DE2322783A1

DE2322783A1 - Elektronischer schalter zum durchschalten von hochfrequenzsignalen

Info

Publication number: DE2322783A1
Application number: DE19732322783
Authority: DE
Inventors: Christoffel Hendrik V Boogaard
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1972-05-26
Filing date: 1973-05-05
Publication date: 1973-12-20
Also published as: CH557623A; DK137154C; DE2322783C3; GB1427813A; DK137154B; FR2189944B1; JPS4943557A; DE2322783B2; ATA450873A; AR195606A1; AU5593673A; FR2189944A1; SE383241B; JPS542818B2; NL7207097A; BE800008A

Description

"Elektronischer Schalter zum Durchschalten von Hochfrequenzsignalen"

Die Erfindung bezieht sich auf einen elektronischen Schalter zum Durchschalten von Hochfrequenzsignalen, der einen Schalttransistor mit einer Eingangselektrode, einer Ausgangselektrode und einer gemeinsamen Elektrode, sowie einen Steuerkreis enthält, der mit dem genannten Transistor gekoppelt und mit einem Hilfsschalter zum Erzeugen einer Sperr- bzw. Entsperrspannung für die Kollektor-Emitter-Strecke des genannten Transistors versehen ist.

Bei derartigen zum Durchschalten von Hochfrequenzsignalen geeigneten elektronischen Schaltern muss den Streukapazitäten zwischen der Eingangs- und Ausgangselektrode des Transistors besondere Aufmerksamkeit gewidmet werden. Durch diese bei Hochfrequenzsignalen auftretenden Kapazitäten werden nämlich die durchzu-

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schaltenden Signale bei nicht leitendem Transistor ungenügend gedämpft. Diese Dämpfung wird nachstehend als Sperrdämpfung bezeichnet, dies in Gegensatz zur Dämpfung der Signale bei leitendem Transistor, welche Dämpfung als Durchlassdämpfung bezeichnet wird.

Es ist bereits bekannt, den Einfluss dieser Streukapazitäten auf die Sperrdämpfung durch eine sogenannte Neutrodynschaltung zu verringern, d.h. durch Ausgleich der Streukapazitäten beispielsweise mit Hilfe einer Induktivität. Auf diese Weise erhaltene elektronische Schalter müssen jedoch infolge der Streuung in den Eigenschaften der verwendeten Transistoren einzeln abgeglichen werden.

Auch ist es bekannt, den Einfluss der genannten Streukapazitaten dadurch zu verringern, dass in Reihe mit dem Transistor in seine Strombahn ein die Durchlassdämpfung nicht beeinflussender Kondensator mit äusserst geringem Wert aufgenommen wird, wodurch die wirksame Grosse der Streukapazitäten wesentlich verringert wird. Insbesondere wird dazu eine geschaltete Diode benutzt, deren Durchlassrichtung der der Kollektor-Emitter-Strecke des verwendeten Transistors entspricht. Bei diesem bekannten elektronischen Schalter wird jedoch eine wesentliche Sperrdämpfung von beispielsweise 40 dB nur bei einer geringen Belastungsimpedanz von beispielsweise 10 Ohm erhalten.

Die Erfindung bezweckt nun, eine andere Konzeption

eines elektronischen Schalters zum Durchschalten von Hochfrequenzsignalen zu schaffen, mit dem über ein breites Frequenzband von beispielsweise 1-12 MHz sogar bei einem wesentliche höheren ¥ert der Belastungsimpedanz, beispielsweise 75 Ohm, ohne Verwendung von Ab-

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gleichelementen eine wesentlich höhere Sperrdämpfung verwirklicht wird und wobei zugleich die Durchlassdämpfung von den Eigenschaften der verwendeten Elemente weitgehend unabhängig ist.

Die Erfindung weist dazu das Kennzeichen auf, dass der elektronische Schalter weiter mit einem Schaltgenerator versehen ist, der den genannten Schalttransistor und einen Schaltspannungskreis mit einer mit der genannten gemeinsamen Elektrode des Transistors gekoppelten Schaltspannungsleitung, sowie einen einerseits an diese Schaltspannungsleitung und andererseits an eine Quelle mit einem festen Bezugspotential angeschlossenen, durch einen Kondensator überbrückten Einstellwiderstand enthält, durch welchen Schaltgenerator infolge der dem genannten Schalttransistor zugeführten Sperr- bzw. EntSperrspannung der genannten Schaltspannungsleitung eine Sehaltspannung abgegeben wird zum Entsperren bzw. Sperren einer den Transistor überbrückenden, einerseits mit der genannten Ausgangselektrode gekoppelten und andererseits an die Schaltspannungsleitung angeschlossenen Reihenschaltung eines Trennkondensators und einer vorgespannten Schaltdiode.

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Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den

Zeichnungen dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben.. Es zeigen:

Fig. 1 einen elektronischen Schalter nach der Erfindung,

Fig. 2 ein Ersatzschaltbild des Schalters nach Fig. bei gesperrtem Transistor.

In Fig. 1 ist ein elektronischer Schalter dargestellt zum Durchschalten von Hochfrequenzsignalen, die beispielsweise im

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Frequenzband von 1-12 MHz liegen, zu einer Belastungsimpedanz 1 von beispielsweise 75 Ohm. Dieser elektronische Schalter enthält dazu einen Schalttransistor 2, der mit einer Eingangselektrode 3» einer Ausgangselektrode 4 und einer gemeinsamen Elektrode 5 versehen ist. Zur Steuerung des Transistors 2 enthält der Schalter zugleich einen Steuerkreis 6,. der mit einer mit dem Transistor gekoppelten Steuerleitung 7 und einem Hilfsschalter 8 zum Erzeugen einer Sperr- bzw. Entsperrspannung für die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors versehen ist.

Insbesondere ist in diesem Ausführungsbeispiel ein Transistor vom npn-Typ in Emitterschaltung verwendet worden, wobei die Eingangselektrode 3 durch die Basiselektrode gebildet wird, die Ausgangselektrode 4 durch die Kollektorelektrode und die gemeinsame Elektrode 5 durch die Emitterelektrode, die insbesondere mit einer zweiten Eingangselektrode 9 sowie mit einer zweiten Ausgangselektrode 10 des elektronischen Schalters gekoppelt ist. .

Im dargestellten Ausführungsbeispiel werden die Hochfrequenzsignale der zwischen den beiden Eingangselektroden 3» 9 vorgesehenen Sekundärwicklung eines Eingangstransformators 11 entnommen und unmittelbar der Basis des Transistors 2 zugeführt, dessen Kollektorelektrode 4 mit einem ersten Pol der Belastungsimpedanz 1 verbunden ist, von welcher Impedanz der zweite Pol mit der zweiten Ausgangselektrode 10 des Schalters verbunden ist.

Zum Umschalten des Schalters wird der Steuerkreis 6 durch den genannten Hilfsschalter 8 und einen mit diesem in Reihe geschalteten Spannungsteiler in Form einer Reihenschaltung zweier Widerstände 12 und 13 gebildet. Diese Reihenschaltung aus dem Hilfs-

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schalter 8 und den Widerständen 12 und 13 liegt zwischen den beiden Polen einer Speisespannungsquelle 14· Der Verbihdungspunkt dieser Speisespannungsquelle 14 und des Hilfsschalters 8 ist dabei an Erdpotential angeschlossen. In dem auf diese Weise gebildeten Steuerkreis 6 ist die Steuerleitung 7 an den gemeinsamen Verbindungspunkt der beiden Widerstände 12 und 15 angeschlossen und auf diese Weise wird durch Betätigung des Hilfsschalters 8 der Steuerleitung 7 entweder die vollständige Spannung der Speisespannungsquelle 14 oder die mit Hilfe des Spannungsteilers 12, 13 geteilte Spannung zugeführt. Diese Spannungen werden zum Sperren und Entsperren des Transistors 2 benutzt. Insbesondere ist dazu die Steuerleitung 7 ^mi"t der Eingangselektrode 9 verbunden, die durch Verwendung eines Kondensators 15 gegenüber der- Ausgangselektrode 10 galvanisch getrennt ist, welche Elektrode insbesondere an eine Quelle mit einem festen Bezugspotential, nämlich in diesem Ausführungsbeispiel mit dem Erdpotential, angeschlossen ist.

Für ein gutes Funktionieren des elektronischen Schalters muss im nicht-leitenden Zustand des Transistors 2 der bei Hochfrequenzsignalen auftretenden parasitären Basis-Kollektor-, Basis-Emitter- und Emitter-Kollektor-Kapazität mit grossen Werten besondere Aufmerksamkeit gewidmet werden, wodurch ein besonders nachteiliger Einfluss auf die Sperrdämpfung des elektronischen Schalters ausgeübt wird.

Um bei einem elektronsichen Schalter zum Durchschalten in einem breiten Frequenzband von beispielsweise 1-12 MHz liegender Signale sogar bei Verwendung eines verhältnismässig hohen Wertes der Belastungsimpedanz eine unter allen Umständen hohe Sperrdämpfung sowie einen universell verwendbaren Schalter zu verwirklichen, ist

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der elektronische Schalter nach der Erfindung mit einem Schaltgenenator 16 versehen, der .den genannten Schalttransistor 2 und einen Schaltspannungskreis 17 enthält, der mit einer mit der genannten gemeinsamen Elektrode 5 des Transistors 2 gekoppelten Schaltspannungsleitung 18 und einem einerseits an diese Schaltspannungsleitung 18 und andererseits an eine Quelle mit einem festen Bezugspotential angeschlossenen, durch einen Kondensator überbrückten Einsteilwiderstand 20 versehen ist, durch welchen Schaltgenerator 16 infolge der dem genannten Schalttransistor 2 zugeführten Sperr- bzw. EntSperrspannung der genannten Schaltspannungsleitung 18 eine S ehalt spannung zum Entsperren bzw. Sperre^ einer den Transistor 2 überbrückenden, einerseits mit der genannten Ausgangselektrode 4 gekoppelten und andererseits an die Schaltspannungsleitung 18 angeschlossenen Reihenschaltung eines Trennkondensators 21 und einer vorgespannten Schaltdiode 22 zugeführt wird.

Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist für das Potential der genannten Quelle mit festem Bezugspotential das Erdpotential gewählt und ist insbesondere der Einstellwiderstand mit der an Erdpotential angeschlossenen zweiten Ausgangselektrode verbunden, während die Schaltspannungsleitung 18 über einen in der Figur gestrichelt dargestellten Widerstand 38, dessen Punktion noch näher erläutert wird, mit der Emitterelektrode 5 des Transistors verbunden ist.

Zum Sperren und Entsperren der Kaskadenschaltung des Trennkondensators 21 und der Schaltdiode 22 ist die Schaltspannungsleitung 18 mit dem vom gemeinsamen Verbindungspünkt zwischen

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dem Kondensator 21 und der Diode 22 abgewandten Diodenpol verbunden, während zur Verwirklichung der Vorspannung für diese Schaltdiode 22 der genannte gemeinsame Veroindungspunkt über einen hochohmigen Widerstand 23 mit einer Quelle festen Potentials gekoppelt ist, wofür in diesem Ausführungsbeispiel die Speisespannungsquelle 14 gewählt worden ist. Der Widerstand 23 ist dazu insbesondere mit dem gemeinsamen Verbindungspunkt eines durch die Reihenschaltung aus Widerständen 24 und 25 gebildeten Spannungsteilers verbunden, welche Reihenschaltung zwischen den beiden Polen der Speisespannungsquelle 14 liegt. Der Widerstandswert des Widerstandes 23 ist dabei um viele Male grosser gewählt worden als der der Belastungsimpedanz von beispielsweise 75 Ohm, wodurch eine wirksame Hochfrequenzsignalentkopplung zwischen der Ausgangselektrode 4 und der Speisespannungsquelle 14 erhalten wird. ITm eine Ableitung von Hochfrequenzsignalen über diesen Widerstand 23 zu ermöglichen, ist der Widerstand 25 des Spannungsteilers 24, 25 jedoch zusätzlich durch einen Kondensator 26 überbrückt.

Im elektronischen Schalter nach der Erfindung wird

der Schalttransistor 2 nicht nur zum Ein- und Ausschalten des elektronischen Schalters benutzt, sondern auch zum Ein- und Ausschalten der Schaltdiode 22 und damit eines die Belastungsimpedanz 1 überbrückenden hochfrequenten Umlaufkreises, der durch den Trennkonden- _j sator 21, den Entkopplungskondensator 19, und die Schaltdiode 22 gebildet wird. Insbesondere wird nämlich bei einer leitenden Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 2 durch den Emitterstrom ein derartiger Spannungsabfall am Widerstand 20 im Schaltspannungskreis, 17 erhalten, dass über die Schaltspannungsleitung 18 der Schalt-

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diode 22 eine Sperrspannung zugeführt wird, wodurch, die obengenannte hochfrequente Umlaufstrecke unterbrochen ist und die über den Eingangstransformator 1\ dem Schalter zugeführten Hochfrequenzsignale ungeschwächt der Belastungsimpedanz 1 zugeführt werden. Auch für Eingangssignale mit hohem Pegel tritt keine Beeinflussung der Durchlassdämpfung durch die obengenannte hochfrequente Umlaufstrecke auf; die Sperrspannung der Diode wird nämlich ausschliesslich durch die Grosse des Einstellwiderstandes 20 bestimmt, der ja für Hochfre— quenzsignale durch den Entkopplungskondensator 19 überbrückt ist.

Bei nicht leitender Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 2 verursacht das Fehlen des Emitterstromes einen derartigen Spannungsabfall am Einstellwiderstand 20, dass über die Schaltspannungsleitung 18 der Diode 22 eine Entsperrspannung zugeführt wird, wodurch der obengenannte hochfrequente Umlaufkreis eingeschaltet wird und die an der Ausgangselektrode 4 auftretenden Hochfrequenzsignale im wesentlichen über die besonders niedrige Impedanz des leitenden Umlaufkreises nach Erde fliessen.

Insbesondere werden bei nicht leitender Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 2 die über den Eingangstransformator 11 dem elektronischen Schalter zugeführten Hochfrequenzsignale zur Belastungsimpedanz 1 übertragen und zwar über ein Netzwerk, das in Fig. 2 auf schematische Weise dargestellt ist und in dem der Fig. 1 entsprechende Elemente mit denselben Bezugszeichen angedeutet sind. Wie in Fig. 2 angegeben ist, wird dieses Netzwerk durch die bei Hochfrequenzsignalen auftretende und als,Kapazität 27 dargestellte Basis-Emitter-, Kollektor-Emitter- und Basis-Kollektor-Kapazität des Schalttransist.ors 2, den im wesentlichen, einen Kurzschluss bildenden Trenn-

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kondensator 21, den Entkoppelkondensator 19 und den Durchlasswiderstand 28 der leitenden Diode 22 gebildet, und die dem Eingangstrans~ formator 11 entnommenen Hochfrequenzsignale werden auf diese Weise einem durch den Kondensator 27 und die Reihenschaltung aus den Kondensatoren 21, 19 und dem Widerstand 28 gebildeten Spannungsteiler zugeführt, von welchem Spannungsteiler der "Spannungsteilerpunkt,· d.h. der gemeinsame Verbindungspunkt der Kondensatoren 27 und 21, an die Belastungsimpedanz 1 angeschlossen ist. Auf diese Weise ist ein elektronischer Schalter mit einer im wesentlichen durch den geringen Wert der leitenden Schaltdiode 22 bestimmten hohen Sperrdämpfung verwirklicht worden.

Da die Grosse der Sperrdämpfung durch Spannungsteilung bestimmt wird, kann sie auf besonders einfache Weise wesentlich erhöht werden, und zwar dadurch, dass nach einer weiteren Ausbildung des erfindungsgemässen elektronischen Schalters die Reihenschaltung des Trennkondensators 21 und der Schaltdiode 22 einen Teil eines als Leiternetzwerk ausgebildeten geschalteten Spannungsteilers 29 bildet, der eine Anzahl Querzweige enthält, je in Form der genannten Reihenschaltung eines Trennkondensators 30, 31 und in Reihe damit geschalteter Schaltdioden 32, 33 j von welchen Querzweigen die gemeinsamen Verbindungspunkte der jeweilige Kondensatoren 30» 31 und Dioden 32, 33 über Widerstände 34 bzw. 35 an den gemeinsamen Verbindungspunkt der Widerstände 24 und 25 angeschlossen sind, von welchem Leiternetzwerk die Längszweige mit Schaltdioden 36, 37 versehen sind, deren Durchlassrichtung der der Kollektor-Emitter-Strecke des Schalttransistors 2 entspricht.

Bei diesem als Leiternetzwerk ausgebildeten Spannungs-

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teiler 29 wird, wie in Fig. 2 dargestellt ist, die Spannungsteilung dadurch erhalten, dass bei gesperrter Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 2 einerseits die Dioden 32 und 33 ebenso wie die Diode sich als Widerstände 40 und 4-1 verhalten und andererseits die Längs-

dioden 36 und 37 sich als Kondensatoren 42, 43 verhalten; bei gesperrter Kollektör-Emitter-Strecke des Transistors 2 ist nämlich auch der Kollektorstrom und damit der Strom durch die Dioden 36 und 37 unter-

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brochen, so dass die übertragung der Hochfrequenzsignale ausschliesslich über die Streukapazität dieser Dioden J>6 und 37 erfolgt.

Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist ein Leiternetzwerk mit drei Querzweigen angegeben; diese Zahl kann jedoch beliebig gewählt werden, so dass jeder gewünschte Wert der Sperrdämpfung verwirklichbar ist, welche Sperrdämpfung ausserdem von der Grosse der Belastungsimpedanz unabhängig ist. Nicht nur kann durch Verwendung des Leiternetzwerkes jede gewünschte Sperrdämpfung verwirklicht werden, sondern es ist auch ein elektronischer Schalter erhalten worden, bei dem die Durchlassdämpfung nicht durch die Anzahl Dioden in den Längszweigen beeinflusst wird. Der Schalter hat nämlich an der Belastungsseite durch Verwendung des Transistors 2 in Emitterschaltung einen Stromquellencharakter, wodurch ein von den Diodenwiderständen in den Längszweigen unabhängiger Strom durch die Belastungsimpedanz erhalten wird, welcher Stromquellencharakter noch dadurch vergrössert werden kann, dass die Schaltspannungsleitung 18 des Schaltgenerators 16 über einen grossen Stromgegenkopplungswiderstand 38 an die gemeinsame Emitterelektrode 5 des Transistors 2 angeschlossen wird.

Durch Verwendung des Transistors 2 in Emitterschaltung und durch Verwendung des Stromgegenkopplungswiderstandes 38 wird

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nicht nur eine von den Diodenwiderständen der Längsdioden 36, 37 unabhängige Ausgangsspannung erhalten sondern auch eine hohe Eingangsimpedanz des elektronischen Schalters, wodurch der Einfluss des Ein- und Ausschaltens des Schalters auf den dem Schalter vorhergehenden Eingangskreis vernachlässigbar ist.

Zur Verwirklichung einer grossen Steuermöglichkeit

für die Moden 22, 32, 33 in den Querzweigen.des Leiternetzwerkes ist die Schaltspannungsleitung 18 an die Mittelanzapfung eines aus Widerständen 20 und 39 aufgebauten Spannungsteilers angeschlossen, der zwischen den .Polen der Gleichspannungsquelle 14 liegt.

Es sei bemerkt, dass statt des dargestellten Transistors vom npn-Typ ein Transistor vom pnp-Typ verwendet werdeö kann, aber dann muss die Polarität der unterschiedlichen Spannungen umgekehrt werden, ebenso wie die Durchlassrichtungen der verwendeten Dioden. Auch kann der Transistor 2 statt in Emitterschaltung in Basisschaltung verwendet werden, aber dann fällt der günstige Stromquellencharakter des Schalters fort.

In bezug auf die Steuerleitung 7-lässt sich bemerken, dass sie statt an die Eingangselektrode 9 auch unmittelbar an die Eingangselektrode 3 des Transistors 2 angeschlossen ' werden kann.

Zwar wird im dargestellten Ausführungsbeispiel die Vorspannung der Dioden 22, 32, 33 über ein Widerstandsnetzwerk 23, 24, 25, 34» 35 von der Speisespannungsquelle 14 hergeleitet, aber dazu kann auch eine gesonderte Spannungsquelle benutzt werden; es empfiehlt sich jedoch dabei die Verwendung einer einzigen Speisespannungsquelle, weil damit der Einfluss möglicher Speisespannungs-

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Schwankungen auf die Durchlass- sowie die Sperrdämpfung weitgehend verringert wird.

Für einen praktisch bewährten elektronischen Schalter seien bei Verwendung einer Speisespannungsquelle 14 von -21 Y die nachfolgenden Daten genannt:

Transistor 2	ϊ	■	-	:	2N2219
Widerstand 12.		40, 41	:	3600-O.
Widerstand 13	211 30, 31		.-	1500 _/L
Kondensator 15	33		:	0,01 /uF
Kondensator 19			I	0,1 /uF
Widerstand 20			:	400 -Π-
Kondensatoren I			I	0,1 /UF
Dioden 22, 32,		Kondensatoren 42, 43	t	BAX 13
Widerstand 23	:	10 kJl
Widerstand 24	ι.	4200-0.
Widerstand 25	S	5100-0.
Kondensator 26	:	0,01 /\xF
Kondensator 27	:	8 pF
Widerstand 28,	•	10 -TL
Widerstand 34	•	10 k_n_
Widerstand 35	t	10 k_n_
Dioden 36, 37	:	BAX 13
Widerstand 38	:	-50-TL
Widerstand 39	:	400 SL
	:	3 PF.

Es sei bemerkt, dass mit diesem praktisch bewährten elektronischen Schalter bei einer Belastungsimpedanz von 75 fL und

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einer Frequenz von 2 MHz bei Verwendung eines Leiternetzwerkes aus nur einem Quefzweig und der Diode 36 eine Sperrdämpfung von etwa 100 dB und bei Verwendung eines Leiternetzwerkes mit zwei Querzweigen und den Dioden 36 und 37 eine Sperrdämpfung von etwa 130 dB verwirklicht worden ist.

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Claims

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PATENTANSPRÜCHE t

• 1. . . Elektronischer Schalter zum Durchschalten von Hochfrequenz Signalen, der einen Sehalttransistor mit einer Eingangselektrode _f einer Ausgangselektrode und einer gemeinsamen Elektrode, sowie einen Steuerkreis enthält» der mit dem genannten Transistor gekoppelt und mit einem Hilfsschalter zum Erzeugen der Sperr- bzw. Entsperrspannung für die Kollektor-Emitter-Strecke des genannten Transistors versehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass der elektronische Schalter weiter mit einem Schaltgenerator (16) versehen ist, der den genannten Sehalttransistor (2) und einen Schaltspannungskreis (17) enthält, der mit einer mit der genannten gemeinsamen Elektrode (5) des Transistors (2) gekoppelten Schaltspannungsleitung (18) und einem einerseits an diese Schaltspannungsleitung (18) und' andererseits an eine Quelle mit festem Bezugspotential angeschlossenen, durch einen Kondensator (19) überbrückten Einstellwiderstand (20) versehen ist, durch welchen Schaltgenerator (16) infolge der dem genannten Schalttransistor (2) zugefführten Sperr- bzw. Entsperrspannung der genannten Schaltspannungsleitung (18) eine Schaltspannung zum Entsperren bzw. Sperren einer den Transistor (2) überbrückenden, einerseits mit der genannten Ausgangselektrode gekoppelten und andererseits an die Schaltspannungeleitung angeschlossenen Reihenschaltung eines Trennkondensators (21) und einer vorgespannten Schaltdiode (22) zugeführt wird.
2. Elektronischer Schalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die genannte Reihenschaltung aus Trennkondensator (21) und vorgespannter Diode (22) einen Teil eines als Leiternetzwerk ausgebildeten Spannungsteilers (29) bildet, welcher Spannungs-

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teiler eine Anzahl mit Hilfe von Längszweigen miteinander verbundener Querzweige enthält, wobei die Längszweige mit je einer Schaltdiode (36,37) versehen sind, deren Durchlassrichtung der der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors (2) entspricht und wobei die Querzweige entsprechend der genannten Reihenschaltung durch eine Reihenschaltung eines Trennkondensators (3O»31) **nd einer vorgespannten Diode (32,33) gebildet werden.
3. Elektronischer Schalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass im genannten Schaltspannungskreis der Einstellwiderstand (20) einen Teil eines Spannungsteilers bildet, der durch eine Reihenschaltung aus dem genannten Einstellwider st and (20) und einem zweiten Widerstand (39) gebildet wird, der an eine zweite Quelle mit festem Bezugspotential angeschlossen ist, und wobei die Schaltspannungsleitung (18) an den gemeinsamen Verbindungspurikt der genannten Widerstände (20,39) angeschlossen ist.
4. Elektronischer Schalter nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltspannungsleitung (18) über einen Stromgegenkopplungswiderstand (38) an die gemeinsame Elektrode (5) des in Emitterschaltung aufgenommenen Schalttransistors (2) angeschlossen ist.

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