DE2440785A1 - Verfahren zur vorprogrammierten stromsteuerung zum zwecke der beeinflussung der ansprechzeit eines einen erregbaren solenoiden enthaltenden elektromechanischen geraetes und vorrichtung hierzu - Google Patents

Verfahren zur vorprogrammierten stromsteuerung zum zwecke der beeinflussung der ansprechzeit eines einen erregbaren solenoiden enthaltenden elektromechanischen geraetes und vorrichtung hierzu

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Description

Patentanwälte Dipl.-Ing. W. Scherrmann Dr.-Ing. R. Roger
7300 Esslingen (Neckar). Fabrikstraße 24, Postfach 348 23. August 1974 T
3 Telefon
Stuttgart (0711)356539
Telex 07256610 smru
Telegramme Patentschutz Esslingenneckar «.
REGIE NATIONALE DES USINES RENAULT, 8-10 Avenue Emile Zola, 92109 Boulogne-Billancourt, Frankreich .
Verfahren zur vorprogrammierten Stromsteuerung zum Zwecke der Beeinflussung der Ansprechzeit eines einen erregbaren Solenoiden enthaltenden elektromechanischen Gerätes und Vorrichtung hierzu
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur vorprogrammierten Stromsteuerung zum Zwecke der Beeinflussung der Ansprechzeit eines einen erregbaren Solenoiden enthaltenden elektromechanischen Gerätes. Außerdem bezieht sie sich auf eine Vorrichtung zur Beeinflussung der Ansprechzeit eines Solenoiden mittels dieses Verfahrens.
Bei der Steuerung von Solenoiden und insbesondere solchen, die mit großer Geschwindigkeit betrieben werden, wie beispielsweise die Solenoiden der elektromagnetischen Injektoren des Einspritzsystemes eines Explosionsmotors stellt sich das Problem, die elektrische Ansprechzeit bei der Steuerung des Solenoiden zu beherrschen.
Es sind Steuervorrichtungen für Solenoiden bekannt, die mit einer Regelung der Steuerspannung arbeiten, doch gestattet es diese Steuerung mit konstanter Spannung nicht, konstante Erregerströme zu erzielen,
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weil sie nicht die Änderung des elektrischen Widerstandes der Wicklung bei einer Änderung der Wicklungstemperatur kompensiert.
Außerdem sind Konstantstromsteuerungen bekannt» die wesentlich preiswerter als Konstantspannungssteuerungen sind und die es gestatten, die von den Solenoiden im Dauerbetrieb abgegebenen magnetischen Kräfte einwandfrei zu steuern, doch erlaubt es eine solche Steuerung nicht, eine elektrische Ansprechzeit zu erzielen, die unabhängig von der Speisespannung der Steuerelektronik ist, wenn nicht auch diese Speisespannung geregelt wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Stromsteuerung für einen Solenoiden zu schaffen, die es gestattet, nicht nur den maximalen Wicklungsstrom sondern auch die elektrische Ansprechzeit der Erregung und der Entregung zu regeln und zwar unabhängig von der Speisespannung.
Erfindungsgemäß wird zur Lösung dieser Aufgabe derart vorgegangen, daß man in einer vorbestimmten Ordnung mittels Schaltern drei Bezugsspahnungsquellen auf einen, den Solenoiden speisenden Spannungs- und Stromverstärker schaltet, wobei die drei Bezugsspannungsquellen drei über den Solenoiden fließende Ströme bestimmen, nämlich den Vormagnetisierungsstrom, den maximalen Erregerstrom und den Entregungsstrom des Solenoiden.
Erfindungsgemäß wird somit mit einer programmierten Stromsteuerung gearbeitet, die drei konkrete Erregerstromgrößen des Solenoiden bestimmt.
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Eine Vorrichtung zur Beeinflussung der Ansprechzeit eines Solenoiden mittels des neuen Verfahrens ist gemäß weiterer Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß sie einen Spannungs- und Stromverstärker aufweist, der im wesentlichen aus zwei in Darlingtonschaltung zusammengeschalteten Transistoren besteht.
Bei der neuen Vorrichtung wird die Programmierung der Stromsteuerung somit mittels einer Spannungs-·/ Stromwandlerverstärkers erreicht, an den drei umschaltbare BezugsspannungsgueIlen in einer durch elektronische Schalter bestimmten vorgegebenen Ordnung aufgeschaltet werden.
Die einzelnen Betriebsphasen des Steuerprogramms nach dem neuen Verfahren sind in Fig. 1 der Zeichnung veranschaulicht:
Von dem Zeitpunkt to bis zu dem Zeitpunkt ti: Betriebsphase 1), Vormagnetisierungsphase genannt. Sie gestattet es, offensichtlich die elektrische Ansprechzeit der nachfolgenden Betriebsphase (Betriebsphase 2) herabzusetzen. Der entsprechende Strom über den Solenoiden, d.h. der Vormagnetisierungsstrom ist Ip genannt.
Von dem Zeitpunkt ti bis zum Zeitpunkt t-2: Betriebsphase 2). Dies ist die Periode maximaler Erregung (oder des Ansprechens) des Solenoiden. Es ist erwünscht, daß die Neigung oC des Stromanstieges über -den Solenoiden unabhängig von der Speisespannung ist.
Von dem Zeitpunkt t 2 bis zum Zeitpunkt t3: Betriebsphase 3). Das Wachsen des Stromes wird beim Erreichen des gewünschten oberen Grenzwertstromes Im (zum Zeitpunkt t2) unterbrochen. Es ist aber nicht notwendig,
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diesen Strom lange aufrechtzuerhalten, weil die Halteströme im allgemeinen wesentlich kleiner sind als die Ansprechströme.
Vom Zeitpunkt t3 bis zum Seitpunkt t4: Der über den Solenoiden fließende Strom wird von dem Wert Im bis auf den Wert Id abnehmen lassen, wobei Id der zum Halten ausreichende Minimalwert des Erregerstromes ist«, Die Stromänderung zwischen den Zeitpunkten t3 und t4 hat keinerlei Einfluß auf die Funktion des betrachteten elektromagnetischen Gerätes.
Vom Zeitpunkt t4 bis sum Zeitpunkt t5: Betriebsphase 4, Während dieser ganzen Betriebsphase ist der Strom über den Solenoiden gleich Id <, was dem Entmagnetisierungssfcrom entspricht.
Zeitpunkt t5 bis zvm Zeitpunkt t6: Betriebsphase 5. Zn einem gegebenen Zeitpunkt t5 ist es notwendig, den S©i@w©id@:ß sn entregea naia die Funktion des elektromagnetischen. Gerätes siim Stillstand zu bringen» Die Ersregerspaamiing wird während der kurzen zwischen t5 und t6 liegenden 2eitspanne unterdrückt; zum Zeitpuntk t6 lcorarflt das ©lektronissh© Steuerprogramm wieder ^u dem gleieünea !«stand wie ζόμ Zeitpunkt to, womit es für das auslösen des nächstfolgenden Stromes bereit ist.
Di© B©gi@taifig swlsehea ilea drei verschiedenen Erregerströmen wie sie oben bestimmt worden sind, ist offen-"siehtliehs Ip < ld<Iffl0
Die Erfindung 1st im einzelnen anhand eines nicht R Ausführwagsbeispieles beschriebe«!,
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das in der Zeichnung veranschaulicht ist» In der Zeichnung zeigen;
Fig. 1 wie bereits erwähnt ein Diagramm zur Veranschaulichung der Programmierung des Steuerstromes, wobei die Abkürzung P.U.S bedeutet: "Nutzseit des Solenoiden",
Fig. 2 ein schematisches Schaltbild einer Vorrichtung gemäß der Erfindung und
Fig. 3 ein Diagramm zur Veranschaulichung der zeitlichen Abhängigkeit der Einspritzmenge eines auf bekanntem Wege gesteuerten Injektors sowie des gleichen Injektors, wenn er erfindungsgemäß gesteuert ist.
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OFHGlNAL INSPECTED
Aus- Fig. 2 ist zu ersehen, daß das elektronische Gerät in) "wesentlichen einen Spannungs- und Stromverstärker enthält^ der von zwei Transistoren 1,2 gebildet ist, die in einer umgekehrten Darlington-Schaltung liegen derart, daß teilweise der Spannungsfall VBe des Transistors 1 kompensiert wird* Der Kollektorstrom lc des Transistors ist demgemäß gleich der an die Basis 100 des Transistors angelegten Eingangsspannung Ve, geteilt durch die Summe der Widerstände 3 und:4 (wobei der Transistor 7 gesperrt ist). Der Emitter des Transistors 2 ist an die + Netzspannungsleitung über einen Widerstand 5 angeschlossen, dessen Aufgabe insbesondere darin besteht, die Ansprechzeit der von den Transistoren I und 2 gebildeten Darlingtonschaltung herabzusetzen. Der Strom Ic dient somit zur Speisung der ebenfalls in einer Darlington-Schaltung angeordneten Transistoren 6,7 mit gemeinsamem Emitter derart, daß die Kollektoren dieser beiden Transistoren einen Solenolden 9 und einen Rückkopplungswlderstand 4 speisen.
Der Verbindungspunkt des Emitters des Transistors 9 und der Basis des Transistors 7 ist über einen Widerstand mit der + Netzspannungsleitung verbunden. Der Widerstand 8 dient Insbesondere dazu, die Ansprechzeit des Transistors 6 herabzusetzen. Die Widerstände 5,8 gestatten außerdem eine schnellere Sperrung der Transistoren 6,7.
J>ie an den Klemmen des Widerstandes 4 auftretende Potentiaidlfferenz U4 wird über den Widerstand 3 (dessen Aufgabe lediglich darin besteht, den Strom in den Transistor 1 beim Anliegen der Spannung Ue an der. Basis 100 des Transistors 1 zu begrenzen) derart ,eingeführt, daß die von den Transistoren 1,2,gebildete
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_ η
Darlington-Schaltung als Vergleichseinrichtung wirkt, womit immer die Beziehung gilts
U4 ?* Ue und der durch den Solenoiden fließende Strom ist damit:
U4/R4 = Ue/R4, womit dieser Strom eine Funktion won Ue
Drei Dioden 10 verbinden die Kathoden von drei dioden 11,12,13 mit der Basis 100 des Transistors 1; sie bilden damit eine inklusive ODER -Funktion, die es gestattet, aufeinanderfolgend die drei durch die Zenerdioden 11,12,13 definierten Spannungen anzulegen, wobei die Zenerspannungen Uli, U12, U13 jeweils sinds
Uli = R4lp
U12 = R4lm
U13 = R4ld
Die Dioden 14, welche die Senerdioden 11,12 mit der (=·) -Net ζ spannung s leitung verbindet, wie auch der mit seinem Kollektor an die (~)-Netzspannungsieituag angeschlossene Transistor 15 gestatten es„ ,die Spansmngsfalle der Dioden 10 des ODER-Gatters derart, ^u kompensieren, daß die Genauigkeit des Gänsen erhalten bleibt und die Temperaturabhängigkeit des ganzen elektronischen System auszugleichen„
Im weiteren soll beschrieben'werden, wi© äi©ee Schaltung es gestattet, die im Vorstehenden bereits beschriebenen und in Fig= 1 dargestellten Phasen 1 bis 4 su realisieren;
Die Phasen 1 und 4 bilden eine exklusive QBER-Steuerung. Die Zenerdioden 11,13 siad deshalb jeweils von den'
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Transistoren 16,17 voll oder gar nicht ausgesteuert, womit zwischen den Zenerdioden 11,13 und der von den Transistoren 18,19 gebildeten bistabilen Kippschaltung mit vorbestimmtem Zustand in der Ruhezeit eine Leistungsstufe gebildet wird.
Der Emitter des Transistors 16 ist unmittelbar eine + Netζspannungsleitung angeschlossen während seine Basis über einen Widerstand 33 mit dem Kollektor des Transistors 18 verbunden ist. Der Verbindungspunkt des Widerstands 33 und des Kollektors des Transistors
ist über einen Widerstand 34 an die + Netzspannungsleitung angeschlossen. Der Kollektor des Transistors ist über einen Widerstand 34 mit einer Zenerdiode 11 und mit der Anode der Diode 10a verbunden, welche eine der die bereits erwähnte inklusive ODER-Funktion bildenden Dioden ist. Der Emitter des Transistors 17 ist unmittelbar an die + Netzspannungsleitung angeschlossen, während seine Basis über einen Widerstand am Kollektor des Transistors 19 liegt, wobei der Verbindungspunkt des Widerstands 36 und des Kollektors des Transistors 19 einerseits über einen Widerstand mit der + Netzspannungsleitung und andererseits über einen Widerstand 38 mit der Basis des Transistors 18 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 17 ist über einen Widerstand 39 einerseits an die Kathode der Zenerdiode 13 und andererseits an die Anode der Diode 10b angeschlossen. Die Kathode der Zenerdiode ist mit der Anode der Diode 10c verbunden. Die Kathoden der Dioden 10a,10b,10c bilden das bereits erwähnte inklusive ODER-Verknüpfungsglied; sie sind gemeinsam mit der Basis 100 des Transistors 1 verbunden, wobei diese Basis ihrerseits über einen Widerstand 40 an die (-)-Netzspannungsleitung angeschlossen ist.
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Die Emitter der die erwähnte bistabile Kippschaltung bildenden Transistoren 18,19 sind unmittelbar miteinander verbunden; sie sind ihrerseits beide über einen gemeinsamen Emitterwiderstand 41 an die (-)-Netzspannungsleitung angeschlossen. Die Basis des Transistors 18 ist im übrigen über einen parallel zu einem Widerstand · 42 liegenden Kondensator 32 mit der (-)-Netζspannungsleitung verbunden. Die Basis des Transistors 19 ist einerseits über den Widerstand 43 an die (-)-Netζspannungsleitung angeschlossen und andererseits über einen Widerstand 44 mit dem Kollektor des Transistors 21 verbunden, wobei der Verbindungspunkt des Widerstands 44 und des Kollektors des Transistors 21 über einen Widerstand 31 an die + Netzspannungsleitung angeschlossen ist.
Die von den Transistoren 18,19 gebildete bistabile Kippschaltung gestattet es, in Abwesenheit einer Erregung am Schaltungseingang 101 über die Transistoren 20,21 den Transistor 18 zu sättigen und den Transistor 19 zu sperren. Damit ist auch der Transistor 16 gesättigt, wie auch die Zenerdiode 11 gesättigt ist (ihre Zenerspannung ist erreicht oder überschritten), womit der Strom Ip durch den Solenoiden 9 fließt.
Der Schaltungseingang 101 ist über einen Widerstand 45 mit der (-)-Netzspannungsleitung verbunden, während er über einen Widerstand 46 mit der Basis des Transistors 15 und über einen Widerstand 47 mit der Basis des Transistors 20 sowie über einen Kondensator 24 mit der Basis des Transistors 22 in Verbindung steht.
Der Emitter des Transistors 20 ist unmittelbar an "die (-)-Netzspannungsleitung angeschlossen, während sein
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Kollektor einerseits über einen Widerstand 48 an die +Netzspannungsleitung und andererseits unmittelbar an die Basis des Transistors 21 sowie außerdem über einen Widerstand 49 an die (-)-Netzspannungsleitung angeschlossen ist. Der Emitter des Transistors 21 ist direkt mit der (-)-Netzspannungsleitung verbunden.
Wenn an den Schaltungseingang 101 eine Erregerspannung Ti angelegt wird, werden der Transistor 19 gesättigt und der Transistor 18 gesperrt, womit die Zenerdiode aus der Sättigung kommt, während die Zenerdiode 13 über den Transistor 17 gesättigt wird, welcher ebenfalls in Sättigung geht. Damit fließt der Strom Id über den Solenoiden 9.
Es ist somit festzustellen, daß beim Erreichen der Zenerspannung der Zenerdiode 11 der Solenoid 9 von dem Strom Ip durchflossen ist, womit sich die'Betriebsphase 1)ergibt. Wenn die Erregerspannung Ti angelegt wird, wird die Zenerspannung der Zenerdiode 13 erreicht, womit der Solenoid 9 von dem Strom Id durchflossen ist, so daß sich die Betriebsphase 4)ergibt. Im folgenden soll dargelegt werden, wie die Betriebsphase 2) erhalten wird. Im Vorstehenden wurde erläutert, daß beim Anlegen der Erregerspannung Ti an den Schaltungseingang 101 der Solenoid von dem Strom Ip durchflossen ist; wegen der Zeitkonstante X einer von einem zwischen der Basis des Transistors 22 und der (-)-Netzspannungsleitung liegenden Widerstand 25 und dem Kondensator gebildeten Differenzierschaltung wird der Transistor während einer Zeitspanne gesättigt, die wenigstens gleich groß T1 ist, wobei T1 derart gewählt ist, daß T* ^- 2 fT (T' braucht nicht sehr genau zu sein).
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Der Emitter des Transistors 22 ist über einen Widerstand 50 rait der (-)-Netzspannungsleitung verbunden, während sein Kollektor einerseits über einen Widerstand 51 an die + Netzspannungsleitung und andererseits unmittelbar an die Basis des Transistors 23 angeschlossen ist. Der Emitter des Transistors 23 ist über einen Widerstand 52 an die + Netzspannungsleitung angeschlossen, während sein Kollektor mit der Kathode einer Zenerdiode 26 verbunden ist, deren Anode direkt an der (-)-Netzspannungsleitung liegt. Der Kollektor des Transistors 23 ist über einen Widerstand 28 an den + Eingang einer Integrationsschaltung 27 angeschlossen, deren Ausgang 102 über einen Kondensator mit den + Eingang verbunden ist und andererseits unmittelbar an den + Eingang einer Spannungsvergleichseinrichtung 30 angeschlossen ist. Der (-)-Eingang der Integrationsschaltung 27 liegt unmittelbar an der (-)-Netzspannungsleitung. Der andere (-)-Eingang der Vergleichseinrichtung 30 ist unmittelbar mit dem Verbindungspunkt des Widerstandes 4, des Wi-derstandes 3 und des Solenoiden 9 verbunden..Der Ausgang 103 in der Vergleichseinrichtung 30 ist über einen Widerstand 53 an den Verbindungspunkt der Kathode der Zenerdiode und der Anode der Diode 10c angeschlossen.
Die Sättigung des Transistors 22 führt die des Transistors 23 herbei, welche ihrerseits wieder jene der Zenerdiode 26 hervorruft, die eine Bezugsspannung U26 für die Integrationsschaltung 27 liefert, deren Aufgabe "darin besteht, die konstante Spannung U26 in eine linear mit der Zeit t zunehmende Spannung U 102 umzuformen :
U102 = U26 -
R2 8C29
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Die Offsetspannung der Integrationseinrichtung 27 wird = Uli gemacht (Uli 1st gleich der Zenerspannung der Zenerdiode 11), um eine elektrische Verzögerung der Zunahme des Stromes durch den Solenoiden 9 zu vermeiden? sie wird an die Vergleichseinrichtung 30 angelegt, deren Aufgabe darin besteht, die konstante Spannung Ul2 am Eingang des Spannungs- und Stromverstärkers zu liefern, der im wesentlichen aus den Transistoren 1,2 besteht und bereits beschrieben ist. Wenn die an den Klemmen des Widerstandes 4 auftretende Spannung U4 zu einem gegebenen Zeitpunkt to größer als U102 wird, unterdrückt die Spannungsvergleichseinrichtung 30 die Spannung Ul2, um eine zu rasche Zunahme des über den Solenoiden 9 fließenden Stromes zu vermeiden; da U102 ohne Diskontinuität zum Zeitpunkt to + dtO zunimmt, wird U102 größer U4 und die Spannung Ul2 wird von neuem an den Eingang des Spannungs- und Stromverstärkers angelegt.
Wenn die Bedingung R28«C29 > γ$ erfüllt wird, d.h.
wenn die Spannung U102 weniger schnell als die Spannung U4 zunimmt (L9 ist die Größe der Selbstinduktion des Solenoiden 9), ist die Zunahme des Stromes somit unabhängig von allen äußeren Informationen gesteuert. Lediglich die Zeitkonstante if= C24.R25 gestattet es die Zeit zu definieren, während der der Strpmanstieg in dem Solenoiden 9 aufrechterhalten werden soll: Auf diese Weise wird der Strom Im in dem Solenoiden 9 erzielt. Wenn die seit dem Anlegen der Spannung Ti an den Schaltungseingang 101 verstrichene Zeit größer als etwa 2 tf geworden ist, werden die Transistoren 22,23 ebenso wie die Zenerdiode 26 aus der Sättigung herausgeführt; die Zunahme der Spannung U102 hört auf, womit die Vergleichseinrichtung 30 gesperrt wird, die die
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"IJ- ·
Zenerdiode 12 aus der Sättigung herausführt. Da aber Ti immer noch anliegt, ist in diesem Augenblick die Zenerdiode 13 gesättigt, wie es bereits im Zusammenhang mit der Erläuterung der Betriebsphasen 3,4) erklärt worden ist. Der Solenoid 9 ist deshalb von dem Strom Id durchflossen.
Im folgenden soll noch die letzte Phase des Zyklus, d.h. die Betriebsphase 5 beschrieben werden. Wenn die Spannung Ti unterdrückt wird, kommt der Transistor 21 aus der Sättigung heraus, so daß das Potential an den Klemmen des Widerstandes 31 zunimmt, was es ermöglicht, daß der Transistor 19 aus der Sättigung kommt (es verschwindet der Haltestrom); der kondensator 32 verhindert aber eine augenblickliche Sättigung des Transistors 18, so daß der Haltestrom Zeit zum Ver^· schwinden hat, womit über den Solenoiden wieder der Vormagnetisierungsstrom Ip fließt.
Im Fall der Steuerung von elektromagnetischen Injektoren eines Einspritzsystems für Kraftfahrzeugeexplosionsmotoren gestattet es, die neue Vorrichtung jeden Einfluß der Batteriespannung des Kraftfahrzeuges auf die Ansprechzeit des Injektors auszuschalten, womit dessen Einspritzmenge exakt unabhängig von der Speisespannung wird.
In Fig. 3 ist die Einspritzmenge eines solchen durch eine erfindungsgemäße Vorrichtung gesteuerten Injektors (mit ausgezogenen Linien) zusammen mit jeder des gleichen Injektors dargestellt, die sich ergibt wenn dieser in bekannter Weise gesteuert ist (gestrichelt dargestellt). Auf der.Abszisse der Flg. 3 ist die Hubzeit t der Düsennadel dargestellt, während die Ordinate die
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abgegebene Menge D je Injektorhub angibt. Die Zeit T, welche die Zeitpunkte TO und Tl voneinander trennt, ist die Ansprechzeit des Injektors; sie ist eine Funktion der Steuerspannung, wobei TO immer im Ursprung des Koordinatensystemes liegt, während Tl veränderlich ist. Die Vereinfachung, die durch die erfindungsgemäße Vorrichtung im Vergleich zum Aufbau eines elektronischen Rechners für ein bekanntes Einspritzsystern erzielt, ist augenfällig.
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Claims (15)

  1. Patentansprüche
    1J Verfahren zur vorprogrammierten Stromsteuerung zum Zwecke der Beeinflussung der Ansprechzeit eines· einen erregbaren Solenoiden enthaltenden elektromechanischen Gerätes, dadurch gekennzeichnet, daß man in einer vorbestimmten Ordnung mittels Schaltern 3 Bezugsspannungsquellen auf einen den Solenoiden speisenden Spannungsund Stromverstärker schaltet, wobei die drei Bezugsspannungsquellen drei über den Solenoiden fließende Ströme bestimmen, nämlich den Vormagnetisierungsstrom, den maximalen Erregerstrora und den Entregungsstrom des Solenoiden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Solenoiden die Ströme in der folgenden Weise zugeführt werden; Während einer ersten Betriebsphase zunächst ein Vormagnetisierungsstrom, sodann in einer zweiten Betriebsphase ein linear bis zum maximalen Erregerstrom ansteigender Strom, während einer anschließenden dritten Betriebsphase der aufrechterhaltene maximale Erregerstrom des Solenoiden, sodann am Ende der dritten Betriebsphase ein bis auf einen Entregungswert abnehmender Strom, anschließend während einer vierten Betriebsphase der aufrechterhaltene Entregungsstrom des Solenoiden, worauf in einer fünften Betriebsphase der Haitestrom des Solenoiden .zum Verschwinden gebracht wird bevor dieser Betriebszyklus von neuem begonnen wird, indem dem Solenoiden der Vormagnetisierungsstrom wieder zugeführt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2„ dadurch gekennzeichnet, daß die erste Betriebsphase durch Sättigung einer
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    ersten Bezugsspannungsquelle der drei Bezugsspannungsquellen verwirklicht wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Betriebsphase durch Einwirkung eines . Spannungsstromes erzeugt wird, mit dem eine am Eingang eines die konstante Spannung der Bezugsspannungsquelle in eine linear mit der Zeit zunehmende Spannung umformenden Integrationseinrichtung liegende Bezugsspannungsquelle sättigt, wobei die linear mit der Zeit zunehmende Spannung an dem Spannungs- und Stromverstärker liegt.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsspannung der Integrationseinrichtung mittels einer Vergleichseinrichtung verglichen wird, die auf einem anderen Eingang eine dem den Solenoiden durchfließenden Strom proportionale Spannung erhält.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Betriebsphase dadurch verwirklicht wird, daß man an den Eingang des Spannungs- und Stromverstärkers die Bezugsspannung einer zweiten Bezugsspannungsquelle der drei BezugsSpannungsquellen legt.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte Betriebsphase dadurch verwirklicht wird, daß man einen konstanten Ström oder den Entregungsstrom des Solenoiden zuführt, der jweils mit Hilfe der Bezugsspannung einer dritten an den Eingang des Spannungsund Stromverstärkers angelegten Bezugsspannungsquelle bestimmt ist, wobei diese dritte Bezugsspannungsquelle die dritte Bezugsspannungsquelle der drei Bezugsspannungsquellen bildet.
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    - 17 -
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die fünfte üetriebsphase dadurch verwirklicht wird, daß die Steuerspannung zum Verschwinden gebracht wird und daß hierbei die Zeitdauer durch einen eine Zeitkonstante aufweisenden Schaltkreis bestimmt ist.
  9. 9. Vorrichtung zur Beeinflussung der Ansprechzeit eines Solenoiden mittels des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie einen Spannungs- und Stromverstärker aufweist, der im wesentlichen aus zwei in Darlington-Schaltung zusammengeschalteten Transistoren (1,2) besteht.
  10. 10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß sie drei Bezugsspannungsquellen aufweist, die im wesentlichen jeweils aus Zenerdioden (11,12,13) bestehen, welche jeweils über eine inklusive ODER-Funktlon bildende Dioden (10a,10b,10c) an den Eingang des Spannungs- und Stromverstärkers (1,2) angeschlossen sind und daß die drei Bezugsspannungsquellen (11,12,13) in einer vorbestimmten Ordnung durch vorzugsweise als Halbleiter ausgebildete Schalter (20.21,22,23,18,19,16, 17) umschaltbar sind.
  11. 11. Vorrichtung nach Anpsruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Integrationsschaltung (27) aufweist, die einen Integrationsverstärker und eine Integrationszelle mit einem Widerstand (28) und einen Kondensator (29) enthält und daß an dem Eingang der Integrationsschaltung die Spannung einer vierten Zenerdiode (26) liegt und der Ausgang mit dem Spannungs- und Stromverstärker (1,2) verbunden ist.
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    - 18 -
  12. 12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet/ daß sie eine Vergleichseinrichtung (30) aufweist, deren einer Eingang an den Ausgang der Integrationsschaltung (27) angeschlossen und deren anderer Eingang mit einem eine dem über den Solenoiden (9) fließenden Strom proportionale Spannung liefernden Element (4) verbunden ist und der Ausgang an den Eingang des Spannungs- und Stromverstärkers (1,2) angeschlossen ist und daß durch die Vergleichseinrichtung (30) die Zunahme des über den Solenoiden (9) fließenden Stromes an die durch die Integrationsschaltung (27) gelieferte Spannung anpassbar ist.
  13. 13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine vorzugsweise aus einem Kondensator (24) und einem Widerstand (25) bestehende Differenziationsschaltung aufweist, durch deren Zeitkonstante die Zunahme einer Bezugsspannung während einer Zeit aufrechterhaltbar ist, die wenigstens gleich dem Doppelten der Zeitkonstante ist.
  14. 14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß sie einen zwischen dem Solenoiden (9) und einer der Netzspannungsklemmen liegenden Widerstand (4) aufweist, durch den der über den Solenoiden (9) fließende Strom meßbar ist.
  15. 15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß sie das Steuergerät eines elektromagnetischen Gerätes und vorzugsweise der Injektoren eines Einspritzsystemes eines Explosionsmotors ist.
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