DE2402042B2 - Elektronenstrahlablenkkreis fuer fernsehempfaenger - Google Patents
Elektronenstrahlablenkkreis fuer fernsehempfaengerInfo
- Publication number
- DE2402042B2 DE2402042B2 DE19742402042 DE2402042A DE2402042B2 DE 2402042 B2 DE2402042 B2 DE 2402042B2 DE 19742402042 DE19742402042 DE 19742402042 DE 2402042 A DE2402042 A DE 2402042A DE 2402042 B2 DE2402042 B2 DE 2402042B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- during
- voltage
- amplifier
- capacitor
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K4/00—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
- H03K4/06—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
- H03K4/08—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape
- H03K4/48—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices
- H03K4/60—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor
- H03K4/69—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor using a semiconductor device operating as an amplifier
- H03K4/696—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor using a semiconductor device operating as an amplifier using means for reducing power dissipation or for shortening the flyback time, e.g. applying a higher voltage during flyback time
Landscapes
- Details Of Television Scanning (AREA)
Description
Sägezahnform, das synchron mit der Vertikalperiode ist
wird einein Ausgangsanschluß 2 zugeführt, der an den
Basen der Transistoren Qi und Qj vorgesehen ist um
beide Transistoren zu schalten. Somit wird in bekannter
Weise ober ein Ablenkjoch La das über einen S
Kondensator C^an einen Verbinduogspunkt I1 zwischen
die Emitter der Transistoren Qi und Q2 angeschlossen
ist einsfigezahnförmiger Strom erzeugt
Wenn bei solch einem bekannten Vertikalablenkkreis
die Emitterspannung an dem Verbkidungspunkt lt
betrachtet wird, ist sie während der Rücklaufperiode Tr ein Impuls, hat jedorh einen Verlauf, der während einer
Hinlaufperiode ft linear abnimmt wie durch S2 in
Fig.2A gezeigt ist; dieser Spannungsverlauf wird bei jedem Haibbildmtervall erhalten. Hierbei ist die
maximale Signalausgangsspannung E, die an dem Emitter des Transistors Qi «-halten wird, infolge des
Schaltungsaufbaus, der Sättigungsspannung des Transistors Qi usw. etwas niederiger als die Energiequellenspannung
Eo ist die auf einen Anschluß 3 gegeben wird. der mit dem Kollektor des Transistors Qt verbunden ist
Da außerdem das sägezahnförmige Treibersignal Si, das
in Fig. 2C gezeigt ist auf die Basis des Transistors Qi
gegeben wird, wird der Transistor Qi während der Zeitperiode zwischen den Zeitpunkten ft und f3 geöffnet.
Wenn daher die in dem Transistor Qi verbrauchte elektrische Leistung berücksichtigt wird, ist ihre
Spannungskomponente der in Fig.2A schraffierte
trapezförmige Bereich.
Der durch den Transistor Qi zu dieser Zeit fließende
Strom ist das /3-fache des Treibersignals Si, wobei β der
Stromverstärkungsfaktor des Transistors Qi ist so daß die Stromkomponente der in dem Transistor Qi
verbrauchten Leistung ein Strom S3 ist der dem Treibersignal 9| im Verlauf nahezu gleich ist wie
schraffiert in Fig.2B gezeigt ist Daher ist der Leistungsverbrauch Pirn Transistor Qt das Produkt der
Spannungskomponente, die schraffiert in Fig.2A
gezeigt ist und der Stromkomponente, die schraffiert in F i g. 2B gezeigt ist.
Vom Betriebsstandpunkt aus wird nun der Transistor Qi zwischen den Zeitpunkten fi und /3 geöffnet wie die
F i g. 2A bis 2C zeigen, jedoch tritt der Spannungsanteil, der in F i g. 2A durch eine gestrichelte Linir umgeben ist,
an den Emittei des Transistors Qi nicht auf, sondern
wird auf die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors Qi gegeben, d. h„ der obige Spannungsanteil ist eine
nutzlose Spannung. Der Leistungsverbrauch infolge dieser nutzlosen Spannung in dem Transistor Qi ist
somit ein nutzloser Leistungsverbrauch und darpit wird der Ausgangswirkungsgrad des bekannten Vertikalablenkkreises
verringert.
Anhand der F i g. 3 wird nun eine Ausführungsform des Vertikalablenkkreises gemäß der Erfindung beschrieben.
Bei der Ausführungsform der Fig.3 besteht ein Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang, der eine
Ausgangsstufe 31 bildet, aus zwei Transistoren Qn und Qi2-Da die Transistoren Qu und Q12 bei dieser
Ausführungsform komplementär sind, ist ein gemeinsamer Eingangsanschluß 32 an den Basen der Transistoren
Qn und Q12 vorgesehen. Ein sägezahnförmiges Treibersignal
Si wird auf den Eingangsanschluß 32 gegeben, um die Transistoren Qn und Qi 2 abwechselnd zu öffnen und
zu sperren. An einem Verbindungspunkt In zwischen den Emittern der beiden Transistoren Qn und Q12 ist
eine Reihenschaltung eines Ablenkjochs L und eines Kondensators C angeschlossen. Dadurch fließt ein
sägezahnformiger Ablenkstrom durch das Ablenkjoch L, das im wesentlichen das gleiche wie beim Stand dei
Technik ist An einen Spannungsquellenanschluß 33 tsi
über eine Strecke m eine Schaltvorrichtung 11 wie eir
Transistor, ein Thyristor, eine Vierschichttriode odei dergleichen in Reihe angeschlossen, um der Ausgangs
stufe 31 intermittierend eine Spannung Eo der Span nungsquelle zuzufahren. Die Steuerelektrode dei
Schaltvorrichtung 11 ist an den Verbindungspunkt Ii
nötigenfalls über einen Differenzierkreis 12 angeschlos
sen, um mit einem Spannungsimpuls, der an den
Ablenkjoch L erzeugt wird, versorgt und damit von dei
Impulsspannung in den Leitfähigkeitszustand gesteuer zu werden. Bei der gezeigten Ausführungsform ist ein«
Vierschichttriode als Schaltvorrichtung 11 verwendet
Zwischen die Vierschichttriode 11 und den Kollektoi
des Transistors Qn ist eine Speichereinrichtung Ic geschaltet um die Betriebsspannung für die Ausgangs
stufe 31 des Gegentaktverstärkers mit Eintaktausgan§ während der Hinlaufperiode Ts zu bestimmen. Di«
Speichereinrichtung 13 dient dazu, eine Spannung
(wobei η eine positive ganze Zahl ist) aus der Spannung
£0 der Spannungsquelle zu erzeugen. Hierzu hat die Speichereinrichtung 13 mehrere Kondensatoren 14a
146,.., die in Reihe oder parallel zueinander geschaltet
werden. Bei der gezeigten Ausführungsform wird die Betriebsspannung zu
gewählt so daß nur zwei Kondensatoren 14a und 14f verwendet werden. In der Einrichtung 13 sind Dioden
15a und 156 zum Sperren des Rückstroms verwende)
und eine Diode 15c, die an ein Ende des Kondensators 14a angeschlossen ist und eine Leitung Li, die parallel
zu der Serienschaltung des Kondensators 14a und der Dioden 15a und t5b geschaltet ist, bilden einen
Entladeweg für den Kondensator 14a.
Einem Anschluß 17, der von der Kathode der Diode 156 über eine Diode 16 herausgeführt ist wird eine
Treiberspannung Es zugeführt Die Treiberspannung Ei ist niedriger als die Spannung Eo gewählt um die Diode
16 während des Betriebs des Vertikalablenkkreises zu sperren, so daß der Anschluß 17 von der Ausgangsstufe
31 getrennt wird und die Einrichtung 13 keinen EinfluG auf den Ablenkvorgang hat. Eine Spule 18, die an die
Anode der Vierschichttriode 11 angeschlossen ist wird verwendet, um die Ladezeitkonstante der Kondensatoren
14a und Hb während des offenen Zustands dei
Vierschichttriode 11 lang zu machen. In Fig.3 bezeichnen 20a und 206 Anschlüsse des Kreises 13.
Es wird nun anhand der Fig.4A bis 4F die
Arbeitsweise des in F i g. 3 gezeigten Kreises beschrieben.
Wenn ein Treibersignal Si,das in Fig.4A gezeigt ist
auf den Anschluß 32 gegeben wird, wird der Transistoi Qu während des positiven Intervalls des Treibersignals
Si geöffnet und der Transistor Qi2 wird während des
negativen Intervalls des Treibersignals Si geöffnet. Im
Steuerzustand des Ablenkkreises ist die Vierschichttriode 11 gesperrt Wenn z. B. die Steuerspannung £san den
Anschluß 17 zum Zeitpunkt to angelegt wird, fließt, da
der Transistor Qi 1 offen ist, ein Strom S3 in Übereinstimmung
mit dem Treibersignal Si, wie F i g. 4B zeigt, durch
den Kreis aus dem Transistor Qn, dem Ablenkjoch L
und dem Kondensator C und der Kondensator C wird durch diesen Ström entladen. Wenn das Treibersignal S\
zum Zeitpunkt fe negativ wird, wird der Transistor Qi ι
gesperrt, jedböh der Transistor Q^ geöffnet Daher wird
die in dem Kondensator C gespeicherte Ladung über
denlCreis<les Transistors Qi2 entladen und damit fließt
ein Ström &, wie F i g. 4C zeigt, durch den Transistor
Qu und ein Strom, der in der Polarität umgekehrt wie derjenige ist, der fließt, wenn der Transistor Qi ι offen ist
(unter Bezugnahme auf den Pfeil 6 in F i g. 3) fließt durch das Ablenkjoch L Dieser Strom nimmt mit der Zeit zu.
Zum Zeitpunkt t\ wird der Transistor Qn durch das
Treibersignal Si gesperrt, der Transistor Qn wird jedoch
wiederum von dem Treibersignal S\ geöffnet und der Emitterstrom versucht, durch diesen Transistor zu
fließen. Zu diesem Zeitpunkt fließt jedoch der Rückstrom durch das Ablenkjoch L, so daß der
Transistor Qn gesperrt wird. Der durch das Ablenkjoch L fließende Strom lädt daher einen Streukondensator
C", der parallel zu dem Ablenkjoch L vorhanden ist, wie durch eine gestrichelte Linie in F i g. 3 gezeigt ist, und
fließt auch durch den Transistor Qn in umgekehrter Richtung. Dadurch nimmt die Emitterspannung des
Transistors Qn abrupt zu und erzeugt einen Spannungsimpuls,
der ein Rücklaufimpuls ist. Die Impulsbreite des Rücklaufimpulses wird von einem Resonanzkreis
bestimmt, der aus dem Ablenkjoch L und dem Kondensator gebildet wird, der dazu parallel geschaltet
ist und den Streukondensator C umfaßt. Dadurch wird die Rücklaufperiode Tr zwischen den Zeitpunkten t\ und
h bestimmt. Da die Impulsspannung höher als die Kollektorspannung des Transistors Qn ist, wird die
Impulsspannung über den Differenzierkeis 12 an die Steuerelektrode der Vierschichttriode 11 angelegt, um
diese zu öffnen. Somit wird die Spannung £b der
Spannungsquelle auf den Kollektor des Transistors Qn gegeben, um seine Kollektorspannung zu Eo zu machen,
wie durch 5β in F i g. 4E gezeigt ist. und die Kondensatoren
14a und 146 sind über die Vierschichttriode 11 an den Anschluß 33 in Reihe angeschlossen und daher wird
jeder der Kondensatoren 14a und 146 auf eine Spannung aufgeladen, die die in F i g. 3 gezeigte
Polarität hat. Die Rücklaufimpuisspannung steigt auf die Spannung Eo an, d. h. die Spannung an dem Verbindungspunkt
In wird Eo, wie durch Si in F i g. 4F gezeigt
ist. Nachdem die Kondensatoren 14a und 14fr geladen sind, wie oben erwähnt wurde, wird die Steuerspannung
Es infoige der Inbetriebnahme der Diode 16 vor dem
Kreis abgeschaltet
Das Zeitintervall, während dem die Vierschichttriode
11 offen ist, tritt zwischen den Zeitpunkten Λ und /? auf,
während die Rücklaufimpulsspannung erzeugt wird. Nach dem Zeitpunkt fe, zu dem die Emitterspannung des
Transistors Qn verringert wird, wird die Emitterspannung
des Transistors Qt 1 niedriger als seine Koflektorspannung
und die Steuerelektrodenspannung der Vierschichttriode 11 wird niedriger als ihre Kathodenspannung,
so daß die Vierschichttriode gesperrt wird und damit die Zufuhr der Spannung E0 unterbrochen
wird. Das Signal Ss in Fig.4D zeigt den Strom, der
durch die Vierschichttriode il fließt Da der Transistor
Qn während des Zeitintervalls zwischen den Zeitpunkten h und f] offen ist werden die Spannungen j E0, die in
den Kondensatoren 14a bzw. 146 gespeichert sind, über
den Kreis aus dem Kondensator 14a den Transistor Qi t.
dem Ablenkjoch L dem Kondensator C der Diode 15c
und dem Kondensator 14a bzw. den Kreis aus dem Kondensator 146, der Diode 156, dem Transistor Qn,
dem Ablenkjoch L, dem Kondensator C und dem Kondensator 146 entladen. Hierbei sind die Entladungen
der Kondensatoren 14a und 146 parallele
Entladungen, so daß die dem Kollektor des Transistors Qn zugeführte Spannung nicht die Spannung E0;
sondern die Ladespannung der Kondensatoren 14a und
146, nämlich 2 E0 ist Somit hat die Kollektorspannung
des Transistors Qn den in Fig.4E gezeigten Verlauf. Während des Zeitintervalls von dem Zeitpunkt fj bis zu
dem Zeitpunkt u, zu dem der Transistor Qn wieder
geöffnet wird, ist der Transistor Qi2 offen und die
obenerwähnten Entladungskreise werden nicht gebildet, so daß die Kollektorspannung des Transistors Qn
auf einem nahezu konstanten Wert gehalten werden,
der etwas niedriger als -^ Eo ist
Selbst wenn die Vierschichttriode 11 gesperrt wird und die Zufuhr der Spannung Eo der Spannungsquelle
unterbrochen wird, wie oben beschrieben wurde, erhält der Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang der
Ausgangsstufe 31 das Betriebsspannungssignal von
nahezu y Eo und damit nimmt die Spannung Sr an dem
Emitter des Transistors Qn, d. h. an dem Verbindungspunkt In. wie Fig.4F zeigt infolge des Spannungsabfalls
allmählich ab, der von dem Stromfluß durch die Widerstandskomponente des Ablenkjochs L oder dem
Strom S3 durch den Transistor Qi 1 hervorgerufen wird.
Wenn hierbei der Leistungsverbrauch P in dem Transistor Qn berücksichtigt wird, ist seine Spannungskomponente im wesentlichen der in Fig.4F schraffiert
gezeigte dreieckige Teil. Diese Spannungskomponente entspricht dem dreieckigen Teil der schaffierten
Spannungskomponente der F i g. 2A, die von dem Signal 52 und der Spannung Ed zwischen den Zeitpunkten h
und T3 umgeben ist die bei dem in F i g. 1 gezeigten
Stand der Technik auftreten. Es ist daher leicht verständlich, daß der Leistungsverbrauch P in dem
Transistor Qn bei der Erfindung, der als das Produkt der
oben erwähnten verbrauchten Spannungskomponente und der verbrauchten Stromkomponente in Fig.4B
schraffiert gezeigt ist (entsprechend dem schraffierten
Teil der F i g. 2B) im Vergleich zum Stand der Technik stark vermindert ist Dies bedeutet daß durch die
Erfindung die nutzlose Spannungskomponente, die durch die gestrichelte Schraffur in Fig.4F gezeigt ist
die der nutzlosen Spannungskomponente entspricht die durch den gestrichelten Block in Fig.2A des Standes
der Technik gezeigt ist beseitigt wird. Daher kann durch die Erfindung der Gesamtleistungsverbrauch verringert
und damit der Ausgangs-wirkungsgrad verbessert werden.
Bei der in F i g. 3 gezeigten Ausführungsform ist die Betriebsspannung für dem Gegentaktverstärker 31 mit
Eintaktausgang durch die Verwendung der beiden Kondensatoren 14a und 146 in dem Betricbsspannungserzeugungskreis
13 während der Rücklaufperiode j E0.
Die Erfindung ist jedoch nicht auf die Ausführungsform der Fig.3 beschränkt sondern es können z.B. η
Kondensatoren verwendet werden, um eine Betriebs-
- spannung von- Eo in der obenerwähnten Weise zu
erzeugen. Außerdem ist es zweckmäßig, zur Verringerung
der Rücklaufperiode Tr ohne Verrinserune des
Ausgangswirkungsgrads die Betriebsspannung im Vergleich zu der Spannung £ö der Spannungsquelle klein zu
machen.
Fig.5 zeigt ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform
der Speichereinrichtung 13 mit drei Kondensatoren 14a, 146 und 14c
Bei der Ausführungsform der F i g. 5 dienen Dioden 156, 15c, 15e und 15/ dazu, die Entladestrecke für die
Kondensatoren zu bilden und Dioden 15a und 15c/ dienen dazu, den Rückstrom zu sperren. Hierbei wird
die Spannung -r- E0 in jedem Kondensator 14a bis 14c
gespeichert Eine detaillierte Beschreibung des Aufbaus und der Arbeitsweise dieser Ausführungsform unterbleibt,
da sie für den Fachmann offensichtlich sind.
Fig.6 zeigt ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform
des Vertikalablenkkreises gemäß der Erfindung, in dem die gleichen Bezugsziffern und -symbole
wie in F i g. 3 die gleichen Elemente bezeichnen.
Bei der Ausführungsform der F i g. 6 ist die Speichereinrichtung 13, die dem die Ausgangsstufe 31 bildenden
Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang die Betriebsspannung zuführt in der folgenden Weise aufgebaut:
Eine Serienschaltung aus einem Kondensator 21a, einer
Diode 22a und einem Kondensator 216 ist parallel zu
den Transistoren Qu und Qm geschaltet, die einen
Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang bilden. Eine Diode 22b ist parallel zu der Serienschaltung der Diode
22a und des Kondensators 21 b geschaltet, und eine Diode 22c ist parallel zu der Serienschaltung des
Kondensators 21a und der Diode 22a geschaltet Die obigen Schaltungen sind mit der Vierschichttriode 11
und dem Kollektor des Transistors Qu über die Anschlüsse 20a bzw. 206 verbunden.
Bei dieser Ausführungsform dient die Diode 22a dazu, die Ladestrecke für die Kondensatoren 21a und 21 b zu
bilden, während die Dioden 226 und 22c dazu dienen, die
Entladestrecken für Ladungen zu bilden, die in den Kondensatoren 21a bzw. 21 b gespeichert sind.
Es wird nun die Arbeitsweise der in F i g. 6 gezeigten Ausführungsform beschrieben. Bei dieser Ausführungsform
wird ein Rücklaufimpuls an dem Verbindungspunkt In erzeugt und die Vierschichttriode wird
entsprechend dem Rücklaufimpuls geöffnet und gesperrt wie im Falle der Ausführungsform in Fig.3.
Während der Rücklaufperiode Tr bzw. während des Zeitintervalle, in dem die Vierschichttriode 11 offen ist,
erhält der Anschluß 20a die Spannung £0 der Spannungsquelle von dem Anschluß 33 und damit erhält
die Ausgangsstufe 31 die Spannung E0 über den Anschluß 206 und die Kondensatoren 21a und 21 b
werden mit der in F i g. 6 gezeigten Polarität geladen
und ihre Anschlußspannungen werden γ E0. Während
der Hinlaufperiode Ts bzw. des Zeitintervalls, in dem die
Vierschichttriode 11 gesperrt ist, wird die Spannung Eo
dem Anschluß 20a nicht zugeführt jedoch wird die
Spannung γ Eo, die in den Kondensatoren 21a und 216
gespeichert ist der Ausgangsstufe 31 zugeführt Dies bedeutet, daß die Ladung, die in dem Kondensator 21a
gespeichert ist. Ober die geschlossene Strecke aus dem Kondensator 21a dem Transistor Qu, dem Ablenkjoch
L, dem Kondensator C der Diode 226 und dem
Kondensator 21a entladen wird und die in dem Kondensator 216 gespeicherte Ladung über die
geschlossene Strecke aus dem Kondensator 216, der Diode 22c dem Transistor Qn, dem Ablenkjoch L, dem
Kondensator C und dem Kondensator 216 gespeichert
wird, um die Spannung γ Eo dem Kollektor des
Transistors Qn über den Anschluß 206 zuzuführen. Es ist
daher leicht verständlich, daß die Ausführungsform der Fig.6 wie diejenige der Fig.3 den Ablenkvorgang
erreicht und den Ausgangswirkungsgrad verbessert Hierbei ist es selbstverständlich möglich, daß η
Kondensatoren in Reihe geschaltet in dem Kreis 13
verwendet werden, um die Betriebsspannung - Eo in der
Hinlaufperiode zu erzeugen.
F i g. 7 zeigt ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, die die Spannung—E0 (bei der
gezeigten Ausführungsform j Eo) als Betriebsspannung
während der Hinlaufperiode Ts verwendet und die Betriebsspannung während der Rücklaufperiode Tr
größer als die Spannung E0 macht
In F i g. 7 stellen 25a und 256 weitere Dioden zum Sperren des Rückstroms und auch 25c eine Diode zum
Sperren des Rückstroms dar. Ein Kondensator 24 ist parallel zu der Serienschaltung der Dioden 25a und 256
geschaltet, um die in dem Kondensator 24 gespeicherte
Spannung der Spannung E0 der Spannungsquelle während der Rücklaufperiode Tr zu überlagern. Dies
bedeutet daß die Spannungen y Eo, auf die in den
Kondensatoren 21a und 216 während der Rücklaufperiode
Tr geladen werden, über den Transistor Qu während der Rücklaufperiode Ts und auch über die
Serienschaltung des Kondensators 24 und eines Widerstands 23 abgegeben wird, so daß der Kondensator
24 auf j Eo geladen wird. Die in dem Kondensator 24
gespeicherte Ladung wird über den Transistor <?n
während der Rücklaufperiode Tr entladen, so daß die Betriebsspannung, die dem Kollektor des Transistors
(?ii während der Rücklauf periode Tr zugeführt wird,
nahezu die Spannung £b der Spannungsquelle plus die
geladene Spannung ^ E0 in dem Kondensator 24
(= E0 + j E = j E0)
(= E0 + j E = j E0)
wird. Der Spannungsverlauf an dem Verbindungspunkt 111 ist in F i g. 8 gezeigt Die Ausführungsform der F i g. 7
kann daher den Ausgangswirkungsgrad verbessern.
Außerdem erhält bei der Ausführungsform der F i g. 7
die Steuerelektrode der Vierschichttriode 11 die Steuerspannung über einen Transformator 26; dies ist
ein Unterschied zwischen den Ausführungsformen der Fig.6 und 7. Der Transformator 26 hat eine
Primärwicklung 26a und eine Sekundärwicklung 266. Die Primärwicklung 26a ist parallel zum Ablenkjoch L
geschaltet, während die Sekundärwicklung 266 zwischen die Steuerelektrode und die Kathode der
Vierschichttriode 11 geschaltet ist
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. lilektronenstrahlablenkkreis für Femsehempiünger
und dergleichen, bestehend aus zwei als Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang geschalte- s
tea Transistoren, einer mit dem Ausgang des Verstärkers verbundenen Ablenkspule, einer Betriebsspannungsquelle
für den Verstärker, einer zwischen die Betriebsspannungsquells und den Verstärker geschalteten Schalteinrichtung, einer u
Laduiagsspeichereinrichtung zwischen der Scbalteinrichtiing
uod dem Verstärker, und einer Steuereinrichtung zur Erzeugung eines Steuersignals, das die
Schalteinrichtung während der Hinlaufperiode des Elektronenstrahls sperrt und während der Rücklauf-Periode
öffnet, dadurch gekennzeichnet, daß üe Schalteinrichtung {11} die Speichereinrichteng
(13) zur Entladung über den Verstärker (3t)
während der Hinlaufperiode von der Spannungs-Duelle (Ea) trennt und während der Rücklaufperiode
durch eine Spannungsübertragungsstrecke (L\) zu «lern Verstärker (31) überbrückt, und daß die
Speichereinrichtung (13) Kondensatoren (14a, 146, 14c-, 21a, 216/aufweist die während der Rücklaufperiode
durch erste Schalter (15a: 15a. 15/); 22a/ in 2s
Reihe und während der Hinlaufperiode durch zweite Schalter (156,15c; 15/?, 15c 15ί I5e; 226, 22c) parallel
geschaltet werden.
2. Ablenkkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schalter (15a bis 15e, 22a bis 22c-; lter Speichereinrichtung (13) Dioden sind.
3. Ablenkkreis nach Anspruch 1 oder 2. dadurch frekennzeichnet, daß die Speichereinrichtung (13)
\om Eingang zum Ausgang einen Längskondensator (14a,/, eine Querdiode (IScJl eine Längsdiode (15a/ 3$
tinen Querkondensator (146/ 'ind eine Längsdiode (!56/aufweist, wobei die in Längsrichtung liegenden
Elemente durch die Spannungsübertragungsstrecke /Li) überbrückt sind.
4. Ablenkkreis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsspeichereinrichtung
(13) zwischen dem Eingang und dem Ausgang einen Längskondensator (14c/ eine Querdiode (15e/
eine Längsdiode (15d/, eine mit der Spannungsübertragungsstrecke
(Li) verbundene Querdiode (15/?, 4s
einen Längskondensator (XAa), eine Querdiode (15c/
eine Längsdiode (15a/ einen Querkondensator (146/
und eine Längsdiode (156/ aufweist, wobei die Spannungsübertragungsstrecke ^Li) die Längselemente
überbrückt.
5. Ablenkkreis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Speichereinrichtung (13)
aus einer zu den Transistoren (Qw. Qn) des Gegentaktverstärkers (31) parallel geschalteten
Serienschaltung aus einem Kondensator (21a/ einer Diode (22a/ und einem Kondensator (2ib) und je
einer Diode (226, 22c/ parallel zu den beiden ersten bzw, zweiten Elementen der Serienschaltung besteht.
6. Ablenkkreis nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch einen Querwiderstand (23) und eine Längsdiode
(25a/ am Eingang, eine Längsdiodle (256/ am Ausgang der Speichereinrichtung (13) uowie einen
die Längselemente überbrückenden Kondensator (24).
Die Erfindung betrifft einen Elektronenstrahlablenkkreis
für Fernsehempfänger und dergleichen, bestehend aus zwei als Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang
geschalteten Transistoren, einer mit dem Ausgang des Verstärkers verbundenen Ablenkspule, einer Betriebsspannungsquelle
für den Verstärker, einer zwischen die Betriebsspannungsquelle und den Verstärker geschalteten
Schalteinrichtung, einer Ladungsspeichereinrichtung zwischen der Schalteinrichtung und dem Verstärker,
und einer Steueinrichtung zur Erzeugung eines Steuersignals, das die Schalteinrichtung während der
!Hinlaufperiode des Elektronenstrahls sperrt und während der Rücklaufperiode öffnet
Kn derartiger Ablenkkreis ist aus der DT-OS
21 31 107 bekannt Dieser Ablenkkreis hat zur Erzeugung des erforde-lidjen Ablenkstroms eine während
des Hinlaufs wirksame Niederspannungsquelle und eine während des Rücklaufs wirksame Hochspannungsquelle.
Zur Verbesserung der SrromweHenform ist ein Kondensator vorgesehen, der während eines Teils der
Rücklaufperiode eine zusätzliche Spannung liefert Durch dw notwendige Verwendung zweier Spannungsquellen ergibt sich ein relativ großer Schaltungsaufwand
und damit ein geringer Wirkungsgrad.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Ablenkkr?is der eingangs genannten Gattung derart zu
verbessern, daß bei Verwendung nur einer einzigen Spannungsquelle ein möglichst hoher Wirkungsgrad bei
geringem Schaltungsaufwand erzielt wird
Gelöst wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch, daß die Schalteinrichtung die Speichereinrichtung
zur Entladung über den Verstärker während der Hinlaufperiode von der Spannungsquelle trennt und
während der Rücklaufperiode durch eine Spannungsübertragungsstrecke zu dem Verstärker überbrückt und
daß die Speichereinrichtung Kondensatoren aufweist die während der Rücklaufperiode durch erste Schalter
in Reihe und während der Hinlaufperiode durch zweite Schalter parallel geschaltet werden. Aufgrund dieser
Ausbildung genügt die Verwendung nur einer Spannungsquelle, da die während der Hinlaufperiode
erforderliche niedrige Spannung in diesem Zeitraum von der Ladungsspeichereinrichtung geliefert wird.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der F i g. 1 bis 8 beispielsweise erläutert Es zeigt
F i g. I ein Schaltbild eines bekannten Ablenkkreises mit einer Ausgangsstufe in Form eines Gegentaktverstärkers
mit Eintaktausgang,
F i g. 2A bis 2C den Verlauf von Signalen zur Erläuterung der Arbeitsweise der Schaltung in F i g. 1,
F i g. 3 ein Schaltbild einer Ausführungsform eines Ablenkkreises gemäß der Erfindung,
Fig.4A bis 4F den Verlauf von Signalen zur Erläuterung der Arbeitsweise der Ausführungsform der
Erfindung in F i g. 3,
F i g. 5 ein Schaltbild eines Teils einer Abwandlung der Ausführungsform der Erfindung in F i g. 3,
Fig.6 und 7 Schaltbilder weiterer Ausführungsformen
von Ablenkkreisen gemäß der Erfindung und
Fig.8 einen Signalverlauf zur Erläuterung der Arbeitsweise der Ausführungsform der Erfindung in
Fig.7.
F i g. 1 zeigt einen Teil eines bekannten Vertikalablenkkreises mit einer Ausgangsstufe in Form eines
Gegentaktverstärkers mit Eintaktausgang. In der Figur ist mit 1 ein Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang
bezeichnet der zwei Transistoren Q\ und Q2 aufweist
die eine Ausgangsstufe bilden. Ein Treibersignal Si mil
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP881773 | 1973-01-19 | ||
JP1973008817U JPS5411778Y2 (de) | 1973-01-19 | 1973-01-19 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2402042A1 DE2402042A1 (de) | 1974-07-25 |
DE2402042B2 true DE2402042B2 (de) | 1977-02-17 |
DE2402042C3 DE2402042C3 (de) | 1977-10-06 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7400593A (de) | 1974-07-23 |
FR2214961B1 (de) | 1977-08-26 |
FR2214961A1 (de) | 1974-08-19 |
JPS49110521U (de) | 1974-09-20 |
IT1003445B (it) | 1976-06-10 |
US3921036A (en) | 1975-11-18 |
ES422429A1 (es) | 1976-08-01 |
SE394783B (sv) | 1977-07-04 |
ATA27774A (de) | 1978-04-15 |
CA999967A (en) | 1976-11-16 |
DE2402042A1 (de) | 1974-07-25 |
AU6419074A (en) | 1975-07-10 |
AU479462B2 (en) | 1976-12-15 |
BR7400384D0 (pt) | 1974-09-10 |
AT346931B (de) | 1978-12-11 |
NL184595B (nl) | 1989-04-03 |
NL184595C (nl) | 1989-09-01 |
GB1457548A (en) | 1976-12-01 |
JPS5411778Y2 (de) | 1979-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3109058A1 (de) | Oszillator | |
CH651985A5 (de) | Schaltung zur abgabe eines regulierten schlaufenstromes an eine 2-draht-teilnehmerleitung. | |
DE2255822A1 (de) | Treiberschaltung fuer eine licht emittierende diode | |
DE1472458A1 (de) | Leuchtschriftanlage | |
DE2416059C3 (de) | Schaltungsanordnung zum Erzeugen eines Ablenkstromes durch eine Spule für die Vertikal-Ablenkung in einer Bildwiedergaberöhre | |
DE2030547A1 (de) | Gleichspannungsregler mit mehreren Ausgangen | |
DE1588247A1 (de) | Impulsbreitenmoduliertes Schalt-Servoverstaerkersystem | |
DE2461401C2 (de) | Astabiler Multivibrator | |
DE2922219B2 (de) | Elektronischer Sensor-Ein/Aus-Schalter | |
DE2649937C3 (de) | Schaltungsanordnung in einer Bildwiedergabeanordnung zum Erzeugen eines sägezahnförmigen Ablenkstromes durch eine Zeilenablenkspule | |
DE3212072A1 (de) | Schaltungsanordnung zum erzeugen eines saegezahnfoermigen stromes | |
DE3615901A1 (de) | Geregeltes netzteil fuer videosichtgeraete | |
DE1085914B (de) | Transistorschaltung zum Zufuehren von Saegezahnstroemen an einen Belastungswiderstand | |
DE2700103C3 (de) | Zeilenablenkschaltungsanordnung zur Rasterkorrektur in der Zeilenrichtung | |
DE2364777C3 (de) | ||
DE2533599C3 (de) | Integrierbare Ablenk-Schaltungsanordnung | |
DE2364777B2 (de) | Elektronenstrahlablenkkreis fuer fernsehempfaenger | |
DE2402042B2 (de) | Elektronenstrahlablenkkreis fuer fernsehempfaenger | |
DE2614299B2 (de) | Schaltungsanordnung zum Erzeugen eines Ablenkstromes | |
DE3111115A1 (de) | "vertikalablenkschaltung" | |
DE2704707B2 (de) | Vertikalablenkschaltung für Fernsehempfänger mit Steuerung der Stromüberlappung geschalteter Ausgangsstufen | |
DE916561C (de) | Kippschaltung mit Mehrgitterroehre | |
DE1293205B (de) | Schaltungsanordnung zum Erzeugen kurzer Impulse mit steilen Flanken und veraenderbarer Breite | |
DE2402042C3 (de) | Elektronenstrahlablenkkreis für Fernsehempfänger | |
DE2943470C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 |