DE2341311B2 - Verfahren zum einstellen der lebensdauer von ladungstraegern in halbleiterkoerpern - Google Patents
Verfahren zum einstellen der lebensdauer von ladungstraegern in halbleiterkoerpernInfo
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Description
30
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einstellen der Lebensdauer von Ladungsträgern in Halbleiterkörpern
für Halbleiterbauelemente, bei dem Rekombinationszentren bildende Stoffe auf die Oberfläche des
Halbleiterkörpers aufgebracht und anschließend in einem Temperprozeß eindiffundiert werden, bis sich ein
annähernd gleichbleibender Wert der Lebensdauer im gesamten Halbleiterkörper einstellt.
Die gezielte und reproduzierbare Einstellung der Lebensdauer von Ladungsträgern spielt in der Halbleitertechnologie
eine wichtige Rolle, da einige Eigenschaften, wie etwa die Frequenzgrenze von Flächentransistoren
oder die Freiwerdezeit von Thyristoren, die das Verhalten der Halbleiterbauelemente im Hinblick
auf ihre dynamischen Eigenschaften wesentlich mitbestimmen, von der Lebensdauer der Ladungsträger
abhängig sind.
Es ist bekannt, daß z. B. durch Eindiffusion von Gold oder Platin in einen Halbleiterkörper aus Silizium die
Lebensdauer der Ladungsträger herabgesetzt werden kann. Eine solche Diffusion bzw. ein Verfahren der
eingangs genannten Art wird be.spielsweise in der DT-AS 11 87 326 beschrieben, wonach der Halbleiterkörper
aus Silizium mit Gold oder goldhaltigem Material in der Weise bedeckt wird, daß eine mehr als
ausreichend große Goldquelle vorhanden ist, aus der heraus in einer nachfolgenden Diffusionsbehandlung
das Gold in den Siliziumkristall eingeführt wird. Dabei entsteht eine völlig gleichmäßige Verteilung in einer
Konzentrationshöhe, die in erster Linie von der Diffusionstemperatur bestimmt wird. Sie liegt bei
diesem Verfahren in einem ungefähren Bereich von 1015
bis 1017 Atomen ■ cm3.
Sofern die Forderung besteht, Freiwerdezeiten von Thyristoren innerhalb eines ganz bestimmten Bereiches
einzuhalten, ist es notwendig, auch die Konzentration der Rekombinationszentren im Halbleiter auf einen
bestimmten Wert einzustellen. Dies bedeutet z. B. für Frequenzthyvistoren, bei denen die Freiwerdezeit etwa
in einem Bereich zwischen 5 und 50 μsek liegen soll, daß
im Silizium eine Goldkonzentration zwischen rund 1012 und 1014 Atomen · cm-3 einzustellen ist.
Die gezielte und kontrollierte Einstellung solcher geringer Konzentrationen nach der Menge und
gegebenenfalls auch mit ausreichend hoher Trennschärfe nach der Atomart ließ sich bisher mit wirtschaftlich
vertretbarem Aufwand nicht erreichen. Bei einer Diffusion der Rekombinationszentren von der Oberfläche
her ist nämlich hierfür eine äußerst geringe Oberflächenbelegung erforderlich. Beispielsweise müßte
für eine Siliziumscheibe üblicher Dicke von etwa 0,3 mm die Flächenbelegung vor der Diffusion nur etwa
1011 bis 1012 Atome · cm-2 betragen, wenn die Konzentration der Rekombinationszentren nach Beendigung
der Eindiffusion und angenommener gleichmäßiger Verteilung die oben angegebenen Werte von einigen
1012 bis einigen 1013 Atomen · cm-3 aufweisen soll.
Eine derartig geringe Oberflächenbelegung in der
Eine derartig geringe Oberflächenbelegung in der
Größenordnung von 10" bis 1013 Atomen · cm-2
konnte bisher durch keines der bekannten und üblicherweise verwendeten Verfahren aufgebracht
werden. Weder durch Aufdampfen oder auf chemischem bzw. galvanischem Wege, z. B. durch Abscheiden
aus wäßriger Lösung, und anschließender Temperung lassen sich solche Oberflächenbelegungsdichten erzeugen.
Die nach solchen Verfahren hergestellten Bauelemente zeigen praktisch immer eine weiche Sperrkennlinie
und damit eine verminderte Sperrfähigkeit. Vermutlich ist die Ursache dieser verminderten Sperrfähigkeit
auf die besondere Art der Golddiffusion zurückzuführen.
Die Eindiffusion von beispielsweise Gold in Silizium geht bekanntlich nach dem Frank-Turnbull-Mechanismus
vor sich.
Die Goldatome diffundieren nach diesem Mechanismus zunächst auf Zwischengitterplätze und werden
dann durch Anlagerung an Leerstellen in substitutioneil gebundene Atome umgewandelt. Es stellt sich dabei ein
Konzentrationsgleichgewicht zwischen den Gitterleerstellen, den Zwischengitterplätzen und den substitutioneil
eingebauten Atomen her. Nur die in die Gilterleerstellen substitutionell eingebauten Goldatome
wirken in diesem Gleichgewicht als elektrisch aktiv, d. h. als Rekombinationszentren.
Wird bei der Eindiffusion mehr Gold in das Silizium eingebracht, als zur Besetzung der Leerstellen notwendig
ist, so muß das überschüssige Gold auf den Zwischengitterplätzen verbleiben, wo es sich beim
Abkühlen unter Umständen an Kristallversetzungen in Form von Klumpen wieder ausscheiden kann. Es wird
vermutet, daß das verminderte Sperrvermögen auf dieses überschüssige Gold, das sich auf Zwischengitterplätzen
befindet oder an Kristallversetzungen angelagert ist, zurückzuführen ist. Es gibt somit Gründe, die
Konzentration des Goldes nicht bis an die Grenze der Löslichkeit, die z. B. in Silizium bei etwa 1016
Atomen ■ cm-3 liegt, zu erhöhen. Bei einer so hohen Goldkonzentration würde überdies die Lebensdauer der
Ladungsträger zu klein werden.
Aus einem Aufsatz von E. F. K r i m m e I in der Internationalen Elektronischen Rundschau 27 (1973),
Heft 3, S. 53 bis 57, ist bekanntgeworden, daß zum Dotieren von Halbleiterkörpern an Stelle von Diffusionsverfahren
auch lonen-lmplantationsverfahren angewendet
werden können, die neben manchen Vorteilen allerdings den Nachteil der geringeren Eindringtiefe
und der Strahlenschäden im Kristallgitter aufweisen und daher mehr für die Mikroelektronik als für die
Bauelemente der Leistungshalbleiter als brauchbar erscheinen. In der US-PS 36 55 457 ist ein Verfahren
beschrieben worden, mit Hilfe der lonenplantation Rekombinationszentren bildende Stoffe in den Halbleiterkörper
einzubringen, um die Lebensdauer von Ladungsträgern einzustellen.
Aufgabe der Erfindung ist es, die erforderliche Trägerlebensdauer in Halbleiterkörpern für Halbleiterbauelemente
durch gezielte und reproduzierbare Einstellung einer unterhalb der maximalen Löslichkeit
liegenden und auf einer solchen Höhe festgelegten Konzentration von Rekombinationszentren herzustellen,
daß möglichst der gesamte die Rekombinationszentren erzeugende Stoff an Leerstellen angelagert ist und
nicht an Zwischengitterplätzen verbleibt, und auf diese Weise die thermischen und dynamischen Eigenschaften
von Halbleiterbauelementen, insbesondere von Frequenzthyristoren, zu verbessern.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zum Einstellen der Lebensdauer von Ladungsträgern in
Halbleiterkörper für Halbleiterbauelemente, bei dem Rekombinationszentren bildende Stoffe auf die Oberfläche
des Halbleiterkörpers aufgebracht und anschließend in einem Temperprozeß eindiffundiert werden, bis
sich ein annähernd gleichbleibender Wert der Lebensdauer im gesamten Halbleiterkörper einstellt, erfindungsgemäß
dadurch gelöst, daß die der erforderlichen Konzentration im Halbleiterkörper entsprechende
Menge der Rekombinationszentren bildenden Stoffe durch Ionenimplantation auf die Oberfläche des
Halbleiterkörpers aufgebracht und in die Oberflächenschicht eingebracht wird.
Dabei kann sowohl in Halbleiterkörpern mit einheitlicher Leitfähigkeit und einheitlichem Leitungstyp als
auch in solche mit einem oder mehreren pn-Übergängen implantiert werden. Die Implantationsenergie wird
vorteilhaft derart gewählt, daß die Eindringtiefe mindestens 50 A beträgt.
Im Gegensatz zu den bekannten Verfahren wird die Halbleiterdotierung, welche die Lebensdauer bestimmt,
nicht durch die Diffusionstemperatur und die Zeit,' sondern durch die implantierte Dosis bei ausreichend
langer Diffusion eingestellt.
Insbesondere wird z. B. die Einstellung der Lebensdauer von Ladungsträgern in einem Halbleiterkörper
aus Silizium in vorteilhafter Weise durch eine Goldimplantation in die der Oberfläche nahen Schichten
erreicht, der sich darauf zur weiteren Verteilung des implantierten Goldes im Volumen des Halbleiterkörpers
eine Temperung in einer Schutzgasatmosphäre bei einer Temperatur oberhalb von 7000C anschließt. Die
Einstellung der Lebensdauer der Ladungsträger wird gegebenenfalls an Stelle einer Goldimplantation auch
durch eine Platinimplantation vorgenommen.
Durch das Verfahren nach der Erfindung wird erreicht, daß auch kleinste Stoffmengen für Flächenbelegungsdichten
in der Größenordnung von etwa 1010 bis;
1013 Atomen · cm-2 überhaupt und sicher gehandhabt:
werden können und auf diese Weise die oben geschilderten möglichen Nachteile einer zu hohen
Störstellenkonzentration im Bereich der Löslichkeitserenze. wie das Ausfallen eines nicht mehr gelösten
Anteils im metallischen Zustand während des Abkühlens und dessen schädliche elektrische Nebenwirkungen,
mit Sicherheit vermieden werden.
Darüber hinaus gelingt es, solche kleinen Stoffmengen, wie sie oben aufgeführt wurden, mit wirtschaftlich vertretbarem Aufwand auch genau zu dosieren, weil die bei der Ionenimplantation einzubringende Stoffmenge durch eine elektrische Messung verhältnismäßig leicht eingestellt und kontrolliert werden kann.
Darüber hinaus gelingt es, solche kleinen Stoffmengen, wie sie oben aufgeführt wurden, mit wirtschaftlich vertretbarem Aufwand auch genau zu dosieren, weil die bei der Ionenimplantation einzubringende Stoffmenge durch eine elektrische Messung verhältnismäßig leicht eingestellt und kontrolliert werden kann.
ίο Ein weiterer Vorteil der Ionenimplantation ist darin
zu sehen, daß beim Einbringen des Dotierungsstoffes eine Massenselektion und eine Beschränkung auf das
allein vorgesehene Störstellenelement vorgenommen wird, wodurch die Gefahr der Eindiffusion von
unerwünschten Verunreinigungen und deren möglicher nachteilige Einfluß vermieden werden.
Schließlich wird bei der Anwendung des Verfahrens gemäß der Erfindung auch der eigentliche Diffusionsvorgang erleichtert und die Möglichkeit seiner Über-
prüfung verbessert. Nach der Implantation befindet sich nämlich der Dotierungsstoff bereits genügend tief unter
der Oberfläche des Halbleiterkörpers, so daß die Diffusion in das Innere nicht mehr durch eine auf der
Oberfläche befindliche Oxidhaut beeinträchtigt wird.
Dadurch wird eine höhere Gleichmäßigkeit der Diffusionsfront und der anschließenden Verteilung
erzielt.
Nicht zuletzt wirkt sich bei dem Verfahren nach der Erfindung vorteilhaft aus, daß bei der Endverteilung die
Einstellung der Höhe der Konzentration der Störstellen im wesentlichen von der sicher zu handhabenden Dosis
der implantierten Störstellen bestimmt wird, was bei den bisher bekannten Verfahren nicht der Fall ist.
An einem Ausführungsbeispiel soll das Verfahren nach der Erfindung noch einmal näher beschrieben und
die Arbeitsbedingungen bei der Ionenimplantation angegeben werden. Als Halbleitermaterial ist Silizium
ausgewählt worden, das mit Gold dotiert werden soll. Man geht hierbei von diffundierten Siliziumscheiben
aus, die eine Dicke von etwa 0,3 mm besitzen. Die Flächenbelegung soll zwischen 1 · 10" und 5 · 1013
Gold-Atome ■ cm-2betragen.
Die Ionenimplantation der Rekombinationszentren, wie z. B. Gold, erfolgt mit so hoher Energie, daß eine
genügende Eindringtiefe erreicht und eine Zerstäubung der Oberfläche vermieden wird. Für Gold ergibt sich bei
einer Energie von 10 bis 300 kV eine Eindringtiefe von
100 bis 1000 A. Andererseits zerstört eine zu hohe Implantationsenergie so stark, daß nachteilige Effekte
bei der Golddiffusion auftreten. Günstige Werte für die Implantationsenergie liegen bei etwa 100 kV, wobei sich
für Gold eine Eindringtiefe von etwa 600 A ergibt. Die implantierte Dosis wird über den Ionenstrom gesteuert.
Durch Selektion der lonenmassen im Magnetfeld wird eine hohe Reinheit des implantierten Stoffes gewährleistet.
Die so vorbereiteten Halbleiterscheiben werden nun in einer Schutzgasatmosphäre, beispielsweise aus
Wasserstoff, während einer Dauer von einigen Minuten bis zu mehreren Stunden bei einer Temperatur oberhalb
von 700° C, vorzugsweise zwischen 800 und 1000° C, getempert, um die gewünschte Freiwerdezeit zu
erhalten.
Claims (4)
1. Verfahren zum Einstellen der Lebensdauer von Ladungsträgern in Halbleiterkörpern für Halbleiterbauelemente,
bei dem Rekombinationszentren bildende Stoffe auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers
aufgebracht und anschließend in einem Temperprozeß eindiffundiert werden, bis sich ein
annähernd gleichbleibender Wert der Lebensdauer im gesamten Halbleiterkörper einstellt, dadurch
gekennzeichnet, daß die der erforderlichen
Konzentration im Halbleiterkörper entsprechende Menge der Rekombinationszentren bildenden Stoffe
durch Ionenimplantation auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht und in die Oberflä- is
chenschicht eingebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ImpJantaiionsenergie so gewählt
wird, daß die Eindringtiefe mindestens 50 Ä beträgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der die Rekombinationszentren
bildende Stoff unter einer Schutzgasatmosphäre aus Wasserstoff eindiffundiert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Temperatur zwischen
800 und 10000C eindiffundiert wird.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2406301A1 (fr) * | 1977-10-17 | 1979-05-11 | Silicium Semiconducteur Ssc | Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs rapides |
US4203780A (en) * | 1978-08-23 | 1980-05-20 | Sony Corporation | Fe Ion implantation into semiconductor substrate for reduced lifetime sensitivity to temperature |
US5283202A (en) * | 1986-03-21 | 1994-02-01 | Advanced Power Technology, Inc. | IGBT device with platinum lifetime control having gradient or profile tailored platinum diffusion regions |
US5528058A (en) * | 1986-03-21 | 1996-06-18 | Advanced Power Technology, Inc. | IGBT device with platinum lifetime control and reduced gaw |
US5262336A (en) * | 1986-03-21 | 1993-11-16 | Advanced Power Technology, Inc. | IGBT process to produce platinum lifetime control |
US4990466A (en) * | 1988-11-01 | 1991-02-05 | Siemens Corporate Research, Inc. | Method for fabricating index-guided semiconductor laser |
US5284780A (en) * | 1989-09-28 | 1994-02-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for increasing the electric strength of a multi-layer semiconductor component |
IT1244119B (it) * | 1990-11-29 | 1994-07-05 | Cons Ric Microelettronica | Processo di introduzione e diffusione di ioni di platino in una fetta di silicio |
DE4421529C2 (de) * | 1994-06-20 | 1996-04-18 | Semikron Elektronik Gmbh | Schnelle Leistungsdiode |
GB9509301D0 (en) * | 1995-05-06 | 1995-06-28 | Atomic Energy Authority Uk | An improved process for the production of semi-conductor devices |
US5859465A (en) * | 1996-10-15 | 1999-01-12 | International Rectifier Corporation | High voltage power schottky with aluminum barrier metal spaced from first diffused ring |
KR100342073B1 (ko) * | 2000-03-29 | 2002-07-02 | 조중열 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US9349799B2 (en) * | 2014-08-14 | 2016-05-24 | Infineon Technologies Ag | Adjusting the charge carrier lifetime in a bipolar semiconductor device |
US9209027B1 (en) | 2014-08-14 | 2015-12-08 | Infineon Technologies Ag | Adjusting the charge carrier lifetime in a bipolar semiconductor device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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NL241982A (de) * | 1958-08-13 | 1900-01-01 | ||
NL252132A (de) * | 1959-06-30 | |||
US3473976A (en) * | 1966-03-31 | 1969-10-21 | Ibm | Carrier lifetime killer doping process for semiconductor structures and the product formed thereby |
US3655457A (en) * | 1968-08-06 | 1972-04-11 | Ibm | Method of making or modifying a pn-junction by ion implantation |
US3640783A (en) * | 1969-08-11 | 1972-02-08 | Trw Semiconductors Inc | Semiconductor devices with diffused platinum |
US3749610A (en) * | 1971-01-11 | 1973-07-31 | Itt | Production of silicon insulated gate and ion implanted field effect transistor |
-
1973
- 1973-08-16 DE DE2341311A patent/DE2341311C3/de not_active Expired
-
1974
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