DE2728760C2 - Input circuit for the frequency ranges VHF Band I and VHF Band III with a mixer - Google Patents

Input circuit for the frequency ranges VHF Band I and VHF Band III with a mixer

Info

Publication number
DE2728760C2
DE2728760C2 DE2728760A DE2728760A DE2728760C2 DE 2728760 C2 DE2728760 C2 DE 2728760C2 DE 2728760 A DE2728760 A DE 2728760A DE 2728760 A DE2728760 A DE 2728760A DE 2728760 C2 DE2728760 C2 DE 2728760C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
oscillator
circuit
frequency
gate
mixer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2728760A
Other languages
German (de)
Other versions
DE2728760A1 (en
Inventor
Josef 8069 Rohrbach Rehm
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Conti Temic Microelectronic GmbH
Original Assignee
Telefunken Electronic 7100 Heilbronn GmbH
Telefunken Electronic GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Electronic 7100 Heilbronn GmbH, Telefunken Electronic GmbH filed Critical Telefunken Electronic 7100 Heilbronn GmbH
Priority to DE2728760A priority Critical patent/DE2728760C2/en
Publication of DE2728760A1 publication Critical patent/DE2728760A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE2728760C2 publication Critical patent/DE2728760C2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
    • H03D7/125—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes with field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1228—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/1256—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a variable inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/0048—Circuit elements of oscillators including measures to switch the frequency band, e.g. by harmonic selection
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/0056—Circuit elements of oscillators including a diode used for switching
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
    • H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)
  • Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Eingangsschaltung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention relates to an input circuit according to the preamble of claim 1.

Bei einer bekannten Eingangsschaltung dieser Art (Funktechnik, 1977, S. F & E 65-69) ist der Sekundärkreis eines einer Vorstufe nachgeschalteten Bandfilters kapazitiv an ein Gate eines Feldeffekttransistors angeschlossen. Gleichzeitig liegt dieses Gate über einen Koppelkondensator am Hochpunkt eines Oszillatorschwingkreises, dessen Induktivitäten einendig an Masse angeschlossen sind. Der Sekundärkreis des Bandfilters besteht aus der Serienschaltung von zwei Induktivitäten, die einendig über einen Kondensator an Masse angeschlossen ist, während das andere Ende über die Serienschaltung eines Abblockkondensators und eine Kapazitätsvariationsdiode ebenfalls an Masse angeschaltet ist. An den Verbindungspunkt der Induktivitäten ist eine Schaltdiode angelegt, die zur Serienschaltung aus einer Spule und einem an Masse angeschalteten Kondensator führt. Im Gleichstrompfad der Schaltdiode liegt eine weitere Schaltdiode, welche über eine Induktivität des Primärkreises des Bandfilters und einen Widerstand an Masse angelegt ist. Die Einspeisung einer Schaltspannung für die Schaltdioden erfolgt am kalten Ende der Induktivitäten des Sekundärkreises. Daneben führt von dem mit der Eingangsfrequenz und der Oszillatorfrequenz beaufschlagten Gate des Feldeffekttransistors der Mischstufe ein ohmscher Widerstand zur Gleichstromversorgung gegen Masse. Hierdurch tritt neben einer Bedämpfung des Sekundärkreises des Bandfilters und des Oszillatorschwingkreises auch eine Verminderung des an sich hohen Eingangswiderstandes des Mischtransistors ein. Im übrigen wird dem Gate des Mischtransistors über eine zusätzliche Schaltdiode die Zwischenfrequenz einer UHF-Eingangsschaltung zugeführt, um bei UHF-Betrieb den Mischtransistor der VHF-Eingangsschaltung als Zwischenfrequenzverstärker ausnutzen zu könnea Bei einem Aufbau einer Eingangsschaltung dieser Art sind somit für die Frequenzbereichsumschaltung des Bandfilters zwei Schaltdioden und ein besonderer Anschluß für die Zuführung der Umschaltspannung erforderlich. Außerdem ist der Kopplungsfaktor vom Sekundärkreis zum Mischtransistor durch den zwischengeschaheten Kondensator in den beiden Frequenzbereichen unterschiedlich, was auch auf die Kopplung zwischen dem Mischtransistor und dem Oszillator zutrifft Hinzu tritt daß sich bei einem Feldeffekttransistor die Eingangskapazität durch das Eingangssignal entsprechend der Amplitude desselben ändert Diese Kapazitätsänderung bedingt bei Verwendung eines Feldeffekttransistors als Mischtransistor über die kapazitive Oszillatorankopplung eine Rückwirkung auf den Oszillator und erzeugt eine Änderung der Oszillatorfrequenz im Rhythmus der Änderung der Eingangskapazität was wiederum eine unerwünschte Frequenzmodulation und rhythmische Änderung der Zwischenfrequenz zur Folge hat. Diese Änderung wirkt sich zur höheren Frequenz hin mehr aus, da die Impedanz des Koppelkondensators zu höheren Frequenzen hin abnimmt Nachdem außerdem die Oszillatorspannung nach höheren Frequenzen hin annähernd linear zunim.nt, wird durch die abnehmende Impedanz des Koppelkondensators die auf das Gate des Mischtransistors geführte Oszillatorspannung noch zusätzlich erhöht. Hierdurch wird die Rückwirkung auf den Oszillator weiter verstärkt. Daneben wird durch die kapazitive Ankopplung des Eingangssignals ein Spannungsverlust am Koppelkondensator erzeugt, so daß die ohnehin schwache Energie der Eingangsfrequenz noch gemindert wird. Außerdem können Hochfrequenzspannungen über die Steuerspannungsleitung, die unmittelbar an die eine Spule des Eingangskreises angeschlossen ist, verschleppt werden.In a known input circuit of this type (Funktechnik, 1977, pp. R & E 65-69), the secondary circuit is of a band filter connected downstream of a preliminary stage, capacitively connected to a gate of a field effect transistor. At the same time, this gate is via a coupling capacitor at the high point of an oscillator circuit, whose inductances are connected to ground at one end. The secondary circuit of the band filter consists of the series connection of two inductors, one end of which is connected to ground via a capacitor is connected, while the other end via the series connection of a blocking capacitor and a The capacitance variation diode is also connected to ground. At the connection point of the inductances a switching diode is applied, which is used for series connection of a coil and a connected to ground Capacitor leads. In the direct current path of the switching diode there is another switching diode, which has a Inductance of the primary circuit of the band filter and a resistor is applied to ground. Feeding a Switching voltage for the switching diodes takes place at the cold end of the inductances of the secondary circuit. Besides leads from the gate of the field effect transistor to which the input frequency and the oscillator frequency are applied the mixer stage an ohmic resistor for direct current supply to ground. This occurs in addition to damping the secondary circuit of the band filter and the oscillator circuit, there is also a Reduction of the intrinsically high input resistance of the mixer transistor. Otherwise, the gate of the The intermediate frequency of a UHF input circuit is fed to the mixing transistor via an additional switching diode, to use the mixer transistor of the VHF input circuit as an intermediate frequency amplifier in UHF operation to be able to take advantage of a configuration of an input circuit of this type are therefore for the frequency range switching of the band filter two switching diodes and a special connection for the supply of the Switching voltage required. In addition, the coupling factor is from the secondary circuit to the mixer transistor by the interposed capacitor in the two frequency ranges different what also applies to the coupling between the mixer transistor and the oscillator Field effect transistor the input capacitance by the input signal according to the amplitude of the same This change in capacitance depends on the use of a field effect transistor as a mixer transistor A reaction on the oscillator via the capacitive oscillator coupling and generates a change in the Oscillator frequency in rhythm with the change in input capacitance, which in turn results in undesirable frequency modulation and rhythmic change in the intermediate frequency. This change affects towards the higher frequency, since the impedance of the coupling capacitor towards higher frequencies decreases Since the oscillator voltage also increases approximately linearly towards higher frequencies, is due to the decreasing impedance of the coupling capacitor on the gate of the mixer transistor guided oscillator voltage also increased. This increases the effect on the oscillator reinforced. In addition, the capacitive coupling of the input signal causes a voltage loss on the Coupling capacitor generated so that the already weak energy of the input frequency is still reduced. In addition, high-frequency voltages can be transmitted via the control voltage line, which is directly connected to the one Coil of the input circuit is connected.

Es ist auch eine Eingangsschaltung bekannt (ELO, 1977, S. 23-25), bei der die Ankopplung eines Oszillators an eine Mischstufe über die Serienschaltung einer Ankoppelinduktivität und einem Kondensator erfolgt.An input circuit is also known (ELO, 1977, pp. 23-25) in which the coupling of an oscillator to a mixer via the series connection of a coupling inductance and a capacitor.

Dieser Kondensator ist zur Trennung eines Gleichstromweges zwischen dem Oszillator und der Basiselektrode des Mischtransistors erforderlich, um an der Basiselektrode die notwendige Arbeitügleichspannung erzeugen zu können. Außerdem ist bei dieser für einen UKW-Tuner ausgebildeten Eingangsschaltung eine Frequenzbereichs-Umschaltung nicht vorgesehen. Auch ist der verwendete bipolare Transistor kein Feldeffekttransistor mit den daraus entstehenden Rückwirkungen der Eingangskapazität, auf den Oszillator. Im übrigen ist nicht angegeben, ob die Serienschaltung aus der Ankoppelinduktivität und dem Kondensator über den Frequenzdurchstimmbereich kapazitiv oder induktiv wirkt bzw. eine Resonanzstelle durchläuft.
Schließlich ist eine Eingangsschaltung für einen UKW-Tuner bekannt (FUNKSCHAU, 1970. S. 549—552), bei der die Ankopplung zwischen einem Oszillator und einer Mischstufe sowohl am Oszillatorschwingkreis wie am Gate des Feldeffekt-Mischtransistors transformativ und damit frequenzunabhängig erfolgt. Dabei bildet die Sekundärwicklung des Hochfrequenzübertragers in der Mischstufe zusammen mit dem Feldeffekttransistor eine Brückenschaltung, in welche die Empfangsfrequenz gleichstrommäßig durch einenThis capacitor is required to separate a direct current path between the oscillator and the base electrode of the mixer transistor in order to be able to generate the necessary DC operating voltage at the base electrode. In addition, frequency range switching is not provided in this input circuit designed for an FM tuner. The bipolar transistor used is also not a field effect transistor with the resulting repercussions of the input capacitance on the oscillator. Otherwise, it is not specified whether the series connection of the coupling inductance and the capacitor acts capacitively or inductively over the frequency tuning range or passes through a resonance point.
Finally, an input circuit for a VHF tuner is known (FUNKSCHAU, 1970. pp. 549-552), in which the coupling between an oscillator and a mixer is transformative and thus independent of frequency, both at the oscillator circuit and at the gate of the field effect mixer transistor. The secondary winding of the high-frequency transformer in the mixer, together with the field effect transistor, forms a bridge circuit in which the receive frequency is passed through a direct current

Kondensator von einem vorausgehenden Eingangsschwingkreis getrennt in eine Mittelanzapfung der Sekundärwicklung des Hochfrequenzübertragers eingespeist wird. Hierdurch wird eine erhöhte Mischverstärkung bei geringer Rückwirkung zwischen Eingangsfrequenz und Oszillatorfrequenz erreicht, Nachdem jedoch die Eingangskapazität des Feldeffekttransistors parallel zur Sekundärwicklung des Hochfrequenzübertragers liegt, werden Kapazitätsänderungen über die transformative Kopplung auf den Oszillatorschwingkreis übertragen. Capacitor separated from a preceding input resonant circuit in a center tap of the secondary winding of the high-frequency transformer is fed. This results in an increased mixing gain achieved with little feedback between the input frequency and the oscillator frequency, however the input capacitance of the field effect transistor parallel to the secondary winding of the high-frequency transformer changes in capacitance are transmitted to the oscillator circuit via the transformative coupling.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Eingangsschaltung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 zu schaffen, bei der mit einfachen Maßnahmen und einer geringen Zahl von Bauelementen eine Umschaltung des Frequenzbereichs des Eingangsschwingkreises und eine über den jeweiligen Frequenzbereich vergleichmäßigte Spannungsankopplung des Oszillators an die Mischstufe bzw. dessen kapazitive Entkopplung von der Mischstufe erreicht wird.The invention is based on the object of an input circuit according to the preamble of the claim 1 to create, with simple measures and a small number of components Switching of the frequency range of the input resonant circuit and one over the respective frequency range Uniform voltage coupling of the oscillator to the mixer stage or its capacitive one Decoupling from the mixer stage is achieved.

Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt gemäß der Erfindung durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1.This object is achieved according to the invention by the characterizing features of the claim 1.

Durch die galvanische Ankopplung der Empfangssignalspannung an das Gate des Feldeffekttransistors wird die Empfangssignalspannung frequenzunabhängig und unvermindert an den Feldeffekttransistor abgegeben sowie durch die Ankoppelinduktivität zwischen diesem Gate und dem Oszillatorschwingkreis der kapazitiven Rückwirkung entgegengewirkt. Zusätzlich wird über die Gleichstromverbindung vom Eingangsschwingkreis zum Gate und von dort über die Ankoppelinduktivität sowie die an Masse angeschaltete Oszillatorinduktivität eine gleichstrommäßige Masseverbindung geschaffen, so daß die Schaltdiode nur einseitig über einen Widerstand mit der erforderlichen Schaltspannung gespeist werden muß. Die Verschleppung von Hochfrequenzspannungen wird dabei durch den Widerstand in einfacher Weise unterbunden. Gleichzeitig wird die Kopplung des Oszillators durch den steigenden, induktiven Widerstand der Ankoppelinduktivität nach höheren Frequenzen zu vermindert und somit der Frequenzgang der abgegebenen Spannung linearisiert. Es wird auch die kapazitive Belastung vermindert, so daß ein großer Frequenzdurchstimmbereich der Schwingkreise erreicht wird.Due to the galvanic coupling of the received signal voltage to the gate of the field effect transistor the received signal voltage is transmitted to the field effect transistor independently of the frequency and undiminished as well as by the coupling inductance between this gate and the oscillator circuit of the capacitive Counteraction counteracted. In addition, the direct current connection from the input resonant circuit to the gate and from there via the coupling inductance as well as the oscillator inductance connected to ground a DC ground connection created so that the switching diode only one side via a resistor with the required switching voltage must be fed. The drag-out of high-frequency voltages is thereby caused by the resistance prevented in a simple manner. At the same time the coupling of the oscillator through the rising, inductive The resistance of the coupling inductance decreases towards higher frequencies and thus the frequency response the output voltage is linearized. The capacitive load is also reduced, so that a large frequency tuning range of the oscillating circuits is achieved.

Wird die Empfangssignalspannung über eine weitere Schaltdiode an das Gate des Feldeffekttransistors angeschlossen und in Flußrichtung mit der ersten Schaltdiode gepolt, dann kann bei gesperrten Schaltdioden ein UHF-Zwischenfrequenzsignal unmittelbar auf das Gate geführt werden, ohne dieses Signal durch den Eingangsschwingkreis zu belasten. If the received signal voltage is connected to the gate of the field effect transistor via a further switching diode and polarized in the forward direction with the first switching diode, then when the switching diodes are blocked, a UHF intermediate frequency signal directly to the gate without loading this signal through the input resonant circuit.

Die Erfindung ist nachfolgend anhand der Zeichnung eines Ausführungsbeispiels näher erläutert.The invention is explained in more detail below with reference to the drawing of an exemplary embodiment.

Mit 1 ist ein Eingangskreis, z. B. ein abstimmbarer Einzelkreis oder ein Sekundärkreis eines Bandfilters für die zu empfangenden Frequenzen, beispielsweise für den Fernsehbereich VHF Band I und VHF Band III, bezeichnet, dessen frequenzbestimmende Bauelemente aus einer Kapazitätsvariationsdiode 2 und zwei abgleichbaren Induktivitäten 3 und 4 bestehen. Die Kondensatoren 5 und 6 dienen im wesentlichen zum Abblokken einer Gleichspannung, und zwar einerseits der Abstimmspannung Ud für die Kapazitätsvariationsdiode 2 und andererseits der Schaltspannung Us, die einer Schaltdiode 7 zugeführt wird, um die Induktivität 4 hochfrequenzmäßig nach Masse zu schalten, so daß nur noch die Induktivität 3 die Schwingkreisfrequenz bestimmt Hierdurch kann die Umschaltung des Eingangskreises auf zwei Frequenzbereiche erfolgen.With 1 is an input circuit, z. B. a tunable single circuit or a secondary circuit of a band filter for the frequencies to be received, for example for the television range VHF Band I and VHF Band III, whose frequency-determining components consist of a capacitance variation diode 2 and two adjustable inductors 3 and 4. The capacitors 5 and 6 essentially serve to block a direct voltage, on the one hand the tuning voltage Ud for the capacitance variation diode 2 and on the other hand the switching voltage Us, which is fed to a switching diode 7 in order to switch the inductance 4 to ground in terms of high frequency, so that only the inductance 3 determines the oscillating circuit frequency. As a result, the input circuit can be switched to two frequency ranges.

Der Eingangskreis 1 ist am Hochpunkt galvanisch an einen Mischer 8 angekoppelt Dieser besteht aus einem Feldeffekttransistor 9, an dessen Gate 10 die Eingangssignale und die Oszillatorfrequenz angelegt sind. Die Ankopplung der Eingangssignale erfolg) hier über eine Schaltdiode 11. die im durchgeschalteten Zustand die Eingangssignale zum Gate lö durchlassen, während im Sperrbetrieb diese abgeblockt werden und ein nicht dargestelltes UHF-Abstimmaggregat eingeschaltet ist, dessen Zwischenfrequenz dann am Gate 10 wirksam ist. In diesem Schaltzustand wirkt der Feldeffekttransistor 9 als Zwischenfrequenzverstärker.The input circuit 1 is galvanically coupled to a mixer 8 at the high point. This consists of a mixer Field effect transistor 9, to whose gate 10 the input signals and the oscillator frequency are applied. the Coupling of the input signals success) here via a switching diode 11. which in the switched-through state the Let through input signals to the gate, while in the blocking mode they are blocked and not UHF tuning unit shown is switched on, the intermediate frequency of which is then effective at gate 10. In this switching state, the field effect transistor 9 acts as an intermediate frequency amplifier.

Am Gate 10 ist erfindungsgemäß eine Ankoppelinduktivität 12 angeschlossen, über die die Oszillatorfrequenz eines Oszillators 13 angekoppelt wird. Der Oszillatorkreis 14 ist über eine Kapazitätsvariationsdiode 15 abstimmbar und zwecks Umschaltung für die zwei Frequenzbereiche VHF Band I und III besteht der induktive Zweig aus zwei abgleichbaren Induktivitäten 16 und 17, von denen die letztere bei Empfang von Band HI über eine Schaltdiode 18 HF-mäßig kurzgeschlossen werden kann. Beim Ausführungsbeispiel ist noch eine abgleichbare Induktivität 19 zwischen den beiden anderen vorgesehen, die über eine weitere Schaltdiode 20 ebenfalls HF-mäßig kurzschließbar ist.According to the invention, a coupling inductance 12 is connected to the gate 10, via which the oscillator frequency an oscillator 13 is coupled. The oscillator circuit 14 is via a capacitance varying diode 15 tunable and for the purpose of switching between the two frequency ranges VHF Band I and III, there is the inductive Branch of two adjustable inductors 16 and 17, the latter of which when receiving band HI can be short-circuited HF-wise via a switching diode 18. In the embodiment there is one more adjustable inductance 19 is provided between the other two, which via a further switching diode 20 can also be short-circuited in terms of HF.

Die Ankoppelinduktivität 12 ist am Hochpunkt 21 des Oszillatorkreises 14 angeschlossen. An der Ausgangselektrode des Feldeffekttransistors 9 liegt ein ZF-Kreis 22.The coupling inductance 12 is connected to the high point 21 of the oscillator circuit 14. At the output electrode the field effect transistor 9 has an IF circuit 22.

Es sei angenommen, daß an den Kapazitätsvariationsdioden 2 und 15 die Abstimmspannung Up anliegt und lediglich die Schaltdiode 11 in Durchlaßbetrieb geschaltet ist, und ein angeschlossenes U H F-Aggregat nicht wirksam ist. Der Eingangskreis 1 und der Oszillatorkreis 14 sind in diesem Fall so abgestimmt, daß der VHF-Bereich Band I empfangen werden kann, da alle frequenzbestimmenden Induktivitäten 3, 4 bzw. 16, 17, 19 wirksam sind. Der Eingangskreis 1 ist damit galvanisch mit Gate 10 verbunden und die Oszillatorfrequenz ist über die Ankoppelinduktivität 12 angekoppelt. It is assumed that the tuning voltage Up is applied to the capacitance variation diodes 2 and 15 and only the switching diode 11 is switched to forward mode, and a connected UHF unit is not effective. The input circuit 1 and the oscillator circuit 14 are matched in this case so that the VHF band I can be received, since all the frequency-determining inductances 3, 4 and 16, 17, 19 are effective. The input circuit 1 is thus galvanically connected to gate 10 and the oscillator frequency is coupled via the coupling inductance 12.

Wird nun an die Schaltdioden 7, 20 und 18 eine positive Schaltspannung angelegt, so werden diese durchgeschaltet, so daß im Eingangskreis 1 die Induktivität 4 und im Oszillatorkreis die Induktivitäten 19 und 17 HF-mäßig an Masse liegen und unwirksam sind. Hierdurch sind die Kreise für den Empfang des Frequenzbereiches VHF Band III geschaltet.If a positive switching voltage is now applied to the switching diodes 7, 20 and 18, they are switched through, so that the inductance 4 in the input circuit 1 and the inductances 19 and 17 in the oscillator circuit are HF-wise are close to the ground and are ineffective. This creates the circles for the reception of the frequency range VHF Band III switched.

Durch die zusätzliche Induktivität 19, die jetzt HF-mäßig kurzgeschlossen ist, liegt die Oszillatorfrequenz oberhalb der Empfangsfrequenz. Lieg» jedoch die Schaltdiode 20 an negativem Potential und ist damit in Sperrichtung betrieben, so ist nur noch die Induktivität 17 HF-mäßig nach Masse geschaltet. Der Oszillatorschwingkreis 14 ist dann so ausgelegt, daß er unterhalb der Empfangsfrequenz schwingt. Hierdurch ist es möglich, die Schaltung für ein Abstimmaggregat sowohl für Fernsehgeräte nach CCIR-Norm als auch nach französischer Norm zu betreiben.Due to the additional inductance 19, which is now short-circuited in terms of HF, the oscillator frequency is above the reception frequency. If, however, the switching diode 20 is at negative potential and is thus operated in the reverse direction, then only the inductance 17 is switched to ground in terms of HF. The oscillator circuit 14 is then designed so that e r oscillates below the receiving frequency. This makes it possible to operate the circuit for a voting unit both for televisions according to the CCIR standard and according to the French standard.

Vorzugsweise sind die Schwingkreise, also Eingangskreis 1 und Oszillatorkreis 14, als Parallelresonanzkreise ausgebildet. Dies hat u. a. den Vorteil, daß bei Verwendung der Schaltdiode 11 zur galvanischen Ankopplung der Eingangssignale an den FET-Mischer diese über die erfindungsgemäße Ankoppelinduktivität 12 und die Oszillatorinduktivität(en) nach Masse geschaltet werdenThe resonant circuits, that is to say input circuit 1 and oscillator circuit 14, are preferably parallel resonance circuits educated. This has inter alia. the advantage that when using the switching diode 11 for galvanic coupling the input signals to the FET mixer these via the coupling inductance 12 according to the invention and the oscillator inductance (s) be switched to ground

kann, was den Schaltungsaufbau sehr vereinfacht.can, which greatly simplifies the circuit structure.

Weiterhin kann es von Vorteil sein, die Kreise als .T-Kreise mit Längszweig liegender Induktivität auszubilden, weil dann die Eingangskapazität des FET als Hochpunkt-Kapazität des Schwingkreises verwendet werden kann. An der anderen Induktivitätsseite liegt dann die Abstimmdiode.Furthermore, it can be advantageous to design the circles as .T-circles with inductance lying in series, because then the input capacitance of the FET is used as the high point capacitance of the resonant circuit can be. The tuning diode is then on the other inductance side.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

toto

2020th

2525th

3030th

4040

4545

5050

6060

6565

Claims (3)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Eingangsschaltung für die Frequenzbereiche VHF Band I und VHF Band III mit einer Mischstufe, die einen Feldeffekttransistor als Mischtransistor aufweist, dessen Gate sowohl die Oszillatorfrequeni eines über einen größeren Frequenzbereich durchstimmbaren Oszillators als auch die Empfangsfrequenz über einen Eingangsschwingkreis mit zwei in Serie geschalteten Induktivitäten zugeführt ist, deren freie Enden über Kapazitäten und deren Verbindungspunkt über die Serienschaltung aus einer Schaltdiode, einer Spule und einem Kondensator an Masse angeschlossen sind, wobei eine Gleichstromverbindung zur Schaltdiode vorgesehen und die Induktivität des Oszillatcrschwingkreises an Masse angeschaltet ist dadurch gekennzeichnet, daß das Empfangssignal dem Gate (10) des Feldeffekttransistors (9) über einen Gleichstrompfad zugeführt ist und daß dieses Gate (10) über eine Ankoppelinduktivität (12) an die Induktivität (16,17,19) des Oszillatorschwingkreises (14) angeschlossen ist.1. Input circuit for the frequency ranges VHF Band I and VHF Band III with a mixer, which has a field effect transistor as a mixer transistor, the gate of which has both the oscillator frequencies one tunable over a wider frequency range Oscillator and the receiving frequency via an input resonant circuit with two in Series-connected inductors are supplied, their free ends via capacitors and their connection point via the series connection of a switching diode, a coil and a capacitor Ground are connected, with a direct current connection to the switching diode and the inductance of the oscillating circuit connected to ground is characterized in that the received signal is sent to the gate (10) of the field effect transistor (9) is supplied via a direct current path and that this gate (10) via a coupling inductance (12) is connected to the inductance (16,17,19) of the oscillator circuit (14). 2. Eingangsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Empfangssignal dem Gate (10) über einen Gleichstrompfad über eine weitere Schaltdiode (11) zugeführt ist, die in Flußrichtung mit der ersten Schaltdiode gepolt ist2. Input circuit according to claim 1, characterized in that the received signal is the gate (10) is supplied via a direct current path via a further switching diode (11), which flows in the direction of flow is polarized with the first switching diode 3. Eingangsschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ankoppelinduktivität (12) am Hochpunkt (21) des Oszillatorschwingkreises (14) angeschlossen ist3. Input circuit according to claim 1 or 2, characterized in that the coupling inductance (12) is connected to the high point (21) of the oscillator circuit (14)
DE2728760A 1977-06-25 1977-06-25 Input circuit for the frequency ranges VHF Band I and VHF Band III with a mixer Expired DE2728760C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2728760A DE2728760C2 (en) 1977-06-25 1977-06-25 Input circuit for the frequency ranges VHF Band I and VHF Band III with a mixer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2728760A DE2728760C2 (en) 1977-06-25 1977-06-25 Input circuit for the frequency ranges VHF Band I and VHF Band III with a mixer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2728760A1 DE2728760A1 (en) 1979-01-04
DE2728760C2 true DE2728760C2 (en) 1985-03-07

Family

ID=6012389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2728760A Expired DE2728760C2 (en) 1977-06-25 1977-06-25 Input circuit for the frequency ranges VHF Band I and VHF Band III with a mixer

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2728760C2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3004205C2 (en) * 1980-02-06 1982-06-09 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Mixer circuit for a UHF / VHF tuner with a dual gate Mos field effect transistor

Also Published As

Publication number Publication date
DE2728760A1 (en) 1979-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1296226C2 (en) TUNING CIRCUIT ARRANGEMENT WITH A SWITCHING DIODE
DE3318536A1 (en) TUNABLE CIRCUIT ARRANGEMENT
EP0348680A2 (en) Television tuner with a bandfilter circuit
EP0818888A1 (en) Switchable band filter for multiband-tuner
DE3317219A1 (en) INPUT SWITCHING WITH AT LEAST TWO INPUT WAYS
DE2836288C2 (en) Combination tuner
EP0091169B1 (en) Double-tuned resonant bandpass filter for channel selectors
DE4036866C2 (en) Local oscillator circuit
DE2624133C3 (en) Mixer arrangement
DE2728760C2 (en) Input circuit for the frequency ranges VHF Band I and VHF Band III with a mixer
DE1292708B (en) Tuning device for high-frequency electrical oscillations
DE3606432A1 (en) TUNING VOLTAGE COUPLING
EP1128552A1 (en) Circuit device for filtering a high frequency signal
DE3144242C2 (en)
DE3144243C2 (en)
DE3345497A1 (en) MIXING LEVEL
DE2134351C3 (en) Transistor VHF mixer
EP0292077A2 (en) Low noise converter
DE3321725A1 (en) TUNER FOR AT LEAST TWO FREQUENCY RANGES
DE3144390A1 (en) Resonant circuit
DE3213790C2 (en)
EP0128532A2 (en) Tuning circuit for UHF and VHF
DE1177219B (en) Amplifier or mixer with transistor
DE2523536B2 (en)
DE2717185C2 (en) TV channel selector for the frequency ranges VHF and UHF

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: TELEFUNKEN ELECTRONIC GMBH, 7100 HEILBRONN, DE

D2 Grant after examination
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: TEMIC TELEFUNKEN MICROELECTRONIC GMBH, 74072 HEILB

8339 Ceased/non-payment of the annual fee