DE2558121A1 - CIRCUIT ARRANGEMENT FOR CHANGING THE FREQUENCY RANGE BY SWITCHING ON AND OFF AN IMPEDANCE - Google Patents

CIRCUIT ARRANGEMENT FOR CHANGING THE FREQUENCY RANGE BY SWITCHING ON AND OFF AN IMPEDANCE

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DE2558121A1 DE19752558121 DE2558121A DE2558121A1 DE 2558121 A1 DE2558121 A1 DE 2558121A1 DE 19752558121 DE19752558121 DE 19752558121 DE 2558121 A DE2558121 A DE 2558121A DE 2558121 A1 DE2558121 A1 DE 2558121A1
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    • H03J5/24Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
    • H03J5/242Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
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Description

2S581212S58121

Licentia - Patent-Verwaltungs-GmbH 6000 Frankfurt/Main 70, Theodor-Stern- Kai 1 Licentia - Patent-Verwaltungs-GmbH 6000 Frankfurt / Main 70, Theodor-Stern- Kai 1

N 75AO 19.12.1975 - PT-N-Hs/rhN 75AO December 19, 1975 - PT-N-Hs / rh

Schaltungsanordnung; zur Frequenzbereichumschaltung durch An- und Abschalten einer Impedanz.Circuit arrangement; for frequency range switching by on and Switching off an impedance.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Frequenzbereichumschaltung durch An- und Abschaltung einer Impedanz, vorzugsweise in einem Oszillatorschwingkreis, mittels einer Schaltdiode und zur Zufuhr einer Betriebsspannung für Verstärker- und/oder Oszillator-Transistoren.The present invention relates to a circuit arrangement for frequency range switching by switching an impedance on and off, preferably in an oscillator circuit, by means of a switching diode and for supplying an operating voltage for amplifier and / or oscillator transistors.

Bei Eingangsaggregaten für !Fernsehgeräte ist es bekannt, die Fr equenzbereichumschaltung mittels Schaltdioden durchzuführen. Dies geschieht dadurch, daß je Schaltstellung eine Schaltdiode vorgesehen ist. Für die Umschaltung eines Kreises von VKP Band I auf VHF Band III sind daher jeweils zwei Schaltdioden erforderlich, die entsprechend den Erfordernissen durch Anlegen einer Schaltspannung im Sperr- oder Durchla^betrieb arbeiten. Bei Vorhandensein eines weiteren Frequenzbereiches, z.B. bei Fernsehgeräten des UHF-Bereiches, sind außerdem Schalter oder Schaltdioden vorgesehen, durch die die Betriebsspannung für die einzelnen in den verschiedenen Frequenzbereichen VHF oder UHF wirksamen Verstärker-, Oszillator- und gegebenenfalls ZF-Transistoren zu- und abgeschaltet werden können.In the case of input units for television sets, it is known to switch the frequency range over to be carried out by means of switching diodes. This is done by providing a switching diode for each switching position is. To switch a circuit from VKP Volume I to VHF Volume III, two switching diodes are required each time. according to the requirements by applying a switching voltage work in blocked or continuous operation. If present of a further frequency range, e.g. in TV sets in the UHF range, switches or switching diodes are also provided, through which the operating voltage for the individual amplifiers, oscillators, effective in the various frequency ranges VHF or UHF and if necessary, IF transistors can be switched on and off.

Mit der vorliegenden Erfindung soll die Aufgabe gelöst werden, die Umschaltung der Schwingkreise und die Zu- und Abschaltung der Betriebsspannung zu den Transistoren zu vereinfachen und rationell zu gestalten.The object of the present invention is to be achieved, the switching of the resonant circuits and the connection and disconnection to simplify the operating voltage to the transistors and make them more efficient.

Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß eine einzige Schaltdiode parallel zu der hochfrequenzmäßig kurzzuschließenden Impedanz für den tieferen Frequenzbereich liegt, daß die SchaItspannung zum Empfang des tieferen Frequenzbereiches sowohl der Kathode der Schaltdiode als auch dem oder den Transistor(en) als Betriebsspannung zuführbar ist und zum Empfang des höheren Frequenzbereiches die Schaltspannung der Anode der Schaltdiode und gleichzeitig über die Schaltdiode als Betriebsspannung dem oder den Transistor (en) zuführbar ist. Durch die Erfindung istAccording to the invention, this is achieved in that a single switching diode is parallel to the high-frequency short-circuited Impedance for the lower frequency range is that the switching voltage for receiving the lower frequency range both the cathode of the switching diode and the transistor (s) can be supplied as operating voltage and to receive the higher Frequency range the switching voltage of the anode of the switching diode and at the same time via the switching diode as the operating voltage or the transistor (s) can be supplied. Through the invention is

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Λ*Λ *

es möglich, die genannten Schaltungen mit einer einzigen Schaltdiode auszuführen. Dies führt zu einem einfachen und billigen Aufbau der Schaltung, ohne die elektrischen Werte des Gesamtaggregates zu verschlechtern.it is possible to use the mentioned circuits with a single switching diode to execute. This leads to a simple and cheap Structure of the circuit without deteriorating the electrical values of the overall unit.

Weitere vorteilhafte Einzelheiten der Erfindung sind nachfolgend anhand eines in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiels beschrieben.Further advantageous details of the invention are given below with reference to an exemplary embodiment illustrated in the drawing described.

Die Schaltung zeigt einen durchstimmbaren Oszillator für zwei Frequenzbereiche, der mittels einer Kapazitätsvariationsdiode 1 durchgestimmt werden kann. Die Diodenabstimmung UD wird einem Verbindungspunkt zwischen Kapazitätsvariationsdiode 1 und einem Kondensator 2 zugeführt. Der Kondensator 2 ist an den Kollektor 3 eines Oszillatortransistors 4 angeschlossen.The circuit shows a tunable oscillator for two frequency ranges, which can be tuned by means of a capacitance variation diode 1. The diode tuning U D is fed to a connection point between the capacitance-varying diode 1 and a capacitor 2. The capacitor 2 is connected to the collector 3 of an oscillator transistor 4.

Parallel zu der Kapazitätsvariationsdiode 1 und dem Kondensator liegt die Reihenschaltung der beiden Oszillatorschwingkreis-Induktivitäten 5 und 6, wobei die am Kollektor 3 angeschlossene für einen höheren Frequenzbereich, z.B. VHF Band III, ausgelegt ist, während die nach Masse geschaltete Induktivität 6 zusammen mit der Induktivität 5 für einen tieferen Frequenzbereich, z.B. VHF-Band I, ausgelegt ist.The series connection of the two oscillator circuit inductors is parallel to the capacitance variation diode 1 and the capacitor 5 and 6, the one connected to collector 3 for a higher frequency range, e.g. VHF Band III, while the inductance 6 connected to ground together with the inductance 5 for a lower frequency range, e.g. VHF band I, is designed.

Parallel zur Induktivität 6 liegt die Reihenschaltung zweier Kondensatoren 7 und 8 und einer dazwischengeqchalteten Schaltdiode 9« Die Kondensatoren 7 und 8 dienen zum Abblocken der Schalt-Gleichspannung Ug. Vom Verbindungspunkt 10 zwischen Kondensator 7 und Schaltdiode 9 ist eine Drossel 11 zur Basis 12 des Transistors 4 geschaltet. Diese dient zum Abblocken der bei der tieferen Frequenz dort auftretenden Hochfrequenz, da für den tieferen Frequenzbereich das hochliegende Ende der Induktivität 6 praktisch schon den Hochpunkt bildet. Ohne diese Drossel würde die HF-Energie durch die als Basisspannungsteiler wirksamen Widerstände 13 und 14 zu stark bedampft, so daß der Oszillator nicht mehr schwingen würde.The series connection of two capacitors is parallel to the inductance 6 7 and 8 and an interposed switching diode 9 « The capacitors 7 and 8 are used to block the switching DC voltage Ug. From the connection point 10 between capacitor 7 and Switching diode 9, a choke 11 is connected to the base 12 of the transistor 4. This is used to block the at the lower frequency The high frequency occurring there, since the high end of the inductance 6 is practical for the lower frequency range already forms the high point. Without this choke, the RF energy would flow through the resistors, which act as a base voltage divider 13 and 14 steamed too much so that the oscillator no longer works would swing.

Die Wirkungsweise dieser Schaltung ist folgende:This circuit works as follows:

Wird die Schaltspannung +Ug an die Klemme 'Band I' angelegt, so gelangt diese als Betriebsspannung über Widerstände 15» 13 an die Basis 12 und über den Widerstand 16 an den Emitter 17 und als Sperrspannung an die Kathode der Schaltdiode 9·. Hierdurch istIf the switching voltage + Ug is applied to the 'Band I' terminal, so This arrives as operating voltage via resistors 15 »13 the base 12 and via the resistor 16 to the emitter 17 and as reverse voltage to the cathode of the switching diode 9 ·. This is

die Reihenschaltung der Induktivitäten 5 und 6 im Oszillator-the series connection of the inductances 5 and 6 in the oscillator

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schwingkreis wirksam und der Oszillator durch Anlegen einer Abstimmspannung U^ an die Kapazitätsvariationsdiode 1 im tieferen Frequenzbereich durchstimmbar.resonant circuit effective and the oscillator by applying a tuning voltage U ^ to the capacitance variation diode 1 in the lower Frequency range adjustable.

Nach Abschaltung der SchaItspannung U„ von der Band I-Klemme und Anschaltung an die Klemme 'Band III1 wird die Schaltdiode 9 in Durchlaßrichtung gesteuert. Hierdurch wird die Induktivität 6 hochfrequenzmäßig nach Masse geschaltet, d.h. kurzgeschlossen und als frequenzbestimmende Induktivität ist die Induktivität 5 eingeschaltet.After switching off the switching voltage U "from the band I terminal and connecting it to the terminal" Band III 1 , the switching diode 9 is controlled in the forward direction. As a result, the inductance 6 is switched to ground in terms of high frequency, ie short-circuited and the inductance 5 is switched on as the frequency-determining inductance.

Gleichzeitig gelangt die SchaItspannung über die Drossel 11 und den Basisteilerwiderstand 13 an die Basis und über die Vorwiderstände 15» 16 an den Emitter 17 des Transistors 4-,At the same time, the switching voltage passes through the choke 11 and the base divider resistor 13 to the base and via the series resistors 15 »16 to the emitter 17 of the transistor 4-,

Durch die erfindungsgemäße Ausnutzung des Durchlaßstromes als Betriebsstrom für den Transistor 4 wird der Energiebedarf herabgesetzt, da bei den bisher üblichen Schaltungen die Schaltdiode lediglich nach Masse durchgeschaltet hat und somit der Durchlaßstrom zusätzlich aufgebracht werden muß.By utilizing the forward current according to the invention as the operating current for the transistor 4, the energy requirement is reduced, because in the conventional circuits, the switching diode has only switched through to ground and thus the Forward current must also be applied.

Die Erfindung ist nicht auf Oszillatoren beschränkt sondern kann auch bei Eingangskreisen, Bandfiltern in Verbindung mit Verstär» kerstufen mit Vorteil angewandt werden. Anstelle der Transistoren können auch andere Verstärkerelemente verwendet werden.The invention is not limited to oscillators but can also be used for input circuits, band filters in connection with amplifiers. ker stages can be used with advantage. Instead of the transistors other amplifier elements can also be used.

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Claims (3)

- JX- -- JX- - Patentansprüche;Claims; ©Schaltungsanordnung zur Frequenzbereichumschaltung durch An- und Abschaltung einer Impedanz, vorzugsweise in einem Oszillatorschwingkreis, mittels einer Schaltdiode und zur Zufuhr einer Betriebsspannung für Verstärker oder/und Oszillator-Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß eine einzige Schaltdiode (9) parallel zu der hochfrequenzmäßig kurzzuschließenden Impedanz (6) für den tieferen Frequenzbereich (z.B. VHF-Band I) liegt, daß die SchaItspannung (Ug) zum Empfang des tieferen Frequenzbereiches (VHF-Band I) sowohl der Kathode der Schaltdiode (9) als auch dem oder den Transistor(en) (4) als Betriebsspannung zuführbar ist und zum Empfang des höheren Frequenzbereiches (z.B. VHF Band III) die Schaltspannung (Ug) der Anode der Schaltdiode (9) und gleichzeitig über die Schaltdiode (9) als Betriebsspannung dem oder den Transistor(en) (4-) zuführbar ist.© Circuit arrangement for frequency range switching by switching an impedance on and off, preferably in an oscillator circuit, by means of a switching diode and for supplying an operating voltage for amplifiers and / or oscillator transistors, characterized in that a single switching diode (9) parallel to the high-frequency impedance to be short-circuited (6) for the lower frequency range (e.g. VHF band I) is that the switching voltage (Ug) for receiving the lower frequency range (VHF band I) both the cathode of the switching diode (9) and the transistor (s) (4) can be supplied as operating voltage and to receive the higher frequency range (e.g. VHF band III) the switching voltage (Ug) of the anode of the switching diode (9) and at the same time via the switching diode (9) as operating voltage to the transistor (s) (4) -) can be supplied. 2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der kurzzuschließenden Impedanz (Induktivität 6) die Reihenschaltung aus zwei Kapazitäten (7, 8) und der zwischengeschalteten Schaltdiode parallelgeschaltet ist.2. A circuit according to claim 1, characterized in that the impedance to be short-circuited (inductance 6), the series connection of two capacitances (7, 8) and the interposed switching diode is connected in parallel. 3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, da3 die Kathode der Schaltdiode (9) über eine Drossel (11) mittelbar oder unmittelbar mit der Basis (12) und dem Emitter (17) des Transistors (4) verbunden ist.3. A circuit according to claim 1 or 2, characterized in that the cathode of the switching diode (9) is connected directly or indirectly to the base (12) and the emitter (17) of the transistor (4) via a choke (11). 4-, Schaltung nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 35 dadurch gekennzeichnet, daIB die Impedanz eine erste Induktivität ist, die in einem tieferen Frequenzbereich wirksam ist und die mit einer weiteren Induktivität (5), die bei kurzgeschlossener erster Induktivität (6) in einem höheren Frequenzbereich wirksam ist, in Reihe liegt.4-, circuit according to at least one of claims 1 to 3 5, characterized in that the impedance is a first inductance which is effective in a lower frequency range and which is connected to a further inductance (5), which in the case of a short-circuited first inductance (6) in a higher frequency range is effective, is in series. 709826/05 8 8 0R|G1NAL 1NSPE0TED 709826/05 8 8 0R | G1NAL 1NSPE0TED
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