DE2336152A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement
mit einen Halbleiterelement, das einen Halbleiterkörper
mit mehreren Zonen abwechselnde21 Leitungstyps aufweist,
von denen mindestens eine der äußeren Zonen durch Diffusion dotiert ist, mit mindestens einer aus Aluminium
bestehenden Elektrode, die an ihrer Oberfläche mit einer Silberschicht versehen ist und die unter Druck an einer
Kontaktelektrode anliegt.
Ein solches Halbleiterbauelement ist bereits in der OffenlegungsE-chrift 1 122 487 beschrieben worden. Die auf
die Aluminiumelektrode aufgebrachte Silbex'schicht hat dort den Zweck, die Aluminiumschicht vor Oxydation zu schützen.
Die Oxydation der aus Aluminium bestehenden Elektrode, verschlechtert
nämlich den Kontakt eines Halbleiterbauelements beträchtlich.
Da die Silberschicht der Elektrode unter Druck an einer Kontaktelektrode anliegt,' kann es im Laufe des Betriebes
des Halbleiterbauelemenrs, also bei Erwärmung, dazu kommen.
daß die Silberschicht der Elektrode mit der Kontaktelektrode zusammenwächst. Da die Kontaktelektrode in dexi Regel
aus einem Metall besteht, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient
von dem des Halbleiterkörper abweicht, kann es im Laufe des Betriebes, insbesondere bei extremen Lastwechseln
und damit einhergehenden Temperaturwechseln, zur Zerstörung oder mindestens Verschlechterung des Kontaktes
kommen.
VPA 9/IIO/3O54
Hab/Ktz
409885/0776
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin,
ein Halbleiterbauelement der eingangs erv.rähnten Art so zu
ve.rbesse.rn, daß mit Sicherheit kein Zusammenwachsen zwischen
Kontaktelektrode und Elektrode stattfindet.
Dies wird dadurch erreicht, daß die Silberschicht mindestens
an ihrer der Kontaktelektrode zugekehrten Seite Aluminium enthält.
Der Aluminiumanteil liegt hierbei unter 20 /ό. Zweckmäßigerweise
ist das Aluminium fein im Silber verteilt. Es kann auch die Kontaktelektrode an der an der Elektrode anliegenden
Seite aus Silber oder einer Silberverbindung bestehen. Das Silber oder die Silberverbindung kann auch Aluminium enthalten.
Die Erfindung wird an Hand zweier Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren 1-3 naher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 ein halbleiterelement gei^äß einem ersten Ausführungsbeirpiel,
Fig. 2 ein Halbleiterelement gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel und
Fig. 3 den Längsschnitt durch ein Halbleiterbauelement mit
einem Halbleiterelement nach Fig. 1.
Das Halbleiterelement nach Fig. 1 v/eist einen Halbleiterkörper auf, der mit 1 bezeichnet ist. Diesel' besteht beispielsweise
aus Silicium und ist mit einer Aluminiumelektrode 2 versehen, auf der eine Silberschicht 3 aufgebracht ist. Auf
der Elektrode des Halbleiterkörpers 1 sitzt eine Kontaktelektrode 4. Diese kann aus Silber oder einer Silberverbindung bestehen;
VPA 9/IIO/3O54 - 3 -
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sie kann jedoch auch aus Kupfer oder Molybdän bestehen, das an der dem Halbleiterkörper zugekehrten Seite mit einer
Silberschicht 5 überzogen ist. Diese Silberschicht 5 kann
z.B. aufgewalzt, aufplattiert, aufgelötet, aufgesprüht
oder galvanisch aufgebracht sein. Kit der anderen Flachseite des Halbleiterkörpers 1 ist eine weitere Elektrode 6 verbunden,
die beispielsweise aus Molybdän besteht.
Die Silberschicht 3 enthält mindestens an der der Kontaktelektrode
4_ ziigekehrten Seite Aluminium, das zweckmäßigerweise
fein verteilt ist und dessen Anteil unter 20 % liegt. Zur Kontaktierung des Halbleiterelements wird die Kontalrtelektrode
4 auf die Elektrode des Halbleiterkörpers aufgepreßt .
In Fig. 2 ist ein v/eiteres Halbleiterelement gezeigt; gleiche
Teile wie in Fig. 1 sind mit gleichen Bezugszeichen versehen.
Auf der Aluminiumelektrode 2 mit der Silberschicht 3 sitzt
eine Kontaktelektrode 9> die entweder aus Silber, einer Silberverbindung oder aus einem mit Silber überzogenen anderen
Metall bestehen kann. An der Unterseite des Halbleiterkörpers ist eine Elektrode 7 aus Aluminium angebracht, die mit einer
Silberschicht 8 versehen ist. Das Halbleiterelement v/eist eine untere Kontaktelektrode 11. auf, deren Aufbau der Kontaktelektrode
9. entspricht. Bestehen die Kontakt elektroden 9. und
11 aus einem andex'en Metall als Silber, z.B. Kupfer oder
Molybdän, sind sie mit Silberschichten 10 bzw. 12 versehen, die mit den Kontaktelektroden _9_ und Y\_ z.B. durch Auflöten,
Aufplattieren, Aufsprühen oder Aufwalzen verbunden sind.
Auch bei diesem AusführungsbeiEpiel weisen die Silberschichten 3 und 8 mindestens an ihrer den Kontaktelektroden
zugekehrten Seite einen fein verteilten Aluminiunanteil auf, der zweckmeßigerveise unter 20 % liegt.
Es hat sich beim Betrieb - also unter Druck-und Wärmeanwendung ■
von Halbleiterbauelementen, in denen die beschriebenen
VPA 9/IIO/3O54 - 4 -
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Halbleiterelemente eingebaut waren, gezeigt, daß die Kontaktelektroden
nicht mit den Elektroden zusammenwachsen und zwar unabhängig davon, ob die Kontaktelektroden aus einem Material
bestehen, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient von dem des Halbleiterkör-oers abweicht oder nicht. Die bekannten guten
Eigenschaften eines Druckkontakts, nämlich insbesondere die/
auf den Halbleiterkörper und seine Elektroden keine oder nur unv,7 es ent Ii ehe Schubkräfte zu übertragen, bleiben damit erhalten,
Andererseits neigen die beschriebenen Kontakte auch wenig zur Oxydation, da sie einen überwiegenden Silberanteil enthalten.
Die Aluminiumelektroden 2 bzw. 7 können beispielsweise
20/um stark sein. Solche Elektroden werden zweckmäßigerweise
durch Aufdampfen im Vakuum hergestellt. Die Silberschicht kann z.B. durch Aufdampfen einer 2/um starken Silberschicht
hergestellt werden. Anschließend an das Aufdampfen der Aluminiumschicht und der Silberschicht werden diese
Schichten bei einer Temperatur zwischen 300 und 55O°C zwischen
10 und 20 Minuten gesintert. Das Sintern bewirkt einerseits eine gute Haftung des Aluminiums am Silicium und andererseits
eine gute Haftung des Silbers am Aluminium. Bei den angegebenen Sinterzeiten und -temperaturen wandert außerdem
ein Teil des Aluminiums der Elektroden 2 bzw. 7 in cLie
Silberschicht 3 bzw. 8 hinein bis zur Oberfläche dieser Schichten. Der Aluminiumgehalt der Silberschichten 3 bzw. 8
verhindert nun ein Zusammenwachsen zwischen Elektrode und Kontaktelektrode unter allen Betriebsbedingungen.
Die Erfindung ist nicht an die genannten Größen gebunden. Für Bauelemente kleinerer Leistung genügt beispielsweise
eine Dicke der Aluminiumschichten von 5/Um und eine Dicke
der Silberschichten von etwa 0,5/um. Bei einer Sinterung
zwischen 5 und 10 Minuten bei einer Temperatur zwischen 300 und 55O°C diffundiert auch hier das Aluminium bis zur
Oberfläche der Silberschicht.
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~ 5 —
Der Aluminiumanteil in den Silberschichten kann auch beispielsweise
durch gleichzeitiges Aufdampfen von Silber und Aluminium aus getrennten Verdampfern auf die Aluminiumelektrode
eingestellt v/erden.
In Fig. 3 ist ein Halbleiterbauelement gezeigt, in das ein
Halbleiterelement gemäß Pig. 1 eingebaut wurde. Teile mit gleicher Punktion wie in Pig. 1 sind'auch hier mit gleichen
Bezugszeichen versehen.
Das aus dem Halbleiterkörper 1 und den Elektroden 2, 3 und bestehende Halbleiterelement sitzt auf einem Boden 14, der
beispielsweise aus Kupfer besteht. Zwischen die Elektrode und den Boden 14 kann eine Folie 20 eingelegt sein, die
beispielsweise aus Silber besteht. Auf die Elektroden 2, 3 wird die Kontaktelektrode 4 aufgesetzt, die über Federn
17 gegen das Halbleiterelement gepreßt wird. Der Kontaktdruck
liest zwisehen 100 und 500 kp/cm . Die Federn
17 stützen sich an einem Keramikzylinder 15 ab, der an
seiner Unterseite mit dem Kupferboden 14 verbunden ist. Der Keramikzylinder 15 wird durch einen Deckel 18 abgeschlossen,
der eine zentrale Durchführung 19 aufv.e.st, durch die ein
Stempel 16 hindur eingeführt ist. Der Stempel 16 iet mit der
Kontaktelektrode 4 verbunden. Das Halbleiterelement liegt nur unter Druck an der Kontaktelektrode 4 und am Boden 14
an. Die Elektrode 6 besteht zur Erhöhung der mechanischen Festigkeit beispielsweise aus Molybdän; sie kann jedoch
auch aus einer mit dem Halbleiterkörper verbundenen Aluminiumschicht bestehen, auf die eine Silberschicht aufgebracht ist.
Auch diese Silberschicht enthält, wenn sie wie beschrieben eingesintert wird, Aluminium. Ein Anwachsen der auf dem
Kupferboden liegenden Silberfolie 20 v;ird damit verhindert.
5 Patentansprüche
3 Figuren
3 Figuren
VPA 9/IIO/3O54 - 6 - ■
409885/0776
Claims (5)
- Patentansprüche^1. /Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterelement, das einen Halbleiterkörper mit mehreren Zonen abv/echselnden Leitungstyps aufweist, von denen mindestens eine der äußeren Zonen durch Diffusion dotiert ist, mit mindestens einer aus Aluminium bestehenden Elektrode, die an ihrer Oberfläche mit einer Silberschicht versehen ist und die unter Druck an einer Kontaktelektrode anliegt, dadurch gekennzeichnet, daß die Silberschicht (3) mindestens an ihrer Kontaktelektrode (ft»9,1J.) zugekehrten Seite Aluminium enthält.
- 2. Kalbleiterbauelement mach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Aluminium fein im Silber verteilt ist.
- 3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Aluminiumanteil unter 20 % liegt.
- 4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 - 3j dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektrode mindestens an der an der Elektrode (2,7) anliegenden Seite aus Silber oder einer Silberverbindung besteht.
- 5. Halbleiterbauelement nach Anspruch.4, dadurch gekennzeichnet, daß das Silber oder die Silberverbindung der Kontaktelektrode Aluminium enthält.VPA 9/110/3054-409885/077 6
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2336152A DE2336152C3 (de) | 1973-07-16 | 1973-07-16 | Halbleiterbauelement |
BE146063A BE817065A (fr) | 1973-07-16 | 1974-06-28 | Composant semi-conducteur |
GB2922074A GB1474575A (en) | 1973-07-16 | 1974-07-02 | Semiconductor components |
IT25031/74A IT1017057B (it) | 1973-07-16 | 1974-07-11 | Componente a semiconduttori |
JP7972474A JPS5510134B2 (de) | 1973-07-16 | 1974-07-11 | |
FR7424542A FR2238248B1 (de) | 1973-07-16 | 1974-07-15 | |
CA204,752A CA1015070A (en) | 1973-07-16 | 1974-07-15 | Semiconductor components |
SE7409300A SE395201B (sv) | 1973-07-16 | 1974-07-16 | Halvledarkomponent innefattande bl a en aluminiumelektrod forsedd med ett silverskikt |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2336152A DE2336152C3 (de) | 1973-07-16 | 1973-07-16 | Halbleiterbauelement |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2336152A1 true DE2336152A1 (de) | 1975-01-30 |
DE2336152B2 DE2336152B2 (de) | 1978-07-20 |
DE2336152C3 DE2336152C3 (de) | 1979-03-22 |
Family
ID=5887096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2336152A Expired DE2336152C3 (de) | 1973-07-16 | 1973-07-16 | Halbleiterbauelement |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5510134B2 (de) |
BE (1) | BE817065A (de) |
CA (1) | CA1015070A (de) |
DE (1) | DE2336152C3 (de) |
FR (1) | FR2238248B1 (de) |
GB (1) | GB1474575A (de) |
IT (1) | IT1017057B (de) |
SE (1) | SE395201B (de) |
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JPS584058Y2 (ja) * | 1976-08-10 | 1983-01-24 | 株式会社ターダ | ガス器具 |
JPS5490732U (de) * | 1977-12-12 | 1979-06-27 | ||
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-
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- 1973-07-16 DE DE2336152A patent/DE2336152C3/de not_active Expired
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- 1974-06-28 BE BE146063A patent/BE817065A/xx unknown
- 1974-07-02 GB GB2922074A patent/GB1474575A/en not_active Expired
- 1974-07-11 JP JP7972474A patent/JPS5510134B2/ja not_active Expired
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- 1974-07-15 CA CA204,752A patent/CA1015070A/en not_active Expired
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |