DE2363279A1 - Funktionselemente - Google Patents
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Description
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' ; „-„-VW
r 2οΰ3δθ9
MATSffSHITA BIiECOSIG INDUSTBIAL CO., 133).
Osaka, Japan
Funk ti ο nse lerne nte
Die Erfindung bezieht sich auf ein Funktionselement, dessen
Funktion sich in Abhängigkeit von äußeren Be trieb sfäk tore n wie
beispielsweise Elektrizität, Magnetismus, Iiicht, Druck, Temperatur
usw. ändert, und auf ein Verfahren zu dessen Herstellung.
In den Zeichnungen zeigenj
Ilg. 1 eine Darstellung zur Erläuterung der Trägerbewegung
in einer organischen Substanz»
Fig. 2 eine Dstailansieht zu ELg. "1»
Fig. 3 eine Ladungs-Spannungs-Kennlinie für .eine Ausführungsform
der Erfindung» und
Fig. 4 und 5 To rde ran sich te η des Geräts zur Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens in Schnittdarstellung,
ETach dem Stand der Technik sind organische Substanzen mit
ausgeprägter Elektronenleitung bekannt und. es irurden verschiedene
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JAL INSPECTED
Eigenschaften dieser Substanzen gemessen. Doch ist die Trägerbeweglichkeit
"bei diesen organischen Substanzen geringer als in anorganischen
Kristallen. Der Hauptgrund dafür ist. in Unregelmäßigkeiten in
der Struktur der organischen Substanzen zu erblicken und es ist sehr schwierig, organische Substanzen ohne Struktur defekte zu erzeugen.
He s ist thermodynamisch zu erklären. Die Eri stalli sationsenthalpie
eines molekularen Fe ststof fs ist im Vergleich zum Pail einer ein- ·
fachen kovalenten Bindung oder lonenbindung oder zum Pail eines
metallischen Peststoffs äußerst klein, da sie auf relativ schwachen
van der Waalsschen Kräften beruht. Da demgegenüber die pro kristallisierbarer
Einheit für die Kristallisation erforderliche Enthalpie
gleich der für den Fall der einfachen kovalenten Bindung, der Ionen— bindung oder des metallischen Feststoffs oder oftmals sogar größer
ist als diese, ist die freie Netto energie für die Kristallisation
pro Kris tall einheit bei einem molekularen Peststoff meistens sehr
gering und es treten daher Unregelmäßigkeiten ein. Es wird davon
ausgegangen, daß das Auftreten starker elektronischer Eigenschaf ten
bei organischen Substanzen mit die ser Charakteristik quantendynamisch
eine starke und abgestimmte Bahnhybridi sie rung zwisenen den
Molekülen hervorruft. Die Hauptfaktoren für die Zunahme dieser Bahnüberdeckung sind der Coulomb-Effekt und die Austauschwirkung. Den
Coulomb-Effekt führt man auf den Mechanismus der Elektronenabgabe und -aufnahme zurück und Beispiele für diesen Effekt sind der
Ladungsübe rtragungskomple χ und sein dipolinduzierter Dipol, der
Ionendipoleffekt und ähnliche Effekte. Bei der Austauschwirkung handelt
es sich um einen Effekt der Hybridisierung der gesonderten
Molekül ar zu stände und der Ausdehnung de s Energiebande s.
Wie in Fig. Ί gezeigt ist, finden sich in einer organischen Substanz 1 Bezirke 2, in denen sich die Träger"be we gen können, bis
sie eingefangen werden, und in diesen Bezirken gibt es den Trägern
zugeordnete Teile 3j zwischen denen die Träger durch Tunnelung oder
Sprung übergehen. Im allgemeinen hat der den Trägern zugeordnete
ο Teil in der Kristall fläche eine Größe von 5 bis 100 A. Der Bereich 2
zwischen diesen zugeordneten Teilen, der von den Trägern übersprungen
wird, ist ein amorpher Bereich. Der Bereich 2·, in dem sieh die
Träger bewegen können, wird als "Bezirk" bezeichnet, und seine Größe
hängt
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hängt von der Art der organischen Sub stanz ab und kann mitunter bis
zu einigen Mikron betragen.
Es wurde festgestellt, daß eine Austauschwirkung oder Wechselwirkung
eintritt, wenn an dem Bezirk 2 einer organischen Substanz anorganische !!teilchen 4 vorhanden sind.
In Fig. 2 entspricht der Abstand zwischen den anorganischen Teilchen 4 der Größe des genannten Bezirks und seine Größe "belauft
sich daher höchstens auf einige Kikron. Zur Hervorbringung eines makroskopisch feststellbaren Einflusses der Austauschwirkung und
der Wechselwirkung sollen die anorganischen Teilchen vorzugsweise die gleiche Größe haben wie die Bezirke.
Die Erfindung hat zur Aufgabe , ein Punktionselement zu
schaffen, dessen Funktion sich in Abhängigkeit von äußeren Betriebsfaktoren wie beispielsweise Elektrizität, Magnetismus, Licht, Druck,
Temperatur uswo ändert, indem in die organische Substanz in diesem
Sinne wirksame anorganische Teilchen eingebracht werden.
Die Funktion des erfindungsgemäßen Punktionselements ändert sich im Ansprechen auf äußere Betriebsfaktoren wie beispielsweise
Elektrizität, Magnetismus, Licht, Druck, Temperatur usw. und dieses
Element kann daher auf den verschiedensten Gebieten eingesetzt werden.
Es soll nun die makroskopisch in Erscheinung tretende Funktion erörtert werden, also die Wirkweise des erfindungsgemäßen Elements.
Die Funktionen des e rf in dungs ge mäßen Elements erstrecken
sich auf die Möglichkeit der mühelosen Umwandlung in eine magnetische
Substanz durch Anlegen eines Hagnetfeldes, den magnetischen Widerstandseffekt, den Druckeffekt, den photoelektrischen Effekt,
den elektrischen Widerstandseffekt, den Lumineszenzeffekt, den pyroelektrischen
Effekt, den Polarisierbarkeitseffekt, den Lichtabsorptionseffekt
usw.
Verwendet man für die anorganischen Teilchen beispielsweise ein Ferroelektrikum oder ein Dielektrikum mit hoher Dielektrizitätskonstante,
so ändert sich beim Anlegen eines äußeren elektrischen
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sehen Feldes die Polarisation der organischen Substanz und der Grad
der Doppelbrechung oder die Lichtabsorption können verändert werden.
Handelt es sich bei den anorganischen teilchen um eine Substanz mit
Elektrostriktionseffekt, so kann die Leitfähigkeit durch ein äußeres
elektrisches Feld indirekt verändert werden. Auch besteht eine Wechselwirkung
zwischen den Wellenfunktionen der Elektronen der anorganischen Teilchen und der organischen Substanz und es tritt eine Injektion
und Absorption von Trägern ein, wodurch eine makroskopische Änderung
in der Leitfähigkeit bewirkt wird, oder es wird infolge des photoelektrischen Effekts und,des Lumineszenzeffekts der anorganischen
Teilchen ein photoelektrischer Effekt und Lumineszenzeffekt
der organischen Substanzen hervorgerufen, wobei die synergetische
Wirkung makroskopisch wahrzunehmen ist. Ferner kann durch Verwendung
einer magnetischen Substanz für die anorganischen Teilchen eine Änderung im magnetischen !foment der Elektronen oder Atome in der organischen
Substanz oder eine Änderung im magnetischen Widerstand infolge
des Halleffekts der Träger hervorgerufen werden. Wie bereits erwähnt
wurde, ist die Au stau sch wirkung und Wechselwirkung zwischen den anorganischen
Teilchen und der organischen Substanz dann am ausgeprägtesten,· wenn die Größe der anorganischen Teilchen geringer ist als die
der Bezirke der organischen Substanz, und die erwünschten Wirkungen sind makroskopisch nicht mehr feststellbar, wenn die Teilchengröße
der anorganischen Substanz die Größe der Bezirke überschreitet.
Die bevorzugten Verfahrensweisen zum Einbringen solcher anorganischer
Teilchen in organische Substanzen, deren Teilchengröße ähnlich jener der Bezirke ist, sind die Terdampfung, die Zerstäubung,
die Glimmentladung und das chemische Anwachsen in der Dampfphase .
Zur Einbringung feinerer anorganischer Teilchen in eine organische Substanz, nämlich in einer Teilchengröße von der Größe der Ionen bis
ο
zu einigen hundert A oder mehr, sind ferner vor allem die Methode der Vakuumverdampfung sowie eine Verfahrensweise zu bevorzugen, die darin besteht, daß in einer Gasatmosphäre bei geringem Druck eine Entladungspolymeri sation der organischen Substanz bei gleichzeitiger Verdampfung der anorganischen Substanz vorgenommen wird.
zu einigen hundert A oder mehr, sind ferner vor allem die Methode der Vakuumverdampfung sowie eine Verfahrensweise zu bevorzugen, die darin besteht, daß in einer Gasatmosphäre bei geringem Druck eine Entladungspolymeri sation der organischen Substanz bei gleichzeitiger Verdampfung der anorganischen Substanz vorgenommen wird.
Bedient man sich der Zerstäubung oder der Glimmentladung, so kann das erfindungsgemäße Funktionselement durch Absprengen von
Molekülen
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Molekülen durch Ionen oder durch Umwandlung von Molekülen in Ionen
erzeugt werden. In diesem Fall kann man ein beliebiges anorganische β
Teilchenmaterial verwenden. Geeignet sind beispielsweise Ketalle wie
etwa Al, Au, ITa, Li, Tb, Hg, Sb, Ag, Cu usw., ferroelektrisch^ Substanzen
wie BaTiQ,, SrTiO5, KNO, usw., Oxidhalbleiter wie HiO, ZnO,
PbO, CUpO usw., ferromagnetische Substanzen wie Fe, Co, Ui oder deren
Legierungen, antiferromagnetische Substanzen wie Mn, Gr usw., magnetische
Substanzen wie FeO, CoO, MO uswo, Halbleiter wie Ge, Si, CdS9
ZnS, InAs, InSb, GaAs, PbS, SaP, (JaAsP usw* und dielektrische Substanzen
wie etwa TiO2, Ta2O^, AlpO*, SiOp usw. Falls Elemente mit
wenig Defektstellen besonders erwünscht sind, so kann das bekannte chemische Dampfwachstumsverfahren in Anwendung kommen. Hach diesem
Verfahren kann auch die organische Substanz mit dem Oxid, Halbleiter
usw. erzeugt werden.
In ?ig, 4 ist eine Vorrichtung zur Herstellung des erfindungsgemäßen
Funktiernselements durch ein Vakuumverdamp fungsve rf ahre η
gezeigt. In Fig. 4 ist mit der Bezugszahl 1 ein durch eine Vakuumpumpe
evakuierter Saum bezeichnet, mit der Bezugszahl 2 ein Vakuumgefäß, mit der Bezugszahl 3 eine organische Substanz im geschmolzenen
Zustand, mit der Bezugszabl 4 eine. Heizvorrichtung zum Aufschmelzen
der organischen Substanz 3» die gleichzeitig auch zur Aufnahme
der organischen Substanz dient, mit der Bezugszahl 5 eine anorganische
Substanz und mit der Bezugs zahl 6 eine Heizvorrichtung zum Verdampfen
der anorganischen Substanz.
Die organische Substanz 3 und die anorganische Substanz 5
werden in die betreffende der Heizvorrichtungen 4 und 6 gegeben.
Hierauf wird das Qefaß 2 mittels der Vakuumpumpe evakuiert. Dann
wird die organische Sihstanz 3 durch die Heizvorrichtung 4 erhitzt
und aufgeschmolzen, während die anorganische Substanz 5 durch die
Heizvorrichtung 6 erhitzt wird. Bei steigender Bamperatur beginnt
die anorganische Substanz zu verdampfen und gelangt so zu der geschmolzenen organischen Substanz. In den meisten Fällen liegt die
anorganische Substanz in der Dampfphase im atomaren oder molekularen Zustand vor. Ist jedoch die Erhitzungstemperatur sehr hoch und kommt
es zu einer abrupten Verdampfung, sq kann ein Teil der Moleküle in
ge wise» η
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gewissen Fällen in Form feiner Partikel zerstreut -werden. Dies bedeutet,
daß die Teilchengröße der anorganischen. Substanz über die Ye rdampfungsge
schwindigke it beeinflußt werden kann. Die Atome oder Moleküle der anorganischen Substanz, die auf die Oberfläche der geschmolzenen
organischen Substanz auftreffen, diffundieren sogleich in die organische Substanz ein oder vermischen sich mit dieser. Die organische
und die anorganische .Substanz sind thermisch angeregt and die Diffusion oder Burchmischung geht unverzüglich vonstatten. Die Zugabe der anorganischen Substanz erfolgt daher fast im atomaren oder
molekularen Zustand. Ist indessen der ^fengenanteil der anorganischen
Substanz groß oder ist die Te r damp fungs ge schwindigke it hoch, so haben
die Teilchen der anorganischen Substanzj die in die organische Sub-
stanz eingebaut werden, eine Größe von einigen A bis zu einigen hundert
A. Falls man die organische Substanz auch nach der Beendigung
der Verdampfung der anorganischen Substanz im geschmolzenen Zustand
hält, läßt sich überdies eine einheitliche Verteilung der anorganischen Substanz erreichen. Darüber hinaus kann durch schnelles oder
langsames Erhitzen der geschmolzenen organischen Substanz die Kristallisation
der organischen Sibstanz beeinflußt werden.,Die Erhitzung
kann in geeigneter Weise ,je .nach der Art der organischen und
der anorganischen Substanz mittels eines Slektronenstrahlbündels,
durch Lichtbeheizung oder durch elektromagnetische Wellen wie auch
durch Widerstandsheizung erfolgen.
In Fig. 5 ist eine Vorrichtung zur Herstellung des erfindungsgemäßen
Funktionselements durch gleichzeitige Vornahme der Entladungspolymerisation
einer organischen Substanz und der Verdampfung einer anorganischen Substanz in einer Gasatmo Sphäre bei niederem
Druck gezeigt.
In Fig. 5 ist mit der Bezugszahl 1 ein Baum bezeichnet, der ein unter niederem Druck stehendes Gas enthält, mit der Bezugszahl 2 das diesen Raum gegen die Außenluft abdichtende Gefäß, mit
der Bezugszahl 3 eine Heizvorrichtung zum Verdampfen der anorganischen
Substanz, mit der Bezugszahl 4 ge eine Elektrode zur Vornahme
der Entladung und mit der Bezugszahl 5 das so erzeugte Funktipnselement.
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An das Gefäß 2 wird mittels einer Saugpumpe ein Vakuum angelegt
und es wird Argongas eingeleitet, wobei der Druck unter dem Wert von 1 Atmosphäre gehalten wird. Zur Durchführung der Entladungspolymerisation wird ein gasförmiges Monomer in der Betrachtungsrichtung
der Figur von rechts eingeleitet, me dies durch einen. Pfeil
angedeutet ist. Die an der Heizvorrichtung $ anhaftende anorganische
Substanz wird erhitzt und verdampft. Ist hierbei der Druck des umgebenden
Gases gering, so fällt die !Teilchengröße des verdampften Materials kleiner aus, bei hohem Druck dagegen größer. Wird an die Elektroden
4 eine (JLe ich spannung oder eine hochfrequente Spannung angelegt,
so kommt es infolge der GasatmoSphäre zu einer Entladung und
die eingeleitete organische Substanz polymerisiert. Hierbei werden
die in. dem Gas enthaltenen feinen Teilchen der anorganischen Substanz
der polymer!sierenden organischen Substanz beigemischt, so daß
man das Produkt 5 erhält, in dem die anorganische Substanz und die
organische Substanz kombiniert vorliegen.
Die {!teilchengröße der verdampften anorganischen Substanz variiert je nach dem Druck des umgebenden Gases und nach dessen Art.
So bilden sich beispielsweise bei Verwendung von Argongas bei einem Druck von 60 mm Hg !Teilchen mit einer Größe von etwa 1 Mikron und
bei einem Druck von 1 mm Hg Teilchen mit einer Größe von einigen
ο
zehn bis zu einigen hundert A. Arbeitet man mit Heliumgas, so bilden sich bei niedrigerem Druck als dem des Argongases kleinere Seilchen.
zehn bis zu einigen hundert A. Arbeitet man mit Heliumgas, so bilden sich bei niedrigerem Druck als dem des Argongases kleinere Seilchen.
So erhält man beispielsweise in Heliumgas bei einem Druck von etwa
20 mm Hg Teilchengrößen von einigen hundert A. Die Entladungspolymerisation
ist ein bekanntes Verfahren, bei dem man sich der stillen Entladung, der Mikroentladung, Hochfrequenzentladung usw. bedient.
Bei der Entladungspolymerisation kann die Atmosphäre durch Gase von
verschiedener Zusammensetzung, Ionenmonomere usw. gebildet werden,
die entweder allein oder im Gemisch mit einem indifferenten Gas in Anwendung kommen können. So wird beispielsweise ein Monomer bei einem
Druck von einigen mm Hg zwischen parallelen Elektroden, die einen Abstand von 1 cm haben, einer Entladung bei einer Spannung von
einigen hundert Volt ausgesetzt, wobei man an den Elektroden oder an einer Glasplatte oder einem sonstigen nichtleitenden Material im
Zuge einer stillen Hochfrequenzentladung eine Polymerschicht erhält.
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Bei dem unter niederem Druck stehenden Gas kann es sich
um ein indifferentes Gas, ein organisches Gas, Wasserstoff u.dgl.
handeln, wobei unter einem niederen Druck ein solcher von nicht mehr als e'iner Atmosphäre zu verstehen ist. Wesentlich ist, daß die anorganische
Sub stanz bei diesem Druck verdampfen kann. Im allgemeinen
arbeitet man bei einem Druck von einigen mm Hg bis zu einigen zehn mm Hg.
Als Beispiel für die Erzeugung-des erfindungsgemäßen Punktionselements
durch Glimmentladung sei die Herstellung einer Dünnschicht
aus Polyvinylcarbazol und CdS auf dem Wege der Glimmentladung angeführt. Auf die beiden Flächen der Dünnschicht werden durch
Vakuumverdampfung eine transparente Goldelektrode und eine Aluminiumelektrode
mit hohem Reflexionsvermögen aufgebracht. Die !teilchengröße des CdS beläuft sich auf etwa 0,5 Ms 1 Mikron. Bei Bestrahlung
mit Wolframweißlicht ist die Photoleitfähigkeit dieser Schicht etwa zehnmal so hoch wie die von Polyvinylcarbazol allein. Überdies besitzt
die so erhaltene Schicht die Flexibilität, wie sie Hochpolymeren zueigen ist.
Das erfindungsgemäße Funktionselement kann auch aus Polyvinylidenfluorid
und BaTiO, durch Zerstäuben hergestellt werden. In diesem Fall werden auf die beiden Flächen der erhaltenen Schicht
durch Vakuumverdampfung Silberelektroden aufgebracht, wodurch man ein Siektretmikrophon mit einer elektrischen Ladung erhält, die vierbis
fünfmal stärker ist als die des herkömmlichen Polyvinyl! de nfluorids
für sich.
Ferner kann man zur Herstellung des erfindungsgemäßen Funktionselements als anorganisches Teilchenmaterial CdS und Cu verwenden
und als organische Substanz Siliconharz. Wird das so erhaltene
Element unter Anlegen eines äußeren elektrischen Feldes mit einem Leuchtbild belichtet, so nimmt die induzierte elektrische Ladung
nur in den belichteten !Peilen zu, wie dies in Figo 3 dargestellt ist. Dieser Effekt kann für die Elektrophotographie genutzt werden.
Ferner kann ein diamagnetische ε Material erzeugt werden,
wenn man ein alkyl substituiertes Polyacetylen und Mn verwendet.
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Als Beispiele für die im Rahmen der Erfindung benutzten organischen Stoffe sind Polymere wie etwa Polyäthylen, Polypropylen,
Polystyrol, Polyester und Polyvinylidenfluorid sowie Farbstoffe zu
nennen.
Au sführungsbei spiel 1
Polyäthylenteilchen werden auf eine Mo-Heizvorrichtung
_5 gegeben und unter Anlegen eines Vakuums von 1 χ 10 Torr bis zum
Auf schmelzen bei etwa 150°C erhitzt, iterner wird ZnS als Elektrolumineszenzleuchtmasse
mit einer Ta-He i ζ vor richtung erhitzt und zur Abscheidung auf dem geschmolzenen Polyäthylen verdampft. Der Yerdampfungsvorgang
ist nach 4 bis 5 liinuten beendet und danach wird das
Polyäthylen noch im schmelzflüssigen Zustand gehalten, um eine
gleichmäßige Verteilung der ZnS-iteinteilchen in dem Polyäthylen zu
bewirken. Bas Produkt wird mit dem Elektronenmikroskop sowie unter
Zuhilfenahme des Absorptionsspektrums und der Röntgenbeugung untersucht,
wobei festzustellen ist, daß ZnS-Teilchen mit einer Größe
ο
von einigen zehn A eingebaut sind. Auf die so erhaltene Schicht wird durch Yakuumverdämpfung eine Metallelektrode und eine transparente SnOp-llektrode aufgebracht. Beim Anlegen eines Wechsel stromfei des tritt eine helle Lumineszenz (lOO fL) von hoher Güte ein. Außerdem besitzt die Schicht die ilexibilitat, die Polymeren zueigen ist.
von einigen zehn A eingebaut sind. Auf die so erhaltene Schicht wird durch Yakuumverdämpfung eine Metallelektrode und eine transparente SnOp-llektrode aufgebracht. Beim Anlegen eines Wechsel stromfei des tritt eine helle Lumineszenz (lOO fL) von hoher Güte ein. Außerdem besitzt die Schicht die ilexibilitat, die Polymeren zueigen ist.
Ausführungsbeispiel 2
Polystyrol wird unter Anlegen eines Vakuums von 1 χ 10
Torr erhitzt und bei 250 C geschmolzen. Danach wird Permalloymetall
bei 1100 C geschmolzen und im Verlauf von etwa einer Minute verdampft, so daß permalloyteilchen in das Polystyrol eindringen. Me Größe der
ο Permalloyteilchen beträgt hierbei etwa 500 A. Es hat sich gezeigt,
daß die Koerzitivkraft mit zunehmender Teilchengröße der Permalloyteilchen
abnimmt.
Au sführungsbei spie Γ 3
Polypropylen wird im Vakuum erhitzt und schmilzt bei etwa
200 G auf, worauf langsam Antimonmetall verdampft wird. Das Antimon-
metall
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2363273
metall wird im atomaren Zustand eingebaut, wodurch das Polypropylen
feuerhemmend wird·
Ausführungsbeispiel 4
An die Torrichtung der Hg. 5 wird zunächst ein Vakuum von
10 Torr angelegt, worauf ein Gasgemisch von Argon und monoiuOrem
Styrol eingeleitet wird, bis. sich ein Gs samtdruck von 5 flint Hg eingestellt
hat, und es erfolgt eine Erhitzung und Verdampfung von ZnS
als Elektrolumine szenzleuchtmassa. Dann wird zur Vornahme der Sntladungspolymerisation
eine Wechselspannung zwischen den Elektroden
angelegt, wodurch eine Poly styrol schicht erzeugt wird, die ZnS-
o Teilchen mit einer Größe von 200 bis 30Ό A enthält.
Ausführungsbeispiel 5
In gleicher Weise wie im Ausführungsbeispiel 2 wird Permalloymetall
verdampft und es wird durch Entladungspolymerisation Polyäthylen erzeugt, das in Form einer Polyäthylenschicht anfällt,
die Permalloyteilchen mit einer Größe von etwa 200 bis 600 Ά enthält.
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Claims (8)
1. Iunktionselement, gekennzeichnet durch eine organische Substanz
mit Bezirken, in den sich Träger bis zum Einfang bewegen können, und in diesen Bezirken enthaltene anorganische Teilchen.
2. Funktionselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Teilchengröße der anorganischen Teilchen die Größe der Bezirke
nicht überschreitet.
3. iunktionselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es
sich bei den anorganischen Teilchen um ein dielektrisches Material
handelt.
4. iunktionse lerne nt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es
sich bei den anorganischen Teilchen um Me tall teil ehe η handelt.
5· lunktionselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es
sich bei den anorganischen Teilchen um ein magnetisches Material
handelt.
6. iunktionse lerne nt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es
sich bei den anorganischen Teilchen um ein Halbleitermaterial
handelt.
ο Verfahren zur Erzeugung des iunktionse lerne nt s des Anspruchs 1,
gekennzeichnet durch die Einbringung einer anorganischen Substanz
in eine geschmolzene organische Substanz durch Vakuumverdampfung
der anorganischen Substanz.
8. Verfahren zur Erzeugung des Funktionselements des Anspruchs 1,
gekennzeichnet durch die gleichzeitige Durchführung der Entladungspolymerisation
einer organischen Substanz und der Verdampfung einer anorganischen Substanz in einem Gas mit niederem Druck.
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---|---|---|---|
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FR (1) | FR2212663B1 (de) |
GB (1) | GB1459460A (de) |
NL (1) | NL7317368A (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4152386A (en) * | 1976-04-14 | 1979-05-01 | Battelle-Institute E.V. | Method for the production of superconductors consisting of a polymer of glass matrix with finely dispersed particles |
EP0085536A2 (de) * | 1982-02-03 | 1983-08-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Präparate Oberfläche, Ladungübertragungsmedien und Herstellungsverfahren |
EP0085540A2 (de) * | 1982-02-03 | 1983-08-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Verfahren zur Herstellung von Bildern durch Übertragung von Ladungen |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6020933A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-02 | Toyota Motor Corp | 粒子分散高分子材料の製造方法 |
US5206525A (en) * | 1989-12-27 | 1993-04-27 | Nippon Petrochemicals Co., Ltd. | Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB775465A (en) * | 1952-07-29 | 1957-05-22 | Nat Res Dev | Improvements in semi-conductor devices |
GB846006A (en) * | 1955-12-30 | 1960-08-24 | Ibm | Improvements in information storage devices |
GB989803A (en) * | 1961-01-10 | 1965-04-22 | Leon Adany | Improvements relating to organic semi-conductors |
US3281344A (en) * | 1963-08-27 | 1966-10-25 | Chevron Res | Colloidal suspension of ferromagnetic iron particles |
GB1129816A (en) * | 1964-12-04 | 1968-10-09 | Thorn Electrical Ind Ltd | Improvements relating to plastics materials with conductive surfaces |
FR2038208A1 (de) * | 1969-04-03 | 1971-01-08 | Xerox Corp | |
DE1489105B1 (de) * | 1963-03-16 | 1971-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ladungspeicherndes festkoerperbauelement |
GB1290456A (de) * | 1970-05-15 | 1972-09-27 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1357214A (fr) * | 1963-03-29 | 1964-04-03 | California Research Corp | Particules ferromagnétiques de cobalt |
-
1973
- 1973-12-19 GB GB5895673A patent/GB1459460A/en not_active Expired
- 1973-12-19 NL NL7317368A patent/NL7317368A/xx not_active Application Discontinuation
- 1973-12-19 FR FR7345504A patent/FR2212663B1/fr not_active Expired
- 1973-12-19 DE DE2363279A patent/DE2363279C2/de not_active Expired
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB775465A (en) * | 1952-07-29 | 1957-05-22 | Nat Res Dev | Improvements in semi-conductor devices |
GB846006A (en) * | 1955-12-30 | 1960-08-24 | Ibm | Improvements in information storage devices |
GB989803A (en) * | 1961-01-10 | 1965-04-22 | Leon Adany | Improvements relating to organic semi-conductors |
DE1489105B1 (de) * | 1963-03-16 | 1971-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ladungspeicherndes festkoerperbauelement |
US3281344A (en) * | 1963-08-27 | 1966-10-25 | Chevron Res | Colloidal suspension of ferromagnetic iron particles |
GB1129816A (en) * | 1964-12-04 | 1968-10-09 | Thorn Electrical Ind Ltd | Improvements relating to plastics materials with conductive surfaces |
FR2038208A1 (de) * | 1969-04-03 | 1971-01-08 | Xerox Corp | |
GB1290456A (de) * | 1970-05-15 | 1972-09-27 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Angew.Chem., 77. Jg., 1965, Nr. 15, S. 633-650 * |
Internationale Elektronische Rundschau, Nr. 1, 1972, S. 21, 22 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4152386A (en) * | 1976-04-14 | 1979-05-01 | Battelle-Institute E.V. | Method for the production of superconductors consisting of a polymer of glass matrix with finely dispersed particles |
EP0085536A2 (de) * | 1982-02-03 | 1983-08-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Präparate Oberfläche, Ladungübertragungsmedien und Herstellungsverfahren |
EP0085540A2 (de) * | 1982-02-03 | 1983-08-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Verfahren zur Herstellung von Bildern durch Übertragung von Ladungen |
EP0085536A3 (en) * | 1982-02-03 | 1983-08-31 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Primed surface and charge transfer media and process of making |
EP0085540A3 (en) * | 1982-02-03 | 1983-08-31 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Charge transfer imaging process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2363279C2 (de) | 1983-09-29 |
FR2212663A1 (de) | 1974-07-26 |
AU6379173A (en) | 1975-06-19 |
NL7317368A (de) | 1974-06-24 |
GB1459460A (en) | 1976-12-22 |
FR2212663B1 (de) | 1977-09-09 |
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Date | Code | Title | Description |
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8125 | Change of the main classification |
Ipc: C08J 5/00 |
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8181 | Inventor (new situation) |
Free format text: YAMASHITA, AKIO, KAWANISHI, JP |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |