DE2320656A1

DE2320656A1 - Signalerzeugungsschaltung mit temperaturkompensation

Info

Publication number: DE2320656A1
Application number: DE2320656A
Authority: DE
Inventors: Hernando Javier Garcia; Benjamin R Peek
Original assignee: Integrated Systems Technology Inc
Current assignee: Integrated Systems Technology Inc
Priority date: 1972-04-24
Filing date: 1973-04-24
Publication date: 1973-11-08
Also published as: JPS4955261A; US3763440A

Description

D\i L ■-■■< ^: .-.ίκκΜΑΝΝ 24. April 1973

MCNCl . I 2
THEStSiEHSTRASSE 33

INTEGRATED SYSTEMS TECHNOLOGY, INC.

2701 National Drive

Garland, Dallas County, Texas

V. St. A.

"Signalerzeugun.gsschaltung mit Temperaturkompensation"

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Signalerzeugungsschaltung und insbesondere eine derartige Schaltung mit Temperaturkompensation.

Zwar v/eisen quarzgesteuerte Oszillatoren hohe Prequenzstabilität auf, doch machen sich Änderungen der Umgebungstemperatur störend auf ihren Betrieb bemerkbar. Bei diesen Temperaturänderungen dehnt sich das Material des Quarzkristalls aus oder zieht sich zusammen, und die Änderungen der Abmessungen haben Änderungen der Eigenschwingungsfrequenz

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der Quarze zur Folge. Verschiedene Verfahren sind zur Ver- ■ hinderung derartiger Frequenzänderungen vorgeschlagen worden, darunter die Unterbringung des Quarzkristalls in einem Thermostatenofen, sodaß die Temperatur des Quarzkristalls konstant bleibt. Zwar ergeben derartige als Thermostaten wirkende Öfen im allgemeinen gute Ergebnisse, doch sind sie ziemlich teuer und umfangreich. Außerdem, wurden Kompensationsschaltungen zur Ausschaltung des Einflusses von Temperaturänderungen auf die Quarze vorgeschlagen. Derartige Schaltungen kosten zwar weniger, doch liefern sie auch keine sehr zufriedenstellenden Ergebnisse, besonders da die Frequenzänderung des Quarzkristalls keine lineare Funktion der Temperatüränderung ist. Eine genaue Kompensation läßt sich deshalb nur sehr schwer erzielen. Wenn überhaupt, so sind nur wenige !Compensationschaltungen der gegenwärtig verfügbaren Art für Oszillatoren, die mit mehreren Quarzen arbeiten, d.h. die mehrere Betriebsfrequenzen haben, geeignet.

Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine neue, verbesserte Temperaturkompensationsschaltung für quarzgesteuerte Oszillatoren zu schaffen.

Die Erfindung hat ferner zum Ziel, eine Temperaturkompensationsschaltung zur Verwendung in Oszillatoren mit mehreren Quarzkristallen zu schaffen.

Die Erfindung hat außerdem zum Ziel, eine Temperaturkompensationsschaltung zu schaffen, die eine genauere Kompensation der Temperaturänderungen in quarzgesteuerten Oszilla-

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tor an ergibt, in denen die Frequenz in nichtliiiearer Weise γόη den 'i'emperaturänderungen abhängt.

Diese und weitere Ziele der vorliegenden Erfindung werden in einer bestimmten beispielhaften Ausführungsform verwirklicht, in der ein quarzgesteuerter Oszillator mit einem oder mehreren quarzgesteuerten Kreisen zur Erzeugung von Schwingmasseignalen verwendet wird; an den Oszillatorkreis ist ein Temperaturkompensationskreis angeschlossen, der die kapazitive Belastung der im Oszillator verwendeten oteuerquarss regelt. Die Temperaturkompensationsschaltung liefert einen ersten Kapazitätswert in einem ersten Temperaturbereich, einen zweiten Kapazitätswert, der mit einer bestimmten Geschwindigkeit als Punktion der Temperatur sich in einem zweiten Temperaturbereich einstellt, und einen dritten Kapazitätswert, der mit einer von der ersten Änderung&geschwindigkeit abweichenden Geschwindigkeit sich η it der Temperattiränderung in einem dritten Temperaturbereich ändert. Durch Veränderung der kapazitiven Belastung des oteuerquarzes bzw. der Steuerquarze wird die Frequenz verschoben, um alle durch Temperatüränderungen erzeugten Veränderungen an den Steuerquarzen auszugleichen.

Volles Verständnis der vorliegenden Erfindung sowie ihrer Ziele und Vorteile ergibt sich aus der folgenden Beschreibung einer bestimmten Ausfl'hrungsform unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung, die einen erfindungsgemäßen öiimalgenerator mit Temperaturkompensation darstellt.

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Die in der Pigur dargestellte Schaltung umfaßt einen abstimmbaren Ossillatorkreis 2, der sinusförmige Signale verschiedener Frequenzen erzeugen kann. Die Frequenzen können beispielsweise im Bereich der Radiofrequenzen liegen. Ossillatorkreis 2 umfaßt einen Transistor 4 und mehrere getrennte, aber gleichartige quarzgesteuerte Kreise 6-12, von denen jeweils einer in Betrieb ist, um Signale einer bestimmten frequenz zu erzeugen. Uur die Einzelheiten der ersten beiden quarzgesteuerten Kreise 6 und 8 und des letzten Kreises 12 sind dargestellt. Abgesehen von den verschiedenen !Frequenzen entsprechenden Quarzen gleichen sich die quarzgesteuerten Kreise im Prinzip ihres Aufbaus.

Der Betrieb jedes quarzgesteuerten Kreises 6-12 hängt von der in Leitungen 20-26 auftretenden Spannung ab. Die Spannungen in diesen Leitungen werden ihrerseits durch einen Portschaltkreis 30 und die jeweiligen Stellungen der Wahlschalter 34-40 eingeregelt. Mit den Schaltern 34-40 können die entsprechenden quarzgesteuerten Kreise über Fortschaltkreis 30 ein- bzw. abgeschaltet werden.

Wenn ein bestimmter der Schalter 34-40 geschlossen ist, sodaß die entsprechende Leitung der Leitungen 20-26 an Portschaltkreis 30 angeschlossen ist, kann der zugehörige quaragesteuerte Kreis 6-12 über Portschaltkreis 30 eingeschaltet werden* indem das bewegliche Teil des entsprechenden ■Wahlschalters geerdet wird, während die beweglichen Teile der anderen Schalterabschnitte offen bleiben. Die ¥ahl des

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ic;v/eiliger» Behälters hängt von den Steuersignalen ab, die an Leitung 4v des Portschaltkreises 70 angelegt werden. Ein für die Zwecke der Erfindung geeigneter Portschaltkreis 50 wurde in der gleichzeitig anhängigen US-Patentanmeldung Ur. 252 470 von 7. liärK 1972 beschrieben. Wenn einer der Wahlschalter geschlossen wird und. sein bewegliches Teil über Portschaltkreis 30 geerdet ist, wird der quarsgesteuerte Kreis, an den der Wahlschalter angeschlossen ist, "aktiviert", d.h. der Quarz des entsprechenden Kreises ist mit der Basis des Transistors 4 verbunden. Wenn andrerseits ein Wahlschalter offen ist, oder wenn die entsprechende Ausgangsleitung des Portschaltkreises offen ist, wird der an den Schalter angeschlossene Quarzgesteuerte Kreis durch Auftrennen der Verbindung mit Transistor 4 unwirksam gemacht.

Zur Verdeutlichung des Betriebs eines bestimmten quarzgesteuerten Kreises wird angenommen, daß Kreis 6 in Betrieb genommen ist (Steuerleitung 20 geerdet), während die anderen quarz-gesteuerten Kreise 8-12 abgeschaltet sind (Steuerleitungen offen). Wenn Steuerleitung 20 geerdet ist, fließt Jtron vom Pol +B der Stromversorgung durch Widerstand 50, einen weiteren Widerstand 51» eine Drosselspule 52, eine Leitung 53, eine Diode 54 und eine Drosselspule 55 über oteuerleitung 20 zur Erdung. Diode 54 ist dabei offen, sodaß der obere Anschluß des Quarzes 56 über Kondensator 57 an die Basis des Transistors 4 angeschlossen ist. Der in diesem Pail an Transistor 4 angeschlossene Kreis wirkt dann als quarzge-

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steuerter Oszillator, dessen Resonanzfrequenz vom Quarz 56 bestimmt wird. Rückkopplung über Kondensator 58 hält die Schwingungen des Quarzes 56 aufrecht, die zunächst durch Rauschen in der Schaltung eingeleitet wurden.

Wenn Steuerleitung 22 des zweiten quarzgesteuerten Kreises offen ist, ist Quarz 59 vom Transistor 4 abgetrennt. Wenn insbesondere das untere Ende der Steuerleitung 22 offen ist, fließt Strom vom Pol +B der Stromversorgung durch Widerstand 60, Drosselspule 61, Diode 62, Leitung 63, Widerstand 51, Drosselspule 52, Diode 54-, Drosselspule 55, Steuerleitung 20 und Schalter 34 zur Erdung. Da die Anode der Diode 64 fast an Erdpotential liegt, während die Kathode auf einem etwas unter dem Potential des Pols +B der Stromversorgung liegt, ist Diode 64 gesperrt und Quarz 59 ist damit von Transistor 4 abgetrennt. Was Wechselströme anbetrifft, ist gleichzeitig der obere Anschluß des Quarzes 59 geerdet über Diode 62 (die offen ist) und Kondensator 65. Drosselspule 52 stellt einen verhältnismäßig hohen Wirkwiderstand für Wechselströme dar und verhindert damit, daß Schwingungen vom Quarz 59 den Transistor 4 über den von Spule 52 und Widerstand 51 gebildeten Leitungsabschnitt erreichen. Die anderen quarzgesteuerten Kreise 10-12 sind dann ebenfalls von.Transistor* 4 in der gleichen Weise wie quarzgesteuerter Kreis 8 abgetrennt.

Der Kollektor des Transistors 4 ist an einen Zwischenpunlct auf einem von in Reihe geschalteten Widerständen 67,

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6o und 69 .gebildeten Spannungsteiler gelegt, wobei das obere Ende des /Widerstands 67 an den Pol +B der Stromversorgung gelebt ist, während das untere Ende des Widerstands 69 mit dem Erdungsanschluß verbunden ist. Widerstand 67 hat iia 'vergleich su Widerständen 63 und 69 einen kleinen Widerstandswert und verhindert damit im Zusammenwirken mit Kondensator 66, daß Oszillatorschwingungen an den Pol +B der Stromversorgung gelangen..Der Emitter des Transistors 4 ist über einen Widerstand 70 und einen Kondensator 71 zur Vorspannungserzeugung geerdet. Die von Oszillatorkreis 2 erzeugten Schwingungen werden an die Ausgangsklemme angelegt, die nit dem Emitter des Transistors 4 verbunden ist.

Die in der Figur dargestellte Schaltung umfaßt ferner einen Temperaturkompensationskreis 74 zur Stabilisierung des Betriebs des Oszillators 2 im Falle von Änderungen der Umgebungstemperatur. Die Kompensationsschaltung ist so ausgelegt, daß sie einen bestimmten Kompensationsbetrieb ermöglicht, wenn die Temperatur unter einen ersten Schwellwert fällt, und daß sie in einen anderen Kompensationsbetrieb übergeht, sobald ein zweiter Temperatürschwellwert unterhalb des ersten Schwellwerts unterschritten wird. Das bedeutet, daß die Betriebsweise des Temperatürkompensationskreises 74 vom Temperaturbereich abhängt, sodaß die erforderliche Kompensation jeweils in bestimmten Temperaturbereichen erzielt wird. Bei dieser Art der Temperaturkompensation nuß es sich bei den in Oszillatorkreis 2 verwendeten Quarzen

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um Steuerquarze handelnj deren Frequenzstabilität verhältnismäßig hoch ist oberhalb der Schwellwerttemperatur, und deren Frequenz prozentual um einen bestimmten Betrag abnimmt, wenn die Temperatur unter den ersten Schwellwert abfällt,-Wenn die .Frequenz um einen bestimmten Prozentsatz bei Temperatur abnähme absinkt, sinkt der Absolutbetrag der Frequenzänderung bei Temperaturabnahme immer weniger ab. Da der Betrag der Frequenzänderung selbst unterhalb des ersten Temperaturschwellwerts temperaturabhängig ist, werden zwei verschiedene Ilompensationsweisen mit verschiedenen "Kompensationsraten" verwendetj, um die Auswirkungen von Temperaturänderungen mit größerer Genauigkeit zu kompensieren...

Temperaturkompensationskreis 74 umfaßt einen Temperaturfühler 75 mit einem linearen, positiven Temperatürlcoeffisienten zum Nachweis der Umgebungstemperatur in der unmittelbaren laclibarschaft des Oszillatorkreises 2_Φ Temperaturfühler 75 ist mit Widerständen 16 und 77 in Reihe geschaltet und über diese Widerstände mit einer Leitung 73 verbunden, die an den Pol +B. einer Gleichstromquelle angeschlossen ist_o Der andere Anschluß des Temperaturfühlers 75 ist über Leitung 79 geerdet« Der obere Anschluß des Temperaturfühlers 75 ist an eine Emitterfolgeschaltung angeschlossen, die aus Transistor 30 und in Reihe geschalteten Smitterwiderständen 31 und 82 besteht. Der Yerbiiiduiigspunkt der Widerstände 81 und 82 ist mit dem Eingang eines Funktionsverctärkers 63 über Widerstand 04 und eine Diode 35 verbunden.

^ Ü Q fi L K / H Q 7 1

W U ω U 4 w ? U *J & 'J

j'unktionöverstärker β? umfaßt einen Differenzverstärker 86 mit hoher, Verstärkungsgrad und hat einen Eingang 37 mit einer Umkehrstufe und einen weiteren Eingang 38 ohne oignalivnkehrung. Die Anode der Diode 05 ist an die umkehrende Eingangsklemme 87 angeschlossen, während die keine oignalumkehrung ergebende Eingangsklemme 23 an den Verbindungspunkt eine? exxz den beiden Widerständen 90 und 91 bestehenden Spannungsteilers gelegt i~t. Widerstände ⁰O und 91 sind in Reihe geschaltet und liegen zwischen den Γοΐ +Γ- der otrora-"er-εorgung über Leitung 73 und der ober Leitung 79 bewirkten .::/■■'c'urg". ^in Gegenkopplungswiderstand 92 ist zwischen dem ausgang des FunktionsVerstärkers ^:?6 und seinem Eingang r,it Unkehrv.'irkur.g eingesetzt. Kin V/iderstand 9J ist zwischen dem Eingang .U-7 mit Umkehrwirkung und der Erdleitung 79 des Kreises eingesetzt. Der Ausgang des Diffe~r3nzvsrstärkers ist über einen Widerstand 94, eine Diode 95 und einen Widerstand 96 an eine Transistor 97 umfassende Verstärkerstufe gelegt. Der Kollektor des Transistors 97 ist an Leitung 78 des Pols -i-3 der Vers or gungs spannung über einen Widerstand D-' gelegt, während der Emitter des Transistors 97 über einen Widerstand 99 an die Erdleitung 79 angeschlossen ist. jjrans ist er 97 steuert eine aus Peldtransistor 100 bestehende Ausgangsstufe. Die Steuerelektrode des Transistors 100 ist über 7/iderstar.d 101 an den Kollektor des Transistors 97 angeschlossen. Die Emitterelektrode des Transistors 100 ist über'Dioden 102 in Reihenschaltung an Erdleitung 79

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gelegt. Widerstand-103 ist zwischen dem Pol +3 (Versorgungsleitung 73) und der !Emitterelektrode des Transistors 100 eingesetzt, während ein Kondensator 104 eine Verbindung zwischen der Emitterelektrode und der Erdleitung 79 herstellt. Dioden 102, Widerstand 103 und Kondensator 104 bilden einen Vorspannungskreis für Feldtransistor 100. Die Ableitungselektrode des Transistors 100 ist über einen Kondensator 105 an den Emitter des Transistors 4 im Ossillatorkreis 2 angeschlossen.

Zum. Temperaturkompensationskreis 74 gehört ferner eine Gegenkopplung zwischen dem Ausgang des Differenzverstärker.; 86 und dem oberen Anschluß des Temperaturfühlers 75. Diese Gegenkopplung umfaßt ferner einen Transistor 106, dessen Emitter mit dem Ausgang des Verstärkers '-->6 über einen Widerstand 107 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 106 ist über Leitung 108 mit dem oberen Anschluß des Temperaturfühlers 75 verbunden. Die Basis des Transistors 106 ist über Widerstand 109 an den Verbindungsptmkt der in Reihe geschalteten* als Spannungsteiler wirkenden Widerstände' und 111 angeschlossen.

Aufgabe des Temperaturkompensationskreises 74 ist- es, die Schwingungsfrequenz des Oszillatorkreises 2 durch Veränderung der kapazitiven Belastung der Quarze 56, 59 usw. su steuern, wenn diese Quarze an die Basiselektrode des Transistors 4 angeschlossen sind. Die Schwingungsfrequenz sinkt dabei mit steigender kapazitiver Belastung der Quarze

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ab und steigt mit abnehmender kapazitiver Belastung der I;uarse an. In der vorliegenden Ausführungsform spricht ICompeiisationc-kreis 74 nicht an, solange die Umgebungstemperatur einen bestimmten ersten Temperaturschwellwert 'Iber- -~teigt. In diesem passiven Zustand der Kompensationsschaltung sind Diode 35 und Transistor 106 gesperrt und Differenzverstärker 36 erzeugt ein festes Gleichspannungssignal positiver Polarität an seinem Aus gangs ans eiiluß. Diese feste ausgangsspannung dient sum Betrieb des Transistors 97, der meinerseits Beldtransistor 100 steuert. Die Schaltung ist so benssesn, daß Feldtransistor 100-im passiven Zustand der Zonipeiisationsschaltuiig weitgehend durchlässig ist, um maximale Belastung des. Quarzes in Oszillatorkreis 2 zu srgeber:, Die Belastung wird se gewählt, da3 die Ossillatoroiiarse nit ihren Eigenschwingungen schwingen, wenn die Temperaturen oberhalb des ersten Ter>peraturschweliwerts

Bein Absinken der Temperatur im össillatorkreis 2 sinkt auoli dei' -,iclerstand des Temperaturfühlers 75 ab. Die am oberen Anschluß des Temperaturfühlers 75 auftretende Spannung sinkt dabei ebenfalls ab, sodaß auch die am Verbincungspunkt swischen den EmitterfolgeVerstärker-Widerständen S1 und 32 auftretende Spannung absinkt (der Stromfluß durch Transistor 30 sinkt wegen der verringerten Basisspannung ab). 7/enn die Temperatur unter den ersten Temperaturschwellwert absinkt, sinkt öie Spannung am Yerbindungspunkt zwischen

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Widerständen 81 und 82 auf derart niedrige Werte ab, daß Diode 85 durchlässig wird. Der Einsätζpunkt des Stromflusses durch Diode 85 kann durch entsprechende Einstellung des veränderlichen Widerstands 77 eingestellt werden, d.h. der erste Temperaturechwellwert kann auf diese Weise eingestellt werden. Wenn Diode 85 durchlässig wird, sinkt die an Eingangsklemme 87 mit Umkehrwirkung anliegende Spannung (Differenzverstärker 86) ab, wodurch die vom Verstärker gelieferte Ausgangsspannung erhöht wird. Die Ausgangsspannung wird über Widerstand 92 dem Eingang zurückgeführt, sodaß die insgesamt an der Eingangsklemme 87 erscheinende Spannung im wesentlichen unverändert bleibt. Die Betriebsweise eines Funktionsverstärkers bringt es mit sich, daß äußerst geringe Änderungen des Eingangssignals am Eingang mit Signalumkehr große Veränderungen der Verstärker-Ausgangs spannung bewirken.

Wenn die Temperatur unter den ersten Schwellwert sinkt, steigt die Spannung am Ausgang des PunktionsVerstärkers 86 an. Der Stromfluß durch Transistor 97 wird dadurch erhöht, während das Absinken des Steuersignals für FeIdtransistor 100 eine Verringerung des Stromflusses durch diesen Transistor sur Folge hat. Damit sinkt auch die kapazitive Belastung des Quarzes im Oszillatorkreis 2 ab und die Schwingungsfrequenz steigt an. Das Absinken der Schwinguiigsfrequenz, das sich infolge der für den Quarz typischen Temperaturabhängigkeit bei absinkenden TJmge bungs -

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temperaturen ergibt, ist damit kompensiert. Die Schwingungsfrequenz bleibt praktisch konstant.

Bei weiterem Absinken der Umgebungstemperatur wird der Betrag der Frequenzänderung immer geringer, sodaß die Wirksamkeit der vom Kompensationskreis 74 erzeugten Temperaturkompensation leicht absinkt. Um diesem Effekt Rechnung zu tragen, ändert sich die Betriebsweise des Temperaturkompensationskreises 74, sobald die Umgebungstemperatur unter einen zweiten Temperaturschwellwert abgesunken ist. Beim Absinken der Temperatur unter den zweiten Schwellwert wird Transistor 106 leitend. Der Punkt, an dem Transistor 106 leitend wird, hängt vom Spannungsteilerverhältnis der Widerstände 110 und 111 ab, da dieses Verhältnis die der Basis des Transistors 106 zugeführte Vorspannung bestimmt. Wenn Transistor 10.6 leitend ist, fließt Strom vom Kollektor dieses Transistors über G-egenkopplungsleitung 108 und Temperaturfühler 75 sum Erdungsanschluß. Es handelt sich dabei um eine echte Gegenkopplung, da die Spannungsabnähme am Temperaturfühler 75 infolge der Temperaturabnahme teilweise durch den über Ger^nkoppluiigsleitung 108 zugeführten Strom kompensiert wird. Dieser Strom erhöht den Spannungsabfall an Temperaturfühler 75. Beim weiteren Absinken der Temperatur steigt die Ausgangsspannung des Verstärkers 36 an, was seinerseits den über Leitung 108 zugeführten G-egenkopplungsstrom erhöht. Die am Ausgang des Differentialverstärkers

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erscheinende »Spannung steigt beim Absinken der Temperatur unter den -zweiten Temperaturschwellwert nicht so rasch an, wie beim Absinken der Temperatur unter den ersten ßelrwellwert. Die Steuerwirkung des Peldtransistors 100 wird dadurch modifiziert, sodaß die von Kreis 74 hervorgerufene l'emperaturkompensation der temperaturabhängige, η Prequenzkennlinie des im Oszillatorkreis 2 verwendeten Quartes entspricht.

Veränderung der Kristallschwingungsfrequenz, die durch Temperaturänderungen unterhalb eines bestimmten Temperaturschwellwerts erzeugt wird, werden damit in der oben beschriebenen Weise durch geeignete Veränderung der kapazitiven Belastung der Quarzkristalle kompensiert. Pa die Änderungen der Schwingungsfrequenzen der Quarze nicht linear sind, sind zwei Kompensationsfarmen vorgesehen, sodaß die Kompensation den Frequenzänderungen der Kristallschwingungen in vollem Haße' in jedem Temperaturbereich Rechnung trägt.

Die oben beschriebene Anordnung ist nur ein Beispiel der Anwendung der Prinzipien der vorliegenden Erfindung. Den i'ächmann als selbstverständlich erscheinende Abänderungen, können im Rahmen der Erfindung vorgenommen werden. So kann beispielsweise der Kreis zur Temperaturkompensation zusätzliche G-egenkopplungsschaltungen enthalten, um v/eitere Teriperaturschwellwerte unter dem ersten und zweiten Schwellwert einzuführen, wobei der Temperaturkompensationskreis in zusätzlichen Kompensationsf ormen bei den jeweiligen Schwellwerten zu arbeiten beginnt. Zusätzliche G-egenkopplungsströine können dann dem

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Tempera turf öliler zugeführt werden, um den durch die Teinperaturabnahrae hervorgerufenen Spannungsabfall zu kompensieren.

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Claims

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PAIEIfIANS P R Ü Q H E

1J Signalerzeugungsschaltung mit Temperaturkompensation, bestellend aus einem quarzgesteuerten Oszillator (6-12) zur Erzeugung eines Schwingungssignals und einem Temperaturkompensationskreis (74), dadurch gekennzeichnet, daß der Temperaturkompensationskreis (74) an den quarzgesteuerten Oszillator (6-12) angeschlossen ist und die kapazitive Belastung der Oszillatorquarze (56, 59) steuert, und in einem ersten Temperaturbereich eine erste Kapazität und in einem zweiten Temperaturbereich eine zweite Kapazität erzeugt, wobei sich die zweite Kapazität in einem bestimmten Verhältnis zur Temperatüränderung im zweiten Temperaturbereich ändert.
2. Signalerζeugungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Temperaturkompensationskreis (74) Mittel zur Erzeugung einer dritten Kapazität umfaßt, die sich in einem anderen Verhältnis als die zweite Kapazität mit der Temperaturänderung in einem dritten Temperaturbereich ändert.
3. Signalerzeugungsschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Temperaturkompensationskreis (74) einen Lauekondensator enthält, dessen eine Seite an den Oszillator (2) angeschlossen ist, und daß eine Vorrichtung mit■veränderlichem Leitwert die andere Seite des Ladekondensators mit Erdpotential verbindet, wobei letztere Vorrichtung einen ersten Leitwert im ersten Temperaturbereich annimmt, den Leitwert in einem bestimmten Verhältnis zur -Temperatur-

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änderung im zweiten Temperaturbereich ändert, und den Leitwert in einem anderen Verhältnis zur Temperaturänderung im dritten Temperaturbereich ändert.
4. Signalerζeugungsschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung mit veränderlichem Leitwert besteht aus: einer regelbar veränderlichen Impedanzanordnung mit ersten und zweiten Leistungselektroden, die mit dem Ladekondensator und dem Erdungsanschluß in Reihe geschaltet sind, und mit einer Steuerelektrode, wobei die Impedanz zwischen den Leistungselektroden entsprechend der an die Steuerelektrode angelegten Spannung variiert; einem Temperaturfühler (75) zur ETzeußwag einer der Umgebungstemperatur proportionalen Spannung; einer Vorrichtung zur Erzeugung einer festen Steuerspannung beim Auftreten der vom Temperaturfühler in einem ersten Temperaturbereich erzeugten Spannung, zur Erzeugung einer in einem bestimmten Verhältnis veränderlichen Steuerspannung beim Auftreten der vom Temperaturfühler in einem zweiten Temperaturbereich erzeugten Spannung, und zur Erzeugung einer in einem anderen Verhältnis veränderlichen Steusrspannung beim Auftreten der vom Temperaturfühler in einem dritten Temperaturbereich erzeugten Spannung; und einer Vorrichtung zum Anlegen einer von den Steuerspannungen in bestimmter Weise abhängigen Spannung an die Steuerelektrode der regelbar veränderlichen Impedanzanordnung..

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5. Signalerzeugungsschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die regelbar veränderliche Impedanz; aus einem Feldtransistor (100) besteht, dessen Emitter- und Sammelelektrode in Reihe geschaltet sind mit dem Ladekondensator und dem Erdungsanschluß, während die Steuerelektrode an die Vorrichtung zum Anlegen der von der Steuerspannung abhängigen Spannung angeschlossen ist.
6. Signalerζeugungsschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die regelbar veränderliche Impedanz ferner eine zwischen die Emitterelektrode des Feldtransistors (100) und Erdpotential geschaltete Diode (102) umfaßt.
7. Signalerzeugungsschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstand mit positivem Temperaturkoeffizienten als Temperaturfühler (75) verwendet wird.
8. Signalerzeugungsschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zur Erzeugung der Steuerspannung besteht aus: einem auf eine Eingangesρannung ansprechenden Verstärker (83) zur Erzeugung einer der Eingangsspannung umgekehrt proportionalen Steuerspannung; ersten Mitteln, um die Eingangsspannung konstant zu halten, wenn die vom Temperaturfühler (75) erzeugte Spannung einen als Vorspannung wirkenden Schwellwert überschreitet, und zur Veränderung der Eingangsspannung entsprechend Veränderungen in der vom TemperatLirfühler erzeugten Spannung, sobald dieselbe unter den Schwellwert absinkt; und zweiten Mitteln, die beim Überschreiten eines auslösenden Jchwellwerts durch

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dio οteuerspannung wirksam gemacht werden, und die vom Temperaturfühler erzeugte spannung entsprechend der Steuer- <3-jannung verändern, sodaß das Verhältnis der oteuerspanmmgsänderung bei Temperatüränderungen verändert wird«
9. Signalerseugungsschaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß es sich beim Verstärker um einen Punktione verstärker (Co) handelt.
10. Signalerzeugungsschaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Mittel aus einem an den-Temperaturfühler (75) angeschlossenen Spannungsteiler (81,02,84) bestehen, und daß eine Diode (35) zur Verbindung eines Spannungsteiler anschluss es mit dem Eingang des Verstärkers (63) verwendet wird.
11. Signalerzeugungsschaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Mittel einen Transistor (80) umfassen, dessen Emitter und Kollektor in Reihe geschaltet sind mit dem Eingang des Verstärkers (83) und dem Temperaturfühler (75).
12. Signalerzeugungsschaltung, gekennzeichnet durch mehrere quarzgeateuerte Kreise (6-12), von denen jeder einen 'luarskristall (56, 59) und einen einen Anschluß des Quarzes :,iit Erde verbindenden Kondensator enthält; einen Transistor (v), dessen Basiselektrode an den anderen Anschluß des Quarzes angeschlossen ist und dessen Emitter als Ausgangsanschluß virkt; einen den Basisanschluß des Transistors mit dem Enitteranschluß desselben verbindenden Kondensator (58);

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einen den Ernitteranschluß des Transistors mit Erde verbindenden Kondensator (71); und einen an den Emitteränsehluß des Transistors angeschlossenen Tempera turkompens at ions lere is (74), der einen ersten Kapazitätswert in einem ersten Temperaturbereich erzeugt, sowie einen zweiten Kapazitätswert, der in einem bestimmten Verhältnis zur Temperatüränderung in einem zweiten Temperaturbereich sich ändert, und einen dritten Kapazitätswert, der in einem anderen Verhältnis zur Tempera tür änderung in einem φ?1±±βτα Temperaturbereich sich ändert.
13. Signalerzeugungsschaltung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Temperaturkompensationskreis (74) besteht aus: einem Ladekondensator (105), dessen einer Anschluß mit dem Emitter des Transistors (4) verbunden ist; einer regelbar veränderlichen Impedanz mit einer ersten und einer zweiten Leistungselektrode, die in Reihe geschaltet sind mit dem anderen Anschluß des Ladekondensators und dem Erdungsanschluß, und mit einer Steuerelektrode, wobei die Impedanz zwischen den Leistungselektroden entsprechend der an die Steuerelektrode angelegten Spannung variiert; einem Temperaturfühler (75) zur Erzeugung einer der Umgebungstemperatur proportionalen Spannung; einer Vorrichtung zur Erzeugung einer im wesentlichen festen St euer spannung,, die in einem ersten Temperaturbereich von der vom Temperatur— fühler (75) erzeugten Spannung abhängt, zur Erzeugung einer Steuerspannung, die von den vom Temperaturfühler erzeugten

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Spannungsänderungen abhängt und in einem, zweiten Temperaturbereich in einem bestimmten Verhältnis-mit den Spannungsänderungen sich ändert, und zur Veränderung des Verhältnisses, nit dem sich die Steuerspannung in einem dritten Temperaturbereich ändert; und einer Vorrichtung zum Anlegen einer von der Steuerspannung abhängigen Spannung an die Steuerelektrode der regelbar veränderlichen Impedanz.

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