DE2518056C3 - Verfahren zur Herstellung eines stabförmigen Formkörpers - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines stabförmigen FormkörpersInfo
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Description
Die vorliegende F.rfindung be/ieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von stabförmigen Formkörpern
entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Es ist bereits ein optischer Wellenleiter bekannt, welcher einen aus gedoptem geschmolzenen Siliziumoxyd
bestehenden Glaskern und eine aus reinem geschmolzenen Siliziumöxyd oder gedoptem geschmolzenen
Siliziumoxyd bestehende Glasumhüllung besitzt, Als Verfahren zur Herstellung eines derartigen
optischen Wellenleiters kann beispielsweise Flammen^
hydrolyse verwendet werden (siehe US-PS 23 26 059).
Bei einem bekannten Verfahren zur Herstellung von derartigen optischen Fasern wird ein gedopter geschmolzener
Siliziumoxydkern — das Dopieren erfolgt im Hinblick auf eine Erhöhung des Brechungsindex - in
eine reine geschmolzene Siliziumoxydröhre eingeschoben und diese Anordnung auf einen bestimmten
Temperalurwert erwärmt, um auf diese Weise die Elastizität zu erhöhen. Die Kombination von Rohr und
Stab wird dann gezogen, wodurch der Querschnitt in
in dem gewünschten Maße verringert wird. Dabei wird das
Rohr um den Stab gespannt, wobei ein Verschmelzen mit dem Kern stattfindet Bei einem anderen bekannten
Verfahren wird ein reines gesintertes Siliciumdioxidrohr sowie Siliziumdioxidpulver verwendet Das Oxyd des
Dopungsmittels wird an der Innenwandung des Rohres angebracht, worauf das Rohr bis auf eine bestimmte
Temperatur erhitzt und anschließend gezogen wird. Bei diesem Verfahren wird der Querschnitt des Rohres
verringert während gleichzeitig ein Sintern des an der
in fnnenwandung vorhandenen Pulvers stattfindet, so daß
sich eine feste optische Faser ergibt
Bei dem Flammen-Hydrolyseverfahren zur Herstellung des Glaskernes und der Glasschicht ergibt es sich
jedoch, daß Wasser bis zu einer Konzentration von
>> 1000 ppm innerhalb des Glases verbleibt, was bei der
praktischen Verwendung zu Schwierigkeiten führt. Eine Oberflächenbearbeitung des Glaskerns kann zu einer
Verunreinigung des G'fases oder zu einer Veränderung der Zusammensetzung der Oberflächenschicht des
in Glases führen, was zu Zersetzungsverlusten des optischen Wellenleiters führt.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines stabförmigen Formkörpers, der zu
einer optischen Faser ausgezogen werden kann, zur
i"i Verfügung zu stellen, welches die Herstellung von
optischen Fasern mit sehr geringen Zerstreuungs-, Absorptions- und Strahlungsverlusten ermöglicht, wobei
das Herstellungsverfahren im wesentlichen kontinuierlich durchgeführt werden kann.
Die Erfindung wird in den Patentansprüchen beschrieben.
Das erfindungsgemäße Verfahren, bei dem die Wärmezufuhr bei der Herstellung eines slabförmigen
Formkörpers mit einem Kohlendioxidlaser erfolgt,
•r» ermöglicht die Hersiellung von Glasfasern mit einem
sehr gleichmäßige" Durchmesser, gleichbleibender Qualität und sehr geringen Verlusten.
Die Erfindung soll nunmehr anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert und beschrieben werden,
w wobei auf die Zeichnung Bezug genommen ist. Es zeigt
Fig. 1 ein schematisches Diagramm einer Vorrichtung für das erfindungsgemäße Verfahren,
Fig. 2 ein schematisches Diagramm einer Vorrichtung
zur Beschichtung mit reinem Siliziumdioxyd und
ν-, einer Mischung von Sili/iumoxyd und Dopungsmitteloxyden,
Fig. J ein schematisches Diagramm zur Erläuterung
des Prinzips der kontinuierlichen Herstellung des Substrates und der Beschichtung und
w) F i g. 4 eine weitere Ausführungsform einer Vorrichtung
zur kontinuierlichen Herstellung eines mit einer Gläsbesehichtung versehenen Glases.
Fig. 1 zeigt eine Vorrichtung zur Herstellung des stabförmigen Formkörpers. Dabei ist ein Kohlendioxidgaslaser
1 Vorgesehen, weleher einen Kohlendioxydgaslaserstrahl
2 mit einer Intensität von 200 Walt abgibt. Der ausgestrahlte Laserstrahl 2 wird durch einen
Metallspiegel 3 reflektiert und mit Hilfe einer konvexen
Gerrnaniumlinse 5 zur Konvergenz gebracht, welche
innerhalb des Rodens eines Si(iziumoxydglasgefqßes 4
angeordnet ist. Der fokussierte Laserstrahl 2 bestrahlt
das Ende eines Substrates 6, welches aus Siliciumdioxid oder einem anderen Refraktormaterial für hohe
Temperaturen besteht. Das Substrat 6 ist dabei innerhalb des SiliziumoxydglasgefäBes 4 angeordnet
und wird dabei auf eine Temperatur zwischen 1600 und
18000C erwärmt Um das Siliziumglasgefäß 4 herum
kann ein Ofen 7 vorgesehen sein, welcher den Behälter auf etws 1000°C vorwärmt Der Metallspiegel 3 kann
durch einen Strahlabtaster ersetzt werden. In diesem Fall kann auf das Vorsehen der konvexen Linse völlig
verzichtet werden. Der Strahlabtaster lenkt den Laserstrahl 2 um einen Winkel Θ mit einer Frequenz von
20 Hz ab, welche durch einen Funktionsgenerator gesteuert ist Fernerhin sind Antriebsmittel vorgesehen,
demzufolge das Ende des aus Refraktormateria! bestehenden Substrats 6 durch den homogenen
verteilten Kohlendioxydgaslaserstrahl bestrahlt wird.
Das in einem Spannkopf 12 befestigte Substrat 6 wird mit Hilfe eines Antriebsmechanismus 13 - beispielsweise
mit 40b7min - in Drehung versetzt, wahrend gleichzeitig eine nach aufwärts gerichtete langsame
Bewegung von beispielsweise 15 mm pro Stunde vorgenommen wird, was der Wachstumsgeschwindigkeit
von geschmolzenem Glas auf dem Substrat 6 entspricht.
Eine aus Sauerstoff und reinem Siliziumtetrachloriddampf
und reinem Aluminiumtrichloriddampf bestehende Gasmischung 10 wird durch in dem Siliziumoxydglasgefäß
4 angeordnete Düsen 8 und 9 auf den Kern 6 gerichtet Demzufolge treten im Endbereich des Kerns 6
die folgenden Reaktionen auf:
O2+ SiCI4- SiO2+ 2 Cl.
3O2 + 4AICI,- 2 AI2O,+ 6 Cl2
Das Siliziumletrachlorid und das Aluminiumtrichlorid
reagieren mit dem Sauerstoffgas, wobei entsprechende Oxyde auftreten. Das Siliziumoxyd und das Aluminiumoxyd
schlagen ich auf dem Substrat 6 nieder und bilden einen SiO2-AI2O i-Glaskern 11. Mit derselben Wachstumsgeschwindigkeit
des SiOi-Al2O) Glaskernes 11
wird das Substrat 6 nach aufwärts bzw. in entgegengesetzter Richtung zur Wachstumsrichiung des Glaskernes
11 mit Hilfe des Antriebsmechanismus 13 bewegt, während gleichzeitig eine Drehung mit langsamer
Geschwindigkeit vorgenommen wird. Anstelle von Aluminiumtrichlorid kann auch Triisobutylaluminium
verwendet werden.
Der SiO2-AI2Oi-Glaskerr<
11 bildet einen Glasstab, welcher einen im wesentlichen gleichmäßigen Durchmesser
und glt ichmäßige Qualität besitzt.
Beispielweise kann auf diese Weise ein Stab mit einem Durchmesser von 10 mm und einer Länge von
45 mm innerhalb eines Zeitraums von 3 h erhalten werden, wobei dieser Stab ein Gewicht von 8 Gramm
hat. Abweichungen des vorgegebenen Durchmessers betragen dabei nur ± 100 μτπ.
Als oxidierbare Verbindung von Silizium kann Siliziumletrachlorid verwendet werden. Als Dopungs·
mittel kann Aluminiumtrichlorid, Triisobutylaluminium,
Germariiumletrachlorid, Titaniumtetrachlorid, Galliumchlorid,
Oxyphosphat oder Trimelhylgallium verwendet werden. Auf diese Weise kann in bekannter
Weise der Brechungsindex des Glases verändert werden. Abgesehen Von den oben erwähnten Verbindungen
können die Chlorid j von Tantal, Zinn, Niobium, Zirkonium oder Gallium verwendet werden.
Die Mischung von Sauerstoff und reinem Siliziumtetrachloriddampf und Aluminiumtrichloriddampf, welche
durch die Düsen 8 und 9 eingeleitet wird, kann wie folgt gewonnen werden:
Das Sauerstoffgas wird von einer Sauerstoffquelle 14 über eine Reinigungseinheit 15 mit Hilfe von Ventilen 20
und 21 entlang zweier Pfade geleitet Der eine Teil des Sauerstoffgases wird dabei in eine Sättigungseinheit 17
geleitet welche hochreines Siliziumtetrachlorid 16 enthält Der andere Teil des Sauerstoffgases wird
hingegen einer Sättigungseinheit 19 zugeführt, in welcher hochreines Aluminiumtrichlorid 18 vorliegt
Die Strömungsgeschwindigkeit des Sauerstoffgases können mit Hilfe der Ventile 20 und 21 so eingestellt
werden, daß vorgesehene Strömungsmeßgeräte 22, 23 denselben Wert von beispielsweise 1 I/min, anzeigen.
Um das Verhältnis zwischen SiO2 und AbOj innerhalb
des SiO2 · AbOj-GIaskernes 11 auf den gewünschten
.'ο Wert einstellen zu können, werden die Dampfdrücke
des Siliziumtetrachiorid 16 und des A1 ,niniurr.trichlorids
IS zuvor eingestellt. Urn den zuvo; eingestellten
Dampfdruck zu erhalten, werden die Temperaturen mit Beheizbädern 24,25 mit Hilfe von Temperatursteuerge-
2ϊ raten 26 und 27 und die Temperaturen der entsprechenden
SättifTingseinheiten 17 und 19 in gewünschter
Weise eingestellt Das durch die Sättigungseinheiten 17 und 19 durchgeleitete Sauerstoffgas nimmt den Dampf
des Siliziumtetrachlorids 16 bzw. des Aluminiumtrichlo-
H) rids 18 mit, wobei sich aus einer aus. Glas oder
Tetrafluorethylen bestehenden Verbindungsstelle 29 zusammen mit Rohren 28 die gewünschte Gasmischung
bildet. Diese Gasmischung wird den an dem Glasgefäß 4 vorgesehenen Düsen 8 und 9 zugeführt von wo aus eine
)> Beaufschlagung des Substrates 6 stattfindet, welches
beispielsweise aus Siliziumdioxyd besteht Auf diese Weise wird der SiO2 ■ Al2O)-Glaskern 11 gebildet
wobei das Aufheizen mit Hilfe des Laserstrahls 2 erfolgt.
Falls beispielsweise die Temperatur des Siliziurr !e-
4i) trachlorids 16 auf 100C und die des Aluminiumtrichlorids
18 auf 130° C gewählt wird, entstehen Dampfdrücke
von 1 ".0 bzw. 10 mm Hg. Wenn fernerhin dann die Strömungsgeschwindigkeiten des Sauerstoffs auf einen
konstanten Wert eingestellt werden, ergibt sich ein
4") prozentuales Molverhältnis des SiO2 · AI2Oj-Glases
von 96:4. Der Brechungsindex des auf diese Weise erhaltenen Glases beträgt in diesem Fall 1,466. Dies
bedeutet, daß das Glas einen Brechungsindex besitzt, welcher um den Betrag von 0,008 höher als der von
ίο reinem Siliziumoxyd ist.
Da die Temperatur der Sättigungseinheit 19 für das Aluminiumtrichlorid höher als Raumtemperatur gehalten
wird, wird jener Teil des aus Polytetrafluorethylen oder Glas bestehenden Rohres 28 durch welchen der
Yi Aluminiumtrichloriddampf den Düsen 8 und 9 zugeführt
wird, mit Hilfe einer Hoizeinheit 30 oberhalb /on 30°C gehalten, um eine Kondensation des Aluminiumtrichloriddampfes
innerhalb des Rohres 28 zu vermeiden.
Fig.2 zeigt eine Ausführungsform der Herstellungs-
bo vorrichtung, mit welci.er der nach dem oben beschriebenen
Verfahrer hergestellte SiO2 AI2O|Glaskern 11
mit einer Glasschicht 31 ummantelt wird, welche aus reinem SiOrGlas oder Siliziumdioxyd zusammen mit
einem Oxyd-Doppüngsrnittel besteht.
Ein von dem Kohlendioxydgaslaser 1 abgegebener Laserstrahl 2 wird durch den Metallspiegel 3 reflektiert
und mit Hilfe der konvexen Gcrmamuhilinse 5 und einer
auf der Seitenoberfläche des Siliziumoxydglasgefäßes 4 angeordneten zylindrischen Germaniumlinse 32 zusammengefaßt.
Auf diese Weise wird der S1O2 · AI2Oj-GIaS-kern
11 innerhalb des Gefäßes 4 auf etwa 1600 bis 1800°C erwärmt. In das Gefäß 4 mündet ein Rohr 38
durch welches Sauerstoffgas zugeführt wird, das zum Schutz der zylindrischen Linse 32 dient. Fernerhin ist ein
Abgaberohr 39 vorgesehen, durch welches das Sauerstoffgas abgeleitet wird. Der Metallspiegel 3 und die
zylindrische Linse 32 können durch einen Strahlabtaster ersetzt werden. Der Strahlabtaster kann mit Hilfe eines
Funktionsgenerators und einer auf einer bestimmten Frequenz arbeitenden Antriebseinrichtung angetrieben
werden. Dabei wird ein geeigneter Rotationswinkel verwendet, damit der Glaskern Il mit einer gleichmäßigen
Leistungsverteilung des Kohlendioxydglaslaserstrahls bestrahlt wird.
Die Erwärmung kann ebenfalls durchgeführt werden, indem nur der Kohlendioxydglaslaser verwendet wird.
jedoch kann zusätzlich ein kreisförmiger Ofen 7 um das Glasgefäß 4 herum angeordnet sein, wodurch der Stab
auf etwa 10000C vorerwärmt wird. Mit Hilfe des
Kohlendioxydlaserstrahls wird dann der Stab auf etwa
1600-1800°C weiter erhitzt. Gleichzeitig mit der Erhitzung wird durch in dem Gefäß 4 angeordnete
Düsen 33 und 34 SiHziumtetrachloriddampf mit Sauerstoffgas 35 in Richtung des SiOj · AI2O]-Glasstabes
11 injiziert. Demzufolge reagiert das Siliziumtetrachlorid mit dem auf dem Glasstab 11 vorhandenen
Sauerstoffgas, wobei folgende Reaktion auftritt:
O2 + SiCU- SiO5+ 2 CI2
Dieses Siliziumoxyd schlägt sich auf dem SiO2 ■ Al2Oj-Glasstab nieder, wodurch die SiO2-GIaS-schicht
31 gebildet wird. Um möglichst gleichförmig die SiOrGlasschicht zu bilden, wird der SiO2 · Al2O1-GIaS-stab
11 zwischen einem Paar von Spannköpfen 36 und
37 gelagert und mit einer gleichförmigen Drehgeschwindigkeit in Drehung versetzt, während gleichzeitig
eine Parallelbewegung gegenüber den Seitenoberflächen des Glasgefäßes 4 vorgenommen wird. Das
^miArctnffcrac mit Haiti c^hr t-oinori Qili-yJnrviit»f rooM*-»,-;*^
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20
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dampf kann mit Hilfe einer Einrichtung gemäß F i g. 1 gebildet werden. In diesem Fall wird jedoch das Ventil
20 für die Zufuhr des Sauerstoffgases zu der Sättigungseinheit 19 mit dem Aluminiumtrichlorid 18
geschlossen, so daß nur Sauerstoffgas durch das Ventil
21 der Sätt'.gungseinheit 17 mit dem Siliziumtetrachloriddampf
zugeführt wird, von wo aus dann eine Weiterleitung zu den Düsen 33 und 34 erfolgt Die das
Mischgas erzeugende Einrichtung ist zur Vereinfachung in F i g. 2 nicht gezeigt
Mit Hilfe des erwähnten Verfahrens kann eine SiO2-Glasschicht 31 sehr gleichförmig auf den
S1O2 · AljCb-GIasstab aufgebracht werden. Der beschichtete
Glasstab wird innerhalb einer geeigneten Schutzeinrichtung auf eine Temperatur oberhalb des
Weichmachungspunktes des Stabes — beispielsweise 19000C — erwärmt, worauf dann eine optische Faser
durch Spinnen erzeugt wird.
Ähnlich wie bei der Ausführungsform in Fig. 1 wird
zuerst ein aus Siliziumdioxyd bestehendes Substrat 6 innerhalb eines Siliziumoxydglasgefäßes 4 drehbar
gelagert und mit Hilfe eines elektrischen Ofens 7 vorgewärmt. Anschließend daran wird dieser Stab mit
Hilfe des von dem Kohlendioxydgaslasers ! abgegebenen Laserstrahls 2 auf eine Temperatur Von
1600-1800°C erwärmt. In Richtung des Substrates 6 wird eine Gasmischung aus Sauerstoff Uhd reinem
Siliziumtelrachloriddampf und reinem Aliiminiumtri*
chloriddampf geleitet Das Siliziumdioxyd und das Aluminiumoxyd werden auf dem rotierenden und sich
bewegenden Substrat 6 niedergeschlagen und geschmolzen.
Das Moiverhältnis zwischen SiO2 und AI2ÖJ beträgt
96:4%. Der Brechungsindex des Glasslabes ist in diesem Fall 1,466.
Der auf diese Weise erzeugte SiO2 · AI2Oi-Glasslab
11 wird dann in die in Fig. 2 dargestellte Vorrichtung
eingesetzt, wobei eine Lagerung mit Hilfe der beiden Spannköpfe 36 . 37 erfolgt. Es folgt dann eine
Vorwärmung mit Hilfe des um das Gefäß 4 herum angeordneten elektrischen Ofens 7. Der Glasstab 11
wird dabei einer Parallelbewegung gegenüber der Seitenwandung des Siliziumglasgefäßes 4 aufgesetzt,
während zusätzlich eine Drehbewegung durchgeführt wird. Durch die Düsen 33 und 34 wird eine Gasmischung
von Sauerstoff und reinem Siliziumtetrachloriddampf und einem Aluminiumtrichloriddampf in Richtung des
Glasstabes 11 injiziert. Die Gasmischung ist dabei dieselbe wie im Beispiel 1.
Zuerst erfolgt die Beschichtung in einer Gaszusammensetzung von Siliziumoxyd und Aluminiumoyd. so
wie dies bei der Herstellung des SiO2 · Al2Oi-Glasstabes
11 der Fall ist. Anschließend daran wird jedoch die Zusammensetzung des SiO2- und AI2Oj-Gases graduell
verändert, indem der Dampfdruck des Siliziumtetrachlorids und des Aluminiumtrichlorids beeinflußt wird,
wodurch der Aluminiumoxydgehalt verringert wird. Schließlich wird die Beschichtung mit einem Gas
durchgeführt, bei welchem der Siliziumoxydgehalt 100% beträgt. Demzufolge verändert sich die Zusammensetzung
der Glasschicht 31 von dem Glasstab 11 in Richtung der Oberfläche der Beschichtung von
SiO2 · AI2O) nach SiO2. Anschließend daran wird der
auf diese Weise beschichtete Stab versponnen.
Fig. 3 zeigt das Prinzip einer anderen Ausführungsform der Erfindung, bei welcher der Glaskern und die
Beschichtung kontinuierlich hergestellt werden. Die Einrichtung zur Erzeugung der Gasmischung aus
Sauerstoff und reinem Siliziumtetrachloriddampf und Aluminiumtrichloriddampf ist dieselbe wie in Fig. 1
Diese Einrichtung ist demzufolge in F i g. 3 nicht gezeigt. Ein von einem Kohlendioxydlaser 41 abgegebener
Laserstrahl 42 wird mit Hilfe einer konvexen Germaniumlinse 43 gesammelt und der Stirnfläche eines
Substrats 44 zugeführt, welches beispielsweise aus Siliziumoxyd besteht Demzufolge wird diese Stirnfläche
auf etwa 1600— 18000C erwärmt In derselben Zeit
wird eine Gasmischung 47 aus Sauerstoff und reinem Siliziumtetrachloriddampf und Aluminiumtrichloriddampf
durch Düsen 45 und 46 dem Endbereich des Substrats 44 zugeführt Demzufolge treten die folgenden
Reaktionen im Bereich des Substrats 44 auf:
O2+SiCl4 — SiO2+2 CI2
3 O2+4 AICI3 - 2 AI2O3+6 Cl2
3 O2+4 AICI3 - 2 AI2O3+6 Cl2
Das Siliziumtetrachlorid und das Aluminiumtrichlorid reagieren mit dem Sauerstoffgas, wodurch Siliziumoxyd
und Aluminiumoxyd gebildet werden. Diese Bestandteile
werde« auf dem Substrat 44 niedergeschlagen, wodurch ein SiO2 · A^Oj-Glaskcfri 48 gebildet wird.
Der Glaskern 48 wird in Richtung des Laserstrahls 42 bewegt, wobei die Bewegungsgeschwindigkeit der
Wachslumsgcschwindigkcil des SiOj» AI2OrGlaskcrnes
48 entspricht. Der Glaskern 48 wird dabei durch eine Bohrung geschoben, welche innerhalb einer aus
Refraktor-Material bestehenden Abschirmplatte 49 vorgesehen ist.
Parallel mit dem oben beschriebenen Verfahren wird ein von einem Kohlendioxydgaslaser 50 abgegebener
Laserstrahl 51 über eine Konvexe Linse 52 der Oberfläche des SiO2 · AI2Oj-Glaskernes 48 zugeführt,
wodurch eine Erwärmung auf 1600 bis 18000C erfolgt.
Gleichzeitig wird eine Gasmischung 54 von Sauerstoff und reinem Siliziumtetrachloriddampf durch eine
weitere Düse 53 dem SiO2 · AI2Oi-Glaskern 48
zugeführt. Auf diese Weise wird um den SiO2 · AI2Oj-Glaskern
48 eine aus SiOj bestehende Glassrhirhl "5S
aufgebracht. Bei dieser Ausführungsform besitzt der Glaskern 48 ein Molverhältnis von SiO2 · AI2Oj von
96% : 4%, während der Brechungsindex 1,466 beträgt.
Fig.4 zeigt eine weitere Ausführungsform einer Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung eines
ummantelten stabförmigen Formkörpers. Der von einem Kohlendioxydlaser61 abgegebene Laserstrahl 62
wird mit Hilfe eines Spiegels 63 reflektiert und mit Hilfe Hner rotierenden Linse 64 erweitert, wodurch eine
gleichförmige Leistungsverteilung erreicht wird. Dieser Laserstrahl wird zur Bestrahlung des Endes eines aus
Siliziumoxyd bestehenden Substrats 66 verwendet, das innerhalb eines SiliziumoxydglasgefäBes 65 angeordnet
ist. Auf diese Weise wird das Ende des Substrates 66 auf eine Temperatur zwischen 1600 und 18000C erwärmt.
Zur gleichen Zeit wird eine Gasmischung 68 von Sauerstoff und reinem Siliziumtetrachloriddampf und
Aluminiumtrichloriddampf durch eine Düse 67 auf das Substrat 66 geleitet. Dabei treten an dem Substrat 66 die
folgenden Reaktionen auf:
O2+SiCLt- SiO2+2 Cl2
3 O2 + 4 AICI3 - 2 AI2O3 + 6 Cl2
Das Siliziumtetrachlorid und das Aluminiumtrichlorid
reagieren mit dem Sauerstoff, so daß Siliziumoxyd und Aluminiumoxyd gebildet werden, welche auf der
Oberfläche des Substrats 66 niedergeschlagen werden. Dadurch wird ein SiO2 · AI2O3-GIaskern 69 gebildet
Dieser Kern 69 wird mit Hilfe des Substrats 66 und eines Spannkopfes 70 in Drehung versetzt, während gleichzeitig
in Richtung des Laserstrahles eine; Bewegung
vorgenommen wird, deren Geschwindigkeit der Wachsturnsgeschwiridigkeit
des SiO2 · AI2O3-Glases enl·
spricht. Zur gleichen Zeit wird ein von einem Kohlendioxydlaser 71 abgegebener Laserstrahl 72 mit
Hilfe eines Strahlabtasters 73 reflektiert und über ein Germaniumfenster 74 dem SiO2 · AbOrGlaskern 69
zugeführt. Der Diversionswinkel wird dabei so gewählt, daß die Oberfläche auf etwa 1600-180O0C erwärmt
wird. Zur selben Zeit wird eine Gasmischung von Sauerstoff und reinem Siliziumtetrachloriddampf und
Aluminiumtrichloriddampf durch Düsen 75; 76, 77 und 78 der Oberfläche des Stabes zugeführt. Das Mischungsverhältnis
des Mischgases wird von den Düsen 75 bis 78 graduell verändert, indem die Menge des Aluminiumtrichloriddampfes
verringert wird. Beispielsweise werden von den Düsen die folgenden Gasmischungen
abgegeben:
Düse 75 ... SiCU : AICI3 = 95 Gew.-% : 5 Gew.-%
2(i Düse 76 ... RfCU · A IrU = 97 Oew.-0/0 . 3 Qe V.-%
Düse 77 ... SiCU : AICl3=98 Gew.-% ': 2 Gev/.-%
Düse 78 ... SiCU : AlCI3 = 100 Gew.-% : 0 Gew.-%
2(i Düse 76 ... RfCU · A IrU = 97 Oew.-0/0 . 3 Qe V.-%
Düse 77 ... SiCU : AICl3=98 Gew.-% ': 2 Gev/.-%
Düse 78 ... SiCU : AlCI3 = 100 Gew.-% : 0 Gew.-%
Durch Steuerung des Mischgases wird das Mischungsverhältnis von SiO2 und AI2O3 verändert. Die
äußerste Beschichtung erfolgt dann-mit ganz «'einem SiO2. Auf diese Weise wird dann eine äußere Schicht
gebildet, bei welcher die Zusammensetzung zwischen SiO2 und AI2O3 in Richtung der Dicke der Beschichtung
jo auf dem SiO2 ■ AI2O3-Glaskern graduell verändert wird.
Die durch die Düsen 67,75,76,77 und 78 abgegebene
Mischung von Sauerstoff und Siliziumtetrachloriddampf Und Aluminiumtrichloriddampf kann mit Hilfe eines
Ofens 80 auf eine Temperatur von etwa 10000C
r> erwärmt werden, wodurch aufgrund einer Reaktion mit dem Sauerstoff Körnchen gebildet werden. Diese auf
dem Substrat 66 niedergeschlagenen Körnchen werden mit Hilfe der Laserstrahlen 62 und 72 erwärmt, wodurch
Glas gebildet wird.
Um eine Verunreinigung des aus Germanium bestehenden Fensters 74 und der rotierenden Linse 64
zu vermeiden, kann ein Sauerstoffgas über Rohrleiturtgen
81 und 82 in das Gefäß 65 eingeleitet werden. Das Äbieiten des Sauerstoffgases erfoigx dann über ein
Ableitungsrohr 83. Der auf diese Weise erzeugte Glaskern 69 sowie die erzielte Glasbeschichtung 79
werden dann bis oberhalb der Erweichungstemperatur erhitzt, worauf dann ein Verspinnen zu einer optischen
Faser vorgenommen werden kann. Die auf diese Weise erzeugte Glasfaser besitzt wesentlich weniger Verunreinigungen
und Wassereinschlüsse, die zu Absorptionsverlusten und Zerstreuungsverlusten führen. Fernerhin
besitzt die Glasfaser einen sehr gleichmäßigen Durchmesser und eine sehr gleichmäßige Qualität was eine
erhebliche Verbesserung darstellt
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Verfahren zum Herstellen eines stabförmigen Formkörpers, der zu einer optischen Faser ausgezogen
wird, bei dem durch Wärmezufuhr ein Gasgemisch aus Sauerstoff und einem zu SiOi
oxidierbares Gas und gegebenenfalls ein den Brechungsindex änderndes Dopungsmittel bildendes
Gas zersetzt wird und auf einem sich drehenden Substrat niedergeschlagen und aufgeschmolzen
wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmezufuhr mit einem Kohlendioxidgaslaser erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Konzentration des das Dopungsmittel bildenden Gases graduell verringert wird, bis
am Schluß reines Siliciumdioxid niedergeschlagen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dai man das sich drehende Substrat in ein
mittels eines eiektrischen Ofens auf eine Temperatur von ungefähr 1000" C erwärmtes Siliciumdioxidglasgefäß
anordnet
4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche
des Substrats durch Bestrahlen mit dem Kohlendioxidgaslaser auf eine Temperatur von 1600
bis 18000C erwärmt wird.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß man als
Substrat einen Kern aus geschmolzenem Siliciumdioxid verwendet.
6. Verfahren nach tinem ler vorangehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als oxidierbares Gas Siliciumtetrachlond vei »endet wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Dopungsmittel
bildendes Gas Aluminiumlrichlorid, Triisobutylaluminium, Germaniumtetrachlorid, Titanumtetrachlorid,
Galliumchlorid, Oxyphosphat oder Trimethylgallium verwendet wird.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung
eines stabförmigen Formkörpers aus Glas ein Gasgemisch aus SiO? und AbOi mit einem prozentualen
Molverhältnis von 96 :4 eingeleitet wird.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mittels
zweier Kohlendioxidgaslaser gleichzeitig die Herstellung eines Substrates aus SiOjAbOi und einer
darauf niedergeschlagenen und aufgeschmolzenen Siliciumdioxidglassehicht erfolgt.
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---|---|---|---|
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Families Citing this family (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4161505A (en) * | 1972-11-25 | 1979-07-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for producing optical transmission fiber |
US4145456A (en) * | 1974-09-14 | 1979-03-20 | Dieter Kuppers | Method of producing internally coated glass tubes for the drawing of fibre optic light conductors |
DE2444100C3 (de) * | 1974-09-14 | 1979-04-12 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur Herstellung von innenbeschichteten Glasrohren zum Ziehen von Lichtleitfasern |
US4135901A (en) * | 1974-12-18 | 1979-01-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing glass for optical waveguide |
US4040890A (en) * | 1975-06-27 | 1977-08-09 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Neodymium oxide doped yttrium aluminum garnet optical fiber |
US4038062A (en) * | 1976-03-25 | 1977-07-26 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method and apparatus for introducing geometrical perturbations in optical fiber waveguides |
JPS52121341A (en) * | 1976-04-06 | 1977-10-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of optical fiber base materials and production apparatus fo r the same |
US4202682A (en) * | 1976-05-07 | 1980-05-13 | International Standard Electric Corporation | Glass manufacture |
US4114980A (en) * | 1976-05-10 | 1978-09-19 | International Telephone And Telegraph Corporation | Low loss multilayer optical fiber |
US4198223A (en) * | 1977-05-17 | 1980-04-15 | International Telephone And Telegraph Corporation | Continuous fiber fabrication process |
US4276072A (en) * | 1977-06-07 | 1981-06-30 | International Telephone And Telegraph Corporation | Optical fiber fabrication |
US4253863A (en) * | 1977-06-07 | 1981-03-03 | International Telephone And Telegraph Corporation | Apparatus for mass producing fiber optic preforms and optic fibers |
US4204851A (en) * | 1977-06-23 | 1980-05-27 | Corning Glass Works | Directing glass forming constituents against a lateral surface parallel to the axis of rotation of a starting member to form a monolithic blank for an optical waveguide |
US4203553A (en) * | 1977-06-27 | 1980-05-20 | Corning Glass Works | Ribbon burner |
JPS5927728B2 (ja) * | 1977-08-11 | 1984-07-07 | 日本電信電話株式会社 | 煤状ガラスロッドの製造方法 |
US4204850A (en) * | 1977-08-26 | 1980-05-27 | Corning Glass Works | Carbon coating for a starting member used in producing optical waveguide |
US4358181A (en) * | 1977-09-29 | 1982-11-09 | Corning Glass Works | Gradient index optical waveguide and method of making |
IT1091498B (it) * | 1977-11-25 | 1985-07-06 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Procedimento ed apparecchiatura per la produzione continua di fibre ottiche |
JPS54116429A (en) * | 1978-03-03 | 1979-09-10 | Hitachi Ltd | Production of material for optical fiber |
US4231774A (en) * | 1978-04-10 | 1980-11-04 | International Telephone And Telegraph Corporation | Method of fabricating large optical preforms |
US4188201A (en) * | 1978-04-17 | 1980-02-12 | Lothar Jung | Apparatus for forming an ingot in a rotating housing |
FR2447890B1 (fr) * | 1979-02-05 | 1985-06-28 | Lyonnaise Transmiss Optiques | Procede de fabrication de preformes de fibres optiques a gradient d'indice, et dispositif de mise en oeuvre de ce procede |
US4212661A (en) * | 1979-02-16 | 1980-07-15 | Lothar Jung | Method for the manufacture of hollow fused quartz or fused silica ingots |
US4230472A (en) * | 1979-02-22 | 1980-10-28 | Corning Glass Works | Method of forming a substantially continuous optical waveguide |
GB2052566B (en) * | 1979-03-30 | 1982-12-15 | Rolls Royce | Laser aplication of hard surface alloy |
US4294601A (en) * | 1979-07-13 | 1981-10-13 | Times Fiber Communications, Inc. | Apparatus and process for automatic control of the production of optical fiber |
BR7908672A (pt) * | 1979-11-30 | 1981-06-30 | Brasilia Telecom | Processo de posicao de filmes a partir da fase vapor |
US4302230A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | High rate optical fiber fabrication process using thermophoretically enhanced particle deposition |
US4340617A (en) * | 1980-05-19 | 1982-07-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for depositing a material on a surface |
US4579750A (en) * | 1980-07-07 | 1986-04-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Laser heated CVD process |
JPS57100933A (en) * | 1980-12-12 | 1982-06-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Preparation of base material for optical fiber |
JPS57100934A (en) * | 1980-12-12 | 1982-06-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacturing of optical fiber preform |
AU535343B2 (en) * | 1981-02-27 | 1984-03-15 | Associated Electrical Industries Limited | Manufacture of optical fibre preform |
US4417911A (en) * | 1981-02-27 | 1983-11-29 | Associated Electrical Industries Limited | Manufacture of optical fibre preforms |
JPS57163204A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-07 | Nec Corp | Production of optical waveguide on glass substrate |
US4378985A (en) * | 1981-06-04 | 1983-04-05 | Corning Glass Works | Method and apparatus for forming an optical waveguide fiber |
NL8103648A (nl) * | 1981-08-03 | 1983-03-01 | Philips Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van voorvormen voor het trekken van optische vezels en voorvormen volgens deze werkwijze verkregen en inrichting voor het continu vervaardigen van optische vezels. |
NL8103647A (nl) * | 1981-08-03 | 1983-03-01 | Philips Nv | Werkwijze voor de continue vervaardiging van een optische fiber onder neerslaan van glaslagen op een doorn. |
US4421721A (en) * | 1981-10-02 | 1983-12-20 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Apparatus for growing crystal fibers |
DE3206178A1 (de) * | 1982-02-20 | 1983-08-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung einer vorform, aus der optische fasern ziehbar sind |
US4615904A (en) * | 1982-06-01 | 1986-10-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Maskless growth of patterned films |
US4608117A (en) * | 1982-06-01 | 1986-08-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Maskless growth of patterned films |
US4440558A (en) * | 1982-06-14 | 1984-04-03 | International Telephone And Telegraph Corporation | Fabrication of optical preforms by axial chemical vapor deposition |
US4507135A (en) * | 1982-08-02 | 1985-03-26 | Corning Glass Works | Method of making optical fiber preform |
US4568370A (en) * | 1982-09-29 | 1986-02-04 | Corning Glass Works | Optical fiber preform and method |
US4726827A (en) * | 1982-09-29 | 1988-02-23 | Corning Glass Works | Method and apparatus for producing an optical fiber preform |
US4639079A (en) * | 1982-09-29 | 1987-01-27 | Corning Glass Works | Optical fiber preform and method |
JPS59169949A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光フアイバの製造方法 |
GB2131417B (en) * | 1982-12-02 | 1987-04-08 | Western Electric Co Ltd | Optical device and preform fabrication |
DE3300449A1 (de) * | 1983-01-08 | 1984-07-12 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur herstellung einer elektrode fuer eine hochdruckgasentladungslampe |
US4542580A (en) * | 1983-02-14 | 1985-09-24 | Prime Computer, Inc. | Method of fabricating n-type silicon regions and associated contacts |
JPS60186429A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用母材の製造方法 |
JPS6126532A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ−用母材の製造方法 |
US4664473A (en) * | 1985-04-01 | 1987-05-12 | Corning Glass Works | Optical fiber formed of MgO--Al2 O3 --SiO2 glass |
IT1184068B (it) * | 1985-04-10 | 1987-10-22 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Procedimento per la produzione di fibre ottiche in silice drogata con allumina utilizzante reagenti metallorganici |
US4863501A (en) * | 1985-09-26 | 1989-09-05 | Polaroid Corporation, Patent Department | Method of employing plasma for finishing start rods |
US4684384A (en) * | 1986-02-27 | 1987-08-04 | Corning Glass Works | Conveyor deposition method and apparatus for making optical fiber preforms |
AU610519B2 (en) * | 1986-08-18 | 1991-05-23 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Laser assisted fiber growth |
US4818562A (en) * | 1987-03-04 | 1989-04-04 | Westinghouse Electric Corp. | Casting shapes |
US5114738A (en) * | 1990-07-20 | 1992-05-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Direct optical fiber glass formation techniques using chemically and/or physically removable filamentary substrates |
US6474107B1 (en) * | 1996-12-02 | 2002-11-05 | Franklin W. Dabby | Fluorinating an optical fiber preform in a pure aluminum oxide muffle tube |
US6723435B1 (en) * | 2001-08-28 | 2004-04-20 | Nanogram Corporation | Optical fiber preforms |
US6960537B2 (en) * | 2001-10-02 | 2005-11-01 | Asm America, Inc. | Incorporation of nitrogen into high k dielectric film |
JP2003171137A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-17 | Fujikura Ltd | 光ファイバ母材の製造方法 |
FR2909298B1 (fr) * | 2006-12-02 | 2009-07-10 | Technogenia Soc Par Actions Si | Piece concave rechargee par laser, procede et dispositif pour sa realisation |
US8065893B2 (en) * | 2009-07-10 | 2011-11-29 | Dau Wu | Process, apparatus, and material for making silicon germanium core fiber |
DE102011122510A1 (de) * | 2011-12-29 | 2013-07-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Beschichtung von optischen Wellenleitern |
US20150225845A1 (en) * | 2014-02-12 | 2015-08-13 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for forming metal oxide thin film and device for printing metal oxide thin film |
EP4015468A1 (de) | 2020-12-16 | 2022-06-22 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Verfahren zur herstellung von synthetischem quarzglas |
EP4015467A1 (de) * | 2020-12-16 | 2022-06-22 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Verfahren zur herstellung von synthetischem quarzglas |
CN118024638A (zh) * | 2024-02-22 | 2024-05-14 | 中国航天三江集团有限公司 | 一种新型光纤包层制备方法及*** |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3224840A (en) * | 1962-11-16 | 1965-12-21 | Gen Telephone & Elect | Methods and apparatus for producing crystalline materials |
BE666629A (de) * | 1964-08-04 | |||
DE1471446C3 (de) * | 1964-08-19 | 1975-03-06 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung von aus Aluminiumoxid bestehenden Einkristallen |
US3892540A (en) * | 1965-10-05 | 1975-07-01 | Ugine Kuhlmann | Producing monocrystalline bodies by the verneuil method |
US3741796A (en) * | 1968-07-11 | 1973-06-26 | Texas Instruments Inc | Silica deposition utilizing multiple torches |
DE1900116C3 (de) * | 1969-01-02 | 1978-10-19 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen hxxochreiner, aus Silicium bestehender einkristalliner Schichten |
GB1313106A (en) * | 1969-10-14 | 1973-04-11 | Pilkington Brothers Ltd | Manufacture of clad glass |
US3826560A (en) * | 1972-03-30 | 1974-07-30 | Corning Glass Works | Method of forming a light focusing fiber waveguide |
US3823995A (en) * | 1972-03-30 | 1974-07-16 | Corning Glass Works | Method of forming light focusing fiber waveguide |
US3864113A (en) * | 1973-10-19 | 1975-02-04 | Corning Glass Works | Method of Producing Glass by Flame Hydrolysis |
JPS5429263B2 (de) * | 1974-01-14 | 1979-09-21 |
-
0
- NL NL7504872.A patent/NL165134B/ unknown
-
1974
- 1974-04-30 JP JP4858674A patent/JPS5343407B2/ja not_active Expired
-
1975
- 1975-04-17 GB GB15927/75A patent/GB1498907A/en not_active Expired
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2518056A1 (de) | 1975-10-30 |
NL165134B (nl) | 1980-10-15 |
JPS50141334A (de) | 1975-11-13 |
FR2269089A1 (de) | 1975-11-21 |
GB1498907A (en) | 1978-01-25 |
FR2269089B1 (de) | 1982-07-16 |
NL165134C (nl) | 1981-03-16 |
US3957474A (en) | 1976-05-18 |
DE2518056B2 (de) | 1978-05-11 |
JPS5343407B2 (de) | 1978-11-20 |
NL7504872A (nl) | 1975-10-28 |
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---|---|---|
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DE3105295C2 (de) | ||
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