DE2451362C3

DE2451362C3 -

Info

Publication number: DE2451362C3
Application number: DE2451362A
Authority: DE
Inventors: Allan Alec Tempe Ariz. Alaspa (V.St.A.)
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1973-12-26
Filing date: 1974-10-29
Publication date: 1978-09-14
Also published as: JPS5099038A; DE2451362B2; JPS5518381B2; US3895239A; DE2451362A1; GB1475908A; FR2256597A1

Description

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Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur automatischen Rückstellung von digitalen Schaltkreisen wie Kippstufen u. dgl., wobei eine Bezugsspannungsschaltung vorhanden ist, die zwischen zwei Spannungspegeln (Betriebsspannung, Masse) einen Spannungsabfall erzeugt und an einem ausgangsseitigen Knotenpunkt eine Spannung zur Ansteuerung einer verstärkenden Umkehrstufe liefert. ^r>5

Der Zweck einer derartigen Schaltung, die bei der Einschaltung einer Leistung wirksam ist, besteht darin, ein Signal zu liefern, das durch das Anschließen der Betriebsspannung ausgelöst wird und an den verschiedenen Knotenpunkten der Schaltung durch Aufladen w> oder Entladen vorher festgelegte Niveaus einstellt, damit die Schaltung ihre Betriebsfunktion ausführen kann Derartige Schaltungen werden in integrierten Schaltkreisen hiiufig benötigt, wenn logische Elemente und flip-1 lops auf einen bestimmten anfänglichen i>"> logischen Zustand eingestellt werden sollen oder wenn Kondensatoren innerhalb der Schaltung für die Betriebsfunktion von einer bestimmten Anfangsl'unktion ausgehen müssen. Es sind solche Schaltungen allgemein bekannt, die in integrierten MOS-Halbleiterschaltungen vorgesehen werden und für ihre Funktion externe Komponenten benötigen. Diese Komponenten können z. B. aus Widerständen mit verhältnismäßig großen Widerstandswerten und aus Kondensatoren mit großen Kapazitäten bestehen.

Diese hohen Widerstands- bzw. Kapazitätswerte und die damit verbundenen großen Zeitkonstanten bringen es mit sich, daß die Schaltungen nicht in die integrierte Schaltung eingebaut werden können. Ferner werden derartige verhältnismäßig große Zeitkonstanten auch häufig deshalb benötigt, weil das Einschaltverhalten für die Spannungsversorgung bei Systemen mit derartigen integrierten MOS-Halbleiterschaltungen sehr unterschiedlich ist, d. h„ im einen Fall kann die angelegte Versorgungsspannung verhältnismäßig langsam ihren Betriebswert annehmen, da verhältnismäßig große Kondensatoren umzuladen sind, wogegen in einem anderen Fall die Betriebsspannung sehr schnell ihren Betriebswert erreicht oder bei einem langsamen Ansteigen Hochfrequenzrauschsignale der Betriebsspannung überlagert sind. Die KC-Zeilkonstante von Schaltungen zu diesem Zweck muß ausreichend groß sein, um unterschiedliche Einschaltbedingungen zu genügen. Schaltungen dieser Art lassen sich bisher praktisch nicht in Halbleiterschaltungen integrieren.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung zur automatischen Rückstellung von digitalen Schaltkreisen der eingangs näher genannten Art zu schaffen, welche nur solche Bauteile benötigt, die alle zu einer vollständig integrierten Schaltung auf einem Halbleiterplättchen zusammengefaßt werden können, und welche beim Anlegen einer Betriebsspannung an die integrierte Schaltung alle wesentlichen Knotenpunkte auf einen vorgebbaren Spannungspegel bringt.

Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung vor, daß die Bezugsspannungsschaltung in einer Reihenschaltung eine Diode, einen ersten MOSFET und einen zweiten MOSFET zwischen den beiden Spannungspegeln aufweist, wobei die zusammengeschalteten Gate und Drain des zweiten MOSFETS einen Knotenpunkt bilden, daß die verstärkende Umkehrstufe, welche eine Schwellenspannung zwischen dem Knotenpunkt und dem oberen Spannungspegel erzeugt, die eine kleinere Amplitude hat als der Spannungsabfall an der Bezugsspannungsschaltung, zwei komplementäre MOS-FETS aufweist, die in Serie zwischen die beiden Spannungspegel geschaltet sind und eingangsseitig über ihr jeweils miteinander verbundenes Gate mit dem Knotenpunkt verbunden sind und daß der Ausgang der verstärkenden Umkehrstufe bzw. der gesamten Rückstellschaltung an den Mittclabgriff der in Serie geschalteten MOSFETS angeschlossen ist.

Vorteilhafte Weiterbildungen und bevorzugte Ausführungsformen ergeben sich aus den Unteransprüehcn.

Gemäß der Erfindung ist der wesentliche Vorteil erreichbar, daß eine besonders zuverlässige .Schaltanordnung geschaffen wird, die vollständig mit einer komplementären integrierten Schaltung auf einem MOS-Chip untergebracht werden kann und beispielsweise /um Rückstellen von internen Speicherelementen verwendbar ist. Durch die Ijluiduiig werden externe Bauelemente wie Kondensatoren und Widerstände überflüssig, wahrend zugleich die angestrebte Funktion mit besonders hoher /iP'crlässigkeit gewährleistet isi.

Durch die Irfindung wird eine Schallung gesehallen.

die beim Anlegen der Betriebsspannung wirksam ist und in integrierte MOS-Schaltkreise auf Halbleiterplättchen integrierbar ist. Diese Schaltung arbeitet in der Weise, daß beim Einschalten der Betriebsspannung der Umschaltpunkt der verstärkenden Umkehrstufe so lange verändert wird, bis deren Ausgang das richtige logische Spannungsniveau annimmt, wobei vorzugsweise diese Annäherung an das richtige Spannungsniveau über weitere Umkehrstufen und ein signalformendes Netzwerk einer Ausgangsstufe zugeführt wird, die zuverlässig das gewünschte Rückstellsignal liefert.

Ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung wird nachfolgend anhand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigt

F i g. 1 eine automatische Rückstellschaltung,

F i g. 2 eine ausgangsseitig an die Rückstellschaltung angeschlossene Start-Stop-Schaltung,

F i g. 3 ein Diagramm zur Erläuterung der Wirkungsweise der Rückstellschaltung gemäß F i g. 1.

Die automatische Rückstellschaltung 10 gemäß Fig. 1 umfaßt eine Bezugsspannungsschaltung 12 und eine verstärkende Umkehrstufe 14, die zusammen die gewünschte Funktion ausführen. Die automatische Rückstellschaltung 10 ist zwischen die Versorgungsspannung Vco an der Klemme 16 und Masse 18 geschaltet. Die Bezugsspannungsschaltung 12 umfaßt eine PN-Diode 20, P-Kanal-MOSFETS 22, 24 sowie einen N-Kanal-MOSFET 26, die zwischen der Versorgungsspannung an der Klemme 16 und Masse liegen. Die Anode der Diode 20 ist an die Versorgungsspannung angeschlossen, wogegen die Kathode mit der Source des P-Kanal-MOSFET 22 verbunden ist. Dk Drain dieses MOSFET ist mit der Source des P-Kanal-MOSFET 24 verbunden, der mit seiner Drain an der Drain des N-Kanal-MOSFET 26 liegt. Die Source dieses MOSFET liegt an Masse. Das Gate des NOSFET 22 ist an eine Klemme 54 angeschlossen, über welche die handbediente Rückstellung erfolgen kann. Das Gate und die Drain des MOSFET 24 sind miteinander verbunden. Der Ausgangsknotenpunkt der Bezugsspannungsschaltung 12 ist der Knotenpunkt 27, von welcher aus ein Kondensator 32 nach Masse geschaltet ist. Dieser Knotenpunkt 27 ist auch mit dem Eingang der verstärkenden Umkehrstufe 14 verbunden. Die verstärkende Umkehrstufe 14 umfaßt einen P-Kanal-MOSFET 28 und einen N-Kanal-MOSFET 30, die in Serie zwischen die Betriebsspannung an der Klemme 16 und Masse geschaltet sind. Die Gates der MOSFETS 28 und 30 sind miteinander verbunden und stellen den Eingang der Umkehrstufe dar, der an den Knotenpunkt 27 angeschlosssen ist.

Die Umkehrstufe 14 ist ausgangsseitig über einen Leiter 31 an einen weiteren Schaltkreis angeschlossen, der die MOSFETS 34, 36, 40, 42, 44, 46, 48 und 50 umfaßt. Diese Schaltung dient dem Zweck, das über den Leiter 31 empfangene Signal zu formen und ausgangsseitig das gewünschte Rückstellsignal V« an der Klemme 52 zur Verfügung zu stellen. Der Leiter 31 ist mit dem Gate des P-Kanal-MOSFF.T 34 und des NKanal-MOSFET 36 verbunden, welche in Serie /wischen der Betriebsspannung und Masse liegen. Ein Kondensator 38 ist /wischen den Leiter 31 d.h. /wischen das Gate der MOSTTTS 34 und 36 und die Betriebsspannung geschaltet. Die /usammengeschalle leii Drains der als t Jmkehrsiiife wirkenden MOSI-TTS ?4 und 36 sind an die /usammengeschalteten Gates der weiteren als I Imkehrsiul'e wirksamen MOSI '{1 S 40 und 42 angeschlossen, die ebenfalls in Serie /wischen der

Betriebsspannung und Masse liegen. Der MOSFET 40 hat eine P-leitende Kanalstrecke und der MOSFET 42 eine N-leitende Kanalstrecke. Die Drains der MOS-FETS 40 und 42 sind wiederum zusammengeschahei und liegen an den ebenfalls zusammengeschaketen Gates der MOSFETS 44 und 48 in der Ausgangsstufe der automatischen Rückstellschaltung. Die MOSFETS 44 und 46 haben eine P-leitende Kanalstrecke und die MOSFETS 48 und 50 eine N-Ieitende Kanalstrecke. Die Source des MOSFET 44 ist mit der Betriebsspannung verbunden, wogegen dessen Drain an der Source des MOSFETS 46 liegt. Die Drain des MOSFETS 46 ist mit der Drain der MOSFETS 48 und 50 zusammengeschaltet und liegt ferner an der Ausgangsklemme 52. Die Source der MOSFETS 48 und 50 liegt an Masse. Die Gates der MOSFETS 44 und 48 sind ebenfalls zusammengeschaltet und liegen am Ausgang der als Umkehrstufe wirkenden MOSFETS 40 und 42. Die Gates der MOSFETS 46 und 50 sind mit der Klemme 54 für die Handrückstellung verbunden. Die Abschaltung der Rückstellschaltung erfolgt über P-Kanal-MOSFETS 56 und 60 sowie einen N-Kanal-MOSFET 58. Die beiden MOSFETS 58 und 60 sind in Serie zwischen die Betriebsspannung und Masse geschaltet und liegen mit ihren Gates an der Abschahklemme 62. Die Drains der MOSFETS 58 und 60 sind mit den Gates der MOSFETS 56 und 26 verbunden. Die Source des MOSFET 56 liegt an der Betriebsspannung, wogegen dessen Drain an den Knotenpunkt 27 angeschlossen ist. Die typischen Werte bezüglich der Kanalbreite und Kanallänge der einzelnen verwendeten MOSFETS gehen aus der nachfolgenden Tabelle hervor. Der Kondensator C, (32) kann in der Größenordnung von etwa 75% oder über der Knotenkapazität liegen.

Tabelle

MOSFET	Kanallänge	Kanalbreite
	x2,54x 10-²mm	χ 2,54 χ tO² mm
22	0,4	1,0
24	0,4	5,0
26	2,8	0,2
28	0,6	0,4
30	0,6	0,6
34	0,4	0,4
36	0,4	0,4
40	0,4	0,4
42	0,4	0,4
44	0,4	3,0
46	0,4	3,0
48	0,4	3,0
50	0,4	3,0
56	0,4	1,0
58	0,4	0,4
60	0,4	0,4

Der Gleichstrombetrieb der Rückstellschaltung gemäß F i g. I kann beschrieben werden, indem man davon ausgeht, daß Vpp ursprünglich den Wert O hat und langsam im Wert ansteigt bis auf eine Spannung von möglicherweise 10 bis 15 V. Fs ist auch vorteilhaft, anzunehmen, daß die Schwellspannuiigen tier P Kaiialiind l\' Kanal-MOSI-'l-TS etwa bei 2 V liegen, !.ine Krläuterung tier Betriebsweise ergibt sich auch aus der grafischen Darstellung gemäß I' i g. ). in welcher die Spannung V ;,· über der lieiriebsspaiiiuing \m> tlarge

stellt ist und die Gleichstromühcrgangsfunktion beschreibt.

Der grundsätzliche /weck der Schaltung besteht für eine langsam ansteigende Betriebsspannung Vi>i> darin, ein Rückstellsignal V'n/u liefern, das in wesentlichen auf Masse für zumindest einen Teil der Zeit festgehalten wird, wahrend welcher die Betriebsspannung einen bestimmten Wert erreicht. Beim lirreichen dieses Betriebsspannungsw cites steigt das Rückstellsignal \'κ längs dem Kurvcnabsehniti Cin Fig. 3 auf den Wert der Betriebsspannung Vnn an und bleibt gleich dieser Betriebsspannung, die längs dem Kurvcnabschniti D weiter ansteigt. Die gestrichelten kurvenabschnitie A und ßstellcn mögliche Variationen der Übergangsfunktion dar. welche von parasitären Leckslrömen bei niedrigen Spannungen an verschiedenen Knotenpunkten der Schaltung ausgelöst sein können.

Wenn man davon ausgeht, daß die Spannung an der Rückstellklemme 54 und dei Abschaltkleminc 62 den Potentialwert 0 hat. befinden sich alle Knotenpunkte der Schaltung auf Massepotcntial. Wenn die Betriebsspannung V/)/) ansteigi. wird die Diode 20 in Durchlaßrichtung vorgespannt. Sobald die Betriebsspannung 1 />/> die Summe aus der Schwellspannung des MOSFiT 22 und dem Spannungsabfall l'/> an der Diode 20 in Durchlaßrichtung übersteigt, wird der MOSFFT 22 leitend, so daß die Drain dieses MOSFET, welche mit der Source des MOSFET 24 verbunden ist, auf einen Spannungswert ansteigt, der V_/w,- V_n ist. Der als Diode geschaltete MOSFET 24 wird ebenfalls eingeschaltet. Ein MOSFET wirkt als Diode wenn sein Gate mit seiner Source verbunden ist, wie aus dem Buch »The Theory and the Applications of Field Effect Transistors« von Cobba Id hervorgeht, das 1970 bei John Wiley & Sons, Inc. erschienen ist. Die Spannung im Knotenpunkt 27 folgt der Betriebsspannung V»i> bei V«»— V'i>— Vu: wobei ν_Γρ die Schwellspannung des MOSFET 24 ist. Der Strom über die Strecke, welche die Diode 20 sowie die MOSFETS 22 und 24 umfaßt, wird durch den Widerstand des MOSFET 26 bestimmt, dessen Gatespannung der Betriebsspannung V'/»/) folgt, sobald diese die Spannung V_7/- übersteigt, da der MOSFET 60 im eingeschalteten Zustand ist. Aus der Tabelle geht hervor, daß der MOSFET 26 ein Element mit hohem Widerstand ist, d. h. eine große Kanallänge und eine kleine Kanalbreite hat. Die Verlustleistung ist deshalb für die Bezugsspannungsschaltung 12 gering.

An diesem Punkt ist die Spannung zwischen dem Gate und der Source des MOSFET 28 etwa V'n·+ Vn was bedeutet, daß der MOSFET 28 eingeschaltet ist und mit V_n V übersteuert. Diese Spannung beträgt etwa 0.6 V. Die Übersteuerung des MOSFET 28 bleibt deshalb konstant mit dem Ansteigen der Betriebsspannung Vnix Damit liegt die Leitung 31 auf dem Wert der Betriebsspannung V_ni* Wenn der MOSFET 36 eingeschaltet ist befindet sich der Ausgang der komplementären, als Umkehrstufen wirksamen MOSFETS 34 und 36 auf dem Wert O. Damit wird der MOSFET 40 eingeschaltet, so daß das Ausgangssignal an den als Umkehrstufen wirksamen komplementären MOSFETS 40 und 42 den Wert der Betriebsspannung V_üoannimmt, womit der MOSFET 48 eingeschaltet wird und seinerseits das Rückstellsignal V« auf OV festhält. Dieser Zustand entspricht dem Kurvenabschnitt E gemäß Fig.3.

Wenn die Betriebsspannung Vnn weiter ansteigt, bleibt die Übersteuerung des MOSFET 28 gleich dieser Spannung V_nr>. Die Spannung am Knotenpunkt 27 steigt jedoch an und treibt den MOSFFT 30 weiter ir den leitenden Zustand, wobei /um gleichen Zeitpunkt bedingt durch die Geometrie und den sich dadurcl ergebenden Kanalwiderstand der MOSFETS 28 und 3C die Ausgangssignale der komplementären MOSI-TTS 28 und 30 vom Wert der Betriebsspannung Vorauf der Wert O sich ändern, wenn der MOSFFl 30 der MOSFET 28 leistungsmiißig höher ansteuert. Dadurch wird eine entsprechende Umschaltung der als Umkehr-Stufe wirksamen MOSIITS 34 und 36 sowie 40 und 42 ausgelöst, wobei das Ausgangssignal der letzterer MOSFETS vom Wert der Betriebsspannung Vnn aiii den Wert O abfällt und dabei den MOSFET 46 aus- mit den MOSFET 44 einsehaltet. Der MOSFET 46 befindet sich in dem Einschaltzustand, da davon ausgeganger wurde, daß die Anschlußklemme 54 auf Massepotentia liegt.

Wenn die Anschlußklemme 54 für das Rückstcllsigna mit einer Spannung Vi>» beaufschlagt wird, wird der MOSFET 50 leitend und der MOSI IT 46 nichtleitend Dadurch wird das Rückstcllsignal Vn auf Masse festgehalten unabhängig von den übrigen Bedingungen der Rückstellschaltung 10. linier diesen Bedingungen wird auch der MOSFIT 22 abgeschaltet, womit der Strom über diesen unterbrochen wird und damit auch eine Verlustleistung auf dem diesem MOSFFT zugeordneten Strompfad eliminiert wird.

Wenn die Spannung an der Abschallklemmc 62 aul Vi)D angehoben wird, wird der MOSFET 56 leitend und hält den Knotenpunkt 27 auf der Betriebsspannung Vm. fest. Der MOSFET 26 w ird dabei nichtleitend gemacht und schallet die Bezugsspannungsquelle 12 ab, womit an dieser keine Verlustleistung mehr entsteht. Diese Abschaltfunktion bewirkt damit den Vorteil, daß die gesamte Schaltung abgeschaltet und eine Verlustleistung eliminiert werden kann. Die Rückstellklemme 54 kann dazu benutzt werden, um die Rückstellfunklion von außen her einzuleiten, wobei dann die automatische Schaltfunktion der Schaltung nicht verwendet wird.

Um die Zuverlässigkeit des Wechselstromverhallens der Schaltung zu verbessern, ist es vorteilhaft, den Kondensator 32 groß genug auszulegen, damit, wenn cin Spannungsstoß an der Betriebsspannungsklemme 16 wirksam ist. die Spannung im Knotenpunkt 27 nur auf einen Wert ansteigt, der unterhalb des Umschaltpunktes bzw. des Umschaltwertes für die als Umkehrstufen wirkenden MOSFETS 28 und 30 liegt.

Während der Einschaltbedingungen hebt der Kondensator 38 die Spannung auf der Leitung 31 in Richtung der Betriebsspannung V_im an und verbessert damit die Zuverlässigkeit, indem eine verhältnismäßig hohe Anfangsspannung auf der Betriebsleitung 31 wirksam ist.

Es sei bemerkt, daß die Diode 20 in der Form hergestellt wird, daß eine N♦-Diffusion innerhalb einer P-artigen Wannendiffusion ausgeführt wird, welches ein herkömmliches Verfahren für die Herstellung von komplementären MOS ist. Die Wanne braucht nur auf + VDD V vorgespannt zu werden, um zu vermeiden, daß ein parasitärer vertikal verlaufender NPN-Transistor eingeschaltet wird, was sich einstellen kann zwischen der N-Ieitenden Diffusion, dem P-Ieitenden Wannenbereich, der als Basis wirksam ist, und dem N-leitenden Substrat Aus diesem Grund kann es wichtig sein, die Diode so anzuordnen, daß sie mit der Klemme 16 für die Betriebsspannung Vpp und nicht von einem anderen Punkt der Schaltung aus mit dem MOSFETS 22 und 24 verbunden ist.

Für bestimmte Schalumgsanuendiingen. insbesondere wenn komplementäre MOS-Schaltungen /usiimnien mit dynamischen MOS-Schaltungcn auf demselben Ihilbleiterplättchen vorgesehen sind, kann es wünschenswert sein, daß die Rückstellschaltung beim Anlegen der Betriebsspannung einen Impuls bestimmter lircite liefert und nicht ein bestimmtes Gleichspannungsniveau, wie bei der Schaltung gemäß Fig. I. Dies kann mit Hilfe einer Starl-Slop-Schaltung erzielt werden, die in F i g. 2 dargestellt ist. Diese Start-Stop-Schiiliung liegt am Ausgang der Rückstellschaltung 70. die der Schaltung gemäß I⁷ig. I entspricht, und tmifal.it eine Start-Stop-Umkehrstufe 76. einen Kondensator 78

sowie ein NAND-Gatter 80, dessen Ausgang mit einer weiteren Schaltung 74 auf demselben Halbleiterplätiehen verbunden ist. Wenn das F.ingangssignal der Staii-Stop-Schaltung 72 ansteigt, bleibt tier Ausgang der Umkehrstufe 76 auf einem hohen Niveau liegen, bis der Kondensator 78 auf die Sehwcllspannung des NAND-Gatlcrs 80 umgeladen ist. Kin niedriges .Signalniveau erscheint am Ausgang des NAND-Gatlcrs 80 so lange, bis der Kondensator 78 bis über die Schwellspannung aufgeladen ist. Dann geht der Ausgang des NAND-Galters 80 wieder auf den UeI rieb Yspii η mi MgSAS en I oo zurück.

I lierzu 1 Blatt Zeichiuiimen

Claims

Patentansprüche:

1. Schaltungsanordnung zur automatischen Rückstellung von digitalen Schaltkreisen wie Kippstufen u. dgl, wobei eine Bezugsspannungsschaltung vorhanden ist, die zwischen zwei Spannungspegeln (Betriebsspannung, Masse) einen Spannungsabfall erzeugt und an einem ausgangsseitigen Knotenpunkt eine Spannung zur Ansteuerung einer verstärkenden Umkehrstufe liefert, dadurch gekennzeichnet, daß die Bezugsspannungsschaltung (12) in einer Reihenschaltung eine Diode (20), einen ersten MOSFET (22) und einen zweiten MOSFET (24) zwischen den beiden Spannungspe- is geln aufweist, wobei die zusammengeschalteten Gate und Drain des zweiten MOSFETS (24) einen Knotenpunkt (27) bilden, daß die verstärkende Umkehrstufe (14), welche eine Schwellenspannung zwischen dem Knotenpunkt (27) und dem oberen Spannungspegel erzeugt, die eine kleinere Amplitude hat als der Spannungsabfall an der Bezugsspannungsschaltung (12), zwei komplementäre MOS-FETS (28, 30) aufweist, die in Serie zwischen die beiden Spannungspegel geschaltet sind und eingangsseitig über ihr jeweils miteinander verbundenes Gate mit dem Knotenpunkt (27) verbunden sind und daß der Ausgang (31) der verstärkenden Umkehrstufe (14) bzw. der gesamten Rückstellschaltung an den Mittelabgriff der in Serie geschalteten MOSFETS (28,30) angeschlossen ist

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an den Ausgang (31) der Umkehrstufe (14) ein Signalformer-Netzwerk (34, 36,40,42,44,46,48,50) angeschlossen ist. JJ

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß an die Bezugsspannungsschaltung (12) ein Abschaltnetzwerk angeschlossen ist.

4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüehe 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß an das Signalformer-Netzwerk eine Rückstellschaltung angeschlossen ist.