DE1564096B1

DE1564096B1 - Modulierbarer optischer Sender mit einer Halbleiterdiode

Info

Publication number: DE1564096B1
Application number: DE19661564096D
Authority: DE
Inventors: Masatoshi Migitaka; Katutoshi Saito
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1965-11-26
Filing date: 1966-11-25
Publication date: 1970-07-16
Also published as: US3768037A; GB1145870A; FR1503052A

Description

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Die Erfindung betrifft einen modulierbaren eine entsprechende Oberflächenbearbeitung der Seioptischen Sender mit einer Halbleiterdiode als tenflächenpaare parallel zur Achsenrichtung des Restimulierbarem Medium innerhalb eines optischen sonators vorzunehmen. Da der als Sender vorge-Resonators, die zwei räumlich getrennte, in derselben sehene Halbleiterkörper sehr klein und länglich ist, Ebene verlaufende pn-Übergänge aufweist, deren 5 ist diese Oberflächenbearbeitung nicht nur schwierig, einer der Lichterzeugung und deren anderer der sondern sie bringt auch die Gefahr mit sich, daß beeinflußbaren Absorption der stimulierten Strahlung der Halbleiterkörper bricht oder die auf der Oberdient, fläche des Halbleiterkörpers angebrachten Metall-Bei einem derartigen bekannten Sender (vgl. elektroden für die Stromzufuhr zu den pn-Uber-Applied Physics Letters, Bd. 5, Nr. 10, vom 15.11. ίο gangen beschädigt werden.

1964, S. 198 und 199) wird die Resonanzfrequenz Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde,

eines bestimmten Schwingungsmodus der erzeugten einen Sender der eingangs genannten Art so abzu-

Strahlung durch Änderung des Brechungsindex über wandeln, daß zur Vermeidung von Schwingungen

die Absorberdiode geändert. zwischen Seitenflächen, die parallel zur Achse des

Es ist ferner ein optischer Sender mit einer Halb- 15 optischen Resonators verlaufen, bei der Herstellung

leiterdiode als stimulierbarem Medium innerhalb keine besondere mechanische Oberflächenbearbei-

eines optischen Resonators bekanntgeworden, die tung dieser Seitenflächen erforderlich ist.

zwei räumlich getrennte, in derselben Ebene ver- Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die in

laufende pn-Übergänge aufweist (vgl. Solid-State Richtung der Achse des optischen Resonators kürzer

Electronics, Bd. 7, Nr. 10, Oktober 1964, S. 707 bis 20 ausgebildete Absorberdiodenfläche außerhalb des

716, insbesondere Fig. 1 auf S. 708). Durch den optischen Resonators ihre größte Flächenausdeh-

einen pn-übergang fließt ein Injektionsstrom, wäh- nunghat.

rend am anderen pn-übergang eine Vorspannung Die durch Anlegen einer Sperrspannung an den

anliegt, so daß durch ihn ein vernachlässigbarer Absorberdiodenübergang hervorgerufene Strahlungs-

Injektionsstrom fließt und er als nichtlinearer Licht- 25 absorption in diesem Übertrag ist in Richtung senk-

absorber wirkt. Der Strahlungserzeugende pn-Über- recht zur Achse des optischen Resonators wegen der

gang hat in Richtung der Längsachse des optischen großen Flächenausdehnung der Absorberdiode stär-

Resonators eine wesentlich kleinere Länge als der ker als die Strahlungserzeugende Wirkung des strah-

andere pn-übergang. Dieser optische Sender arbeitet lungserzeugenden pn-Übergangs in der gleichen

unter geeigneten Bedingungen in zwei Zuständen: 30 Richtung, so daß es zu keiner Reflexionsverstärkung

im einen emittiert er kohärentes Licht, im anderen zwischen den Seitenflächen senkrecht zur Achse des

nur spontanes Licht. optischen Resonators kommt, selbst wenn diese als

Ähnlich dem zuletzt beschriebenen Sender ist ein Spiegelflächen vorliegen.

optischer Sender oder Verstärker in Fabry-Perot- Im erfindungsgemäßen optischen Sender wird Interferometeranordnung vorgeschlagen worden (vgl. 35 also die Entstehung von unerwünschten Schwindeutsche Auslegeschrift 1214 783), der zur Erzielung gungen zwischen Seitenflächen, die parallel zur einer instabilen Betriebsweise einen etwa quadra- Achse des optischen Resonators verlaufen, untertischen Halbleiterstrahler hat, an dem an zwei drückt, so daß die parallelen, spiegelähnlichen Seibenachbarten seiner Seitenflächen jeweils ein nicht- tenflächen, die durch Spaltung von Kristallplättchen linearer Absorber angekittet ist. 40 längs der schwächsten Bindung erhalten werden, Bei den vorstehend erläuterten optischen Sendern so, wie sie durch die Spaltung entstehen, als die vier ist es notwendig, das zur Längsrichtung des optischen Seitenflächen des den optischen Sender bildenden Resonators parallele Seitenflächenpaar des das Halbleiterkörpers benutzt werden können, ohne daß stimulierbare Medium des optischen Senders bilden- irgendeine Oberflächenbearbeitung, ζ. B. durch Aufden Halbleiterkörpers mit aufgerauhten oder ge- 45 rauhen oder Schrägschleifen, notwendig ist. Daraus neigten Oberflächen zu versehen, um unerwünschte ergibt sich, daß der Fertigungsausschuß durch Schwingungsmoden infolge Reflexion zwischen die- Bruch von pn-Übergängen, Beschädigung von sen Seitenflächen zu unterdrücken. Metallelektroden od. dgl. bedeutend verringert wer-

Im allgemeinen wird der das stimulierbare Medium den kann.

des optischen Senders bildende Halbleiterkörper da- 50 Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Aus-

durch gewonnen, daß ein größerer Halbleiterkristall bildung besteht darin, daß der in Achsenrichtung

mit der gewünschten Struktur von Schichten unter- des optischen Resonators liegende Teil der Absor-

schiedlicher Leitfähigkeit durch ein Schneidwerkzeug berdiodenfläche verhältnismäßig gering gehalten wer-

in die einzelnen Halbleiterkörper aufgespalten wird. den kann, um keine zu starke Absorption zu bewir-

Bei Galliumarsenid (GaAs) beispielsweise können, 55 ken, da die zur Zufuhr des Modulationssignals not-

wenn die Grenzfläche des pn-Überganges so gewählt wendigen Elektroden an der Absorberdiodenfläche

wird, daß sie mit der (lOO)-Ebene zusammenfällt, außerhalb des optischen Resonators, wo diese ihre

alle vier den pn-übergang umgebenden Seitenflächen größte Flächenausdehnung hat, angebracht werden

durch (HO)-Ebenen gebildet werden, d.h. durch können.

Kristallflächen mit der schwächsten Bindung. Da- 60 Es versteht sich, daß der optische Resonator ent-

durch entstehen die Seitenflächen des Halbleiter- weder durch Seitenflächen des Halbleiterkörpers

körpers als parallele Spiegelflächen. Senkrecht zur selbst oder durch außerhalb des Halbleiterkörpers

Achsenrichtung des optischen Resonators sind die angeordnete reflektierende Flächen begrenzt werden

spiegelartigen Seitenflächen erwünscht, da sie den kann.

optischen Resonator nach Fabry—Perot bilden, 65 Die Erfindung kann dadurch vorteilhaft weiter-

nicht jedoch parallel zur Achsenrichtung. gebildet werden, daß die Absorberdiodenfläche etwa

Zur Herstellung derartiger optischer Sender sind L-förmig die Generatordiodenfläche umgibt,

also zusätzliche Verfahrensschritte erforderlich, um Das Auftreten unerwünschter Schwingungen

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zwischen Seitenflächen senkrecht zur Richtung des des Halbleiterkristalls 1 zusammenfällt, während die optischen Resonators kann noch wirksamer unter- andere Halbleiterzone 2 b im Vergleich zur Zone

drückt und die Richtwirkung auf die Strahlung er- 2 a sehr kurz ist.

höht werden, indem die Absorberdiodenfläche etwa Das Halbleiterkristall 1 hat vier Seitenflächen 4, 5,

U-förmig die Generatordiodenfläche umgibt. 5 6 und 7, von denen das Seitenflächenpaar 4 und 5

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher ihn in Längsrichtung begrenzt und durch Spiegelerläutert. Es zeigt flächen gebildet ist, die parallel zueinander und senk-

Fig. 1 die Betriebscharakteristik eines modulier- recht zu den pn-Übergängen3α und 3 b verlaufen, baren optischen Senders, von dem die Erfindung Das andere Seitenflächenpaar 6 und 7 ist mit aufausgeht, ίο gerauhter Oberfläche zur Erzielung eines niedrigen

Fig. 2 eine schematische perspektivische Ansicht Reflexionskoeffizienten hergestellt,

des optischen Senders, von dem die Erfindung Auf der Unterseite des Halbleiterkristalls 1 ist eine

ausgeht, Elektrode 8 in Form einer Metallschicht gebildet,

Fig. 3 schematisch ein Kristallplättchen zur BiI- während auf den Oberseiten der Halbleiterzonen2α

dung des Halbleiterkörpers für den Sender von 15 und 2b Elektroden 8α und 8b als Metallschichten

Fig.2, aufgebracht sind. Über diese Elektroden wird ein

Fig. 4 bis 7 Schnittdarstellungen aufeinanderfol- Durchlaßstrom durch den pn-übergang3α geschickt, gender Arbeitsschritte bei der Herstellung des während am anderen pn-übergang 3 & eine Sperroptischen Senders von F i g. 2, spannung angelegt wird. Dadurch werden Photonen

Fig. 8 und 9 schematische perspektivische An- 20 am pn-übergang3α und eine Sperrschicht9 am

sichten von Ausführungsbeispielen des optischen pn-übergang 3 b gebildet. Die Sperrschicht 9 ist so

Senders gemäß der Erfindung. angeordnet, daß sie einen Teil des Weges der Pho-

In Fig. 1 ist der Durchlaßstrom/ durch einen tonen während deren Bewegung längs des pn-Über-

pn-Übergang längs der Abszisse und die Intensität L ganges 3 α zwischen den parallelen Seitenflächen 4

des vom optischen Resonator nach außen emittierten 25 und 5 einnimmt.

Lichtes längs der Ordinate aufgetragen. Wie man Ein optischer Sender mit einem solchen Aufbau sieht, findet in einer Halbleiterdiode als stimulier- wird in der nachfolgend beschriebenen Weise herbarem Medium bei allmählicher Erhöhung des gestellt:

Durchlaßstromes ein Übergang von der spontanen Zunächst wird ein Galliumarsenidplättchen (GaAs) Emission zur kohärenten Ausstrahlung statt. In 30 vom η-Typ mit einer Dotierung von 10¹⁸ cm~^s herdiesem Fall gilt die Beziehung I_n ~ L zwischen dem gestellt. Zumindest eine der Hauptflächen dieses Durchlaßstrom / und der Lichtintensität L. Es sei Plättchens muß eben sein. Es ist weiterhin erwünscht, beispielsweise angenommen, daß die LichtintensitätL daß die Kristallflächen mit der schwächsten Bindung gemäß Kurve α bei Punktet steil ansteigt. Dann ist (zwischen aufeinanderfolgenden Ebenen) senkbei geringeren Werten des Stromes / unterhalb des 35 recht zu dieser Hauptfläche liegen, so daß die senk-Punktes^4 n=l, und bei größeren Werten des recht zu der Hauptfläche geschnittenen Flächen Stromes / oberhalb des Punktes A η Ξ> 1. Der spiegelähnliche Eigenschaften mit einem hohen ReSchwellenwert- oder Einsatzstrom am Punkte ändert flexionskoeffizienten haben können. Im Falle von sich in Abhängigkeit vom Lichtverlust im optischen Galliumarsenidplättchen wird vorzugsweise die Resonator und wird mit Zunahme des Verlustes 40 Hauptfläche 10 als (lOO)-Fläche gewählt, wie in größer. Das heißt, wenn der Lichtverlust im Reso- Fig. 3 gezeigt wird. Durch diese Auswahl können nator zunimmt, steigt der Schwellenwertstrom, wie die Seitenflächen 11 und 12 senkrecht zu der Hauptdurch die Kurven α, b und c in Fig. 1 veranschau- fläche 10 durch (HO)-Flächen mit schwächster Binlicht wird, ständig an. Wenn also bei konstantgehal- dung gebildet und so die für das Plättchen gefordertenem Durchlaßstrom I_r durch lichterzeugenden 45 ten Bedingungen erfüllt werden,
pn-übergang der Lichtverlust im Resonator ver- In der nächsten Stufe läßt man, wie durch F i g. 4 ändert wird, so daß die Charakteristik von Kurve α angedeutet, durch Zersetzung von Tetraäthoxysilan nach Kurve c verändert wird, nimmt die Intensität bei niedriger Temperatur eine Siliciumdioxydschicht des vom Resonator nach außen emittierten Lichtes (SiO₂) 13 von etwa 1 μΐη Dicke auf der Hauptfläche von / a auf / c ab. 50 10 des Galliumarsenidplättchens 11 aufwachsen.

Fig. 2 zeigt den Aufbau des optischen Senders, Dann wird ein Photolackfilm 14 auf die Siliciumvon dem die Erfindung ausgeht. Das stimulierbare dioxydschicht 13 aufgetragen. Dieser Photolack Medium des optischen Senders besteht aus einem kann vorzugsweise ein solcher sein, wie er in den Halbleiterkristall 1 eines bestimmten Leitfähigkeits- britischen Patentschriften 695 262, 717 709 und typs in Form einer länglichen Grundplatte. An einer 55 846 908 sowie in den USA.-Patentschriften2940853 seiner Oberflächen sind zwei voneinander getrennte und 3 075 950 beschrieben ist, und wie er üblicher-Halbleiterzonen2a und 2 b des entgegengesetzten weise in der Halbleitertechnik verwendet wird. Der Leitfähigkeitstyps angeordnet. Diejenigen Flächen Photolackfilm 14 wird durch eine (nicht gezeigte) der Halbleiterzonen 2a und 2b, die an die Grund- Maske mit einem 0,5 mm breiten linearen und einem platte angrenzen, bilden pn-Übergänge 3 α und 3 b. 60 0,1mm breiten linearen undurchsichtigen Teil, die Die Hauptebenen der pn-Übergänge 3 α und 3 b sind mit einem Abstand von 0,005 mm parallel zueinin der gleichen Ebene ausgerichtet und liegen in ander angeordnet sind, belichtet. Bei dieser Beiich-Längsrichtung des Halbleiterkristalls 1 seitlich tung werden nur die den undurchsichtigen Teilen nebeneinander. des Musters entsprechenden Teile des Photolackfilms

Wie in F i g. 2 gezeigt wird, nimmt die Halbleiter- 65 14 unverändert gelassen, während der verbleibende

zone 2 α den größeren Teil der Oberfläche des Halb- sensibilisierte Teil derart umgewandelt wird, daß er

leiterkristalls 1 ein und hat eine im wesentlichen einem bestimmten Lösungsmittel gegenüber bestän-

längliche Form, deren Längsrichtung mit derjenigen dig ist. Es ist daher möglich, die nicht sensibilisierten

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Teile desPhotolackfilms 14 sowie die direkt darunter- und 9" passieren. Von diesen liegt der Sperrschichtliegenden Teile der Siliciumdioxydschicht 13 selektiv bereich 9', der die Längsausdehnung des pn-Überaufzulösen und zu entfernen, so daß die entsprechen- ganges 3 a begrenzt, zwischen dem Paar von den Teile des Halbleitersubstrats 1 freigelegt werden. spiegelnden Seitenflächen 4 und 5, so daß seine Diese freigelegten Stellen des Halbleiterkristalls 1 5 lichtabsorbierende Eigenschaft zur Änderung des werden in Fig. 5 durch 15α und 15b bezeichnet, Lichtverlustes in dem von den Seitenflächen4 und 5 und durch sie wird Zink in den Halbleiterkristall 1 gebildeten optischen Resonator verwendet werden eindiffundiert, so daß zwei p-Halbleiterzonen 2 a und kann. Der andere Sperrschichtbreich 9" liegt zwi-26 mit einer Tiefe von etwa 7 μπι auf den Ober- sehen dem anderen Paar von Seitenflächen 6 und 7. flächenteilen des Halbleiterkristalls 1 gebildet werden. io Da die Breite des Sperrschichtbereichs 9" im wesent-Wie F i g. 5 andeutet, werden mehrere Sätze von liehen gleich oder größer als die Breite des strahp-Halbleiterzonen2a und Zb auf einem einzelnen lungserzeugenden pn-Überganges 3a in seitlicher Plättchen gebildet. Es ist daher notwendig, das Platt- Richtung ist, wird bei Photonen, die zwischen den chen zu spalten, um einen optischen Sender gemäß Seitenflächen 6 und 7 hin- und herreflektiert werden Fig. 2 zu erhalten. Die Spaltung der Kristallflächen 15 könnten, der Lichtabsorptionsverlust in diesem mit schwächster Bindung wird zum Aufspalten des Sperrschichtbereich größer als die Strahlungsverstär-Plättchens in mehrere Abschnitte verwendet. Zu- kung im Strahlungserzeugenden pn-übergang 3 α.
nächst wird das Plättchen senkrecht zu den p-Halb- Aus diesem Grunde kann keine Reflexionsverstär-

leiterzonen, die linear auf der Plättchenoberfläche kung von Strahlung zwischen den Seitenflächen 6 gebildet werden, mehrfach gespalten, so daß jeder 20 und 7 stattfinden, so daß Schwingungsmoden von Abschnitt eine Breite von 0,1mm hat. Dann wird der durch die Seitenflächen 6 und 7 definierten Art jeder Abschnitt in Stücke in einer Richtung parallel vollständig unterdrückt werden, selbst wenn die zu den Halbleiterzonen vom p-Typ gespalten, so daß Seitenflächen 6 und 7 als Spiegelflächen vorliegen, jedes Stück des Halbleiterkristalls 1 vom η-Typ ein Das bedeutet, daß der Sperrschichtbereich 9" jeden Paar von p-Halbleiterzonen 2 a und 2 & aufweist, wie 25 unerwünschten Schwingungsmodus, der sich zwiin F i g. 6 gezeigt wird. sehen den Seitenflächen 6 und 7 ausbilden kann,

Auf der Unterseite des Halbleiterkristalls 1 vom unterdrückt, weshalb Arbeiten zum Aufrauhen oder η-Typ werden dann durch Elektroplattieren Nickel Abschrägen der Seitenflächen 6 und 7 entfallen,
und indium aufgebracht zur Bildung der Elektrode 8, Der optische Sender von F i g. 8 kann ähnlich wie

und Nickel wird durch Elektroplattieren auf die 30 der Sender von F i g. 2 hergestellt werden, hat jedoch p-Halbleiterzonen 2a bzw. 2b zur Bildung der Elek- zumindest zwei Flächen, nämlich die Seitenflächen 5 troden 8 α und 8 b aufgebracht, wie in F i g. 7 gezeigt und 6, an denen der pn-übergang 3 α nicht freiliegt, wird. Eine Auflage 30 wie ein Sockel wird am so Beim Aufspalten eines einzelnen Halbleiterplättchens erhaltenen Halbleiterkörper befestigt, und dann wer- in einzelne Halbleiterkörper kann daher die Spaltung den die Seitenflächen 6 und 7 bei mit einem Harz 35 an den Seitenflächen 5 und 6 mit einem Schneidoder ähnlichem Material geschützter Oberseite auf- werkzeug ausgeführt werden, das in Richtung von gerauht. Nach Entfernung des Schutzüberganges von Pfeilen 30 und 31 in F i g. 8 bewegt wird. Dieser der Oberseite werden Zuleitungen 21 und 21 & an optische Sender ist also in der Weise vorteilhaft, daß den Elektroden 8 α bzw. 8 b befestigt. irgendeine Beschädigung des pn-Überganges 3 a

Das stimulierbare Medium des optischen Senders 40 durch das Schneidwerkzeug vermieden werden kann, nach der Erfindung gemäß Fig. 8 umfaßt einen Die Abmessungen dieses Senders können beispiels-

n-Halbleiterkristall 1 mit zwei p-Halbleiterzonen 2 α weise so sein, daß der pn-übergang 3 α eine Fläche und 2 b auf der Oberseite. Die p-Halbleiterzonen 2 a von 200 · 900 μΐη und der Bereich 3 b' des strahlungs- und 2 b sind so zueinander angeordnet, daß die modulierenden pn-Überganges 3 b eine Fläche von p-Halbleiterzone 2b mit L-ähnlicher Gestalt die 45 50 ·200μηι hat, während der Bereich 36" 200 ·1000μιη andere Halbleiterzone 2 α umgibt. Die p-Halbleiter- groß ist. Der Bereich 3 b' des pn-Überganges 3 & ist zone 2 a bildet zwischen sich und dem η-Halbleiter- vorzugsweise so schmal wie möglich, um die Strahkristall 1 einen länglichen pn-übergang 3 α, der lungserzeugung nicht zu behindern. Da es dann Strahlung erzeugt. Die andere p-Halbleiterzone 2 b schwierig ist, eine modulationssignalaufprägende Zubildet einen L-förmigen pn-übergang 3 b zwischen 5° leitung an einen so schmalen Bereich anzubringen, sich und dem n-Halbleiterkristall 1. Der L-förmige kann diese Zuleitung am Bereich 3 b" befestigt werpn-Übergang 3 b hat einen schmalen Bereich 3 &', den, der eine größere Flächenausdehnung hat.
der die Längsausdehnung des pn-Uberganges 3 a be- Fig. 9 zeigt schematisch eine weitere Ausfüh-

grenzt, und einen wesentlich breiteren Bereich 3 b", rungsart des erfindungsgemäßen optischen Senders der längs der Längsrichtung des pn-Uberganges 3 α 55 in perspektivischer Ansicht. Der Sender von F i g. 9 verläuft. ist mit bereits angebrachten Elektroden 8 a und 86

Beim Betrieb wird eine Sperrspannung an dem gezeigt, so daß sie sich über die Oberseite des HaIb-L-förmigen pn-übergang 36 zur Ausbildung einer leiterkörpers erstreckenden pn-Übergänge nicht sehr Sperrschicht 9 in der Nähe dieses Überganges ange- deutlich zu sehen sind. Es ist jedoch klar, daß die legt. Die Sperrschicht 9 umfaßt ebenfalls einen 60 Elektroden 8 α und 8 & auf den p-Halbleiterzonen 2 α schmalen Bereich 9' und einen breiteren Bereich 9" und 2 b vorgesehen sind, die zwischen sich und dem entsprechend der Gestalt des pn-Überganges 3 b, und n-Halbleiterkristall 1 pn-Übergänge bilden,
die Bereiche 9' und 9" liegen im Weg der Strahlung Bei dem Sender in F i g. 9 umgibt der strahlungs-

vom Strahlungserzeugenden pn-übergang 3 α in zwei modulierende pn-übergang 3 b in U-Form den strahverschiedenen Richtungen. 65 lungserzeugenden pn-übergang 3 α. Demgemäß um-

Bei Betrieb dieses Senders müssen daher die längs faßt der pn-übergang 36 einen schmalen Bereich des pn-Uberganges 3 a emittierten Photonen not- 3 6', der die Längsausdehnung des pn-Überganges 3 a wendigerweise einen der Sperrschichtbereiche 9' begrenzt, und zwei bedeutend breitere, sich

U-schenkelförmig anschließende Bereiche 3 b", die sich zu beiden Seiten des pn-Überganges 3 a erstrecken. Durch eine solche Anordnung wird das Auftreten unerwünschter Schwingungen zwischen den Seitenflächen 6 und 7 noch wirksamer unterdrückt. Dieser Sender ist weiter insofern vorteilhaft, als der pn-übergang 3 α länglich hergestellt werden kann, so daß die Form des Senders derart gewählt werden kann, daß eine größere mechanische Festigkeit erzielt wird. Weiter ist dieser Sender vorteilhaft in bezug auf seine ausgezeichnete Richtwirkung und seinen Modulationsgrad, da alle Hauptbestandteile, die zur Strahlungserzeugung und -modulation beitragen, an Stellen angeordnet sind, die frei von irgendeiner Beschädigung durch eine Spaltung sind.

Der optische Sender gemäß der Erfindung nimmt eine starke Modulation selbst bei Anlegen eines sehr kleinen Modulationssignals vor. Die Erfindung ist dabei nicht auf die vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, bei denen die Seitenflächen eines Halbleiterkörpers mit einem strahlungserzeugenden pn-übergang als Spiegelflächen des optischen Resonators ausgebildet sind, sondern auch anwendbar, wenn ein Spiegelflächenpaar zur Bildung des Resonators getrennt, d. h. außerhalb des Halbleiterkörpers vorgesehen ist.

Claims

Patentansprüche:

1. Modulierbarer optischer Sender mit einer Halbleiterdiode als stimulierbarem Medium innerhalb eines optischen Resonators, die zwei räumlich getrennte, in derselben Ebene verlaufende pn-Übergänge aufweist, deren einer der Lichterzeugung und deren anderer der beeinflußbaren Absorption der stimulierten Strahlung dient, dadurch gekennzeichnet, daß die in Richtung der Achse des optischen Resonators kürzer ausgebildete Absorberdiodenfläche außerhalb des optischen Resonators ihre größte Flächenausdehnung hat.

2. Sender nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Absorberdiodenfläche etwa L-förmig die Generatordiodenfläche umgibt (Fig. 8).

3. Sender nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Absorberdiodenfläche etwa U-förmig die Generatordiodenfläche umgibt (Fig. 9).

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen COPY

009529/219