DE2402042B2 - Elektronenstrahlablenkkreis fuer fernsehempfaenger - Google Patents

Description

Sägezahnform, das synchron mit der Vertikalperiode ist wird einein Ausgangsanschluß 2 zugeführt, der an den Basen der Transistoren Qi und Qj vorgesehen ist um beide Transistoren zu schalten. Somit wird in bekannter Weise ober ein Ablenkjoch La das über einen S Kondensator C^an einen Verbinduogspunkt I₁ zwischen die Emitter der Transistoren Qi und Q₂ angeschlossen ist einsfigezahnförmiger Strom erzeugt

Wenn bei solch einem bekannten Vertikalablenkkreis die Emitterspannung an dem Verbkidungspunkt l_t betrachtet wird, ist sie während der Rücklaufperiode Tr ein Impuls, hat jedorh einen Verlauf, der während einer Hinlaufperiode ft linear abnimmt wie durch S₂ in Fig.2A gezeigt ist; dieser Spannungsverlauf wird bei jedem Haibbildmtervall erhalten. Hierbei ist die maximale Signalausgangsspannung E, die an dem Emitter des Transistors Qi «-halten wird, infolge des Schaltungsaufbaus, der Sättigungsspannung des Transistors Qi usw. etwas niederiger als die Energiequellenspannung Eo ist die auf einen Anschluß 3 gegeben wird. der mit dem Kollektor des Transistors Qt verbunden ist Da außerdem das sägezahnförmige Treibersignal Si, das in Fig. 2C gezeigt ist auf die Basis des Transistors Qi gegeben wird, wird der Transistor Qi während der Zeitperiode zwischen den Zeitpunkten ft und f₃ geöffnet. Wenn daher die in dem Transistor Qi verbrauchte elektrische Leistung berücksichtigt wird, ist ihre Spannungskomponente der in Fig.2A schraffierte trapezförmige Bereich.

Der durch den Transistor Qi zu dieser Zeit fließende Strom ist das /3-fache des Treibersignals Si, wobei β der Stromverstärkungsfaktor des Transistors Qi ist so daß die Stromkomponente der in dem Transistor Qi verbrauchten Leistung ein Strom S3 ist der dem Treibersignal 9| im Verlauf nahezu gleich ist wie schraffiert in Fig.2B gezeigt ist Daher ist der Leistungsverbrauch Pirn Transistor Qt das Produkt der Spannungskomponente, die schraffiert in Fig.2A gezeigt ist und der Stromkomponente, die schraffiert in F i g. 2B gezeigt ist.

Vom Betriebsstandpunkt aus wird nun der Transistor Qi zwischen den Zeitpunkten fi und /3 geöffnet wie die F i g. 2A bis 2C zeigen, jedoch tritt der Spannungsanteil, der in F i g. 2A durch eine gestrichelte Linir umgeben ist, an den Emittei des Transistors Qi nicht auf, sondern wird auf die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors Qi gegeben, d. h„ der obige Spannungsanteil ist eine nutzlose Spannung. Der Leistungsverbrauch infolge dieser nutzlosen Spannung in dem Transistor Qi ist somit ein nutzloser Leistungsverbrauch und darpit wird der Ausgangswirkungsgrad des bekannten Vertikalablenkkreises verringert.

Anhand der F i g. 3 wird nun eine Ausführungsform des Vertikalablenkkreises gemäß der Erfindung beschrieben.

Bei der Ausführungsform der Fig.3 besteht ein Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang, der eine Ausgangsstufe 31 bildet, aus zwei Transistoren Qn und Qi₂-Da die Transistoren Qu und Q12 bei dieser Ausführungsform komplementär sind, ist ein gemeinsamer Eingangsanschluß 32 an den Basen der Transistoren Qn und Q12 vorgesehen. Ein sägezahnförmiges Treibersignal Si wird auf den Eingangsanschluß 32 gegeben, um die Transistoren Qn und Qi 2 abwechselnd zu öffnen und zu sperren. An einem Verbindungspunkt In zwischen den Emittern der beiden Transistoren Qn und Q12 ist eine Reihenschaltung eines Ablenkjochs L und eines Kondensators C angeschlossen. Dadurch fließt ein sägezahnformiger Ablenkstrom durch das Ablenkjoch L, das im wesentlichen das gleiche wie beim Stand dei Technik ist An einen Spannungsquellenanschluß 33 tsi über eine Strecke m eine Schaltvorrichtung 11 wie eir Transistor, ein Thyristor, eine Vierschichttriode odei dergleichen in Reihe angeschlossen, um der Ausgangs stufe 31 intermittierend eine Spannung Eo der Span nungsquelle zuzufahren. Die Steuerelektrode dei Schaltvorrichtung 11 ist an den Verbindungspunkt Ii nötigenfalls über einen Differenzierkreis 12 angeschlos sen, um mit einem Spannungsimpuls, der an den Ablenkjoch L erzeugt wird, versorgt und damit von dei Impulsspannung in den Leitfähigkeitszustand gesteuer zu werden. Bei der gezeigten Ausführungsform ist ein« Vierschichttriode als Schaltvorrichtung 11 verwendet

Zwischen die Vierschichttriode 11 und den Kollektoi des Transistors Qn ist eine Speichereinrichtung Ic geschaltet um die Betriebsspannung für die Ausgangs stufe 31 des Gegentaktverstärkers mit Eintaktausgan§ während der Hinlaufperiode Ts zu bestimmen. Di« Speichereinrichtung 13 dient dazu, eine Spannung

(wobei η eine positive ganze Zahl ist) aus der Spannung £0 der Spannungsquelle zu erzeugen. Hierzu hat die Speichereinrichtung 13 mehrere Kondensatoren 14a 146,.., die in Reihe oder parallel zueinander geschaltet werden. Bei der gezeigten Ausführungsform wird die Betriebsspannung zu

gewählt so daß nur zwei Kondensatoren 14a und 14f verwendet werden. In der Einrichtung 13 sind Dioden 15a und 156 zum Sperren des Rückstroms verwende) und eine Diode 15c, die an ein Ende des Kondensators 14a angeschlossen ist und eine Leitung Li, die parallel zu der Serienschaltung des Kondensators 14a und der Dioden 15a und t5b geschaltet ist, bilden einen Entladeweg für den Kondensator 14a.

Einem Anschluß 17, der von der Kathode der Diode 156 über eine Diode 16 herausgeführt ist wird eine Treiberspannung Es zugeführt Die Treiberspannung Ei ist niedriger als die Spannung Eo gewählt um die Diode 16 während des Betriebs des Vertikalablenkkreises zu sperren, so daß der Anschluß 17 von der Ausgangsstufe 31 getrennt wird und die Einrichtung 13 keinen EinfluG auf den Ablenkvorgang hat. Eine Spule 18, die an die Anode der Vierschichttriode 11 angeschlossen ist wird verwendet, um die Ladezeitkonstante der Kondensatoren 14a und Hb während des offenen Zustands dei Vierschichttriode 11 lang zu machen. In Fig.3 bezeichnen 20a und 206 Anschlüsse des Kreises 13.

Es wird nun anhand der Fig.4A bis 4F die Arbeitsweise des in F i g. 3 gezeigten Kreises beschrieben.

Wenn ein Treibersignal Si,das in Fig.4A gezeigt ist auf den Anschluß 32 gegeben wird, wird der Transistoi Qu während des positiven Intervalls des Treibersignals Si geöffnet und der Transistor Qi₂ wird während des negativen Intervalls des Treibersignals Si geöffnet. Im Steuerzustand des Ablenkkreises ist die Vierschichttriode 11 gesperrt Wenn z. B. die Steuerspannung £san den Anschluß 17 zum Zeitpunkt to angelegt wird, fließt, da der Transistor Qi 1 offen ist, ein Strom S3 in Übereinstimmung mit dem Treibersignal Si, wie F i g. 4B zeigt, durch

den Kreis aus dem Transistor Qn, dem Ablenkjoch L und dem Kondensator C und der Kondensator C wird durch diesen Ström entladen. Wenn das Treibersignal S\ zum Zeitpunkt fe negativ wird, wird der Transistor Qi ι gesperrt, jedböh der Transistor Q^ geöffnet Daher wird die in dem Kondensator C gespeicherte Ladung über denlCreis<les Transistors Qi₂ entladen und damit fließt ein Ström &, wie F i g. 4C zeigt, durch den Transistor Qu und ein Strom, der in der Polarität umgekehrt wie derjenige ist, der fließt, wenn der Transistor Qi ι offen ist (unter Bezugnahme auf den Pfeil 6 in F i g. 3) fließt durch das Ablenkjoch L Dieser Strom nimmt mit der Zeit zu.

Zum Zeitpunkt t\ wird der Transistor Qn durch das Treibersignal Si gesperrt, der Transistor Qn wird jedoch wiederum von dem Treibersignal S\ geöffnet und der Emitterstrom versucht, durch diesen Transistor zu fließen. Zu diesem Zeitpunkt fließt jedoch der Rückstrom durch das Ablenkjoch L, so daß der Transistor Qn gesperrt wird. Der durch das Ablenkjoch L fließende Strom lädt daher einen Streukondensator C", der parallel zu dem Ablenkjoch L vorhanden ist, wie durch eine gestrichelte Linie in F i g. 3 gezeigt ist, und fließt auch durch den Transistor Qn in umgekehrter Richtung. Dadurch nimmt die Emitterspannung des Transistors Qn abrupt zu und erzeugt einen Spannungsimpuls, der ein Rücklaufimpuls ist. Die Impulsbreite des Rücklaufimpulses wird von einem Resonanzkreis bestimmt, der aus dem Ablenkjoch L und dem Kondensator gebildet wird, der dazu parallel geschaltet ist und den Streukondensator C umfaßt. Dadurch wird die Rücklaufperiode Tr zwischen den Zeitpunkten t\ und h bestimmt. Da die Impulsspannung höher als die Kollektorspannung des Transistors Qn ist, wird die Impulsspannung über den Differenzierkeis 12 an die Steuerelektrode der Vierschichttriode 11 angelegt, um diese zu öffnen. Somit wird die Spannung £b der Spannungsquelle auf den Kollektor des Transistors Qn gegeben, um seine Kollektorspannung zu Eo zu machen, wie durch 5β in F i g. 4E gezeigt ist. und die Kondensatoren 14a und 146 sind über die Vierschichttriode 11 an den Anschluß 33 in Reihe angeschlossen und daher wird jeder der Kondensatoren 14a und 146 auf eine Spannung aufgeladen, die die in F i g. 3 gezeigte Polarität hat. Die Rücklaufimpuisspannung steigt auf die Spannung Eo an, d. h. die Spannung an dem Verbindungspunkt In wird Eo, wie durch Si in F i g. 4F gezeigt ist. Nachdem die Kondensatoren 14a und 14fr geladen sind, wie oben erwähnt wurde, wird die Steuerspannung Es infoige der Inbetriebnahme der Diode 16 vor dem Kreis abgeschaltet

Das Zeitintervall, während dem die Vierschichttriode 11 offen ist, tritt zwischen den Zeitpunkten Λ und /? auf, während die Rücklaufimpulsspannung erzeugt wird. Nach dem Zeitpunkt fe, zu dem die Emitterspannung des Transistors Qn verringert wird, wird die Emitterspannung des Transistors Qt 1 niedriger als seine Koflektorspannung und die Steuerelektrodenspannung der Vierschichttriode 11 wird niedriger als ihre Kathodenspannung, so daß die Vierschichttriode gesperrt wird und damit die Zufuhr der Spannung E₀ unterbrochen wird. Das Signal Ss in Fig.4D zeigt den Strom, der durch die Vierschichttriode il fließt Da der Transistor Qn während des Zeitintervalls zwischen den Zeitpunkten h und f] offen ist werden die Spannungen j E₀, die in den Kondensatoren 14a bzw. 146 gespeichert sind, über den Kreis aus dem Kondensator 14a den Transistor Qi _t. dem Ablenkjoch L dem Kondensator C der Diode 15c und dem Kondensator 14a bzw. den Kreis aus dem Kondensator 146, der Diode 156, dem Transistor Qn, dem Ablenkjoch L, dem Kondensator C und dem Kondensator 146 entladen. Hierbei sind die Entladungen der Kondensatoren 14a und 146 parallele Entladungen, so daß die dem Kollektor des Transistors Qn zugeführte Spannung nicht die Spannung E₀; sondern die Ladespannung der Kondensatoren 14a und

146, nämlich ₂ E₀ ist Somit hat die Kollektorspannung des Transistors Qn den in Fig.4E gezeigten Verlauf. Während des Zeitintervalls von dem Zeitpunkt fj bis zu dem Zeitpunkt u, zu dem der Transistor Qn wieder geöffnet wird, ist der Transistor Qi₂ offen und die obenerwähnten Entladungskreise werden nicht gebildet, so daß die Kollektorspannung des Transistors Qn auf einem nahezu konstanten Wert gehalten werden,

der etwas niedriger als -^ Eo ist

Selbst wenn die Vierschichttriode 11 gesperrt wird und die Zufuhr der Spannung Eo der Spannungsquelle unterbrochen wird, wie oben beschrieben wurde, erhält der Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang der Ausgangsstufe 31 das Betriebsspannungssignal von

nahezu y Eo und damit nimmt die Spannung Sr an dem Emitter des Transistors Qn, d. h. an dem Verbindungspunkt In. wie Fig.4F zeigt infolge des Spannungsabfalls allmählich ab, der von dem Stromfluß durch die Widerstandskomponente des Ablenkjochs L oder dem Strom S3 durch den Transistor Qi 1 hervorgerufen wird.

Wenn hierbei der Leistungsverbrauch P in dem Transistor Qn berücksichtigt wird, ist seine Spannungskomponente im wesentlichen der in Fig.4F schraffiert gezeigte dreieckige Teil. Diese Spannungskomponente entspricht dem dreieckigen Teil der schaffierten Spannungskomponente der F i g. 2A, die von dem Signal 52 und der Spannung Ed zwischen den Zeitpunkten h und T₃ umgeben ist die bei dem in F i g. 1 gezeigten

Stand der Technik auftreten. Es ist daher leicht verständlich, daß der Leistungsverbrauch P in dem Transistor Qn bei der Erfindung, der als das Produkt der oben erwähnten verbrauchten Spannungskomponente und der verbrauchten Stromkomponente in Fig.4B

schraffiert gezeigt ist (entsprechend dem schraffierten Teil der F i g. 2B) im Vergleich zum Stand der Technik stark vermindert ist Dies bedeutet daß durch die Erfindung die nutzlose Spannungskomponente, die durch die gestrichelte Schraffur in Fig.4F gezeigt ist

die der nutzlosen Spannungskomponente entspricht die durch den gestrichelten Block in Fig.2A des Standes der Technik gezeigt ist beseitigt wird. Daher kann durch die Erfindung der Gesamtleistungsverbrauch verringert und damit der Ausgangs-wirkungsgrad verbessert werden.

Bei der in F i g. 3 gezeigten Ausführungsform ist die Betriebsspannung für dem Gegentaktverstärker 31 mit Eintaktausgang durch die Verwendung der beiden Kondensatoren 14a und 146 in dem Betricbsspannungserzeugungskreis 13 während der Rücklaufperiode j E₀.

Die Erfindung ist jedoch nicht auf die Ausführungsform der Fig.3 beschränkt sondern es können z.B. η Kondensatoren verwendet werden, um eine Betriebs-

- spannung von- Eo in der obenerwähnten Weise zu

erzeugen. Außerdem ist es zweckmäßig, zur Verringerung der Rücklaufperiode Tr ohne Verrinserune des

Ausgangswirkungsgrads die Betriebsspannung im Vergleich zu der Spannung £ö der Spannungsquelle klein zu machen.

Fig.5 zeigt ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der Speichereinrichtung 13 mit drei Kondensatoren 14a, 146 und 14c

Bei der Ausführungsform der F i g. 5 dienen Dioden 156, 15c, 15e und 15/ dazu, die Entladestrecke für die Kondensatoren zu bilden und Dioden 15a und 15c/ dienen dazu, den Rückstrom zu sperren. Hierbei wird

die Spannung -r- E₀ in jedem Kondensator 14a bis 14c

gespeichert Eine detaillierte Beschreibung des Aufbaus und der Arbeitsweise dieser Ausführungsform unterbleibt, da sie für den Fachmann offensichtlich sind.

Fig.6 zeigt ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform des Vertikalablenkkreises gemäß der Erfindung, in dem die gleichen Bezugsziffern und -symbole wie in F i g. 3 die gleichen Elemente bezeichnen.

Bei der Ausführungsform der F i g. 6 ist die Speichereinrichtung 13, die dem die Ausgangsstufe 31 bildenden Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang die Betriebsspannung zuführt in der folgenden Weise aufgebaut: Eine Serienschaltung aus einem Kondensator 21a, einer Diode 22a und einem Kondensator 216 ist parallel zu den Transistoren Q_u und Qm geschaltet, die einen Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang bilden. Eine Diode 22b ist parallel zu der Serienschaltung der Diode 22a und des Kondensators 21 b geschaltet, und eine Diode 22c ist parallel zu der Serienschaltung des Kondensators 21a und der Diode 22a geschaltet Die obigen Schaltungen sind mit der Vierschichttriode 11 und dem Kollektor des Transistors Qu über die Anschlüsse 20a bzw. 206 verbunden.

Bei dieser Ausführungsform dient die Diode 22a dazu, die Ladestrecke für die Kondensatoren 21a und 21 b zu bilden, während die Dioden 226 und 22c dazu dienen, die Entladestrecken für Ladungen zu bilden, die in den Kondensatoren 21a bzw. 21 b gespeichert sind.

Es wird nun die Arbeitsweise der in F i g. 6 gezeigten Ausführungsform beschrieben. Bei dieser Ausführungsform wird ein Rücklaufimpuls an dem Verbindungspunkt In erzeugt und die Vierschichttriode wird entsprechend dem Rücklaufimpuls geöffnet und gesperrt wie im Falle der Ausführungsform in Fig.3. Während der Rücklaufperiode Tr bzw. während des Zeitintervalle, in dem die Vierschichttriode 11 offen ist, erhält der Anschluß 20a die Spannung £0 der Spannungsquelle von dem Anschluß 33 und damit erhält die Ausgangsstufe 31 die Spannung E₀ über den Anschluß 206 und die Kondensatoren 21a und 21 b werden mit der in F i g. 6 gezeigten Polarität geladen

und ihre Anschlußspannungen werden γ E₀. Während

der Hinlaufperiode Ts bzw. des Zeitintervalls, in dem die Vierschichttriode 11 gesperrt ist, wird die Spannung Eo dem Anschluß 20a nicht zugeführt jedoch wird die

Spannung γ Eo, die in den Kondensatoren 21a und 216

gespeichert ist der Ausgangsstufe 31 zugeführt Dies bedeutet, daß die Ladung, die in dem Kondensator 21a gespeichert ist. Ober die geschlossene Strecke aus dem Kondensator 21a dem Transistor Qu, dem Ablenkjoch L, dem Kondensator C der Diode 226 und dem Kondensator 21a entladen wird und die in dem Kondensator 216 gespeicherte Ladung über die geschlossene Strecke aus dem Kondensator 216, der Diode 22c dem Transistor Qn, dem Ablenkjoch L, dem Kondensator C und dem Kondensator 216 gespeichert

wird, um die Spannung γ Eo dem Kollektor des

Transistors Q_n über den Anschluß 206 zuzuführen. Es ist daher leicht verständlich, daß die Ausführungsform der Fig.6 wie diejenige der Fig.3 den Ablenkvorgang erreicht und den Ausgangswirkungsgrad verbessert Hierbei ist es selbstverständlich möglich, daß η Kondensatoren in Reihe geschaltet in dem Kreis 13

verwendet werden, um die Betriebsspannung - Eo in der

Hinlaufperiode zu erzeugen.

F i g. 7 zeigt ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, die die Spannung—E₀ (bei der

gezeigten Ausführungsform j Eo) als Betriebsspannung während der Hinlaufperiode Ts verwendet und die Betriebsspannung während der Rücklaufperiode Tr größer als die Spannung E₀ macht

In F i g. 7 stellen 25a und 256 weitere Dioden zum Sperren des Rückstroms und auch 25c eine Diode zum Sperren des Rückstroms dar. Ein Kondensator 24 ist parallel zu der Serienschaltung der Dioden 25a und 256 geschaltet, um die in dem Kondensator 24 gespeicherte Spannung der Spannung E₀ der Spannungsquelle während der Rücklaufperiode Tr zu überlagern. Dies

bedeutet daß die Spannungen y Eo, auf die in den

Kondensatoren 21a und 216 während der Rücklaufperiode Tr geladen werden, über den Transistor Qu während der Rücklaufperiode Ts und auch über die Serienschaltung des Kondensators 24 und eines Widerstands 23 abgegeben wird, so daß der Kondensator 24 auf j Eo geladen wird. Die in dem Kondensator 24

gespeicherte Ladung wird über den Transistor <?n während der Rücklaufperiode Tr entladen, so daß die Betriebsspannung, die dem Kollektor des Transistors (?ii während der Rücklauf periode Tr zugeführt wird, nahezu die Spannung £b der Spannungsquelle plus die

geladene Spannung ^ E₀ in dem Kondensator 24
(= E_{0 +} j E = j E₀)

wird. Der Spannungsverlauf an dem Verbindungspunkt 111 ist in F i g. 8 gezeigt Die Ausführungsform der F i g. 7 kann daher den Ausgangswirkungsgrad verbessern.

Außerdem erhält bei der Ausführungsform der F i g. 7 die Steuerelektrode der Vierschichttriode 11 die Steuerspannung über einen Transformator 26; dies ist ein Unterschied zwischen den Ausführungsformen der Fig.6 und 7. Der Transformator 26 hat eine Primärwicklung 26a und eine Sekundärwicklung 266. Die Primärwicklung 26a ist parallel zum Ablenkjoch L geschaltet, während die Sekundärwicklung 266 zwischen die Steuerelektrode und die Kathode der Vierschichttriode 11 geschaltet ist

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche:

1. lilektronenstrahlablenkkreis für Femsehempiünger und dergleichen, bestehend aus zwei als Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang geschalte- s tea Transistoren, einer mit dem Ausgang des Verstärkers verbundenen Ablenkspule, einer Betriebsspannungsquelle für den Verstärker, einer zwischen die Betriebsspannungsquells und den Verstärker geschalteten Schalteinrichtung, einer u Laduiagsspeichereinrichtung zwischen der Scbalteinrichtiing uod dem Verstärker, und einer Steuereinrichtung zur Erzeugung eines Steuersignals, das die Schalteinrichtung während der Hinlaufperiode des Elektronenstrahls sperrt und während der Rücklauf-Periode öffnet, dadurch gekennzeichnet, daß üe Schalteinrichtung {11} die Speichereinrichteng (13) zur Entladung über den Verstärker (3t) während der Hinlaufperiode von der Spannungs-Duelle (Ea) trennt und während der Rücklaufperiode durch eine Spannungsübertragungsstrecke (L\) zu «lern Verstärker (31) überbrückt, und daß die Speichereinrichtung (13) Kondensatoren (14a, 146, 14c-, 21a, 216/aufweist die während der Rücklaufperiode durch erste Schalter (15a: 15a. 15/); 22a/ in 2s Reihe und während der Hinlaufperiode durch zweite Schalter (156,15c; 15/?, 15c 15ί I5e; 226, 22c) parallel geschaltet werden.

2. Ablenkkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalter (15a bis 15e, 22a bis 22c-; lter Speichereinrichtung (13) Dioden sind.

3. Ablenkkreis nach Anspruch 1 oder 2. dadurch frekennzeichnet, daß die Speichereinrichtung (13) \om Eingang zum Ausgang einen Längskondensator (14a,/, eine Querdiode (IScJl eine Längsdiode (15a/ 3$ tinen Querkondensator (146/ 'ind eine Längsdiode (!56/aufweist, wobei die in Längsrichtung liegenden Elemente durch die Spannungsübertragungsstrecke /Li) überbrückt sind.

4. Ablenkkreis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsspeichereinrichtung (13) zwischen dem Eingang und dem Ausgang einen Längskondensator (14c/ eine Querdiode (15e/ eine Längsdiode (15d/, eine mit der Spannungsübertragungsstrecke (Li) verbundene Querdiode (15/?, 4s einen Längskondensator (XAa), eine Querdiode (15c/ eine Längsdiode (15a/ einen Querkondensator (146/ und eine Längsdiode (156/ aufweist, wobei die Spannungsübertragungsstrecke ^Li) die Längselemente überbrückt.

5. Ablenkkreis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Speichereinrichtung (13) aus einer zu den Transistoren (Qw. Qn) des Gegentaktverstärkers (31) parallel geschalteten Serienschaltung aus einem Kondensator (21a/ einer Diode (22a/ und einem Kondensator (2ib) und je einer Diode (226, 22c/ parallel zu den beiden ersten bzw, zweiten Elementen der Serienschaltung besteht.

6. Ablenkkreis nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch einen Querwiderstand (23) und eine Längsdiode (25a/ am Eingang, eine Längsdiodle (256/ am Ausgang der Speichereinrichtung (13) uowie einen die Längselemente überbrückenden Kondensator (24).

Die Erfindung betrifft einen Elektronenstrahlablenkkreis für Fernsehempfänger und dergleichen, bestehend aus zwei als Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang geschalteten Transistoren, einer mit dem Ausgang des Verstärkers verbundenen Ablenkspule, einer Betriebsspannungsquelle für den Verstärker, einer zwischen die Betriebsspannungsquelle und den Verstärker geschalteten Schalteinrichtung, einer Ladungsspeichereinrichtung zwischen der Schalteinrichtung und dem Verstärker, und einer Steueinrichtung zur Erzeugung eines Steuersignals, das die Schalteinrichtung während der !Hinlaufperiode des Elektronenstrahls sperrt und während der Rücklaufperiode öffnet

Kn derartiger Ablenkkreis ist aus der DT-OS 21 31 107 bekannt Dieser Ablenkkreis hat zur Erzeugung des erforde-lidjen Ablenkstroms eine während des Hinlaufs wirksame Niederspannungsquelle und eine während des Rücklaufs wirksame Hochspannungsquelle. Zur Verbesserung der SrromweHenform ist ein Kondensator vorgesehen, der während eines Teils der Rücklaufperiode eine zusätzliche Spannung liefert Durch dw notwendige Verwendung zweier Spannungsquellen ergibt sich ein relativ großer Schaltungsaufwand und damit ein geringer Wirkungsgrad.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Ablenkkr?is der eingangs genannten Gattung derart zu verbessern, daß bei Verwendung nur einer einzigen Spannungsquelle ein möglichst hoher Wirkungsgrad bei geringem Schaltungsaufwand erzielt wird

Gelöst wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch, daß die Schalteinrichtung die Speichereinrichtung zur Entladung über den Verstärker während der Hinlaufperiode von der Spannungsquelle trennt und während der Rücklaufperiode durch eine Spannungsübertragungsstrecke zu dem Verstärker überbrückt und daß die Speichereinrichtung Kondensatoren aufweist die während der Rücklaufperiode durch erste Schalter in Reihe und während der Hinlaufperiode durch zweite Schalter parallel geschaltet werden. Aufgrund dieser Ausbildung genügt die Verwendung nur einer Spannungsquelle, da die während der Hinlaufperiode erforderliche niedrige Spannung in diesem Zeitraum von der Ladungsspeichereinrichtung geliefert wird.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der F i g. 1 bis 8 beispielsweise erläutert Es zeigt

F i g. I ein Schaltbild eines bekannten Ablenkkreises mit einer Ausgangsstufe in Form eines Gegentaktverstärkers mit Eintaktausgang,

F i g. 2A bis 2C den Verlauf von Signalen zur Erläuterung der Arbeitsweise der Schaltung in F i g. 1,

F i g. 3 ein Schaltbild einer Ausführungsform eines Ablenkkreises gemäß der Erfindung,

Fig.4A bis 4F den Verlauf von Signalen zur Erläuterung der Arbeitsweise der Ausführungsform der Erfindung in F i g. 3,

F i g. 5 ein Schaltbild eines Teils einer Abwandlung der Ausführungsform der Erfindung in F i g. 3,

Fig.6 und 7 Schaltbilder weiterer Ausführungsformen von Ablenkkreisen gemäß der Erfindung und

Fig.8 einen Signalverlauf zur Erläuterung der Arbeitsweise der Ausführungsform der Erfindung in Fig.7.

F i g. 1 zeigt einen Teil eines bekannten Vertikalablenkkreises mit einer Ausgangsstufe in Form eines Gegentaktverstärkers mit Eintaktausgang. In der Figur ist mit 1 ein Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang bezeichnet der zwei Transistoren Q\ und Q₂ aufweist die eine Ausgangsstufe bilden. Ein Treibersignal Si mil