DE2558121C2

DE2558121C2 - Circuit arrangement for frequency range switching by switching an impedance on and off

Info

Publication number: DE2558121C2
Application number: DE19752558121
Authority: DE
Inventors: Ludwig 8831 Hofstetten Küspert
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Telefunken Electronic GmbH
Priority date: 1975-12-23
Filing date: 1975-12-23
Publication date: 1982-08-26
Also published as: FR2336828B1; DE2558121A1; IT1065023B; FR2336828A1

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Frequenzbereichsumschaltung durch An- und Abschaltung einer Impedanz, vorzugsweise in einem Oszillatorschwingkreis, mittels einer Schaltdiode und zur Zufuhr einer Betriebsspannung für Verstärker- und/oder Oszillator-Transistoren.The present invention relates to a circuit arrangement for frequency range switching by switching an impedance on and off, preferably in an oscillator circuit, by means of a switching diode and for supplying an operating voltage for amplifier and / or oscillator transistors.

Bei Eingangsaggregaten für Fernsehgeräte ist ι es bekannt, die Frequenzbereichsumschaltung mittels Schaltdioden durchzuführen. Dies geschieht dadurch, daß je Schaltstellung eine Schaltdiode vorgesehen ist. Für die Umschaltung eines Kreises von VHF-Band I auf VHF-Band III sind daher jeweils zwei Schaltdioden erforderlich, die entsprechend den Erfordernissen durch Anlegen einer Schaltspannung im Sperr- oder Durchlaßbetrieb arbeiten. Bei Vorhandensein eines weiteren Frequenzbereiches, z. B. bei Fernsehgeräten des UHF-Bereiches, sind außerdem Schalter oder Schaltdioden vorgesehen, durch die die Betriebsspannung für die einzelnen in den verschiedenen Frequenzbereichen VHF oder UHF wirksamen Verstärker-, Oszillator- und gegebenenfalls ZF-Transistoren zu- und abgeschaltet werden können.In the case of input units for television sets, it is known to switch the frequency range by means of Perform switching diodes. This is done in that a switching diode is provided for each switching position. To switch a circuit from VHF band I to VHF band III, there are two switching diodes required, according to the requirements by applying a switching voltage in reverse or forward mode work. If another frequency range is available, e.g. B. for televisions in the UHF range, switches or switching diodes are also provided, through which the operating voltage for the individual amplifiers, oscillators and active in the different frequency ranges VHF or UHF If necessary, IF transistors can be switched on and off.

Mit der vorliegenden Erfindung soll, die Aufgabe gelöst werden, die Umschaltung der Schwingkreise und die Zu- und Abschaltung der Betriebsspannung zu den Transistoren zu vereinfachen und rationell zu gestalten.With the present invention, the object is to be achieved, the switching of the resonant circuits and to simplify the connection and disconnection of the operating voltage to the transistors and to make it efficient.

Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß eine einzige Schaltdiode parallel zu der hochfrequenzmäßig kurzzuschließenden Impedanz für den tieferen Frequenzbereich liegt, daß die Schaltspannung zum Empfang des tieferen Frequenzbereiches sowohl der Kathode der Schaltdiode als auch dem oder den Transistoren) als Betriebsspannung zuführbar ist und zum Empfang des höheren Frequenzbereiches die Schaltspannung der Anode der Schaltdiode undAccording to the invention this is achieved in that a single switching diode parallel to the high-frequency short-circuited impedance for the lower frequency range lies that the switching voltage for receiving the lower frequency range of both the The cathode of the switching diode and the transistor or transistors) can be supplied as operating voltage and to receive the higher frequency range, the switching voltage of the anode of the switching diode and

ίο gleichzeitig über die Schaltdiode als Betriebsspannung dem oder den Transistoren) zuführbar ist Durch die Erfindung ist es möglich, die genannten Schaltungen mit einer einzigen Schaltdiode auszuführen. Dies führt zu einem einfachen und billigen Aufbau der Schaltung, ohne die elektrischen Werte des Gesamtaggregates zu verschlechtern.ίο at the same time via the switching diode as operating voltage the transistor or transistors) can be fed. The invention makes it possible to use the circuits mentioned a single switching diode. This leads to a simple and cheap construction of the circuit, without worsening the electrical values of the overall unit.

Weitere vorteilhafte Einzelheiten der Erfindung sind nachfolgend anhand ehes in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiels beschrieben.Further advantageous details of the invention are described below with reference to the embodiment illustrated in the drawing.

Die Schaltung zeigt einen durchstimmbaren Oszillator für zwei Frequenzbereiche, der mittels einer Kapazitätsvariationsdiode 1 durchgestimmt werden kann. Die Diodenabstimmung Ud wird einem Verbindungspunkt zwischen Kapazitätsvariationsdiode 1 und einem Kondensator 2 zugeführt. Der Kondensator 2 ist an den Kollektor 3 eines Oszillatortransistors 4 angeschlossen.The circuit shows a tunable oscillator for two frequency ranges, which can be tuned by means of a capacitance variation diode 1. The diode tuning Ud is fed to a connection point between the capacitance-varying diode 1 and a capacitor 2. The capacitor 2 is connected to the collector 3 of an oscillator transistor 4.

Parallel zu der Kapazitätsvariationsdiode 1 und dem Kondensator 2 liegt die Reihenschaltung der beiden Oszillatorschwingkreis-Induktivitäten 5 und 6, wobei die am Kollektor 3 angeschlossene für einen höheren Frequenzbereich, z. B. VHF-Band III, ausgelegt ist, während die nach Masse geschaltete Induktivität 6 zusammen mit der Induktivität 5 für einen tieferen Frequenzbereich, z. B. VHF-Band I, ausgelegt ist.The series connection of the two is parallel to the capacitance varying diode 1 and the capacitor 2 Oscillator circuit inductors 5 and 6, with the one connected to the collector 3 for a higher Frequency range, e.g. B. VHF band III, while the grounded inductance 6 together with the inductance 5 for a lower frequency range, e.g. B. VHF Band I is designed.

Parallel zur Induktivität 6 liegt die Reihenschaltung zweier Kondensatoren 7 und 8 und einer dazwischengeschalteten Schaltdiode 9. Die Kondensatoren 7 und 8 dienen zum Abblocken der Schalt-Gleichspannung Us-Vom Verbindungspunkt 10 zwischen Kondensator 7 und Schaltdiode 9 ist eine Drossel 11 zur Basis 12 des Transistors 4 geschaltet. Diese dient zum Abblocken der bei der tieferen Frequenz dort auftretenden Hochfrequenz, da für den tieferen Frequenzbereich das hochliegende Ende der Induktivität 6 praktisch schon den Hochpunkt bildet. Ohne diese Drossel würde die HF-Energie durch die als Basisspannungsteiler wirksamen Widerstände 13 und 14 zu stark bedampft, so daß der Oszillator nicht mehr schwingen würde.Parallel to the inductance 6 is the series connection of two capacitors 7 and 8 and an interposed switching diode 9. The capacitors 7 and 8 are used to block the switching DC voltage Us- From the connection point 10 between the capacitor 7 and the switching diode 9 is a choke 11 to the base 12 of the transistor 4 switched. This serves to block the high frequency occurring there at the lower frequency, since the high end of the inductance 6 practically already forms the high point for the lower frequency range. Without this choke, the RF energy would be dampened too much by the resistors 13 and 14, which act as base voltage dividers, so that the oscillator would no longer oscillate.

Die Wirkungsweise dieser Schaltung ist folgende:This circuit works as follows:

Wird die Schaltspannung + Us an die Klemme »Band I« angelegt, so gelangt diese als Betriebsspannung über Widerstände 15, 13 an die Basis 12 und über den Widerstand 16 an den Emitter 17 und als Sperrspannung an die Kathode der Schaltdiode 9. Hierdurch ist die Reihenschaltung der Induktivitäten 5 und 6 im Oszillatorschwingkreis wirksam und der Oszillator durch Anlegen einer Abstimmspannung Ud an die Kapazitätsvariationsdiode 1 im tieferen Frequenzbereich durchstimmbar.If the switching voltage + Us is applied to the "Band I" terminal, it is applied as an operating voltage via resistors 15, 13 to the base 12 and via the resistor 16 to the emitter 17 and as a reverse voltage to the cathode of the switching diode 9. This is the Series connection of the inductances 5 and 6 in the oscillator circuit is effective and the oscillator can be tuned in the lower frequency range by applying a tuning voltage Ud to the capacitance variation diode 1.

Nach Abschaltung der Schaltspannung Us von der Band I-Klemme und Anschaltung an die Klemme »Band III« wird die Schaltdiode 9 in Durchlaßrichtung gesteuert. Hierdurch wird die Induktivität 6 hochfre-After switching off the switching voltage Us from the Band I terminal and connecting it to the "Band III" terminal, the switching diode 9 is controlled in the forward direction. As a result, the inductance 6 is high-frequency

⁶S quenzmäßig nach Masse geschaltet, d. h. kurzgeschlossen und als frequenzbestimmende Induktivität ist die Induktivität 5 eingeschaltet.
Gleichzeitig gelangt die Schaltspannung über die ⁶ S sequentially switched to ground, ie short-circuited and the inductance 5 is switched on as the frequency-determining inductance.
At the same time, the switching voltage passes through the

Drossel 11 und den Basisteilerwiderstand 13 an die Basis und über die Vorwiderstände 15, 16 an den Emitter 17 des Transistors 4.Choke 11 and the base divider resistor 13 to the base and via the series resistors 15, 16 to the emitter 17 of the transistor 4.

Durch die erfindungsgemäße Ausnutzung des Durchlaßslromes als Betriebsstrom für den Transistor 4 wird der Energiebedarf herabgesetzt, da bei den bisher üblichen Schaltungen die Schaltdiode lediglich nach Masse durchgeschaltet hat und somit der Durchlaßstrom zusätzlich aufgebracht werden muß.By utilizing the passage current according to the invention as the operating current for the transistor 4, the energy requirement is reduced, since the previous usual circuits, the switching diode has only switched through to ground and thus the forward current must also be applied.

Die Erfindung ist nicht auf Oszillatoren beschränkt sondern kann auch bei Eingangskreisen, Bandfiltern in Verbindung mit Verstärkerstufen mit Vorteil angewandt werden.The invention is not limited to oscillators but can also be used with input circuits, band filters in Connection with amplifier stages can be used with advantage.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patentansprüche:Patent claims:

ί. Schaltungsanordnung zur Frequenzbereichumschaltung durch An- und Abschaltung einer Impedanz, vorzugsweise in einem Oszillatorschwingkreis, mittels einer Schaltdiode und zur Zufuhr einer Betriebsspannung für Verstärker oder/und Oszillator-Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß eine einzige Schaltdiode (9) parallel zu der hochfrequenzmäßig kurzzuschließenden Impedanz (6) für den tieferen Frequenzbereich (z. B. VHF-Band I) liegt, daß die Schaltspannung (Us) zum Empfang des tieferen Frequenzbereiches (VHF-Band I) sowohl der Kathode der Schaltdiode (9) als auch dem oder den Transistor(en) (4) als Betriebsspannung zuführbar ist und zum Empfang des höheren Frequenzbereiches (z. B. VHF-Band III) die Schaltspannung (Us) der Anode der Schaltdiode (9) und gleichzeitig über die Schaltdiode (9) als Betriebsspannung dem oder den Transistor(en) (4) zuführbar ist.ί. Circuit arrangement for frequency range switching by switching an impedance on and off, preferably in an oscillator resonant circuit, by means of a switching diode and for supplying an operating voltage for amplifiers and / or oscillator transistors, characterized in that a single switching diode (9) parallel to the impedance to be short-circuited in terms of high frequency ( 6) for the lower frequency range (e.g. VHF band I) is that the switching voltage (Us) for receiving the lower frequency range (VHF band I) both the cathode of the switching diode (9) and the transistor (s) ( en) (4) can be supplied as operating voltage and to receive the higher frequency range (e.g. VHF band III) the switching voltage (Us) of the anode of the switching diode (9) and at the same time via the switching diode (9) as operating voltage to the or the Transistor (s) (4) can be fed.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der kurzzuschließenden Impedanz (Induktivität 6) die Reihenschaltung aus zwei Kapazitäten (7, 8) und der zwischengeschalteten Schaltdiode parallelgeschaltet ist.2. Circuit according to claim 1, characterized in that the impedance to be short-circuited (Inductance 6) the series connection of two capacitors (7, 8) and the intermediate one Switching diode is connected in parallel.

3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathode der Schaltdiode (9) über eine Drossel (11) mittelbar oder unmittelbar mit der Basis (12) und dem Emitter (17) des Transistors (4) verbunden ist.3. Circuit according to claim 1 or 2, characterized in that the cathode of the switching diode (9) directly or indirectly via a throttle (11) the base (12) and the emitter (17) of the transistor (4) is connected.

4. Schaltung nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanz eine erste Induktivität ist, die in einem tieferen Frequenzbereich wirksam ist und die mit einer weiteren Induktivität (5), die bei kurzgeschlossener erster Induktivität (6) in einem höheren Frequenzbereich wirksam ist, in Reihe liegt.4. A circuit according to at least one of claims 1 to 3, characterized in that the Impedance is a first inductance which is effective in a lower frequency range and which with a further inductance (5), which when the first inductance (6) is short-circuited in a higher Frequency range is effective, is in series.