DE2320888A1

DE2320888A1 - Vorrichtung und verfahren zur praezisen fuehrung und markierung eines auf ein ziel auftreffenden elektronenstrahls

Info

Publication number: DE2320888A1
Application number: DE2320888A
Authority: DE
Inventors: Jacques Trotel
Original assignee: Thomson CSF SA
Current assignee: Thales SA
Priority date: 1972-04-25
Filing date: 1973-04-25
Publication date: 1973-11-08
Also published as: GB1396209A; JPS4954999A; FR2181467A1; US3864597A; DE2320888B2; JPS5218958B2; FR2181467B1; DE2320888C3

Description

Uns er Zeichen? T 1370

THOMSON-CSF

173 Bd.Haussmann

75008 Paris, Frankreich

Vorrichtung und Verfahren zur präzisen Führung und Markierung eines auf ein Ziel auftreffenden Elektronenstrahls

Die Erfindung bezieht sich auf Anordnungen mit einem Elektronenstrahlsystem und einem Ziel, die im Innern eines Vakuumgefäßes liegen. Das Ziel der Erfindung ist die Schaffung einer Vorrichtung, welche die Erhöhung der Präzision der Führung und der Markierung des auf das Ziel auftreffenden Elektronenstrahls ermöglicht. Als "Führung" wird die Operation bezeichnet, die es ermöglicht, einen gegebenen Punkt des Ziels zu erreichen, und "Markierung" wird die Operation genannt, welche die Bestimmung der Koordinaten des Auftreffpunktes des Elektronenstrahls ermöglicht.

Bekanntlich werden für bestimmte Anwendungen, beispielsweise für die Herstellung von Masken für integrierte Schaltungen und für die Lese-, und Schreibvorgänge bei Informationsspeichern außerordentlich feine Elektronenstrahlen mit einem Durchmesser in der Größenordnung von 1/10 bis 1/100 um angewendet. Bei einer Ablenkung

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über eine Breite von 5 cm besteht somit ein Verhältnis von 2 .10" bis 2.10 zwischen den Abmessungen des Auftreff punktes und der Ablenkzeile. Eine Genauigkeit von 1/10 um dem Absolutwert nach für die Lage des Auftreffpunktes entspricht einer relativen Genauigkeit in der Größen-

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Ordnung von 10 bis 10 · Eine derartige Genauigkeit ist mit den unvorhersehbaren Störablenkungen des Elektronenstrahls unter dem Einfluß von die Katodenstrahlröhre umgebenden Störmagnetfeldern unvereinbar. Zum Schutz der Röhre gegen Störmagnetfelder werden Abschirmungen aus einem Material mit großer magnetischer Permeabilität , im allgemeinen aus Mumetall angewendet. Dennoch bleibt die Schwierigkeit bestehen, daß die Präzision des Ablenksystems verbessert werden muß, und daß insbesondere Kontrolleinrichtungen für die Ablenkung vorgesehen sein müssen, die es ' ermöglichen, den Ort des Auf treff punktes mit der erforderlichen Präzision festzustellen.

Mit der Erfindung wird eine Vorrichtung geschaffen, welche diese Forderungen erfüllt.

Nach der Erfindung ist eine Vorrichtung zur präzisen Führung und Markierung eines von einer Katode emittierten Elektronenstrahls, der durch ein Ablenksystem abgelenkt wird und auf eine Zielfläche auftritt, wobei alle diese Teile in einem Vakuumgefäß untergebracht sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Zielfläche zwei zueinander senkrechte Meßskalen aufweist, daß die Skalenmarken der Meßskalen durch eine Substanz gebildet sind, die so beschaffen ist, daß sie beim Auftreffen des Elektronenstrahls einen Sekundäreffekt erzeugt,

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der die Skalenmarken von dem Rest der Meßskalen unterscheidet, daß in der Nähe der Skalenmarken Detektoreinrichtungen zur Feststellung des Sekundäreffekts vorgesehen sind, und daß das Ablenksystem Einrichtungen enthält, die in der Lage sind, den Elektronenstrahl nacheinander auf jede der Meßskalen auftreffen zu lassen.

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung beispielshalber beschrieben. In der Zeichnung zeigen:

Fig.1 eine schematische Schnittansicht eines elektronischen Maskenerzeugers mit einer Vorrichtung nach der Erfindung,

Fig.2 eine perspektivische Ansicht der wesentlichen Bestandteile des Geräts von Fig.1,

Fig.3» 4 und 5 Diagramme zur Erläuterung der Wirkungsweise des Geräts von Fig.1 und 2 und

Fig.6 das Prinzipschema eines Teils der Vorrichtung nach der Erfindung.

Fig.1 zeigt schematisch die Schnittansicht einer Maschine zur Herstellung von Masken, wie sie auf dem Gebiet der "planaren" Halbleiterbauelemente und der monolithischen, integrierten Schaltungen auf Siliziumsubstrat angewendet werden.

Ein Vakuumgefäß besteht aus einem Eingang 111, der an ein nicht dargestelltes Pumpsystem angeschlossen ist, einer Grundplatte .12, die eine Glocke 13 trägt, und einem im Inneren der Glocke 13 angeordneten Hohlsockel 121, der als Träger für ein Ziel 1 dient. Die Befestigung des

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Ziels erfolgt durch einen Rand 3 des Sockels und durch Federn 122, die das Ziel gegen den Rand 3 drücken. Das Ziel besteht im allgemeinen aus einem Plättchen, von dem hier angenommen wird, daß es rechteckig ist. Entlang zwei aneinander stoßenden Rändern des Ziels liegen zwei 'Meßskalen 41 und 42 ( von denen die Meßskala 42 nur in Fig.2 sichtbar ist). Die Glocke 13 enthält einen Behälter 14, der über eine öffnung 141 nach außen mündet,und einen Behälter 17, der über eine Öffnung 171nach außen mündet.

Diese Behälter sind_s dazu bestimmt,als Kryostat zu arbeiten; zu diesem Zweck wird der BetäLter 14 mit flüssigem Stickstoff 140 und der Behälter 17 mit flüssigem Helium 170 gefüllt. Der Behälter 14 umgibt den Behälter 17, der seinerseits einen zylindrischen Raum umgibt, in dem sich das Elektronenstrahlsystem 5 befindet, das eine . Elektronenquelle 7 enthält. Dieser Raum ist vor äußeren Magnetfeldern durch einen Schirm 19 geschützt, der supraleitend gemacht wird, wenn die Wand 18, an der er anliegt, die Temperatur von flüssigem Helium hat. Der Schirm 19 ist zum Ziel 1 hin durch einen Kegelstumpf 181 verlängert, der einen Kegelstumpf 16 umgibt, der die Verlängerung des Elektronenstrahlsystems 5 und des die Fokussierund Ablenkorgane der Katodenstrahlröhre enthaltenden Zylinders 51 bildet. Der zwischen dem Schirm 19 und dem Kegelstumpf 16 liegende Zwischenraum ist schmal. Diese Ausbildung erleichtert den magnetischen Schutz und die Erzielung eines Hochvakuums in der Umgebung des Elektronenstrahlsystems 5, weil entlang der auf der Temperatur des flüssigen Heliums liegenden ¥and 18 ein kryogener Pump effekt entsteht.

Das Elektronenstrahlsystem 5 enthält vorzugsweise eine Elektronenquelle 7 mit feiner Spitze, die durch Feldeffekt kaltemittiert, oder auch eine Elektronenquelle

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- 9 S

3eder beliebigen anderen Art (der Feldeffekt wird durch den kryogenen Pumpeffekt begünstigt). Die Elektronen gehen durch eine elektrostatische oder elektromagnetische Linse 8 und dann durch zwei aufeinanderfolgende Ablenksysteme 9 und 10.

Über den Meßskalen 41 und 42 ist ferner ein Winkel 20 angebracht, der parallel zu den Meßskalen liegt und eine Fangelektrode für Sekundärelektronen bildet.

In der perspektivischen Darstellung von Fig.2 ist der Elektronenstrahl 50 gezeigt, der von der Elektronenquelle 7 emittiert wird und nacheinander durch die Linse 8 und durch die Ablenksysteme 9 und 10 geht, die den Elektronenstrahl derart ablenken, daß er beispielsweise auf die Meßskale 41 auftrifft (X-Richtung der Ablenkung). Die Ablenksysteme sind bei dem dargestellten Beispiel durch, doppelte Ablenkplattenpaare gebildet. Die Ablenkplatten 91 und 101 dienen zur Ablenkung in der Y-Richtung, die senkrecht zu der X-Richtung liegt. Sie sind an eine Anschlußklamme 95 bzw.. 105 angeschlossen. In entsprechender Weise dianen die Ablenkplatten 92 und 102 für die Ablenkung in der X-Richtung, und sie sind an Klemmen 94 bzw. 104 angeschlossen.

Die Ablenkvorrichtung 9 mit kleiner Ablenkamplitude ist dazu bestimmt, die Genauigkeit der Führung (oder der Markierung) zu verbessern, die mit Hilfe der Ablenkvorrichtung 10 erfolgt, welche die Hauptablenkvorrichtung mit großer Amplitude ist. Die Ablenkvorrichtung 9 ist so bemessen, daß der Stellungsfehler des Auftreff punktes des Elektronenstrahls auf einer der Meßskalen kleiner als die Breite einer Skalenmarke ist, also sehr viel kleiner als derAbstand zwischen zwei Skalenmarken . Später werden

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■ noch weitere Bedingungen angegeben, die von den Ablenkvorrichtungen 9 und 10 erfüllt werden müssen·

Die Meßskalen 41 und 42 sind parallel an eine Klemme 401 angeschlossen, während die Elektrode 20 mit einer Klem- _t me 402 verbunden ist.

Es sind:

- I : die Stromstärke des Skalenstroms, der von der Klemme 401 zu den Meßskalen fließtj

- I_g: die Stärke des Stroms der Elektrode 20, der zwischen dieser Elektrode und der Klemme 402-fließt;

- 1^: die Stromstärke des Elektronenstrahls.

Unter Berücksichtigung des Sekundäremissionseffektes gilt:

-If- ¹S " <¹>

Da man ;jedoch an den Klemmen 401 und 402 über die Ströme I_m bzw. I verfügt, kann man den Strahlstrom I^ aus der Gleichung (1) wiederherstellen; dies ergibt:

In Fig.3 ist ein kleines Stück der Meßskala 41 dargestellt, wobei eine rechteckige Skalenmarke gezeigt ist, die beispielsweise durch einen Goldfleck gebildet ist, der auf ein Substrat aus Chrom aufgebracht ist, das den Rest der Skala bildet. Mit P wird die Auftreffzone des

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Elektronenstrahls bezeichnet. Es soll die Stellung des Elektronenstrahls markiert werden, bei der die beiden Gebiete H₁ und H₂ , die durch don Rand OO einer Skalenmarke N voneinander abgegrenzt werden, gleich groß sind·

Wenn mit k^ und k₂ die Sekundäremissionskoeffizienten von Chrom bzw. von Gold bezeichnet werden, gilt für den Fall, daß die Auftreffzone F ausschließlich auf Chrom liegt:

I₈=I₁ .-Ic₁ I_f (3)

und für den Fall, daß die Auf treff zone F ausschließlich auf Gold liegt:

I₂ = I₂ = k₂ I_f (4)

Wenn man setzt:

k= (5)

gilt für die Stellung des Elektronenstrahls, bei der

I₁ + I₂

H₁ = H₂ :

(6)

In Fig.4 ist der Verlauf von I_ als Funktion des Abstandes ζ dargestellt, der algebraisch auf einer Z-Achse gezählt wird, die parallel zu der Meßskala 41 liegt und deren Ursprung auf dem linken Rand der Skalenmarke N liegt, wie in Fig.3 dargestellt ist (z:Abstand des Mittelpunktes der Zone F von der Achse 00).

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Unter Berücksichtigung der Gleichungen (2) und (6) erhält man am Punkt C, an dem die I -Kurve die Ordinatenachse schneidet, die Gleichung:

Dieses Ergebnis muß an den Klemmen 401 und 402 im Augenblick des Durchgangs des Mittelpunkts der Zone F durch den Rand OO der Skalenmarke N-. beobachtet werden..

JL

Da es jedoch zu langwierig und zu schwierig wäre, die Gleichung (7) von Hand zu überprüfen, wird eine Regelanordnung angewendet, die in jedem Zeitpunkt die Abwei- ^v chung zwischen der Ist-Stellung der Zone F und der Soll-Stellung (H-J= H₂) mißt und diese Abweichung durch ein Fehlersignal von solchen Vorzeichen ausdrückt, daß dieses mittels der Ablenkvorrichtung 9 die Ablenkung des Elektronenstrahls 50 in einer solchen Richtung steuert, daß der Elektronenstrahl 50 in die Soll-Stellung gebracht wird, in welcher der Auftreffpunkt symmetrisch zu dem Rand einer Skalenmarke liegt.

Als Beispiel ist in Fig.6 einEindraht-Schaltbild einer Regelanordnung dargestellt, welches die folgenden Bestandteile enthält:

- einen Detektor-Komparator 601;

- zwei Doppelumschalter 606 und 607 mit zwei Stellungen (I) und (II);

- zwei Integratoren 602 und 603;

-zwei Addierschaltungen 604 und 605 mit einstellbarem Ausgangssignal.

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Es sei zunächst angenommen, daß sich die beiden Umschalter 606 und 607 in der Stellung I befinden.

Die Ablenkvorrichtung 10 wird dann derart gespeist (Spannung V_x an der Klemme 104, Spannung V_Q an der Klemme 105), daß der Elektronenstrahl 50 auf die Meßskala 41 in der Nähe der Skalenmarke N_v auftrifft. Der Detektorkomparator 601 speist die Klemmen 401 und 402 mit einer positiven Gleichspannung, woraus sich, wie zuvor gezeigt wurde, Ströme I_ und I„ ergeben. Das erhaltene Fehlersignal wird dem Eingang E„ der Addierschaltung 6o4 über den Integrator 602 zugeführt. Die Addierschaltung hat zwei weitere Eingänge, deren Zweck später zu erkennen sein wird. Der einzige Ausgang der Addierschaltung 6o4 ist mit der Klemme 94 verbunden (Ablenkung in der X-Richtung).

Wenn nun angenommen wird, daß sich die Umschalter 606 und 607 beide in ihrer Stellung II befinden, läuft alles so ab, als ob die Spannung V mit- der Spannung V ,

der Eingang E_ mit dem Eingang E__ und die Meßskala 41 ^ a. y

mit der Meßskala 42 vertauscht wären.

Wenn man dagegen den Umschalter 6o6 in die Stellung II und den Umschalter 607 in die Stellung I bringt, werden die Verbindungen zwischen den Teilen 601, 602 und 603, d.h. die Regelanordnung unterbrochen.

Es soll nun die Verwendung des Geräts beschrieben werden, wobei nacheinander die beiden folgenden Probleme untersucht werden:

- 1. Problem: Der Elektronenstrahl soll zu einem bestimmten Punkt P des Zieles 1 geführt und dort stillgesetzt werden;.

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- 2.Problem: Die Stellung des Elektronenstrahls soll durch Messung der Koordinaten des Auftreffpunktes markiert werden.

Erstes Problem:

In Fig.5 ist ein Gitternetz dargestellt, das auf zwei rechtwinklige Achsen X und Y bezogen ist, wobei angenommen ist, daß dieses Gitternetz auf der Ebene des Ziels T gezeichnet ist, die so erweitert ist, daß sie die Meßskalen 41 und 42 enthält, wobei die Meßskala 41 entlang der X-Achse und die Meßskala 42 entlang der Y-Achse liegen. Es sei Q₀ ein Punkt mit den Koordinaten Ν_χ, HyVso daß für den Punkt P (X, Y) gilt:

X = K_{x +} X
Y = Ny + y

wobei χ und y kleiner als die Einheit (d.h. der.Abstand zwischen zwei Skalenmarken )sind.

Das Verfahren zur Anwendung der beschriebenen Vorrichtung besteht darin, den Elektronenstrahl mit äußerster Genauigkeit auf den Punkt Y_Q(Fig.5) einzustellen und anschließend mit geringerer Genauigkeit so zu verstellen, daß er auf den Punkt P gebracht wird.

Bei dem nachstehend beschriebenen Verfahren wird angenommen, daß die folgenden Bedingungen vereinigt sind:

ä) die Genauigkeit der mit Hilfe derAblenkvorrichtung 1o durchgeführten Einstellung des Elektronenstrahls ist besser als die Binheit(Abstand zwischen zwei Skalenmarken) j

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"b) das von der Ablenkvorrichtung 10 beherrschte Einstä.1-feld enthält das Ziel 1 sowie die Meßskalen 41 und 42;

c) die Genauigkeit der mit Hilfe der Ablenkvorrichtung bewirkten Einstellung des Elektronenstrahls ist besser als die Dicke einer Skalenmarke;

d) das mit Hilfe der Ablenkvorrichtung 9 bestrichene Ablenkfeld des Elektronenstrahls ist wenigstens gleich der Einheit; .

e) die Stabilität der den Ablenkvorrichtungen zugeführten elektrischen Spannungen wird für eine Zeit aufrechterhalten, die größer als ein vorbestimmter Wert ist, beispielsweise größer als die Zeit, die im Fall der Herstellung einer Maske für die Ausführung eines vollständigen Musters bei weitem ausreichend ist.

Die Einstellung auf den Punkt Q_Q erfolgt in zwei Zeitabschnitten. Man bringt zunächst die Umschalter 6o6 und 607 (Fig.6) in die Stellung I und stellt die Ablenkung des Elektronenstrahls in der X-Richtung ein. Anschliessend werden die Umschalter 606 und 607 in die Stellung Il gebracht, und die Ablenkung des Elektronenstrahls wird in der Y-Richtung eingestellt. Schließlich wird die Regelanordnung abgeschaltet, und der Elektronenstrahl wird ausschließlich durch Einwirkung auf die Ablenkvorrichtung mit Hilfe der den entsprechenden Eingängen der Addierschaltungen 604 und 605 zugeführten Spannungen U_x und verstellt. Dies setzt eine vorhergehende Eichung der Ablenkvorrichtung 9 voraus.

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Zweites Problem:

Dieses Verfahren ist zu dem zuvor beschriebenen Verfahren umgekehrt. Da der Auftreffpunkt des Elektronenstrahls vorgegeben ist, seine Koordinaten aber unbekannt sind, verändert man die Einstellung, Ms der Elektronenstrahl auf einen Punkt mit bekannten Koordinaten auftrifft, beispielsweise den Punkt Q₃, und aan -leitet die Koordinaten des Auftreffpmsktes ans den Änderungen U_x und U-. der Spannungen an den Klemmen der Ablenkvorrichtung 9 ab.

Damit die Führung oder dis Markierung des Elektronenstrahls bei jedem Gerat lsi gleicher Weise erfolgt* muß man die Verzerrungen Iserücksishtigen, welche die Ablegskvorrichtung IO aiafweisen kann» Zu diesem Zweck. ." speichert man-zunächst €i© Korrekturen Au,, und ävl? die as den Spannungen v^ ΐ2¥, η vorzunehmen siad_t damit der Prmkh Q (N_x, M,_r) auf δ&η ^yakt Q_Q gebracht wird₅ der -ein. Knotenpunkt sia@s auf das' Ziel 1 aufgebrachten Eicfegitternetzes" ίst_c Βί@ ^isfeiiag kaim beispielsweise..-' dadnr©lx ss»folgen, dai dag Serlt wie ein-SIsktronsamikroskop' mit Elekti^aeaists^alalaMsnlcung irerwenaet w wodurch das Bichgitternets sielitbar gemacht-wird_ö

Die Spannungen u_ ₂ ^ laad ül®. Itorrekturen iferdea an den Hilfselagängen -dar Addierschaltimgen S und 6O5 in die Regelanordmussg ^oa FIg«6 eingeführte, Schließlich darf die Abtrift d©r SpeisBspannungen, im Lauf der Zeit nicht außer Acht gelassen werden· Man muß- die Zeit T ermitteln, nach i-/eleher disse Abtrift die gleiche Größenordnung wie die Auflösung des- Geräts erreicht_β Die Dauer der Operationen der Sichung und der "

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Führung (oder der Markierung) muß "bei weitem kleiner als die Zeit T sein, damit die Ergebnisse gültig sind.

Als Anhaltspunkt für die Größenordnungen soll eine Dauer von einer Sekunde für die Zeit T angegeben werden, während die Operationen im Fall der zuvor beschriebenen Regelanordnung in v/eniger als einer Millisekunde durchgeführt werden können.

Es sind Abänderungen möglich, bei denen die Skalenmarken der Meßskalen unter der Einwirkung des Elektronenbeschusses durch den Elektronenstrahl Sekundäreffekte zeigen, die von der Sekundärelektronenemission verschieden sind, beispielsweise :

- die Emission von rückgestreuten Elektronen;

- die Emission von Röntgenstrahlen;

- die Emission von Licht?

- die Erzeugung von Ladungsträgern im Material.

Die beschriebene Vorrichtung eignet sich in sehr vielen Fällen, wo ein sehr feiner Elektronenstrahl angewendet wird, der so abgelenkt werden kann, daß er jeden beliebigen Punkt einer vorgegebenen Fläche erreicht, sei es zur Aufbringung einer Information oder zum Ablesen einer Information.

Von diesen Anwendungsfällen seien genannt:

- die Fernsehbildröhren: Die vom Elektronenstrahl gelieferte Information stellt ein Bild dar, das durch einen Leuchtstoff sichtbar gemacht wird;

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- die Fernsehaufnahmeröhrens Die vom Elektronstrahl abgelesene

Information ist ein optisches Bil&s

- verschiedene Arten von Speichern für Rechengeräte, bei denen die Information durch einen Elektronenstrahl auf einem geeigneten Träger aufgezeichnet oder abgelesen

wird, ' ■

- die Peripheriegeräte von Rechenanlagen, welche die Rechenergebnisse auf dem Bildschirm einer Katodenstrahlröhre sichtbar machen;

- die Maschinen zur Herstellung von Masken für die Fertigung von Halbleitervorrichtungen, bei denen das die Maske bildende Kunstharz mit Hilfe eines sehr feinen Elektronenstrahls geprägt wirdι -

- bestimmte Prüfmaschinen .für Halbleitervorrichtungen,

bei denen der elektronische Zustand bestimmter Schaltungspunkte durch die Wirkungen gemessen werden kann, die durch das Auf treffen eines Elektronenstrahls erzeugt werden j

- Elektronenmikroskope mit Elektronenstrahlablenkung, Mikrosonden usw.

Patentansprüche

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Claims

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Patentansprüche

Vorrichtung zur präzisen Führung und Markierung eines von einer Katode emittierten Elektronenstrahls, der durch ein Ablenksystem abgelenkt wird und auf eine Zielfläche auftrifft, wobei alle diese Teile in einem Vakuumgefäß untergebracht sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Zielfläche zwei zueinander senkrechte Meßskalen aufweist, daß die Sfcalenmarken der Meßskalen durch aine Substanz gebildet sind, die so beschaffen 1st, daß sie beim Auftreffen des Elektronenstrahls einen Sekundäreffekt erzeugt, der die Skalenmarken von dem Rest dar Meßskalen unterscheidet, daß in der Nähe der Skalenmarken Detektoreinrichtungen zur Peststellung dc-s Sekundärsffekts vorgesehen sind, und daß das Ablenksystem Einrichtungen «nthält, die in der Lage sind, den Ziektrosensiaeahl nacheinander auf jede der Meßskalen amt'-aften su

Vorrichtung nach Anspr-uofc U dadtircia gekennzeichnet, daß der Sekundäreffekt die S£&uz..Jij^lekt^uiasnesissioa ist^ yn& daß die Detektors im* lclrfeK :■:-■£ ■»*?"}■ .^r*iaagele5rtrode £ilr die Sskundärelektronsn ^tMlt-^i.

3. Vorrichtung nach Ansprtioli 1 ^der 2_S daiurch gekennzeion&et, daß das Ablenksystem eine Regalanordnung enthält, die den Elektronenstrahl dazu bringt, sich symmetrisch zu einem vorbestimmten Rand einer beliebigen Skalenmarke der einen oder der anderen Meßskala i

4, Vorrichtung nach einem der Anspruch© 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß die Skalenmarken diii'ch Goldflecken gebildet sind, und daß der Rest der Meßskalen mit Chrom bedeckt ist.

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5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Ablenksystem einen ersten und einen zweiten Ablenkblock enthält, daß der erste Ablenkblock dazu dient, den Elektronenstrahl in die Nähe einer vorbestimmten Skalenmarke zu bringen, und daß der zweite Ablenkblock dazu dient, den Elektronenstrahl symmetrisch auf einen der Ränder der Skalenmarke einzustellen*

6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß im Innern des Vakuumgefässes rings um die Katode ein Schirm angebracht ist, der durch thermischen Kontakt mit einer kryogenen Quelle supraleitend gemacht ist.

7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die kryogene Quelle durch einen den Schirm umgebenden Behälter mit verflüssigtem Gas gebildet ist,

,8. Verfahren zum Führen und Markieren eines Elektronenstrahls unter Verwendung einer Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß

a) ein vorbestimmten Punkt der Zielfläche durch seine folgenden Koordinaten identifiziert wirdi

I = L-I-J

wobei N und SL. die Anzahl der Intervalle zwischen den Skalenmarken auf den Meßskalen darstellen«, die auf den Bezugsachsen des XY-Systems angeordnet sind_s und die Größen χ und y die Bruchteile eines solchen als Einheit gewählten Intervalls darstellen;

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b) die Ablenkung so eingestellt wird, daß der Elektronenstrahl auf den folgenden Punkt auftrifft

^Xo = ^Nx
Y=O

c) die Ablenkung so eingestellt wird, daß der Elektronenstrahl auf den folgenden Punkt auftrifft

X = O

Y = N
ο ^wy

d) die Ablenkung so eingestellt wird, daß der Elektronenstrahl auf den folgenden Punkt auftrifft

^xo - ^Hx
^Yo = ^Ny

e) die Ablenkung so eingestellt wird, daß der endgültige Punkt (x,y) erhalten wird.

9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch ihre Verwendung in einer Katodenstrahlröhre.

10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch ihre Verwendung in einem Elektronenmikroskop.

11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7» gekennzeichnet durch ihre Verwendung in einem elektronischen Maskenerzeuger.

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