkittung bei
niedriger Temperatur usw. Der Implantationsbereich mit dem kleinen Vorsprung 4, der als Sondenanschlusspunkt dient,
wird während der Ionenimplantation mit einer Maske hergestellt, so dass die Geometrie des Implantationsbereiches
ebenso genau beherrscht werden kann wie die Lage und Breite des anschliessenden Kontaktpunktes.
Der schraffierte Bereich in der Draufsicht der Fig. 5A ist der Implantationsbereich 6 auf einer Platte aus Halbleitermaterial
7 wie beispielsweise Silizium, in das Donatorionen wie Phosphor durch Beschuss mit hoher Energie eingebracht
wurden. Die Kontaktbereiche Cl, C2, C3 und die Kontaktplättchen 5, welche der Verbindung mit den Fühlersonden
4 dienen, werden typisch durch Maskierung und anschliessende
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Diffusion hergestellt, bei der hohe Zahlen von Ladungsträgerdonatoren
in begrenzte Bereiche des halbleitenden Substratmaterials eingeführt werden. Danach lässt man eine
Siliziumdioxidschicht 8 auf der ganzen Oberfläche des Halbleiterkörpers mit den Implantationsbereichen aufwachsen oder
niederschlagen. An den entsprechenden Stellen werden zur Befestigung elektrischer,Leiter Löcher durch die Siliziumdioxidschicht
geätzt und Aluminiumkontaktstreifen über der Siliziumdioxidschicht niedergeschlagen und durch die verschiedenen
geätzten Löcher hindurch geführt, um Kontakt mit den Punkten C2, Cl und C3 sowie mit den kleinen Sondenansätzen
4 herzustellen.
Fig. 5B zeigt zwecks besserer Einsicht einen Längsschnitt durch das Element von Fig. 5A. Die Implantationsbereiche 6
sind bis zu einer Tiefe X, eingebracht, die durch die Energie der Ionen in Elektronenvolt bestimmt wird, welche auf die
Oberfläche des Siliziumsubstratmaterials 7 auftreffen. Das Material des Siliziumsubstrats hat ungefähr eine Konzentration
von etwa 5 · 10 Akzeptoratomen. Die Diffusionsbereiche Cl, C2, C3 und die Kontaktplättchen 5 haben eine ungefähre Dona-
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torenkonzentration von 2 · 10 Donatoren pro Kubikzentimeter,
torenkonzentration von 2 · 10 Donatoren pro Kubikzentimeter,
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so dass sie Bereiche mit relativ hoher Leitfähigkeit darstellen. Eine Siliziumdioxidschicht 8 liegt über dem Implantationsbereich
6 und den Kontakten Cl bis C3 und 5, wie es im Querschnitt gezeigt ist. Löcher sind an den geeigneten
Stellen so durchgeätzt, dass die Aluminiumkontaktstreifen 9 durch die Löcher hindurchragen und physisch mit den verschiedenen
Kontaktbereichen in Berührung kommen können.
Die Kontaktbereiche der Sondenanschlüsse 4 sollten im allgemeinen so schmal wie möglich sein, da die Empfindlichkeit
des Elementes proportion .1 zum Verhältnis des Kontaktbereiches zur Kanallänge L abnimmt. Die technischen Daten für ein typisches,
bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einem Siliziumsubstr-t wären folgende:
Sübstrat-Verunreinigungskonzentration - ungefähr 5 · 10 Akzeptorstellen pro Kubikzentimeter,
Ionen-Implantationsmaterial - Phosphor als Elektronendonator,
Implantationsdosierung - 150 Kiloelektronvolt Implantationsenergie bemessen für eine Dichte von et\v'a 2 · 10 Donatoratomen
pro Quadratzentimeter,
Implantationstiefe - ungefähr 1800 Ä,
Implantationstiefe - ungefähr 1800 Ä,
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spezifischer Flächenwiderstand des Implantationsbereiches - ungefähr 10 kfl.
Die Ergebnisse mit einem solchen Element, bei dem die Abmessungen der Fühlerbereiche (Breite und Länge) und der
Sonde gegeben sind, sind folgende: Für die Fühlerbereiche Breite von ungefähr 37 um, Länge von ungefähr 29 ym; für
die Sondenanschlüsse 4 Breite ungefähr 2,5 ym, Länge ungefähr 2,5 ym; Versorgungsspannungen an den Kontakten C2 und
C3 ungefähr 10 Volt; Ausgangspegel - plus oder minus 150 mV bei einem Erregerfeld von plus oder minus 750 Oersted senkrecht
zur Oberfläche des Fühlers und geliefert von einem festen Magneten; Ausgangsempfindlichkeit - ungefähr 180 mV
pro Oersted. Das ist ein äquivalentes Ausgangssignal von annähernd 180 mV pro Kilogauss, das in der Grössenordnung
des 20fachen der durchschnittlichen Ausgangsempfindlichkeit eines herkömmlichen Hallelementes oder -fühlers mit "hoher
Empfindlichkeit" liegt.
Hier sind verschiedene Beobachtungen angebracht. Zuerst ist es unwesentlich ob die Donatorionen oder -atome Defektelektronen
(Löcher) oder Elektronen beisteuern, wie· aus
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der oben erwähnten Schrift von Sze auf Seite 59 hervorgeht, wo die Trägergeschwindigkeit in cm/s bezogen auf das
elektrische Feldpotential für Silizium, Germanium oder Galliumarsenid, für Elektronen und Defektelektronen gezeigt
ist. Während einige Unterschiede bei relativ niedrigen Feldwerten auftreten, ist klar zu sehen, dass die Träger-
7 geschwindigkeit sich Werten von 1 · 10 cm/s sowohl für
Elektronen als auch für Defektelektronen in all diesen Materialien und bei elektrischen Feldwerten im Bereich von
3 · 10 Volt/cm nähert. Bei niedrigeren Werten der elektrischen Feldstärke ist zwar noch ein Betrieb möglich, die
Trägergeschwindigkeiten sind jedoch niedriger und die resultierende Empfindlichkeit ist niedriger. Die letztere
wird dann vom Material und vom Trägertyp abhängig. Die Wirkung überschreitet trotzdem bei weitem das bei der bisherigen
Technik mögliche, solange die kleinste elektrische Feldstärke wenigstens 500 Volt/cm und der kleinste spezifische
Flächenwiderstand wenigstens 500 Ω beträgt. Es wäre zu beachten, dass das im obigen Beispiel erzeugte elektrische
Feld, wo 10 Volt über einer Fühlerlänge von ungefähr 25 ym angelegt wurden, bereits in der Grössenordnung von 10 Volt/cm
liegt, so dass Geschwindigkeiten der Ladungsträger mit der
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resultierenden hohen Empfindlichkeit erreicht werden. Das
ist auch der Wert, bei dem nach dem Stand der Technik
bisher behauptet wird, dass die Beweglichkeit mit steigendem Feldpotential abzunehmen beginnt.
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. 6Ö98A8/0589
Claims (1)
- PATENTANSPRÜC _H_El· 1.\ Halleffekt-Bauelement, bestehend aus einem Hallplättchen mit an gegenüberliegenden Seiten angebrachten Elektroden zum Anlegen der den Steuerstrom liefernden Steuerspannungsquelle und mit Ha11anschlussen zur Erfassung der Hallspannung,dadurch gekennzeichnet,daß der das Hallplättchen (1) bildende Halbleiter einen Quadratflächenwiderstand von mindestens 500Ω besitzt, daß die Steuerspannungsquelle ein elektrisches Feld von mindestens 500 Volt/era im Hallplättchen (1) bereitstellt und daß bei einem ersten Hallanschluss (4) in der Mitte zwischen beiden Elektroden (2, 3) der zweite Hallanschluss zumindest von der geerdeten Elektrode (3) übernommen ist.Halleffekt-Bauelement nach Anspruch 1, gekennzeichnet durcheinen Quadratflächenwiderstand des Halbleiters mit einem zwischen 1 000 bis 100 000 Ω , vorzugsweise jedoch zwischen 5 000 und 20 000 Ω , liegenden Wert, durch eine elektrische Feldstärke im Hallplättchen (1) zwischen 1 500 bis 100 000 V/cm, insbesondere aber zwischen 3 000 und 30 000 V/cm, und durch einen erdsymmetrisch angelegten zweiten HallanschlussRA 974 014609848/05893. Halleffekt-Bauelement nach Anspruch 1 und/oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,daß der erste Hallanschluss an einem sich senkrecht zur elektrischen Feld-Richtung erstreckenden Vorsprung (4) des Hallplättchens (1) liegt.4. Halleffekt-Bauelement nach Anspruch 1 bis Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,daß'im Anschluss an eine (3) der Elektroden (2, 3) ein zweites Hallplättchen (1) angeordnet ist, dessen gegenüberliegende Seite durch eine dritte Elektrode (2) begrenzt ist,- dass die so gebildete Mittelelektrode (3) auf Erdpotential liegt,- wohingegen die beiden Aussenelektroden (2) auf gleichem, vom Erdpotential unterschiedlichen Potential liegen, und daß die Hallspannung (VQ) an den Vorsprüngen der beiden Hallplättchen (1) abgreifbar ist.5. Halleffekt-Bauelement nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,daß die beiden Aussenelektroden (2, 3 bzw. 2, 2) durch eine|i Widerstand (R) mit Mittelabgriff überbrückt sind, dessen Mittelabgriff als einer der Hallanschlüsse bzw. als eine der Steuerspannungsklemmen (+V) ausgebildet ist.6. Halleffekt-Bauelement nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,daß der das Hallplättchen (1) bildende Halbleiter einen1 8Störstellenanteil von weniger als 10 Donatoren oder Akzeptoren pro Kubikzentimter besitzt.RA 974 014609848/0589, 30Leerseite
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5368840U (de) * | 1976-11-09 | 1978-06-09 | ||
US4141026A (en) * | 1977-02-02 | 1979-02-20 | Texas Instruments Incorporated | Hall effect generator |
US4129880A (en) * | 1977-07-01 | 1978-12-12 | International Business Machines Incorporated | Channel depletion boundary modulation magnetic field sensor |
US4163986A (en) * | 1978-05-03 | 1979-08-07 | International Business Machines Corporation | Twin channel Lorentz coupled depletion width modulation effect magnetic field sensor |
JPS6327076A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Sanyo Electric Co Ltd | ホール素子 |
JPS6327074A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Sanyo Electric Co Ltd | ホール素子の製造方法 |
US4939563A (en) * | 1989-08-18 | 1990-07-03 | Ibm Corporation | Double carrier deflection high sensitivity magnetic sensor |
CN108332366B (zh) * | 2017-01-17 | 2021-08-20 | 松下知识产权经营株式会社 | 空气调节机控制装置及空气调节机控制方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3114009A (en) * | 1957-03-07 | 1963-12-10 | Armour Res Found | Hall element magnetic transducer |
-
1975
- 1975-05-14 US US05/577,254 patent/US3997909A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-03-24 IT IT21526/76A patent/IT1064186B/it active
- 1976-04-01 FR FR7610357A patent/FR2311314A1/fr active Granted
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- 1976-04-14 SE SE7604389A patent/SE404555B/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-04-22 DE DE2617481A patent/DE2617481C2/de not_active Expired
- 1976-04-26 GB GB16805/76A patent/GB1489738A/en not_active Expired
- 1976-05-11 SU SU762355262A patent/SU733513A3/ru active
- 1976-05-11 ES ES447767A patent/ES447767A1/es not_active Expired
- 1976-05-11 JP JP51052903A patent/JPS51140494A/ja active Granted
- 1976-05-13 NL NL7605136A patent/NL7605136A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-05-14 BR BR7603071A patent/BR7603071A/pt unknown
- 1976-05-14 CA CA252,631A patent/CA1061011A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3114009A (en) * | 1957-03-07 | 1963-12-10 | Armour Res Found | Hall element magnetic transducer |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
IEEE Transactions on Electron Devices, Bd.E0-16, 1969, Nr.1,5 35-39 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE7604389L (sv) | 1976-11-15 |
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JPS5332236B2 (de) | 1978-09-07 |
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IT1064186B (it) | 1985-02-18 |
FR2311314A1 (fr) | 1976-12-10 |
BR7603071A (pt) | 1977-05-24 |
SE404555B (sv) | 1978-10-09 |
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