DE2523525B2 - Schalteinheit und schaltmatrix fuer hochfrequenzsignale - Google Patents
Schalteinheit und schaltmatrix fuer hochfrequenzsignaleInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Schalteinheit für Hochfrequenzsignale mit einem isolierenden, flachen Substrat,
auf dessen einer Seite vier durch Unterbrechungen gleichstrommäßig voneinander entkoppelte Mikrostreifenleiter
angeordnet sind, die vier jeweils wahlweise als Eingang bzw. Ausgang benutzbare Signalanschlüsse
hochfrequenzmäßig miteinander verbinden, wobei jeder Mikrostreifenleiter mit einer auf der anderen Seite des
Substrates angeordneten, elektrisch leitenden Massefläche durch wenigstens eine zwischen einem Zustand sehr
hoher Impedanz und einem Zustand sehr niedriger Impedanz hin- und herschaltbare PIN-Diode verbunden
ist, die von einer unmittelbar benachbarten Unterbrechung einen Abstand gleich einer viertel Wellenlänge
aufweist
Ferner betrifft die Erfindung eine Schaltmatrix, die aus mehreren Schalteinheiten besteht.
Eine derartige Schalteinheit ist beispielsweise aus der FR-PS 20 64 079 entnehmbar. Bei dieser bekannten
Anordnung sind die vier Mikrostreifenleiter kreuzförmig um einen Zentralpunkt angeordnet, von dem sie
jeweils durch eine zur Gleichstromentkoppelung dienende Unterbrechung getrennt sind. Im Abstand
einer viertel Wellenlänge der Mittenfrequenz des zu übertragenden bzw. zu schaltenden Frequenzbandes
von der jeweiligen Unterbrechung weist jeder der Mikrostreifenleiter eine PIN-Diode variabler Impedanz
auf, die es über ihre Gleichstromsteuerung erlaubt, den Mikrostreifenleiter entweder mit der auf der anderen
Seite des die gesamte Anordnung tragenden Substrates befindlichen Massefläche kurzzuschließen oder den
Mikrostreifenleiter von dieser Massefläche hochohmig zu isolieren. Jeder der vier Mikrostreifenleiter ist mit
seinem vom zentralen Kreuzungspunkt entfernt liegenden Ende über das Substrat hinaus nach außen geführt.
Diese freien Enden der Mikrostreifenleiter sind die vier Hochfrequenzanschlüsse der Anordnung, die wahlweise
als Eingänge oder Ausgänge benützt werden können.
Diese bekannte Schalteinheit weist jedoch einige Nachteile auf. So läßt sich mit vier Mikrostreifenleitern
und vier PIN-Dioden immer nur ein einziger Signalweg durchschalten, der allenfalls verzweigt werden kann. Es
ist aber prinzipiell unmöglich, bei dieser Anordnung zwei HF-Signale voneinander unabhängig gleichzeitig
zu übertragen. Weiterhin muß jedes übertragene Signal über wenigstens zwei PIN-Dioden geleitet werden, die
voneinander einen Abstand einer halben Wellenlänge besitzen. Das führt dazu, daß die immer vorhandenen
Impedanzunterschiede der einzelnen Dioden durch eine Anpassung der Längen der Mikrostreifenleiter kompensiert
werden müssen. Dies ist jedoch ein recht aufwendiges Verfahren, das die Herstellung einer
solchen Schalteinheit erheblich erschwert und verteuert.
Sowohl aus der FR-PS 1548 893 als auch aus der
US-PS 36 78 414 sind Schaltanordnungen bekannt, bei denen wahlweise einer von zwei HF-Anschlüssen mit
einem dritten Anschluß dadurch verbunden bzw. von diesem entkoppelt werden kann, daß die Impedanz
einer zwischen dem betreffenden HF-Anschluß und Miisse liegenden PIN-Diode auf einen sehr hoher? b»'.v.
einen sehr niederen Wert gebracht wird. Diese Entgegenhaltungen zeigen, wenn auch nur für drei
Anschlüsse, die aus der FR-PS 20 64 079 bekannte stern- bzw. kreuzförmige Anordnung und sind mit denselben
Nachteilen wie diese behaftet.
Aus der US-PS 33 17 748 ist bekannt, daß mehrere
gleichartige Schalteinheiten zu einer mehrere Eingänge mit mehreren Ausgängen verbindenden Matrix zusammengeschaltet
werden können. In ihrem grundlegenden Aufbau unterscheiden sich diese Schalteinheiten aber
vollständig von der der Erfindung zugrundeliegenden Anordnung.
Gegenüber diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Schalteinheit der
eingangs beschriebenen Art zu schaffen, die bei gleicher Bauelementezahl eine größere Variabilität hinsichtlich
der Schaltungsmöglichkeiten aufweist und bei der zur Verringerung der Impedanzanpassungsprobleme die
HF-Signale über eine minimale Zahl von PIN-Dioden geführt sind.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung vor, daß jeder der vier Signalanschlüsse über ein kurzes
Mikrostreifenleiterstück direkt mit einer Y-förmigen Verzweigungsstelle verbunden ist und daß der zwischen
zwei jeweils benachbarten Verzweigungsstellen liegende Mikrostreifenleiter zwei Unterbrechungen mit
wenigstens einer dazwischenliegenden PIN-Diode aufweist.
Durch diese erfindungsgemäße Anordnung ist es möglich, mit ebenfalls nur vier PIN-Dioden zwischen
vier HF-Anschlüssen zwei voneinander völlig unabhängige Signalwege durchzuschalten. Hieraus ergibt sich
eine wesentlich bessere Nutzung der verwendeten Bauelemente, was insbesondere beim Zusammenschalten
mehrerer solcher Schalteinheiten zu einer größeren Matrixanordnung zu einer erheblich gesteigerten
Variabilität und Flexibilität führt, weil eine weit größere Zahl von Möglichkeiten für das Durchschalten von
Signalwegen zur Verfügung steht. Auch müssen beim Durchgang durch eine Schalteinheit die HF-Signale im
Regelfall nur eine PIN-Diode passieren, so daß die Impedanz-Anpassungsschwierigkeiten stark vermindert
sind.
Ein besonderer Vorteil der erfindungsgemäßen Anordnung ist darin zu sehen, daß zum Durchschalten
eines Signalweges durch eine Schalteinheit immer nur drei PIN-Dioden in einen definierten Zustand Gebracht
werden müssen, während der Zustand der vierten Diode beliebig ist. Hierdurch verringert sich der für das
Freischalten eines Signalweges erforderliche Ansteuerungsaufwand beträchtlich.
Eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schalteinheit ist dadurch gekennzeichnet, daß
die zwischen zwei jeweils benachbarten Verzweigungsstellen liegenden Mikrostreifenleiter alle die gleiche
Länge besitzen.
Prinzipiell ist es möglich, daß jeder der Mikrostreifenleiter nur eine einzige PIN-Diode enthält. In diesem Fall
ist seine gesamte elektrische Länge vorzugsweise gleich einer halben Wellenlänge.
Eine besonders bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schalteinheit ist jedoch dadurch
gekennzeichnet, daß jeder Mikrostreifenleiter eine Vielzahl von PIN-Dioden umfaßt. In diesem Fall ist die
Anordnung vorzugsweise so getroffen, daß die PIN-Dioden in jedem Mikrostreifenleiter untereinander
S einen Abstand von einer viertel Wellenlänge aufweisen. Durch diese Anordnung wird eine noch bessere
Entkopplung der voneinander getrennt zu haltenden Signalwege sichergestellt. Wegen des Abstandes von
einer viertel Wellenlänge der in einem Mikrostreifenleiter liegenden PIN-Diode ergibt sich keine Vergrößerung
der Impedanzanpassungsschwierigkeiten. Auch können die in einem Mikrostreifenleiter liegenden
PIN-Dioden gleichstrommäßig immer gemeinsam angesteuert werden, so daß sich durch die Vermehrung der in
einem Mikrostreifenleiter angeordneten PIN-Dioden keine Vergrößerung des zu ihrer Ansteuerung erforderlichen
Schaltungsaufwandes ergibt
Vorzugsweise umfaßt jeder Mikrostreifenleiter drei PIN-Dioden, die so angeordnet sind, daß seine gesamte
elektrische Länge gleich einer Wellenlänge ist.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Schalteinheit ist vorgesehen, daß die zur
gleichstrommäßigen Isolation zwischen den Mikrostreifenleitern
und den benachbarten Verzweigungsstellen vorgesehenen Unterbrechungen jeweils mit einem
Kondensator überbrückt sind.
Der Befestigungspunkt für jede PIN-Diode besteht vorzugsweise aus einem örtlich begrenzten, engen Hals
des Mikrostreifenleiters, wobei die PIN-Diode leicht nach der einen Seite der Mittellinie des Mikrostreifenleiters
hin versetzt ist.
Günstigerweise wird in einer Schaltmatrix eine gerade Zahl von Vierpol-Schalteinheiten vorgesehen,
von denen die eine Hälfte auf einem Aluminiumoxid-Substrat und die andere Hälfte auf einem anderen
Aluminiumoxid-Substrat angebracht ist, wobei die beiden Substrate Rücken an Rücken angeordnet und
durch einen Luftspalt getrennt sind.
Daraus ergibt sich eine relativ kompakte Schaltvorrichtung, die in der Lage ist, eine große Zahl von
verschiedenen auswählbaren Signalpfaden für hohe Frequenzen zu liefern.
So kann z.B. eine Schaltmatrix aus sechs Vierpol-Schalteinheiien
bestehen, die so miteinander verbunden sind, daß sich 24 verschiedene Wegkombinationen
zwischen vier Eingängen und vier Ausgängen ergeben. Ist eine kleinere Zahl von Kombinationen erforderlich,
so enthält die Schaltmatrix eine gewisse eingebaute Redundanz, die dazu benutzt werden kann, im Falle
eines Ausfalls eines der Mikrostreifenleiter oder der ihm zugeordneten PIN-Dioden in einer Schalteinheit für ein
uneingeschränktes Arbeiten zu sorgen.
Die Erfindung wird im folgenden beispielsweise anhand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigt
F i g. 1 einen Teil einer Schaltvorrichtung gemäß der Erfindung, der aus einer einzelnen mit vier Anschlüssen versehenen Schalteinheit besteht,
F i g. 1 einen Teil einer Schaltvorrichtung gemäß der Erfindung, der aus einer einzelnen mit vier Anschlüssen versehenen Schalteinheit besteht,
F i g. 2 einen Ausschnitt aus F i g. 1, der einen Teil der Befestigungsvorrichtung für eine PIN-Diode zeigt,
F i g. 3 in schematischer Darstellung eine Schalt-Vorrichtung, die aus sechs Schalteinheiten besteht, wie sie in F i £. 1 dargestellt sind, und
F i g. 3 in schematischer Darstellung eine Schalt-Vorrichtung, die aus sechs Schalteinheiten besteht, wie sie in F i £. 1 dargestellt sind, und
F i g. 4 in vereinfachter Form eine praktisch anwendbare Konfiguration für die Schalt-Vorrichtung aus
Fig.3.
Die in F i g. 1 dargestellte Schaltvorrichtung besitzt vier Hauptanschlüsse 1, 2, 3 und 4, die durch vier
Mikrostreifen 5, 6, 7 und 8 in der gezeigten Weise
miteinander verbunden sind. Vier kurze zusätzliche MikrostreifenstUcke 9, 10, 11 und 12 verbinden die
Hauptanschlüsse 1, 2, 3 bzw. 4 mit den Mikrostreifen-Verbindungspunkten 13,14,15 und 16. Jeder Mikrostreifenleiter 5,6,7 und 8 ist mit drei PIN-Dioden 17,18 und
19 versehen, die mit einem gegenseitigen Abstand von einer viertel Wellenlänge angeordnet sind. Die Dioden
17 und 19 sind mit einem Abstand von einer viertel Wellenlänge von den angrenzenden Verbindungsstellen
13, 14, 15 und 16 entfernt angebracht, so daß die elektrische Länge eines jeden Mikrostreifenleiters 5,6,
7 und 8 gleich einer Wellenlänge ist
Die Größe der oben erwähnten Wellenlänge ist durch die Mittenfrequenz des Frequenzbandes gegeben, bei
der die Schaltanordnung entwurfsgemäß verwendet werden soll. In dem vorliegenden Beispiel erstreckt sich
das Arbeitsband von ungefähr drei GHz bis 4 1/2 GHz, was bedeutet, daß der viertel Wellenlängenabstand
zwischen benachbarten PIN-Dioden ungefähr 8 mm beträgt.
Die PIN-Dioden selbst haben einen Querschnitt von ungefähr 38 Hundertstel mm (15 Tausendstel inch) im
Quadrat. Die Mikrostreifen sind auf einem Substrat aus Aluminiumoxyd befestigt, das ungefähr 56 Hundertstel
mm (25 Tausendstel inch) dick und auf seiner Rückseite mit einer elektrisch leitenden Massefläche versehen ist
Es ist bekannt, daß die Breite des Mikrostreifenleiters in Relation zur Dicke und Dielektrizitätkonstante des
Substrates so dimmensioniert wird, daß sich eine vorbestimmte, charakteristische Impedanz von z. B. 50
Ohm bei der Arbeitsfrequenz ergibt.
In Richtung der beiden Enden der Mikrostreifenleiter
5, 6, 7 und 8 ist ein kleiner Chip-Kondensator 20 über einer kleinen Lücke bzw. Unterbrechung in dem
Mikrostreifenleiter angebracht, um die drei Dioden auf jedem Mikrostreifenleiter gleichstrommäßig zu isolieren. Das ermöglicht es, die vier Diodengruppen
voneinander unabhängig zu betreiben. PIN-Dioden besitzen die Eigenschaft, daß ihre impedanz mit einer
geeignet ausgewählten Gleichspannungs-Vorspannung in steuerbarer Weise zwischen einem sehr hohen und
einem sehr niederen Wert hin- und hergeschaltet werden kann. So kann z. B. der niedere Wert in der
Größenordnung von 1 oder 2 Ohm oder sogar darunter liegen. Die Vorspannung für die PIN-Dioden wird über
die Steueranschlüsse 21,22,23 und 24 angelegt, die von
den hohen Frequenzen, die von den Mikrostreifenleitern 5,6,7 und 8 getragen werden, durch Tiefpaß-Filter
25,26,27 und 28 entkoppelt sind.
Spannt man die PIN-Dioden, die in den Mikrostreifen 5 und 7 vorhanden sind, so vor, daß sie ihren Zustand
niederer Impedanz annehmen und auf diese Weise die Mikrostreifenleiter an diesen Punkten mit der Massefläche kurzschließen, so weisen die Mikrostreifen S und 7
eine sehr hohe Impedanz gegenüber Eingangssignalen auf, die z. B. an den Hauptanschlüssen 1 und 3 anliegen.
Richtet man es gleichzeitig so ein, daß die PIN'Dioden
in den Mikrostreifen β und 8 ihren hohen Impedanzwert annehmen (so daß die Mikrostreifen 6 und 8 eine
niedere Impedanz gegenüber Eingangssignalen an den Hauptanschlüssen 1 und 3 aufweisen), so werden die
Eingangssignale zu den Ausgangsunschlüssen 2 und 4
mit kleiner Einfügungsdämpfung weitergeieitet Andererseits ist die Isolation, die zwischen den Hauptanschlüssen 1 und 2 bzw. 3 und 4 erzielt wird, sehr hoch, so
z. B. 60 dB oder mehr.
5 Obwohl ein ähnlicher Effekt erreicht wird, wenn nur eine einzige PIN-Diode in jedem Mikrostreifen
vorgesehen wird (in diesem Fall würde die Länge eines jeden Mikrostreifens vorzugsweise nur eine halbe
Wellenlänge betragen), ist die Isolation wesentlich
ίο geringer.
Durch die Steuerung der PIN-Dioden können also hochfrequente Signale durch die Schaltanordnung in der
gewünschten Weise geleitet werden.
F i g. 2 zeigt einen Ausschnitt eines Mikrostreifens in
iS der Gegend einer PIN-Diode. Es wird beispielsweise auf
den Mikrostreifen 5 und die PIN-Diode 17 Bezug genommen, obwohl die Befestigungsanordnung für alle
Dioden ähnlich ist. Im Bereich der Diode ist die Breite des Leiters auf einen sehr engen Hals 29 verringert, aber
jo es ist keine Unterbrechung des Leiters vorgesehen.
Diese Anordnung ergibt eine kleinere Einfügungsdämpfung als es der Fall sein würde, wenn keine Verringerung
der Leiterbreite vorgesehen und notwendigerweise die Diode beträchtlich nach einer Seite des Leiters hin
versetzt wäre. Andererseits wird mit der vorliegenden Konfiguration eine größere Zuverlässigkeit erreicht, als
es der Fall sein würde, wenn der Leiter vollständig unterbrochen wäre, um es der Diode zu ermöglichen,
auf die Mitte des Leiters ausgerichtet zu sein, da in
einem solchen Fall der Mikrostreifen unwirksam würde,
wenn die angehefteten Anschlüsse 30 elektrisch unterbrochen würden. Mit der vorliegenden Konfiguration sind diese beiden Nachteile vermieden.
Eine Vielzahl der in F i g. 1 dargestellten Schalteinhei-
ten ist miteinander verbunden, um eine Schaltmatrix zu liefern, von der ein Beispiel in Fig.3 schematisch
wiedergegeben ist. 6 Schalteinheiten 31, 32, 33, 34, 35 und 36 sind auf zwei Aluminiumoxyd-Substraten 37 und
38 miteinander verbunden. Vier Eingangsanschlüsse 41,
42,43 und 44 können in beliebiger Kombination mit vier
Ausgangsanschlüssen 45, 46, 47 und 48 verbunden werden. Die Glieder 49, die die Zwischenverbindungen
herstellen, bestehen aus halbstarren Coaxial-Kabeln, Insgesamt sind vierundzwanzig Kombinationen von
Eingangs-Ausgangs-Wegen möglich, obwohl in der Praxis durch die Festlegung einer kleineren Zahl von
Kombinationen eine gewisse eingebaute Redundanz erreicht wird. Auf diese Weise können die Signale, wenn
eine Einheit teilweise ausfällt, um die Fehlstelle
herumgeleitet werden, ohne daß die Arbeitsweise dadurch verschlechtert wird. Eine praktisch anwendbare Ausfuhrungsform ist in F1 g. 4 dargestellt, bei der die
beiden Substrate Rücken an Rücken montiert sind. In der Fig.4 sind die Masseflächen 51 und 52 angezeigt
Zwischen den beiden Masseflttchen besteht ein Luftspalt.
Diese Anordnung ergibt eine sehr kompakte und zuverlässige Hochfrequenz-Schaltmatrix. Beispielsweise Ist die in Pig.4 dargestellte Vorrichtung bei elnei
Mittenfrequenz von ungefähr 4OHz nur etwa 13 or
(6 inches) lung, 5 cm (2 inches) breit und 2,5 cm (1 Inch; hoch.
Claims (9)
1. Schalteinheit für Hochfrequenzsignale mit einem isolierenden, flachen Substrat, auf dessen
einer Seite vier durch Unterbrechungen gleichstrommäßig voneinander entkoppelte Mikrostreifenleiter
angeordnet sind, die vier jeweils wahlweise als Eingang bzw. Ausgang benutzbare Signalanschlüsse
hochfrequenzmäßig miteinander verbinden, wobei jeder Mikrostreifenleiter mit einer auf der
anderen Seite des Substrates angeordneten, elektrisch leitenden Massefläche durch wenigstens eine
zwischen einem Zustand sehr hoher Impedanz und einem Zustand sehr niederer Impedanz hin- und
herschaltbare PIN-Diode verbunden ist, die von einer unmittelbar benachbarten Unterbrechung
einen Abstand gleich einer viertel Wellenlänge aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß
jeder der vier Signalanschlüsse {1, 2, 3, 4) über ein kurzes Mikrostreifenleiterstück (9,10,11,12) direkt
mit einer Y-förmigen Verzweigungsstelle (13,14,15, 16) verbunden ist und daß der zwischen zwei jeweils
benachbarten Verzweigungsstellen (13, 14; 14, 15; 15,16; 16,13) liegende Mikrostreifenleiter (5,6,7,8)
zwei Unterbrechungen (20) mit wenigstens einer dazwischenliegenden PIN-Diode (17, 18, 19) aufweist.
2. Schalteinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zwischen zwei jeweils benachbarten
Verzweigungsstellen (13, 14; 14, 15; 15, 16; 16, 13) liegenden Mikrostreifenleiter (5, 6, 7, 8) alle die
gleiche Länge besitzen.
3. Schalteinheit nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Mikrostreifenleiter (5, 6,
7, 8) eine Vielzahl von PIN-Dioden (17, 18, 19) umfaßt.
4. Schalteinheit nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die PIN-Dioden (17, 18, 19) in jedem
Mikrostreifenleiter (5, 6, 7, 8) untereinander einen Abstand von einer viertel Wellenlänge aufweisen.
5. Schalteinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jeder
Mikrostreifenleiter (5, 6, 7, 8) drei PIN-Dioden (17, 18, 19) umfaßt, die so angeordnet sind, daß seine
gesamte elektrische Länge gleich einer Wellenlänge ist.
6. Schalteinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zur
gleichstrommäßigen Isolation zwischen den Mikrostreifenleitern (5, 6, 7, 8) und den benachbarten
Verzweigungsstellen (13, 14, 15, 16) vorgesehenen Unterbrechungen (20) jeweils mit einem Kondensator
überbrückt sind.
7. Schalteinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Befestigungspunkt
für jede PIN-Diode (17, 18, 19) aus einem örtlich begrenzten, engen Hals (29) des
Mikrostreifenleiters (5, 6, 7, 8) besteht, wobei die
PIN-Diode (17,18,19) leicht nach der einen Seite der
Mittellinie des Mikrostreifenleiters (5, 6, 7, 8) hin versetzt ist
8. Schaltmatrix unter Verwendung von Schalteinheiten nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß eine gerade Zahl von Vierpol-Schalteinheiten (31, 32, 33, 34, 35, 36)
vorgesehen ist, von denen die eine Hälfte auf einem Aluminiumoxid-Substrat (37) und die andere Hälfte
auf einem anderen Aluminiumoxid-Substrat (38) angebracht ist, und daß die beiden Substrate (37,38)
Rücken an Rücken angeordnet und durch einen Luftspalt getrennt sind.
9. Schaltmatrix nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltmatrix aus sechs Vierpol-Schalteinheiten
(31,32,33,34,35,36) besteht, die so
miteinander verbunden sind, daß sich 24 verschiedene Wegkombinationen zwischen vier Eingängen (41,
42, 43, 44) und vier Ausgängen (45, 46, 47, 48) ergeben (F i g. 3).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB26414/74A GB1495527A (en) | 1974-06-14 | 1974-06-14 | Switching arrangements |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2523525A1 DE2523525A1 (de) | 1975-12-18 |
DE2523525B2 true DE2523525B2 (de) | 1977-08-11 |
DE2523525C3 DE2523525C3 (de) | 1978-04-13 |
Family
ID=10243288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2523525A Expired DE2523525C3 (de) | 1974-06-14 | 1975-05-27 | Schalteinheit und Schaltmatrix für Hochfrequenzsignale |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3982212A (de) |
JP (1) | JPS5111549A (de) |
DE (1) | DE2523525C3 (de) |
FR (1) | FR2275073A1 (de) |
GB (1) | GB1495527A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3210028A1 (de) * | 1982-03-19 | 1984-02-02 | ANT Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang | Schalter fuer hochfrequenzenergie |
EP0508128A2 (de) * | 1991-03-28 | 1992-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Monolithischer Viertor GaAs PIN Diodenschalter |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4031488A (en) * | 1976-04-05 | 1977-06-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Multiple polarization switch |
GB1578132A (en) * | 1976-05-15 | 1980-11-05 | Marconi Co Ltd | Switching arrangements |
CA1138572A (en) * | 1978-05-11 | 1982-12-28 | Paul L. Fleming | Planar transmission line attenuator and switch |
US4779065A (en) * | 1987-04-28 | 1988-10-18 | General Electric Company | Microwave signal routing matrix |
US5170139A (en) * | 1991-03-28 | 1992-12-08 | Texas Instruments Incorporated | PIN diode switch |
JP2863659B2 (ja) * | 1991-10-30 | 1999-03-03 | 三菱電機株式会社 | 高周波増幅装置 |
US5272457A (en) * | 1992-03-10 | 1993-12-21 | Harris Corporation | High isolation integrated switch circuit |
US5296762A (en) * | 1992-11-04 | 1994-03-22 | Rockwell International Corporation | Bidirectional microwave amplifier apparatus |
US5510757A (en) * | 1994-09-23 | 1996-04-23 | Loral Corporation | Broadband miniature transfer switch matrix |
JP3163918B2 (ja) * | 1994-11-28 | 2001-05-08 | 株式会社村田製作所 | 高周波スイッチ |
US5696470A (en) * | 1995-06-07 | 1997-12-09 | Comsat Corporation | Solid-state electronic switching module |
US6014066A (en) * | 1998-08-17 | 2000-01-11 | Trw Inc. | Tented diode shunt RF switch |
CN102468067B (zh) * | 2010-11-12 | 2014-03-12 | 国基电子(上海)有限公司 | 无线通信装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3305797A (en) * | 1964-04-24 | 1967-02-21 | Emerson Electric Co | Microwave switching networks |
FR1479516A (fr) * | 1966-03-24 | 1967-05-05 | Thomson Houston Comp Francaise | Perfectionnements aux dispositifs de commutation hyperfréquence réalisés en circuits solides |
BE757605A (fr) * | 1969-10-21 | 1971-04-01 | Western Electric Co | Commutateur a diodes bipolaire a deux directions |
US3678414A (en) * | 1970-10-19 | 1972-07-18 | Collins Radio Co | Microstrip diode high isolation switch |
FR2226094A5 (de) * | 1972-08-07 | 1974-11-08 | Labo Cent Telecommunicat | |
US3774123A (en) * | 1972-12-11 | 1973-11-20 | Ibm | Broad band microstrip n-pole m-throw pin diode switch having predetermined spacing between pole and throw conductors |
-
1974
- 1974-06-14 GB GB26414/74A patent/GB1495527A/en not_active Expired
- 1974-08-26 FR FR7429990A patent/FR2275073A1/fr active Granted
-
1975
- 1975-05-02 US US05/573,981 patent/US3982212A/en not_active Expired - Lifetime
- 1975-05-27 DE DE2523525A patent/DE2523525C3/de not_active Expired
- 1975-06-13 JP JP50071856A patent/JPS5111549A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3210028A1 (de) * | 1982-03-19 | 1984-02-02 | ANT Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang | Schalter fuer hochfrequenzenergie |
EP0508128A2 (de) * | 1991-03-28 | 1992-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Monolithischer Viertor GaAs PIN Diodenschalter |
EP0508128A3 (en) * | 1991-03-28 | 1993-02-03 | Texas Instruments Incorporated | Four port monolithic gaas pin diode switch |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2523525A1 (de) | 1975-12-18 |
FR2275073B1 (de) | 1976-10-22 |
GB1495527A (en) | 1977-12-21 |
FR2275073A1 (fr) | 1976-01-09 |
DE2523525C3 (de) | 1978-04-13 |
US3982212A (en) | 1976-09-21 |
JPS5111549A (de) | 1976-01-29 |
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DE2523525C3 (de) | Schalteinheit und Schaltmatrix für Hochfrequenzsignale | |
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |