DE2447536A1

DE2447536A1 - Halbleiter-laservorrichtung

Info

Publication number: DE2447536A1
Application number: DE19742447536
Authority: DE
Inventors: Michiharu Nakamura; Junichi Umeda
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1973-10-05
Filing date: 1974-10-04
Publication date: 1975-04-17
Also published as: JPS5062783A; NL7413156A; DE2447536C2; NL163911C; JPS5329479B2; GB1461869A

Description

Priorität; 5- Oktober 1973, Japan, Nr. 111 454

Halbleiter-Laservorrichtung

Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Laservorrichtung und insbesondere eine Halbleiter-Laservorrichtung, welche keinen Resonator mit parallelen Flächen aufweist.

Bekanntlich bestehen herkömmliche Halbleiter-Laservorrichtungen aus einem Lasermedium für die Verstärkung und aus einem Resonatoraufbau für die Rückkoppelung, die für die Ausbildung der Laseroszillation erforderlich ist. Der Resonatoraufbau besteht aus wenigstens zwei ebenen Flächen, die parallel zueinander sind. Diese ebenen Flächen werden gewöhnlich durch Spalten des Lasermediums, wie GaAs, GaP usw., ausgebildet.

Diese Art von Halbleiter-Laser hat jedoch den Nachteil, daß eine Integrierung mit anderen Halbleiterelementen, wie Transistoren, Dioden usw., in einem Halbleiterkörper sehr schwierig wird, da die Spaltungstechnik zur Bildung des Hohlraum-

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resonators eingeführt werden sollte. Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß eine Einstellung einer dadurch erzeugten Wellenlänge schwierig wird, da die Wellenlänge durch die Länge des Resonators bestimmt wird, der durch die gespaltenen Flächen des Lasermediums begrenzt ist,und es sehr schwierig ist, einen genauen Abstand zwischen den gespaltenen Flächen zu erhalten.

Man braucht deshalb Halbleiter-Laservorrichtungen, die eine Integrierung mit anderen Halbleiterelementen ermöglichen und deren Wellenlänge leicht steuerbar ist.

Es wurde bereits eine Halbleiter-Laservorrichtung unter der Bezeichnung "Laser mit verteilter Rückkoppelung" vorgeschlagen, der den vorstehenden Anforderungen genügt (Applied Physics Letters, Band l8, Nr. 4, Febr. 1971, Seiten 152 bis 15'±) . Über die praktische Erprobung dieser Halbleiter-Laservorrichtung wurde bereits berichtet (Applied Physics Letters-, Band 22, Nr. lo, Mai 1973, Seiten 5^5, 5l6 und Applied Physics Letters, Band 23, Nr. 5, Sept. 1973, Seiten 224, 225).

Der Laser mit verteilter Rückkoppelvmg hat einen Aufbau, bei demeine Fläche einer laseraktiven Schicht periodisch gewellt ist.

An der gewellten Oberfläche gibt es jedoch eine Vielzahl von nicht strahlenden Rekorabinationszentren, die während der Herstellung der Wellungen an der Oberfläche der laseraktiven Schicht gebildet werden. Der Laser mit verteilter Rückkoppelung bzw. verteiltem Feedback hat deshalb den Nachteil, daß der Schwellenwert für die Laseroszillation hoch ist.

* distributed feedback laser

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Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht deshalb darin, einen Laser mit verteilter Rückkoppelung so auszubilden, daß sein Schwellenwert, verglichen mit dem vorstehend erwähnten herkömmlichen Laser mit verteilter Rückkoppelung, sehr niedrig ist.

Der erfindungsgemäße Laser soll mit anderen monolithischen Schaltungsbauelementen integrierbar, seine Wellenlänge leicht einstellbar und sein Schwellenwert niedriger sein als bei dem herkömmlichen Laser mit verteilter Rückkoppelung.

Diese Aufgabe wird bei der Laservorrichtung der genannten Art dadurch gelöst, daß eine erste Halbleiterschicht, bestehend aus einem Halbleitermaterial, dessen Brechungsindex niedriger ist als der des Materials der laseraktiven Schicht und dessen von der laseraktiven Schicht abgewandte Oberfläche periodisch gewellt ist, auf einer laseraktiven Schicht und daß eine zweite Halbleiterschicht, die aus einem Halbleitermaterial besteht, dessen Brechungsindex niedriger ist als der des Materials der ersten Halbleiterschicht auf der periodisch gewellten Oberfläche der ersten Halbleiterschicht vorgesehen werden.

Vorzugsweise beträgt die Stärke der ersten Halbleiterschicht 5oo A bis o,5 um.

Weiterhin wird erfindungsgemäß bevorzugt ein Halbleitermaterial mit einer breiteren Bandlücke als bei dem Material der laseraktiven Schicht als Halbleitermaterial der ersten Halbleiterschicht verwendet.

Anhand der beiliegenden Zeichnungen wird die Erfindung beispielsweise näher erläutert.

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Fig. 1 zeigt schematisch in einer perspektivischen Ansicht eine Ausführungsform der Erfindung.

Fig. 2 bis 4 zeigen schematisch Schnittansichten weiterer Ausführungsformen der Erfindung.

Bei der in Fig. 1 schematisch gezeigten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Lasers mit verteilter Rückkoppelung ist auf einer Hauptfläche eines η-leitenden GaAs-Kö'rpers 1

l8 -3 mit einer Verunreinigungskonzentration von etwa 1 X Io cm eine laseraktive Schicht 2, bestehend aus p-leitendem GaAs

17 -3 mit einer Verunreinigungskonzentration von etwa 5 X Io cm angeordnet. Auf dieser laseraktiven Schicht 2 ist eine erste Halbleiterschicht 3 aus p-leitendem Ga _QA1 As angeordnet, deren von der laseraktiven Schicht 2 abgewandte Oberfläche eine periodisch gewellte Oberfläche ist. Auf der periodisch gewellten Oberfläche k ist eine zweite Halbleiterschicht 5

vorgesehen, die aus Ga /-Al /As besteht. Auf der zweiten ^ö ο, 6 o, ft

Halbleiterschicht 5 und auf der anderen, der Hauptfläche des GaAs-Körpers 1 gegenüberliegenden Fläche ist eine Metallschicht 6 aus Chrom und Gold bzw. eine Metallschicht 7» bestehend aus Germanium und Nickel enthaltendem Gold angeordnet.

Die Stärkender laseraktiven Schicht 2, der ersten Halbleiterschicht 3 und der zweiten Halbleiterschicht 5 betragen o,l um, o,3 Um bzw. 2 um. Die Periode und die Tiefe der Wellung auf der Oberfläche k der ersten Halbleiterschicht 3 beträgt o,123 um bzw. 500 A.

Ein solcher Laser mit verteilter Rückkoppelung emittiert e.inen Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 8750 A, wenn

2 eine elektrische Stromdichte von mehr als 2ooo A/cm an der laseraktiven Schicht 2 über die Elektroden 6 und 7 anliegt.

Dieser Schwellenwert von 2ooo A/cm ist sehr niedrig, verglichen mit einem Laser mit verteilter Rückkoppelung, bei

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welchem die Wellung direkt auf einer Oberfläche-der laseraktiven Schicht ausgebildet ist, welche die gleichen Abmessungen wie der Laser mit verteilter Rückkoppelung gemäß Fig. 1 hat, und dessen Schwellenwert, wie Versuche ergaben, bei etwa 6ooo A/cm liegt.

Der Laser mit verteilter Rückkoppelung, der den vorstehend beschriebenen Aufbau hat, wird auf die nachstehend beschriebene Weise hergestellt.

Auf einer Hauptfläche eines n-leitenden GaAs-Körpers mit einer Stärke von etwa 4oo um werden nacheinander mittels eines bekannten Flüssigphasen-Epitaxial-Verfahrens eine p-leitende GaAs-Schicht von 0,1 pm Stärke gedopt mit Si und eine p-leitende Ga _QA1 As-Schicht von o,35 ρ

O , y O , 1 ι

.-gedopt mit Si gezogen. Dann wird auf die Oberfläche der p-leitenden Ga _QA1 .As-Schicht ein Photoresist ausgebildet. Auf die Photoresistschicht wird ultraviolettes Licht gerichtet, so daß sich auf der Oberfläche der Photoresist schicht Interferenzstreifen bilden. Wenn die Photoresistschicht entwickelt ist, erhält man ein Photoresist mit einer periodisch gewellten Oberfläche. Danach wird der erhaltene Kristall in einen Ionenfräser eingebracht und von den Ionen geätzt, wodurch man einen Kristall erhält, der erlne periodisch gewellte Oberfläche auf der p-leitenden Ga ,.Al „As-Schicht hat. Auf

ο , 9 ο, 1

der periodisch gewellten Oberfläche wird mit einem bekannten Flüssigphasen-Epitaxial-Verfahren eine p--leitendende Ga _f

Al ιAS-Schicht_%von 2 pm Stärke gedopt mit Si gezogen. ο , ft - f

Schließlich werden Chrom und Gold unter Vakuum auf die Oberfläche der p-leitenden Ga /-Al .As-Schicht und Germanitim * ο , 6 ο, 'i

und Nickel enthaltendes Gold auf der Oberfläche des GaAs-Körpers zur Erzeugung von Elektroden von etwa 1 um Stärke aufgedampft.

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Bei der in Fig. 2 schematisch gezeigten weiteren Ausführungsform der Erfindung ^siⁿd auf einen η-leitenden GaAs-Körper 1 eine dritte Halbleiterschicht 8, bestehend aus n-leitendem

6a _A1 „As mit einer Stärke von etwa o,2 um, eine lasero,7 o,3 Γ

aktive Schicht 2, bestehend aus p-leitendem GaAs mit einer Stärke von etwa o,k um, eine erste Halbleiterschicht 3 von etwa o,2 um Stärke, bestehend aus p-leitendem Ga _QA1 _iAs,

' . O , y O , 1

dessen von der laseraktiven Schicht 2 abgewatidte Fläche eine periodisch gewellte Fläche k ist, und eine zweite Halbleiterschicht 5 mit einer Stärke von etwa 2 um nacheinander" angeordnet.

Bei dieser Laservorrichtung mit verteilter Rückkoppelung beträgt die Periode und Tiefe der Wellungen o,123 pm bzw. 5oo A. Die Wellenlänge des daraus emittierten Laserstrahls beträgt 8750 A. Die Schwellenwert stromdichte dieser Laservorrichtung beträgt looo A/cm , ist also sehr niedrig, verglichen mit einem Laser mit verteilter Rückkoppelung, bei welchem eine Wellung auf der Oberfläche der laseraktiven Schicht angeordnet ist, die die gleichen Abmessungen hat wie der in Fig. 2 gezeigte Laser mit verteilter Rückkoppelung, und der eine durch Versuche festgestellte Schwel-

2 lenwertstromdichte von etwa 2500 A/cm hat.

Fig. 3 zeigt schematisch eine weitere Ausführungsform der Erfindung. Die gezeigte Laservorrichtung mit verteilter Rückkoppelung umfaßt einen η-leitenden GaAs-Körper 1, eine dritte Halbleiterschicht 8, bestehend aus η-leitendem Ga ,-Al .As

' 0,6 o,^

von 2 pm Stärke, die auf dem Körper 1 angeordnet ist, eine vierte Halbleiterschicht lo, bestehend aus n-leitendem

Ga _A1 .AS mit einer Stärke von o,2 um, die auf der Obero, 9 o,1 ' Γ

fläche der dritten Halbleiterschicht 8 angeordnet ist, eine laseraktive Schicht 2, bestehend aus p-leitendem GaAs mit einer Stärke von 0,07 pm, die auf der Oberfläche der vierten Halbleiterschicht Io angeordnet ist, eine erste Halbleiterschicht 3i bestehend aus p-leitendem Ga Al As von o,2 pm

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Stärke, die auf der laseraktiven Schicht 2 angeordnet ist und dessen von der laseraktiven Schicht 3 abgewandte Fläche eine periodisch gewellte Fläche ist, eine zweite Halbleiterschicht 5, bestehend aus p-leitendem Ga _A1 _As

o,5 o,5

von 2 um Stärke, die auf der gewellten Oberfläche angeordnet ist, eine fünfte Halbleiterschicht 9i bestehend aus η-leitendem GaAs von 2 um Stärke, die auf der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist, sowie Elektroden 6 und 7, die auf der fünften Halbleiterschicht 9 bzw. auf dem Körper 1 angeordnet sind.

Diese Laservorrichtung mit verteilter Rückkoppelung hat eine Periode und Tiefe der Wellungen von o,123 fim bzw. 5oo A. Diese Laservorrichtung gibt einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 87Io A ab, wenn eine Stromdichte von

2
wenigstens 700 A/cm an die laseraktive Schicht 2 über die Elektroden 6 und 7 angelegt wird. Dieser Schwellenwert von

2
7oo A/cm ist sehr niedrig, verglichen mit einem Laser mit verteilter Rückkoppelung, bei welchem eine Wellung auf der Oberfläche der laseraktiven Schicht angeordnet ist, welche die gleichen Abmessungen wie bei der Laservorrichtung gemäß Fig. 3 hat, und dessen Schwellenwertdichte, wie Versuche

2
zeigten, etwa 2ooo A/cm beträgt.

Diese Laservorrichtung mit verteilter Rückkoppelung läßt sich mit den folgenden Schritten herstellen:

Auf einem η-leitenden GaAs-Körper werden nach einem herkömmlichen Flüssigphasen-Epitaxial-Verfahren eine n-leitende Ga ^Al ·As-Schicht, gedopt mit Te, eine n-leitende Ga qAI ..As-Schicht, gedopt mit Te, eine p-leitende GaAs-Schicht, gedopt mit Si, und eine p-leitende Ga qAI As-Schicht, gedopt mit Si, nacheinander ausgebildet. Auf die Oberfläche.der p-leitenden Ga 9Al As-"

ο,ο,Ι

Schicht wird eine Photoresist-Schicht ausgebildet, auf die

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ultraviolettes Laserlicht so gerichtet wird, daß auf der Oberfläche der Photoresistschicht Interferenzstreifen gebildet werden. Wenn die Photoresistschicht entwickelt ist, erhält man eine Photoresistschicht mit einer periodisch gewellten Oberfläche. Danach wird der erhaltene Kristall in eine lonenfräsmaschine eingebracht und durch Ionen geätzt, wodurch man einen Kristall mit einer periodisch gewellten Oberfläche auf der p-leitenden Ga _nAl .As-Schicht erhält.

o,9 o,1

Auf der gewellten Oberfläche der p-leitenden Ga _QA1 ..As-

o, y 0,1

Schicht läßt man nacheinander eine p-leitende Ga ^Al ,As-

^r ο,6ο,4

Schicht, gedopt mit Si, und eine p-leitende GaAs-Schicht, gedopt mit Zn, wachsen. Die leitenden Schichten der Elektroden werden auf der p-leitenden GaAs-Schicht bzw. auf dem GaAs-Körper ausgebildet.

Die in Fig. 4 schematisch gezeigte Ausführungsform einer Laservorrichtung mit verteilter Rückkoppelung umfaßt einen η-leitenden GaAs-Körper 1, eine dritte Halbleiterschicht 8, bestehend aus n-leitendera Ga /-Al »As, die auf dem Körper

o,6 o,4 *

1 angeordnet ist, eine vierte Halbleiterschicht lo, bestehend aus η-leitendem Ga _nAl ,As, die auf der dritten

o,9 o,l

Halbleiterschicht 8 angeordnet ist, eine laseraktive Schicht 2, bestehend aus η-leitendem GaAs, die auf der vierten Halbleiterschicht Io angeordnet ist, eine erste Halbleiterschicht 3j bestehend aus p-leitendem Ga _QA1 As, die auf der laseraktiven Schicht 2 angeordnet ist, eine zweite Halbleiterschicht 5» bestehend aus p-leitendem

Ga --Al »,As, die auf der ersten Halbleiterschicht 3 ange-O , ο ο , *t

ordnet ist, eine fünfte Halbleiterschicht 9$ bestehend aus p-leitendem GaAs, die auf der zweiten Halbleiterschicht 5 angeordnet ist, wobei die Grenzen k und 11 zwischen der ersten und zweiten Halbleiterschicht bzw. der dritten und vierten Halbleiterschicht periodisch gewellt sind, sowie Elektroden 6 und 7, die auf der Oberfläche der fünften Halbleiterschicht 9 bzw. des GaAs-Körpers 1 angeordnet sind.

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Die Periode und die Tiefe jeder der Wellungen k und 11 betragen o,123 um bzw. 5oo X. Die Phase der Vellungen 4 steht in umgekehrter Beziehung zu der der Wellung 11. Die Schwellenstromdichte dieser Laservorrichtung mit verteilter Rückkoppelung beträgt 6oo A/ci
Vorrichtung liegt bei 87I0 A.

2
Rückkoppelung beträgt 600 A/cm , die Wellenlänge der Laser-

Bei dieser Ausführungsform stehen zwar die Phasen der Wellungen in entgegengesetzter Beziehung zueinander, es können jedoch auch Wellungen irgendeiner Phasenbeziehung benutzt werden.

Außer den vorstehenden Ausführungsbeispielen ist noch eine Vielzahl von Modifizierungen möglich. So können beispielsweise anstatt des als laseraktive Schicht verwendeten η-leitenden oder p-leitenden GaAs auch andere Materialien verwendet werden, die in der Lage sind, Laserstrahlen auszusenden. Anstelle des für die erste und zweite Halbleiterschicht benutzten Ga. Al As, wobei χ = o,l, kann auch ein

1-x -x ' ' '

Material mit o,lix£o,2 eingesetzt werden. Anstelle der für die erste, zweite, dritte und vierte Halbleiterschicht benutzten GaAlAs-Schichten können auch andere Materialien mit Brechzahlen verwendet werden, die niedriger sind als die Brechzahl des für die laseraktive Schicht benutzten Materials, beispielsweise eignet sich Ga Al As P (0 £ χ, y£l), In. Al As (0£x£l) oder In. Ga P (Oix£l).

JL"~X X X ■" X X

Anstelle der bei den Ausführungsformen benutzten Stärke der laseraktiven Schicht von o,l um, o,4 um oder 0,0.7 um kann jede Stärke benutzt werden. Anstelle der Stärke einer jeden ersten und dritten Halbleiterschicht von o,3 pm, o,2 um oder o,l um kann jede Stärke ziwschen 5°° Ä und o,5 um, vorzugsweise zwischen o,l pm und 0,3 um und speziell zwischen o,2 um und o,25 pm, verwendet werden.

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Die Perioden der Wellungen sind nicht auf die bei den Ausführungsformen angegebenen Werte beschränkt. Die Perioden werden durch die gewünschte Laserwellenlänge, die aus der Laservorrichtung emittiert werden soll, festgelegt, da die Laserwellenlänge "s- der Laservorrichtung ?v = 2 Sn/m, wobei S eine Periode der Wellung auf den Oberflächen der ersten und dritten Halbleiterschicht, η eine wirksame Brechzahl der laseraktiven Schicht und m eine ganze Zahl ist.

Gegenstand der Erfindung ist somit eine Halbleiterlaservorrichtung mit einer n-leitenden GaAs-Schicht, einer n-leitenden GaAlAs-Schicht, die auf der η-leitenden GaAs-Schicht angeordnet ist, mit einer laseraktiven Schicht, bestehend aus einer p-leitenden GaAs-Schicht, die auf der n-leitenden GaAlAs-Schicht angeordnet ist, mit einer ersten p-leitenden GaAlAs-Schicht, die auf der laseraktiven Schicht angeordnet ist, dessen von der laseraktiven Schicht abgewandte Oberfläche eine periodisch gewellte Oberfläche ist, mit einer zweiten p-leitenden GaAlAs-Schicht, die auf der periodisch gewellten Oberfläche der ersten p-leitenden GaAlAs-Schicht angeordnet ist, mit einer p-leitenden GaAs-Schicht, die auf der zweiten p-leitenden GaAlAs-Schicht angeordnet ist, und mit Elektroden, die auf der η-leitenden bzw. p-leitenden GaAs-Schicht angeordnet sind, wobei der Schwellenwert der Vorrichtung für die Laseroszillation sehr niedrig ist.

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Claims

PATENTANSPRÜCHE

.J Halbleiter-Laservorrichtung, gekennzeichnet durch

einen Halbleiterkörper (l) mit einer Hauptfläche, durch eine, laseraktive Schicht (2), die auf der Hauptfläche des Körpers (l) angeordnet ist, durch eine auf der laseraktiven Schicht (2) angeordnete erste Halbleiterschicht (3) mit einer Brechzahl, die niedriger ist als die der laseraktiven Schicht (2), mit einer Leitfähigkeit, die der des Körpers (l) entgegengesetzt ist und mit einer periodischen Wellung auf der Oberfläche (k), die von der laseraktiven Schicht (2) abgewandt ist, und durch eine auf der gewellten Oberfläche (k) der ersten Halbleiterschicht (3) angeordnete zweite Halbleiterschicht (5) mit einer Brechzahl, die niedriger ist als die der ersten Halbleiterschicht (3) und mit einer Leitfähigkeit, die der der ersten Halbleiterschicht (3) entspricht.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Halbleiterschicht (3) eine breitere Bandlücke als die laseraktive Schicht (2) hat.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Halbleiterschicht (5) eine breitere Bandlücke als die erste Halbleiterschicht (3) hat.
4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke der ersten Halbleiterschicht (3.) zwischen 5oo A und o,5 um liegt.

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5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke der ersten Halbleiterschicht (3) zwischen o,l um und o,3 ρ liegt.
6. Vorrichtung nach Anspruch k oder 5i dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke der ersten Halbleiterschicht (3) zwischen o,2 um und o,25 um liegt.
7· Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die laseraktive Schicht (2) aus GaAs und die erste Halbleiterschicht (3) aus GaAlAs besteht.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7i dadurch gekennzeichnet, daß die erste Halbleiter
mit o,l£xf:o,2 besteht.

daß die erste Halbleiterschicht (3) aus Ga. Al As

1-x χ
9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine zwischen dem Körper (i) und der laseraktiven Schicht (2) angeordnete dritte Halbleiterschicht (8) mit einer Brechzahl, die niedriger ist als die der laseraktiven Schicht (2) und mit einer Leitfähigkeit, die der des Körpers (l) entspricht.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Halbleiterschicht (8) eine breitere Bandlücke hat als die laseraktive Schicht (2).
11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder lo, gekennzeichnet durch eine zwischen der dritten Halbleiterschicht (8) und der laseraktiven Schicht (2) angeordnete vierte Halbleiterschicht (lo) mit einer Brechzahl, die zwischen der der dritten Halbleiterschicht (8) und der der laseraktiven Schicht (2) liegt,und mit einer Leitfähigkeit, die der des Körpers (l) entspricht.

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12. Vorrichtung nach Anspruch 11, gekennzeichnet durch eine auf der zweiten Halbleiterschicht (5) angeordnete fünfte Halbleiterschicht (9) mit einer Leitfähigkeit, die der der zweiten Halbleiterschicht (5) entspricht.
13· Vorrichtung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Halbleiterschicht (8) eine breitere Bandlücke hat als die vierte Halbleiterschicht (lo).
l4r. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis I3» dadurch gekennzeichnet, daß die Grenze (ll) zwischen der dritten Halbleiterschicht (8) und der vierten Halbleiterschicht (lo) gewellt ist.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis Ik, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke sowohl der ersten Halbleiterschicht (3) als auch der vierten Halbleiterschicht (lo) zwischen 5oo A und o, 5 pni liegt.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke sowohl der ersten Halbleiterschicht (3) als auch der vierten Halbleiterschicht (lo) zwischen o,l um und o,3 um liegt.
17· Vorrichtung nach Anspruch l6, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl die Stärke der ersten Halbleiterschicht (3) als auch der vierten Halbleiterschicht (lo) zwischen o,2 um und 0,25 um liegt.
l8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die laseraktive Schicht (2) aus GaAs und die erste Halbleiterschicht (3) und die vierte Halbleiterschicht (lo) aus GaAlAs bestehen.

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19· Vorrichtung nach Anspruch l8, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Halblexterschxcht (3) und die vierte Halblexterschxcht (lo) aus Ga „Al As mit o, 1 .£; χ 4ro , 2 bestehen.
20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 19i dadurch gekennzeichnet, daß die Periode der Wellung zwischen der ersten Halblexterschxcht (3) und der zweiten Halblexterschxcht (5) der der Wellung zwischen der dritten Halblexterschxcht (8) und der vierten Halblexterschxcht (lo) entspricht.
21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 2o, dadurch gekennzeichnet, daß die Phase der Wellung zwischen der ersten Halblexterschxcht (3) und der zweiten Halblexterschxcht (5) in entgegengesetzter Beziehung zu der Wellung zwischen der dritten Halblexterschxcht (8) und der vierten Halblexterschxcht (lo) steht.

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