DE2459156A1 - Verfahren zum herstellen einer photolackmaske auf einem halbleitersubstrat - Google Patents
Verfahren zum herstellen einer photolackmaske auf einem halbleitersubstratInfo
- Publication number
- DE2459156A1 DE2459156A1 DE19742459156 DE2459156A DE2459156A1 DE 2459156 A1 DE2459156 A1 DE 2459156A1 DE 19742459156 DE19742459156 DE 19742459156 DE 2459156 A DE2459156 A DE 2459156A DE 2459156 A1 DE2459156 A1 DE 2459156A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- developer
- layer
- molecular weight
- electron beam
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
Verfahren zum Herstellen einer Photolackmaske auf einem Halbleitersubstrat
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Photolackmaske
auf einem Halbleitersubstrat, bei welchem auf die Substratoberfläche eine durch Einwirken eines Elektronenstrahls unter Verringerung
ihres Molekulargewichts zersetzbare Schicht aus einem Vinylpolymer,
vorzugsweise Polymethyl-Metacrylat, aufgebracht wird, und nach der selektiven Belichtung mit dem Elektronenstrahl die belichteten
Bereiche in einem aus einer organischen Flüssigkeit gebildeten Entwickler gelöst werden.
Die Herstellung von positiven Photolackmasken aus polymeren Schichten,
die durch eine energiereiche Strahlung zersetzt werden können, ist bereits bekannt. Beispielsweise ist in der USA-Patentschrift 3 535
ein Verfahren beschrieben, bei dem eine polymere Schicht, die durch eine Strahlung zersetzt werden kann, auf ein Substrat aufgebracht wird
und entsprechend dem zu bildenden Muster einer energiereichen Strahlung, beispielsweise einer Röntgenstrahlung, einer Kernstrahlung oder
einer Elektronenstrahlung ausgesetzt wird. Als polymere Schicht wird beispielsweise Polymethyl-Metacrylat verwendet. Die bestrahlten Bereiche
der polymeren Schicht erfahren dadurch eine Verringerung ihres Molekulargewichts und werden leichter löslich. Die bestrahlten Bereiche
der Schicht werden sodann mit Hilfe eines Entwicklers entfernt.
509845/0665
ORIGINAL INSPECTED
Danach wird das Substrat den weiteren Verfahrensschritten, wie Metallisierung
oder Ätzen, unterworfen, wobei die auf der Oberfläche verbliebenen Teile der Photolackschicht die Oberfläche abdecken.
Das Belichten der Schicht mit einem Elektronenstrahl im Gegensatz zu
der Belichtung durch eine das zu bildende Muster enthaltende Maske hat den Vorteil, daß die zu bildenden Muster leicht geändert werden
können, so daß mit derselben Einrichtung, beispielsweise unter Steuerung durch einen Computer, viele verschiedene Muster hergestellt werden
können.
Die Verwendung von das Muster abtastenden Strahlen zur Belichtung ist
jedoch dadurch begrenzt, daß die für die Belichtung erforderliche Zeit
wesentlich größer ist als bei gleichzeitiger Belichtung. Darüberhinaus
hängt die für die Entwicklung eines belichteten Musters erforderliche
Zeit wesentlich davon ab, ob durch die Belichtung ein genügend großer Unterschied in der Löslichkeit zwischen den belichteten und den unbelichteten
Bereichen der Schicht hergestellt wurde. Eine Vergrößerung dieses Unterschiedes bei gegebener Belichtung ermöglicht eine Verkürzung
der Entwicklungszeit.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen einer Photolackmaske, bei welchem die Belichtung durch einen Elektronenstrahl erfolgt,
in der Weise zu verbessern, daß bei einer kurzen Belichtungszeit mit möglichst geringer Energie ein günstigeres Verhältnis bezüglich der
Löslichkeit der belichteten und der unbelichteten Bereiche und gleichzeitig eine erhöhte Entwicklungsgeschwindigkeit erreicht wird.
Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe bei einem Verfahren der eingangs
genannten Art dadurch gelöst, daß der Entwickler aus einer Verbindung oder einer Mischung von Verbindungen aus der Gruppe der
Alkylazetate und Ketone mit 7 bis 9 Kohlenstoffatomen gebildet wird,
und daß die Entwicklung bei einer Temperatur von etwa 40 C durchgeführt
wird.
Eine vorteilhafte Ausbildung des Verfahrens besteht darin, daß eine
Fi 973 086 50984 5/068 5
polymere Schicht aus Polymethyl-Metacrylat mit einem Molekulargewicht
von etwa 750 000 und als Entwickler 3-Oktanon verwendet wird. Eine andere vorteilhafte Ausbildung des Verfahrens besteht darin,
daß eine polymere Schicht aus Polymethyl-Metacrylat mit einem Molekulargewicht von mindestens 100 000 verwendet wird, und daß der
Entwickler durch eine Mischung von zwei Verbindungen gebildet wird, von denen nur eine ein gutes Lösungsmittel für die polymere Schicht
ist. Vorteilhafterweise wird dabei der Entwickler gebildet aus einer
Mischung von n-Hexyl-Azetat und Isoamyl-Azetat im Volumensverhältnis
von 8:3. Gemäß einer anderen vorteilhaften Ausbildung des Verfahrens
wird der Entwickler aus einer Mischung von n-Hexyl-Azetat und 3-Heptanon in einem Volumensverhältnis von 4 : 1 gebildet.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren erfolgt vorteilhafterweise die
Belichtung der polymeren Schicht durch einen Elektronenstrahl von 10 bis 50 kV mit einer Elektrizitätsmenge von 3 bis 30 uCoulomb/cm
Die Erfindung wird anschließend anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben.
Für die Bildung von Photolackmasken, bei denen die Belichtung durch
einen Elektronenstrahl erfolgt, sind polymere Materialien geeignet, die bei einer Strahlungsenergie mit Dosierungen von mehr als ungefähr
—ß 2
1x10 Coulomb/cm zersetzt werden. Geeignete polymere Materialien
für diesen Zweck sind, wie bekannt, Vinylpolymere, die beispielsweise von den niederen Alkyl-Estern der Metacrylsäure abgeleitet sind, wie
z.B. Methyl-Metacrylat, n-Butyl-Metacrylat und t-Butyl-Metacrylat.
Vorzugsweise wird ein fokussierter Elektronenstrahl verwendet mit einer Energie von ungefähr 3 bis 50 kV bei Belichtungszeiten, die Dosierungen
von ungefähr 3 - 30 uCoulomb/cm ergeben, in Abhängigkeit von der Empfindlichkeit der jeweils verwendeten Struktur.
Die Messung der Geschwindigkeit bei der Bildung der Photolackschicht
kann als "Empfindlichkeit" des Lacks ausgedrückt werden, die durch das Verhältnis von S/S_ definiert ist, wobei S die Geschwindigkeit der Löslichkeit
des belichteten Lacks bei gegebener Belichtungsdosierung und Sft die Geschwindigkeit der Löslichkeit des unbelichteten Lacks bedeutet.
Fi 973 086 509 845Γ/Ή665
Diese Werte werden gewöhnlich in ÄVmin ausgedrückt.
Ein großer Wert des Verhältnisses S : SQ bedeutet, daß die Photolackschicht
mit einem akzeptablen Verlust in den unbelichteten Bereichen entwickelt werden kann. Wenn das Verhältnis S : S klein ist, wird
die übrigbleibende Lackschicht so dünn, daß darin befindliche Löcher zu einem Problem werden oder daß die Dicke der verbleibenden Lackschicht nicht ausreicht, um die nachfolgenden Verfahrensschritte ausführen
zu können. Im allgemeinen muß das Verhältnis S : S mindestens
ungefähr 2,0 betragen, um zu erreichen, daß eine unentwickelte Lackschicht mit ausreichender Dicke nach der Entwicklung übrigbleibt.
Darüberhinaus muß auch bei einem brauchbaren Verhältnis von S : S.
die Gesamtentwicklungszeit, d.h. die Zeit, die erforderlich ist, um die belichteten Bereiche der Lackschicht vollständig zu entfernen, innerhalb
eines Bereichs von einigen Minuten liegen.
Der Verfahrensschritt der Entwicklung, der eine Reduzierung der Belichtungsenergie
und der Entwicklungszeit ermöglicht, wird ausgeführt bei einer erhöhten Temperatur von ungefähr HO 0C und unter Verwendung
von Entwicklern, die bei Zimmertemperatur, beispielsweise 20 bis 25 0C,
als zu langsam oder unwirksam angesehen werden. Die Verwendung von
diesen Entwicklern bei höheren Temperaturen ergibt überraschenderweise nicht nur eine schnellere Entwicklungszeit sondern auch bei gegebener
Belichtungsenergie ein hohes Verhältnis S : S-. Die Verfahrensgeschwindigkeit bei einem gegebenen polymeren Material kann dadurch wesentlich
erhöht werden.
Entwickler, die bei diesem Verfahren angewendet werden können, bestehen
aus organischen Flüssigkeiten, die bisher nicht verwendet wurden, da sie bei der Entwicklung bei den üblichen Zimmertemperaturen entweder zu
langsam waren oder kein Lösungsmittel für den Photolack bildeten. Diese Lösungsmittel bestehen aus Alkylazetaten und Ketonen, die 7 bis 9 Kohlenstoffatome
im Molekül haben. Als vorteilhaft hat es sich herausgestellt, daß die Entwickler aus binären Mischungen bestehen, von denen eine
Komponente ein gutes Lösungsmittel für den Photolack bei der verwendeten Entwicklungstemperatur darstellt, während die zweite Komponente bei der
Fi 973 086 5 0 9 8 4 5/0665
Entwicklungstemperatur ein schlechtes Lösungsmittel für den Photolack
ist. Beispiele für gute Lösungsmittel sind Isoamyl-Azetat und 3-Heptanon.
Ein Beispiel für ein schlechtes Lösungsmittel ist n-Hexyl-Azetat. Ein
Beispiel für einen aus einer Komponente bestehenden Entwickler, der bei relativ hohen Molekulargewichten der Photolacke, beispielsweise
Polymethyl-Metacrylat mit einem Molekulargewicht von ungefähr
750 000 M (M1 ist das durchschnittliche Molekulargewicht) oder höher
w w
verwendet wird, ist 3-Oktanon. Bei dem Verfahren werden vorzugsweise
polymere Schichten mit einem Molekulargewicht von mindestens 100 000 M benutzt, um eine zufriedenstellende Empfindlichkeit zu erhalten.
Im folgenden werden einige Ausführungsbeispiele beschrieben, in denen,
wenn nichts anderes angegeben, die genannten Teile Gewichtsteile bedeuten.
Auf ein Siliciumplättchen, dessen Oberfläche mit einer ungefähr 5000 A
dicken Schicht Siliciumdioxid überzogen war, wurde eine ungefähr 7000 Ä* dicke Schicht von Polymethyl-Metacrylat mit einem Molekulargewicht
M von ungefähr 400 000 aus einer Lösung des Polymers mit
8 Gewichtsprozent in Chlorbenzol aufgebracht. Die Plättchen wurden belichtet mit einem abtastenden Elektronenstrahl, der auf eine Flache von
2
etwa 3 (um) fokussiert war, bei einer Energie von 25 kV und einer Dosierung von ungefähr 18x10 Coulomb/cm . Das Muster hatte Linien mit einer Breite von etwa 2,5 um mit Abständen von ebenfalls 2,5 um. Zwei Plättchen wurden entwickelt in einem binären Entwickler mit 3 Volumensteilen Isoamyl-Azetat zu 8 Volumensteilen Hexyl-Azetat bei einer Temperatur von 44,3 C und einer Entwicklungszeit von 7 Minuten. Zwei weitere Plättchen wurden entwickelt in einem binären Entwickler mit einem Volumensteil 3-Heptanon zu 4 Volumensteilen n-Hexyl-Azetat bei einer Temperatur von 40,1 °C mit einer Entwicklungszeit von 11 Minuten. Die verbliebene Dicke des Photolacks auf jedem Plättchen wurde gemessen nach dem Aushärten der entwickelten Schicht bei einer Temperatur von ungefähr 130 °C während 30 Minuten. Das Verhältnis von S : S wurde ermittelt zu 14,6 bzw. 11,7. Die bisherigen Entwicklungsverfahren bei Zimmertemperatur und
etwa 3 (um) fokussiert war, bei einer Energie von 25 kV und einer Dosierung von ungefähr 18x10 Coulomb/cm . Das Muster hatte Linien mit einer Breite von etwa 2,5 um mit Abständen von ebenfalls 2,5 um. Zwei Plättchen wurden entwickelt in einem binären Entwickler mit 3 Volumensteilen Isoamyl-Azetat zu 8 Volumensteilen Hexyl-Azetat bei einer Temperatur von 44,3 C und einer Entwicklungszeit von 7 Minuten. Zwei weitere Plättchen wurden entwickelt in einem binären Entwickler mit einem Volumensteil 3-Heptanon zu 4 Volumensteilen n-Hexyl-Azetat bei einer Temperatur von 40,1 °C mit einer Entwicklungszeit von 11 Minuten. Die verbliebene Dicke des Photolacks auf jedem Plättchen wurde gemessen nach dem Aushärten der entwickelten Schicht bei einer Temperatur von ungefähr 130 °C während 30 Minuten. Das Verhältnis von S : S wurde ermittelt zu 14,6 bzw. 11,7. Die bisherigen Entwicklungsverfahren bei Zimmertemperatur und
π 973 086 5 0 9 8 4 5/0665
einem aus Methyl-Isobutyl-Keton-Entwickler benötigen eine längere
Zeit und ergeben ein Verhältnis S
selben Belichtungsbedingungen.
selben Belichtungsbedingungen.
Zeit und ergeben ein Verhältnis S : S von ungefähr 1,5 bis 3 bei den-
Die Musterplättchen wurden in derselben Weise wie im Beispiel 1 hergestellt
mit einem Überzug von Polymethyl-Metacrylat (M = 400 000),
was eine Schichtdicke in trockenem Zustand von 7000 Ä ergab. Die
Schichten wurden während 30 Minuten bei 160 0C vorgehärtet und
dann der Belichtung durch den Elektronenstrahl bei 15 kV und einer Energie von 6x10 Coulomb/cm bei jedem Durchgang ausgesetzt.
Insgesamt 5 Durchgänge wurden durchgeführt. Ein Plättchen, das in 5 Durchgängen belichtet war, wurde mit Isoamyl-Azetat bei 25 °C
entwickelt, wobei der Verlust an unbelichteter Lackdicke und die Entwicklungsgeschwindigkei't in den belichteten Bereichen bestimmt
wurden. Die Entwicklungszeit betrug 270 Minuten, und die ursprüngliche Lackdicke in den unbelichteten Bereichen nahm von 7080 A auf
6600 A ab. Die Entwicklungsgeschwindigkeit in den belichteten Bereichen betrug 26,2 Ä/min, so daß sich ein errechnetes Verhältnis
S : S- von ungefähr 15 ergab. Ein zweites Plättchen, das eine Belichtung in 5 Durchgängen erhalten hatte, wurde mit Isoamyl-Azetat entwickelt
bei einer Temperatur von 40,5 C. Die unbelichtete Lackdicke ging von 7500 A auf 5923 Ä zurück bei einer Entwicklungsgeschwindigkeit
in den belichteten Bereichen von 750 R/m'm und einem errechneten
Verhältnis S : S_ von ungefähr 4,7 mit einer Entwicklungszeit von
10 Minuten. Ein zweites Muster, das nur in einem Durchgang belichtet war, benötigte 20 Minuten zur Entwicklung in Isoamyl-Azetat bei
40,5 °C mit einem Verlust der unentwickelten Lackdicke von 7500 auf
4320 R und einer Entwicklungsgeschwindigkeit von 375 R/m\n in den
belichteten Bereichen sowie einem errechneten Verhältnis von S : S
von ungefähr 1,75. Ein weiteres Plättchen wurde in einem Entwickler mit einem Volumensteil Isoamyl-Azetat zu vier Volumensteilen
Hexyl-Azetat bei einer Temperatur von ungefähr 51 0C entwickelt.
Die Lackschicht war nur in einem Durchgang durch den Elektronenstrahl
belichtet worden. Die unbelichtete Lackdicke ging von 7080 auf 6880 R zurück während der Entwicklungszeit von 15 Minuten bei
Fl 973 086 5 0 9 8 4 5/0665
einer Entwicklungsgeschwindigkeit der, belichteten Bereiche von 471 Ä/min und einem errechneten Verhältnis S : S von ungefähr 40.
Die zuletzt genannte Zahl ist etwas hoch im Hinblick auf die Schwierigkeiten bei der genauen Messung des geringen Verlustes der
Lackdicke.
Dieses Beispiel zeigt den Vorteil, der sich ergibt, wenn bei der Entwicklung
bei höherer Temperatur dem Entwickler ein schlechtes Lösungsmittel, nämlich Hexyl-Azetat, zugefügt wird. Die Empfindlichkeit
wird dadurch aufrechterhalten bei möglichst niedriger Belichtungsenergie, und trotzdem wird eine erhöhte Entwicklungsgeschwindigkeit erreicht. Dieses Beispiel illustriert auch die schlechten Lösungseigenschaften von Isoamyl-Azetat bei der Entwicklung bei Zimmertemperatur.
Dieses Beispiel erläutert die Auswirkung des Molekulargewichts auf
die Empfindlichkeitsverhältnisse, die mit diesem Verfahren erreicht werden können.
Halbleiterplattchen entsprechend dem Beispiel 1 wurden mit zwei PoIymethyl-Metacrylat-Schichten
überzogen, die in verschiedenen Verhältnissen zusammengesetzt waren. Die Lackschicht A hatte ein Molekulargewicht
M von ungefähr 400 000 und die Lackschicht B hatte ein niedrigeres Molekulargewicht M von ungefähr 80 000. Die etwa
7000 R dicken Schichten wurden aus Lösungen der Polymere in Chlorbenzol erzeugt, etwa 1 Stunde lang bei 160 °C vorgetrocknet und
dann mit einem Elektronenstrahl von 25 kV bei einer Energie von 10,8 χ 10 Coulomb/cm belichtet. Die Proben wurden bei etwa 40 C
entwickelt in einem Entwickler, der aus einem Volumenteil 3-Heptanon zu vier Volumensteilen Hexyl-Azetat bestand. Die S : S -Verhältnisse
wurden nach dem Aushärten der entwickelten Schicht bei 130 C während
30 Minuten bestimmt. Die Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle I dargestellt.
Fi 973 086 5 0 9 8 A 5 / 0 6 6 5
Teile Lack |
gemes sen |
Tabelle I | gemes sen |
errech net (2) |
gemes sen |
errec net |
|
Teile Lack |
B 0 |
S 575 |
errech net (T) |
so 75 |
so 92 |
s/s0 7.7 |
s/so 6.25 |
A 100 |
20 | 823 | S 575 |
160 | 174 | 5.1 | 4.70 |
80 | 40 | 867 | 815.5 | 367 | 328 | 2.4 | 3.553 |
60 | 60 | 1520 | 1156.7 | 647 | 618 | 2.3 | 2.65 |
40 | 80 | 2373 | 1640.5 | 1190 | 1166 | 2.0 | 2.00 |
20 | 100 | 4600 | 2326.7 | 2020 | 2200 | 2.3 | 1.50 |
0 | 3300 | ||||||
(1) log S = 3.51851 - 0.0075884 χ Teile A
(2) log S = 3.34242 - 0.0137863 χ Teile A
(Die errechneten Gleichungen für die Meßwerte sind gerade Linien auf
halblogarithmischem Papier, die durch die Meßpunkte gezogen werden.
Sie bringen den Trend der Meßwerte zum Ausdruck und glätten die gemessenen Werte) .
Aus der Tabelle I ist zu ersehen, daß der Verfahrens sch ritt der Entwicklung
günstiger wird, wenn das durchschnittliche Molekulargewicht des Polymers zunimmt, da das Verhältnis der Empfindlichkeiten
mit dem Molekulargewicht der Lackschicht abnimmt.
Die oxidierten Siliciumplättchen wurden mit einer 8000 A dicken Schicht
von Polymethyl-Metacrylat mit einem Molekulargewicht von ungefähr
-6
1 Million überzogen und bei einer Dosierung von 9,3 χ 10 Coulomb/cm
entsprechend einem vorgegebenen Muster belichtet. Die Entwicklung erfolgte mit 3-Oktaton bei 45 0C während 12,5 Minuten. Das Verhältnis
S : S_ ergab sich zu ungefähr 40 bei einer endgültigen Schichtdicke in
den unbelichteten Bereichen von ungefähr 7800 A.
Der Verfahrensschritt der Entwicklung bei der beschriebenen Herstellung
von Photolackmasken hat den Vorteil, daß ein stabiler Entwickler verwendet werden kann, bei dem sich ein hohes Verhältnis S : S. erreichen läßt sowie
kurze Entwicklungszeiten und niedrigere Belichtungsenergien. Da der
Fi 973 086 5 0 9 8 A 5 / 0 6 6 5
Verlust bezüglich der Dicke der Lackschicht in den unbelichteten Bereichen
reduziert wird, wird gleichzeitig ein besserer Schutz der Substrate für die
nachfolgenden Verfahrens sch ritte gewährleistet.
Fi 973 086 50 9 845/0 665
Claims (6)
1.] Verfahren zum Herstellen einer Photolackmaske auf einem Halbleitersubstrat,
bei welchem auf die Substratoberfläche eine durch Einwirken eines Elektronenstrahls unter Verringerung ihres Molekulargewichts
zersetzbare Schicht aus einem Vinylpolymer, vorzugsweise Polymethyl-Metacrylat, aufgebracht wird, und nach der selektiven Belichtung
mit dem Elektronenstrahl die belichteten Bereiche in einem aus einer organischen Flüssigkeit gebildeten Entwickler gelöst werden,
dadurch gekennzeichnet, daß der Entwickler aus einer Verbindung oder aus einer Mischung von Verbindungen aus der Gruppe der Alkylazetate
und Ketone mit 7 bis 9 Kohlenstoffatomen gebildet wird und daß die Entwicklung bei einer Temperatur von etwa 40 C durchgeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine polymere
Schicht aus Polymethyl-Metacrylat mit einem Molekulargewicht von etwa 750 000 und als Entwickler 3-Oktanon verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine polymere
Schicht aus Polymethyl-Metacrylat mit einem Molekulargewicht von mindestens 100 000 verwendet wird und daß der Entwickler durch
eine Mischung von zwei Verbindungen gebildet wird, von denen nur eine ein gutes Lösungsmittel für die polymere Schicht ist.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Entwickler aus einer Mischung von n-Hexyl-Azetat und Isoamyl-Azetat
im Volumensverhältnis von 8 : 3 gebildet wird.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Entwickler aus einer Mischung von n-HexyI-Azetat und
3-Heptanon in einem Volumensverhältnis von 4 : 1 gebildet wird.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Belichtung der polymeren Schicht durch einen Elektronenstrahl von 10 bis 50 kV mit einer Elektrizitätsmenge von
2
3 bis 30 uCoulomb/cm erfolgt.
3 bis 30 uCoulomb/cm erfolgt.
Fl973086 509845/0665
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/462,688 US3987215A (en) | 1974-04-22 | 1974-04-22 | Resist mask formation process |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2459156A1 true DE2459156A1 (de) | 1975-11-06 |
DE2459156B2 DE2459156B2 (de) | 1981-05-21 |
DE2459156C3 DE2459156C3 (de) | 1982-02-18 |
Family
ID=23837404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2459156A Expired DE2459156C3 (de) | 1974-04-22 | 1974-12-14 | Verfahren zum Herstellen einer Photolackmaske auf einem Halbleitersubstrat |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3987215A (de) |
JP (1) | JPS5838933B2 (de) |
DE (1) | DE2459156C3 (de) |
FR (1) | FR2268284B1 (de) |
GB (1) | GB1459988A (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2655455A1 (de) * | 1975-12-10 | 1977-06-16 | Ibm | Strahlungsempfindliche lackstruktur und ihre verwendung |
EP0355789A2 (de) | 1988-08-23 | 1990-02-28 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Verfahren zur Herstellung von Reliefs für den Flexodruck |
US5354645A (en) * | 1988-08-23 | 1994-10-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the production of flexographic printing reliefs |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4061829A (en) * | 1976-04-26 | 1977-12-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Negative resist for X-ray and electron beam lithography and method of using same |
US4099062A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-04 | International Business Machines Corporation | Electron beam lithography process |
US4156745A (en) * | 1978-04-03 | 1979-05-29 | International Business Machines Corporation | Electron sensitive resist and a method preparing the same |
JPS5568630A (en) * | 1978-11-17 | 1980-05-23 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Pattern formation |
US4609252A (en) * | 1979-04-02 | 1986-09-02 | Hughes Aircraft Company | Organic optical waveguide device and method of making |
US4330614A (en) * | 1980-10-14 | 1982-05-18 | International Business Machines Corporation | Process for forming a patterned resist mask |
US4415653A (en) * | 1981-05-07 | 1983-11-15 | Honeywell Inc. | Method of making sensitive positive electron beam resists |
JPS58187926A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 放射線ネガ型レジストの現像方法 |
DE3472574D1 (en) * | 1983-10-14 | 1988-08-11 | Hitachi Ltd | Process for forming an organic thin film |
US4591546A (en) * | 1984-06-11 | 1986-05-27 | General Electric Company | Spin castable resist composition and use |
JPS63165844A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Terumo Corp | レジスト材料 |
DE3828551C3 (de) * | 1988-08-23 | 1995-02-23 | Du Pont Deutschland | Verfahren zur Herstellung von flexographischen Druckformen |
JPH02273412A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 架空配電線用被覆電線 |
TW395331U (en) * | 1995-12-28 | 2000-06-21 | Seiko Epson Corp | Electronic machine |
US6426177B2 (en) * | 1998-08-11 | 2002-07-30 | International Business Machines Corporation | Single component developer for use with ghost exposure |
CA2377081A1 (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-15 | Quantiscript Inc. | Method of producing an etch-resistant polymer structure using electron beam lithography |
US20100068651A1 (en) * | 2008-09-16 | 2010-03-18 | Bradford David C | Developing solution for flexographic printing plates |
JP5767919B2 (ja) * | 2010-09-17 | 2015-08-26 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
US9625815B2 (en) | 2013-09-27 | 2017-04-18 | Intel Corporation | Exposure activated chemically amplified directed self-assembly (DSA) for back end of line (BEOL) pattern cutting and plugging |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3535137A (en) * | 1967-01-13 | 1970-10-20 | Ibm | Method of fabricating etch resistant masks |
GB1291441A (en) * | 1968-10-03 | 1972-10-04 | Western Electric Co | Methods of coating substrates with photoresists |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2670287A (en) * | 1951-01-20 | 1954-02-23 | Eastman Kodak Co | Photosensitization of polymeric cinnamic acid esters |
US2670286A (en) * | 1951-01-20 | 1954-02-23 | Eastman Kodak Co | Photosensitization of polymeric cinnamic acid esters |
US2892712A (en) * | 1954-04-23 | 1959-06-30 | Du Pont | Process for preparing relief images |
GB1168445A (en) * | 1966-05-26 | 1969-10-22 | Howson Ltd W H | Improvements in or relating to Presensitised Printing Plates |
US3679497A (en) * | 1969-10-24 | 1972-07-25 | Westinghouse Electric Corp | Electron beam fabrication system and process for use thereof |
US3779806A (en) * | 1972-03-24 | 1973-12-18 | Ibm | Electron beam sensitive polymer t-butyl methacrylate resist |
-
1974
- 1974-04-22 US US05/462,688 patent/US3987215A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-12-14 DE DE2459156A patent/DE2459156C3/de not_active Expired
-
1975
- 1975-03-06 FR FR7507777A patent/FR2268284B1/fr not_active Expired
- 1975-03-17 JP JP50031250A patent/JPS5838933B2/ja not_active Expired
- 1975-04-02 GB GB1354275A patent/GB1459988A/en not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3535137A (en) * | 1967-01-13 | 1970-10-20 | Ibm | Method of fabricating etch resistant masks |
GB1291441A (en) * | 1968-10-03 | 1972-10-04 | Western Electric Co | Methods of coating substrates with photoresists |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
IBM Technical Disclosure Bulletin, Bd. 17, Oktober 1974, Nr. 5, S. 1354 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2655455A1 (de) * | 1975-12-10 | 1977-06-16 | Ibm | Strahlungsempfindliche lackstruktur und ihre verwendung |
EP0355789A2 (de) | 1988-08-23 | 1990-02-28 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Verfahren zur Herstellung von Reliefs für den Flexodruck |
US5354645A (en) * | 1988-08-23 | 1994-10-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the production of flexographic printing reliefs |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2268284A1 (de) | 1975-11-14 |
FR2268284B1 (de) | 1981-09-25 |
US3987215A (en) | 1976-10-19 |
DE2459156C3 (de) | 1982-02-18 |
JPS5838933B2 (ja) | 1983-08-26 |
DE2459156B2 (de) | 1981-05-21 |
GB1459988A (en) | 1976-12-31 |
JPS50140064A (de) | 1975-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2459156C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Photolackmaske auf einem Halbleitersubstrat | |
DE2655455C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Maske und Lackstruktur zur Verwendung bei dem Verfahren | |
EP0000702B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer fliessbeständigen Resistmaske aus strahlungsempfindlichem Resistmaterial | |
DE2534801C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von dotierten Gebieten in einem Halbleiterkörper durch Ionen-Implantation | |
DE2624832C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Lackmustern | |
DE2628099C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Maske | |
CH619303A5 (de) | ||
DE1696489B2 (de) | Verfahren zur herstellung eines positiven resistbildes | |
DE2706878A1 (de) | Strahlungsempfindliches material | |
DE10361257B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von feinen Mustern | |
DE2753658A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines positiven resistbildes | |
DE2728352C2 (de) | ||
DE3315118A1 (de) | Verfahren zur herstellung von mustern auf einem substrat | |
DE2363092C2 (de) | Photodepolymerisierbares Gemisch und dessen Verwendung | |
DE2927838A1 (de) | Verfahren zur ausbildung eines negativen resistmusters | |
DE2518479A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer positiven resistmaske, die gegenueber einer strahlung hoher energie bestaendig ist | |
DE1797255A1 (de) | Verfahren zum Verhindern des Schaeumens bei der Herstellung von Photoresistmustern | |
DE2743763A1 (de) | Positivlackmaterial und verfahren zur herstellung einer lackmaske | |
DE10134501A1 (de) | Verfahren zum Bilden von Mikromustern eines Halbleiterbauelementes | |
DE3337315C2 (de) | ||
DE3201815A1 (de) | Positives resistmaterial und verfahren zur herstellung eines musters daraus | |
DE3112196A1 (de) | "photosensitive zusammensetzung zur trockenentwicklung" | |
DE2452326C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Ätzmaske mittels energiereicher Strahlung | |
DE3853305T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von feinsten Strukturen in Lacken durch Elektronen- oder Röntgenstrahllithographie. | |
EP0044553A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Reliefstrukturen aus Doppellackschichten für integrierte Halbleiterschaltungen, wobei zur Strukturierung hochenergetische Strahlung verwendet wird |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |