DE2307227B2 - Hochspannungsvervielfacherbaugruppe für die Spannungsversorgung von Kathodenstrahlröhren - Google Patents
Hochspannungsvervielfacherbaugruppe für die Spannungsversorgung von KathodenstrahlröhrenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Hochspannungsvervielfacherbaugruppe für die Spannungsversorgung von
Kathodenstrahlröhren, insbesondere in Fernsehempfängern, gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Eines der Probleme bei der Verwendung von Hochspannungsvervielfacherbaugruppen, die kleinräumigen Anordnungen zusammengebaut sind, ist das
Vermeiden oder Verhindern von Hochspannungsentladungen von diesen Bauelementen zu einem Punkt mit
niedrigerem Potential durch Koronaentladungen. Die Koronaentladungen können zwischen den Bauelementen auftreten. Bei Hochspannungseinrichtungen für
Farbfernsehbildröhren können durch eine Koronaentladung Bauelemente beschädigt werden, was die Bildqualität nachteilig beeinflußt.
Bei einer bekannten gattungsgemäßen Hochspannungsvervielfacherbaugruppe (DE-GM 67 53 445) enthält ein Kunststoffgehäuse vergossene Kondensatoren
und Gleichrichter, wobei einzelne Bauteile durch im Gehäuse ausgebildete, ggf. hohle Zwischenwände
voneinander getrennt sind. Die Zwischenwände dienen
der gegenseitigen Isolation der elektrischen Bauteile
und der Kühlung der gesamten Baugruppe. Die Hochspannung wird an einem Hochspannungskabel
abgegriffen. Bezüglich ihrer Verwendung in Femsehgeraten hat die bekannte Hochspannungsvervielfacher-
baugruppe den Nachteil, daß sie keinen Hochspannungswiderstand enthält, dem beispielsweise ein kleiner,
einstellbarer Widerstand nachgeschaltet ist, so daß eine einstellbare Hochspannung abgreifbar ist
ι ο Aus der DE-AS 12 55 788 ist eine Hochspannungsvervielfacherbaugruppe bekannt, deren Gehäuse drei
konzentrische Zylinder aufweist von denen der innere Zylinder einen Teil der Kondensatoren aufnimmt die
Gleichrichter zwischen dem inneren und dem mittleren
Zylinder angeordnet sind und die restlichen Kondensatoren zwischen dem mittleren Zylinder und dem
äußeren Zylinder angeordnet sind. Ein Hochspannungswiderstand zum Abgriff der Hochspannung ist auch dort
nicht vorgesehen. Als Hochspannungsabgriff dient eine
Kappe über dem äußeren Zylinder. Die gesamte
Anordnung baut verhältnismäßig lang.
Aus der US-PS 35 66 192 ist ein aus Kondensatoren und Dioden zusammengesetztes Spannungsvervielfachernetzwerk bekannt bei dem jeweils mehrere
2r> Kondensatoren innerhalb eines Gehäuses in mehreren
Reihen hintereinander angeordnet und mittels schraubenförmig gewundenen Drähten miteinander verbunden sind Die Querverbindung zwischen den verschiedenen Reihen der Kondensatoren geschieht über die
JO Dioden, deren Anschlußdrähte jeweils zwischen zwei Windungen eines schraubenförmigen Anschlußdrahtes
eines Kondensators gesteckt sind. Das gesamte Gehäuse ist mit nachgiebigem Gießmaterial, welches
die Bauteile umschließt, gefüllt. Ein Hochspannungs-
" widerstand ist in der Baugruppe gemäß der US-PS nicht
vorgesehen, so daß sich durch einen solchen Widerstand bedingte thermische Probleme bei dieser bekannten
Anordnung nicht ergeben.
«ο insbesondere zur Verwendung in Fernsehgeräten
geeignete, das heißt mit Hochspannungswiderstand versehene Hochspannungsvervielfacherbaugruppe zu
schaffen, die bei kompaktem Bauaufbau verlustarm arbeitet.
Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
Das Gehäuse der erfindungsgemääen Hochspannungsvervielfacherbaugruppe ist mittels einer Trennwand in zwei Abteile unterteilt. In einem dieser Abteile
■>o ist das gesamte Spannungsvervielfachernetzwerk vergossen, während im anderen Abteil ein Hochspannungswiderstand mit wenigstens einem Abgriff zum Abgreifen der Hochspannung angeordnet ist. Ein Ende des
Hochspannungswiderstandes ist über eine kurze Ver-
>r' bindungsleitung unmittelbar mit dem benachbarten, auf
hohem Potential liegenden Ende des Spannungsvervielfachernetzwerks verbunden. Die Anordnung des Netzwerks und des Widerstandes ist dabei so, daß zwischen
ihnen ein etwa konstanter Spannungsgradient herrscht.
M> Durch diese Anordnung und die Ausbildung des
Einbettungsmaterials und der Trennwand aus Material mit unterschiedlicher Dielektrizitätskonstante wird bei
kompaktem Aufbau eine optimale Sicherheit gegen Koronaentladungen innerhalb der Baugruppe erreicht,
was zu einem verlustarmen Betrieb der Baugruppe führt.
Der Anspruch 2 kennzeichnet eine* besonders vorteilhafte Anordnung der Abteile und der elektroni-
sehen Bausteine, mit denen ein etwa konstanter Spannungsgradient zwischen den Bausteinen längs der
Trennwand erzielt wird
Der Anspruch 3 kennzeichnet eine Ausführungsform, bei der zusätzlich eine Eingangsleitung vorgesehen ist,
die ebenfalls weitgehend sicher gegenüber Koronaentladungen ist
Die Erfindung wird im folgenden anhand schematischer Zeichnungen eines Ausführungsbeispiels mit
weiteren Einzelheiten erläutert Es stellt dar
F i g. i eine perspektivische Darstellung der Hochspannungsvervielfacherbaugruppe,
Fig.2 ist eine perspektivische Ansicht der Anordnung
der F i g. 1 von hinten gesehen,
F i g. 3 zeigt schematisch die Hochspannungsvervielfacherschaltung.
Das in den Fig. 1 und 2 gezeigte Gehäuse 11 einer
Hochspannungsverdreifacheranordnung 13 kann aus Polypropylenmaterial hergestellt sein. Auch wenn eine
Spannungsverdreifacheranordnung gezeigt ist ist die Erfindung allgemein für Vervielfacherschaltungen, wie
Spannungsverdoppler, -verdreifacher usw. anwendbar. Das Gehäuse 11 besitzt einen U-förmigen Gehäuseteil
14 mit einem geschlossenen Ende 16 und einer Einbauplatte IS, die das andere Ende des Gehäuseteils
verschließt. Die Einbauplatte 15 besitzt Befestigungsschlitze 20Λ und 20 ß. Die Rückseite des Gehäuses 11 ist
offen, und nach dem Anordnen der Bauelemente in dem Gehäuseteil 14, wird dieser Gehäuseteil mit einer
geeigneten Einkapselungsverbindung gefüllt oder ausgegossen.
Wie am besten in Fig. 1 zu sehen ist, wird der Gehäuseteil 14 aus drei getrennten, Seite an Seite
angeordneten Abteilen 17, 18 und 19 gebildet, die in Längsrichtung des Gehäuseteils verlaufen und jeweils
Bauelemente beinhalten, wie im folgenden erläutert wird.
Ein Eingangsanschlußstift 21 führt eine Eingangsspannung über die Eingangsleitung 22, die in dem Abteil
17 angebracht ist, zu der elektronischen Schaltung der Anordnung. Das Abteil 17 ist ein langgestrecktes Abteil,
das von dem angrenzenden Abteil 18 durch eine dielektrische Trennwand 23 getrennt ist, die sich im
wesentlichen über die gesamte Länge des Gehäuseteils 14 erstreckt.
Die Trennwand 23 ist an einem Punkt, der an die Einbauplatte 15 angrenzt, offen, um zu ermöglichen, daß
die Eingangsleitung 22 durch die Trennwand 23 zu einem elektrischen Anschlußpunkt 25 in 6em Abteil 18
führt. Das Abteil 18 ist das mittlere Abteil und enthält Kondensatoren C1-C5 und Dioden D1-D5, die
einen Spannungsverdreifacher bilden und in der in F i g. 3 gezeigten Weise elektrisch zusammengeschaltet
sind. Die elektrischen Bauelemente und die Schaltungsweise der F i g. 3 sind an sich bekannt und sollen, da sie
nicht Gegenstand der Erfindung sind, hier nur kurz beschrieben werden. Die Bezugszeichen sind in F i g. 3
angegeben, um die Punkte der elektrischen Schaltung zu zeigen, die dem räumlichen Aufbau der F i g. 2
entsprechen.
Die Kondensatoren Ci und C2 wirken als Wechselspannungskopplungskondensatoren
und dienen in bekannter Weise ebenfalls dazu, eine Gleichspannungskomponente zu speichern. Die Kondensatoren C3, CA
und CS wirken als Gleichspannungsadditionskondensatoren. Ein Anschluß des Kondensators C4 ist mit dem
Anschlußpunkt 26 und daher über die elektrische Leitung 28 mit dem Masseanschlußstift 29 verbunden.
Befestigungsplatten 31, 32 und 33 sind vorgesehen, um die Kondensatoren Cl bis C 5 in ihrer Lage
abwechselnd und versetzt zueinander zu halten. Anschlußpunktstützen 35,37, 39, 41 und 43 sind an den
Enden der Kondensatoren ClI bis C5 und zwischen ihnen angeordnet um die elektrischen Verbindungen
zwischen den Kondensatoren und den Dioden D1 bis
D 5 zu erleichtern, die in einer Lage über und neben den
Kondensatoren Cl bis C5 und in einem Winkel zu
ίο diesen angeordnet sind. .
Ein Fokussierungs- bzw. Hochspannungswiderstand 45 ist in dem Abteil 19 angebracht und erstreckt sich im
wesentlichen über die gesamte Länge des Abteils. Eine elektrische Verbindung ist durch die Verbindungsleitung
44 von dem Abschlußpunkt 43 zu einem Endanschluß des Widerstands 45 hergestellt Der
Anschlußpunkt 43 ist ebenfalls mit der Hochspannungsleitung 50 verbunden. Der Hochspannungswiderstand
45 kann ein Potentiometer oder ein Widerstand mit mehreren Abgriffen sein, wie in F i g. 1 gezeigt ist wobei
der Widerstand 45 eine Fokussierungsausgangsspannung von dem Abgriff 47 und einen Potentiometerausgang
von dem Anschluß 49 liefert Der andere Endanschluß des Widerstandes 45 ist mit einem Trimm-
oder Fokuseinstellwiderstand 52 verbunden, der außerhalb des Gehäuses 11 angebracht ist wie durch die
gestrichelte Linie bei dem Widerstand 52 in Fig.3 angedeutet ist. Der Hochspannungswiderstand 45 kann
irgendeine geeignete Form besitzen, zum Beispiel kann
jo er eine flache Platte, ein rechteckiger Stab usw. sein, und
in der dargestellten Ausführungsform besteht er aus einem langgestreckten runden Stab oder einem Rohr.
Die Trennwände 23 und 51 können in einem Stück mit dem Gehäuseteil 14 gegossen oder geformt sein oder
r> können getrennte Teile sein, die während des Zusammenbaus in dem Gehäuseteil durch Zapfen. Nuten oder
andere geeignete Mittel angeordnet werden.
Wie bereits erwähnt, ist die Eingangsleitung 22 in dem Abteil 17 von den Kondensatoren Cl bis C5 und den
Dioden Dl bis D 5 in dem Abteil 18 durch die dielektrische Trennwand 23 getrennt. In gleicher Weise
sind die Kondensatoren Cl bis C 5 und die Dioden D1
bis D 5 von dem Hochspannungswiderstand 45 durch die dielektrische Trennwand 51 getrennt.
In einem Anwendungsfalle war das Abteil 17 bis zu einem Punkt verkürzt, der in Fig. 1 durch die
gestrichelte Linie 56 angezeigt ist, und der Anschlußstift 21 war entsprechend versetzt. Die Wirkung und die
Arbeitsweise der Anordnung 13 bleibt dabei jedoch gleich.
Nachdem die Bauelemente in ihrer Lage in dem Gehäuse, wie in F i g. 2 gezeigt ist, angeordnet sind und
die elektrischen Verbindungen geeignet hergestellt sind, wird der Gehäuseteil 14 mit einer Einkapselungsverbindung
gefüllt, so daß die Bauelemente in dem Gehäuseteil 14 in der dargestellten Lage eingekapselt oder
eingebettet sind. Es ist wichtig, daß das als Einkapselungsverbindung verwendete Material von dem Material
der dielektrischen Trennwände verschieden ist. Es
M> ist ein Grundgedanke der Erfindung, daß die dielektrischen
Trennwände 23 und 51 aus einem Material bestehen, das von der Einkapselungsverbindung verschieden
ist, und daß deshalb verschiedene dielektrische Impedanzen für Koronadurchschläge und dementspre-
b5 chend verbesserte Koronaspannungsverteilungseigenschaften
geliefert werden, wodurch der Beginn und die Fortsetzung von Koronaentladungen behindert werden.
Der Spannungseingang zu der Anordnung 13 ist im
allgemeinen ein Hochspannungsimpuls mit niedriger Impedanz, der die Bauelemente äußerst anfällig für den
Beginn einer Koronaentladung macht, wenn die dielektrische Trennung und der Abstand nicht einwandfrei
ist. Daher ist die Trennwand 23 vorgesehen, um die ■>
Eingangsieitung 22 von den restlichen Bauelementen zu trennen. Wie bereits erwähnt, bestehen die Trennwände
23 und 51 aus einem Material, das von der Einkapselungsverbindung verschieden ist, haben eine
von dieser Verbindung verschiedene Dielektrizitätskonstante und zeigen daher verschiedene Koronadurchschlageigenschaften,
wodurch die Koronaverhinderungseigenschaften verbessert werden.
Die Kondensatoren Cl und C2, die Wechselspannungskopplungskondensatoren
sind, speichern auch is Energie während der Zeitspanne zwischen den Eingangsimpulsen.
Falls keine ausreichende dielektrische Impedanz, wie sie durch die Trennwand 23 oder die
Kombination aus Trennwand 23 und der Einkapselungsverbindung geliefert wird, vorhanden ist, ist eine
Koronaentladung die Folge.
Die Trennwand 51 erstreckt sich über die volle Länge des Abteils 19 und trennt daher den Hochspannungswiderstand
45 vollständig von den Kondensatoren und Dioden in dem Abteil 18, und außerdem ist der
Widerstand 45 in die Einkapselungsverbindung eingebettet. Die Grundform und die Dicke der Trennwand 51
können je nach den zwischen der Dioden-Kondensatoren-Matrix und dem Fokussierungswiderstand erforderlichen
dielektrischen Isolierungsparametern variieren. so
Zusätzlich zu der Trennwand 51 ist der Hochspannungswiderstand 45 in einem räumlichen Abstand zu
den Kondensatoren Cl bis C5 und den Dioden D1 bis
D5 angeordnet, um dadurch irgendwelche Koronaanfangsspannungen
auszugleichen, die durch Fehler der dielektrischen Eigenschaften der Trennwand 51 verursacht
werden können.
Wie Fig.3 und ebenso Fig.2 zeigt, ist der
Kondensator C1 so angeordnet, daß er an seiner einen
Seite direkt mit der Eingangsleitung verbunden ist, und ίο
daß seine andere Seite angrenzend an die Trennwand 23 angebracht ist, um Koronadurchbrüche zu verhindern.
Normalerweise sind die Potentialgradienten zwischen den einzelnen Bauelementen in der Matrix aus den
Kondensatoren Cl bis C 5 und den Dioden D1 bis D 5
nicht gleich. Djs heißt bei einer herkömmlichen
Anordnung kann jedes Bauelement auf einem verschiedenen Potential liegen, und es besteht daher eine hohe
Wahrscheinlichkeit für Koronaentladungen.
Bei dem erfindungsgemäßen Aufbau der Trennwände wird Wert darauf gelegt, den Potentialgradienten
zwischen den verschiedenen Bauelementen im wesentlichen gleich zu halten, um die Koronadurchbrucheigenschaften
zu verbessern und um außerdem eine verbesserte Spannungsregulierung zu erhalten.
Der Kondensator C4, der der an Masse liegende Kondensator ist, ist angrenzend an die Einbauplatte 15
angeordnet, um eine verbesserte Kapazität zu liefern. Dies addiert sich zu der gesamten Kapazitätsspeicherwirkung
und der Leiterwirkung des Kondensators C3 und ergibt außerdem eine verbesserte Regulierung und
einen verbesserten Hochspannungsschutz.
Zusätzlich zu der dielektrischen Trennung liefert der Abstand zwischen den Bauelementen und den Trennwänden
23 und 51 eine thermische Trennung und Isolierung zwischen den verschiedenen Bauelementen
in dem Gehäuseteil 14. Der Fokussierungswiderstand 45, der eine Verlustleistung von maximal etwa 5 W
haben kann, befindet sich räumlich von den anderen Bauelementen der Anordnung getrennt, und zusätzlich
ist die Trennwand 51 zwischen dem Widerstand und den anderen Bauelementen angeordnet.
Die Rückseite des Gehäuseteils 14 ist offen und daher wirkt die Umgebungstemperatur bei der Herstellung
eines stabilen thermischen Zustands mit. In gleicher Weise wie oben im Hinblick auf die von den
Trennwänden gelieferte dielektrische Isolierung diskutiert wurde, hat die Trennwand 51 einen Wärmeleitungskoeffizienten,
der sich von dem der Einkapselungsverbindung unterscheidet, und trägt daher zur Verhinderung
einer Beeinflussung der Dioden und Kondensatoren durch die Wärme von dem Fokussierungswiderstand
bei. Die Wärme von dem Fokussierungswiderstand wandert daher durch die Einkapselungsverbindung
und die offene Rückseite des Gehäuses 14 nach außen.
Auch wenn Rippen 54 nur an das Abteil 19 angrenzend gezeigt sind, das den Fokussierungswiderstand
45 aufnimmt, um eine Kaminwirkung und eine Kühlungsfunktion für diesen Teil des Gehäuses 14 zu
liefern, können solche Rippen selbstverständlich längs des gesamten Gehäuses vorgesehen sein, wenn es
erwünscht ist, eine Kühlwirkung für die anderen Teile des Gehäuses zu erzeugen.
Der Hochspannungswiderstand 45 wirkt als Ruhelastwiderstand, der die Neigung hat, die Ausgangsspannung
des Vervielfachersystems zu stabilisieren, wenn der Strombedarf von einem Minimum zu einem Maximum
geht. Weiter ändert der Hochspannungswiderstand 45 auch die Frequenz-Koronastromlastcharakteristik und
hält dadurch ein Bildflackern minimal, das durch Änderungen der Strahlströme verursacht werden kann.
Mit anderen Worten wirkt der Hochspannungswiderstand 45 als Dämpfungswiderstand für diese Koronaentladungen
und hält die Koronaentladungen an der Ausgangsleitung zwischen der Vervielfacheranordnung
und der Bildröhre oder anderen Hochspannungsteilen außerhalb der Vervielfacheranordnung minimal.
Für bestimmte Anwendungszwecke kann ein Fokussierungswiderstand parallel zu dem Kondensator C 4
geschaltet werden, und der Widerstand 45 kann ein Hochspannungsvorwiderstand ohne Abgriff sein. Der
Aufbau der Anordnung der F i g. 1 und 2 bleibt dabei jedoch im wesentlichen gleich.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Hochspannungsvervielfacherbaugruppe für die Spannungsversorgung von Kathodenstrahlröhren,
insbesondere in Fernsehempfängern, mit einem Kunststoffgehäuse, in dem ein Spannungsvervielfachernetzwerk mit Gleichrichtern und Kondensatoren in Einbettungsmaterial angeordnet ist und das
wenigstens eine Trennwand zwischen einzelnen Bauteilen aufweist, wobei die Trennwand und das
Einbettungsmaterial verschiedene Dielektrizitätskonstanten haben, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Gehäuse (11) durch die Trennwand
(51) zwei Abteile (18,19) ausgebildet sind und daß in
dem ersten Abteil (18) das Spannungsvervielfachernetzwerk (Q bis C5, D, bis Ds) und in dem anderen
Abteil (19) ein Hochspannungswiderstand (45)rmit wenigstens einem Abgriff (47) zum Abgreifen der
Hochspannung aufgenommen ist, dessen auf hoher Spannung liegendes Ende über eine Verbindungsleitung (44) mit dem ihm benachbarten Ende des
Netzwerkes verbunden ist, wobei die Anordnung des Spannungsvervielfachernetzwerks und des Hochspannungswiderstandes derart ist, daß zwischen
ihnen ein etwa konstanter Spannungsgradient herrscht
2. Hochspannungsvervielfacherbaugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Abteile (18,19) längliche Form aufweisen und etwa parallel zueinander sind und daß das Spannungsvervielfachernetzwerk (Q bis C5, Di bis D5) und der
Hochspannungswiderstand (45) den Abteilen entsprechend geformt sind.
3. Hochspannungsvervielfacherbaugruppe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß in
dem Gehäuse (11) durch eine weitere Trennwand (23) auf der vom Hochspannungswiderstand (45)
abgewandten Seite des Spannungsvervielfachernetzwerks (Q bis C5, D\ bis D5) ein drittes Abteil (17)
ausgebildet ist, in dem eine Eingangsleitung (22) angeordnet ist, die mit dem auf niederer Spannung
liegenden Ende des Spannungsvervielfachernetzwerks (Q bis Cs, Di bis D5) verbunden ist.
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