DE2300540B2 - Integrierter Verstärker, insbesondere für Fernsprechgeräte - Google Patents
Integrierter Verstärker, insbesondere für FernsprechgeräteInfo
- Publication number
- DE2300540B2 DE2300540B2 DE2300540A DE2300540A DE2300540B2 DE 2300540 B2 DE2300540 B2 DE 2300540B2 DE 2300540 A DE2300540 A DE 2300540A DE 2300540 A DE2300540 A DE 2300540A DE 2300540 B2 DE2300540 B2 DE 2300540B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- amplifier
- resistor
- amplification unit
- integrated
- voltage amplification
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 16
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009432 framing Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
- H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/187—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/02—Input arrangements using manually operated switches, e.g. using keyboards or dials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen integrierten Verstärker mit Transistoren und Widerständen als Schaltungselemente
im Verstärker, der als monolithisches Silikonplättchen hergestellt wird.
Derartige Verstärker können als Mikrophonverstärker in Fernsprechgeräten verwendet werden, wobei die
Stromversorgung des Verstärkers über die Leitung des Fernsprechteilnehmers erfolgt
Das Verfahren zum Herstellen von Mikrophonverstärkern in Form integrierter Schaltungen, die aus
einem monolithischen Plättchen bestehen, ist an sich bekannt wobei die Ausgangsanschlüsse des Verstärkers
zugleich als Speisepunkte für die Gleichstromversorgung der Transistoren dienen. Hierbei bestehen jedoch
bestimmte Schwierigkeiten, da der gesamte Ausgangsstrom aus einem Gleichstrom mit einem überlagerten
Wechselstromausgangssignal besteht, so daß während der Arbeit des Verstärkers kurzzeitig ein
Mindeststrom fließt Diese Mindestströme können kurzzeitig Verschiebungen bei den betreffenden Kennlinien
und Isolationspotentialen in bezug auf die monolithische Unterlage und in bezug auf die Transistoren,
Dioden und Widerstände im Verstärker verursachen.
Bei der üblichen monolithischen Integration wird auf
einer Silikonunterlage verwendet eine p-Unterlaje, ein
^Subkollektor für obenliegende Transistoren, eine epitaktische
n-Deckschicht, p-positive Basisbezirke mit
n-poshiven Emitterbezirken in den erstgenannten Bezirken
für n-p-n-Transistoren und p-poskiven lsolationsumrahmungen,
die die betreffenden Komponenten umgeben, in einigen Fällen kann in demse&en Isolationsnshmen
mehr als eine Komponente angeordnet werden. «>
Eine Isolation mit einem hohen Isolationswiderstand für eine Komponente innerhalb des zugehörigen Isolationsrahmen!;,
der mit der Unterlage ohne eine Zwischengrenzschicht verbunden ist (Ohmsche Verbindung),
wird '..n Prinzip dadurch erhalten, daß die Kornponenten
auf einem positiven Potential in bezug auf die unterlage während des Betriebs gehalten wird, wobei
das η-dotierte-Material in der epitaktischen Schicht innerhalb
des Isolationsrahmens eine umgekehrte Spannung an der p-n-ObergangssteHe zur Unterlage erhält
und dabei gegen die Unterlage isoliert wird. Komponenten
in der integrierten Schaltung, die verschieden hohe umgekehrte Spannungen erhalten, müssen aus
funktionellen Gründen auch im Betrieb die gegenseitigen Spannungspegel und Polaritäten beibehalten.
Ein Mikrophonverstärker für Fernsprechgeräte muß schaltungsmäßig so eingerichtet werden, daß die genannte
Gleichstromversorgung über die Ausgangsanschlüsse des Verstärkers erfolgen kann. Dies bedeutet,
daß die Schaltung eines solchen Verstärkers nicht Iediglich auf der Basis bekannter einfacher integrierter
Verstärker zusammengestellt werden kann.
Der Verstärker muß, um in Fernsprechgeräten verwendet werden zu können, möglicherweise mit dem erforderlichen
Zubehör, beispielsweise mit äußeren EntkopplungsKondensatoren
und Widerständen, mit sehr geringen Kosten herstellbar sein, da von solchen Verstärkern
sehr große Stückzahlen benötigt werden, so daß bei der sehr großen Anzahl im Gebrauch befindlicher
Fernsprechgeräte ein groSer Kapitalaufwand erforderlich wird. Ein solcher Verstärker müßte vollständig
integriert sein und wenn irgend möglich keine äußeren Bauteile aufweisen. Als Folge der integrierten
Stromversorgung müssen jedoch Entkopplungselemente im Ventärker vorgesehen werden, die eine akustisehe
Rückkopplung und eine Modulation des Signals an den Eingangsanschlüssen des Verstärkers durch Veränderungen
des Ausgangsstromes verhindern. Entkopplungsschaltungen mit Kondensatoren und Widerständen
können zu dem gewünschten Ergebnis führen, wo- so bei jedoch eine Lösung gefunden werden muß, die wirtschaftlich
von Vorteil ist. Das Verfahren, in Verstärkern ein Widerstandselement zusammen mit einer Avalanche-Diode
zum Entkoppeln in gleichfalls integrierten Verstärkern zu verwenden, ist bereits bekannt, welehe
Schaltung in der üblichen Weise in der umgekehrten Richtung wirkt und die kapazitiven Elemente ersetzt.
Bei integrierten Verstärkerschaltungen auf einem monolithischen Plättchen ist es oftmals sehr schwierig,
geeignete Avalanche-Spannungen für integrierte Avalanche-Dioden in der Schaltung zu erhalten, da das bei
der Herstellung angewendete Diffusionsverfahren dem Zweck dient, den günstigsten Wert in bezug auf gewisse
Transistordaten als auch in bezug auf Widerstandsdaten zu erhalten. Die Dioden werden auf diese Weise
als ein Neberlprodukt erhalten und weisen Avalanche-Spannungen von 6 bis 8 Volt auf.
wichtig, die Eingangstransistoren und die Widerstände in der geeigneten Form vorzusehen. Wie bereits erwähnt,
ist es besonders wichtig, daß als Folge der Stromversorgung des Verstärkers keine störende Modulation
erfolgt in dem genannten Bezirk. Dies hängt davon ab, daß weder der Eingangstransistor selbst
noch die zugehörigen Widerstände am monolithischen Plättchen der Einwirkung einer störenden Modulation
durch Widerstandsmittel ausgesetzt werden, und die Widerstände dürfen nicht der Einwirkung einer Interferenzmodulation
unterliegen, die kapazitiv über die gegendotierten epitaktischen Schichten erzeugt wird, die
sie umgeben. Dasselbe gilt für die nachfolgenden Verstärkerstufen im Mikrophonverstärker; jedoch sind die
Anforderungen in diesem FaHe nicht so streng.
Die Erfindung sieht einen Mikrophonverstärker vor, bei dem die genannten Mangel behoben sind und der
den Anforderungen genügt, die in bezug auf die Vermeidung
einer Interferenzmodulation gestellt werden, welcher Mikrophonverstäiker ferner wirtschaftlich
hergestellt werden kann.
Die besonderen Merkmale der Erfindung sind in den Patentansprüchen angeführt
Die Erfindung wird nunmehr ausführlich beschrieben. Die Zeichnung zeigt den Schaltplan für einen Mikrophonverstärker
nach der Erfindung.
Der Mikrophonverstärker besteht aus einer integrierten Schaltung auf einem monolithischen Plättchen,
bei dessen Herstellung die an sich bekannten Verfahren angewendet werden. Der Mikrophonverstärker soll bei
einem normalen Fernsprechgerät verwendet werden, das mit einem elektromagnetischen Mikrophon ausgestattet
ist
Bei der dargestellten Ausführungsform der Erfindung wird die Interferenzmodulation dadurch vermieden,
daß zwischen der Spannungsverstärkungseinheit und der Ausgangseinheit des Verstärkers ein Entkopplungswiderstand
eingeschaltet ist der mit einem äußeren und einen mäßig großen Kapazitätswert aufweisenden
Kondensator zusammenwirkt Weiterhin ist die gegendotierte epitaktische Schicht gemeinsam für fünf
Widerstände vorgesehen, die sich an der Eingangsstufe befinden. Als Folge dieser beiden Maßnahmen wird
eine außerordentlich große Schwächung der Interferenzmodulation im Verstärker bewirkt.
Die in der Zeichnung dargestellte Verstärkerschaltung enthält eine Spannungsverstärkungseinheit mit
den beiden Transistoren Qi und Ql und eine Ausgangsstufe
mit den Transistoren Qi und QA, die im vorliegenden Falle eine Darlington-Kopplung bildet In der
dargestellten Schaltung bestehen die Transistoren <?1, Q3 und QA aus n-p-n-Transistoren, während der Transistor
Ql aus einem p-n-p-Transistor besteht Die Erfindung ist jedoch nicht auf die dargestellte Kombination
beschränkt, sondern im Rahmen des Erfindungsgedankens können auch andere Kombinationen von Transistoren
vorgesehen werden.
Der in der Zeichnung dargestellte Verstärker mit der genannten Transistorenkombination weist zwei Ausgangskontakte
15 und 16 auf, die zugleich als Anschlüsse für die Gleichstromversorgung des Verstärkers dienen.
Diese Gleichstromversorgung erfolgt von den Anschlußpunkten 21 und 22 aus, die mit der Leitung des
Fernsprechteilnehmers in Verbindung stehen, wobei am Eingang ferner ein Vollwellengleichrichter 18 vorgesehen
ist, damit der Verstärker die Gleichspannung· mit der ordnungsgemäßen Polarität erhält, ungeachtet
des Anschlusses der Teilnehmerleitung. Der Ausgangs-
kontakt 16 steht in direkter Verbindung mit der Teilnehmerleitung
21, 22 über den Vollwellengleichrichter
18, während der Ausgangskontakt 15 mit der Teilnehmerleitung 21, 22 über einen Widerstand 8 in Verbindung
steht, dessen Zweck später noch erläutert wird. Der Widerstand 8 steht an dem einen Ende mit dem
Ausgangskontakt 15 und am anderen Ende mit einem Ausgangspunkt 17 des Vollwellengleichrichters 18 in
Verbindung.
Der Ausgangskontakt 15 speist einen »Niederpotentialleiter« 20, der über einen mit 5 bezeichneten Letter
mit der Unterlage der integrierten Schaltung in Verbindung steht. Der Ausgangskontakt 16 speist über einen
Entkopplungswiderstand 6 einen »Hochpotentialleiter«
19, der über den mit £ bezeichneten Leiter mit der genannten gegendotierten epitaktischen Schicht in Verbindung
steht.
Die Spannungsverstärkungseinheit des Verstärkers besteht aus dem n-p-n-Transistor QX und dem p-n-p-Transistor
Ql. Die Basiselektrode des Transistors Ql empfängt eine geeignete Arbeitsspannung über einen
Widerstand 1, der zwischen die Basiselektrode und den Leiter 19 geschaltet ist, während ein weiterer Widerstand
3 zwischen die Basiselektrode und den Leiter 20 geschaltet ist Im vorliegenden Falle weist der Leiter 19
ein positives Potential in bezug auf den Leiter 20 auf. Die Emitterelektrode des Transistors QX steht in direkter
Verbindung mit dem Leiter 20, während die Kollektorelektrode des Transistors QX über einen Widerstand
2 mit dem Leiter 19 und mit der Basiselektrode des Transistors Ql direkt verbunden ist, welche letztgenannte
Basiselektrode über einen Widerstand 4 mit dem Leiter 20 in Verbindung steht Die Emitterelektrode
des Transistors Ql steht in direkter Verbindung mit dem Leiter 19, während die Kollektorelektrode des
Transistors Ql über einen Widerstand 5 mit dem Leiter 20 und mit der Basiselektrode des Transistors Q3 direkt
in Verbindung steht, welcher Transistor einen Teii der Ausgangsstufe des Verstärkers bildet Die Kollektorelektrode
des Transistors Q3 steht in direkter Verbindung mit dem Ausgangskontakt 16, und ebenfalls steht
die Emitterelektrode des Transistors Q3 in direkter Verbindung mit der Basiselektrode des zweiten Transistors
Q* der Ausgangsstufe des Verstärkers. Die Kollektorelektrode
des Transistors QA ist direkt verbunden mit dem Ausgangskontakt 16, während die Emitterelektrode
direkt verbunden ist mit dem Leiter 20 und damit direkt verbunden mit dem Ausgangskontakt 15.
Die Transistoren QH und Qi bestehen aus n-p-n-Transistoren.
Das Signal wird dem Verstärker an den Eingangskontakten 13 und 14 zugeführt, von denen der Eingangskontakt
13 mit der Basiselektrode des Transistors QX direkt verbunden ist, während der Eingangskontakt
14 über den genannten Widerstand 8 mit dem Ausgangskontakt 15 verbunden ist
Im vorliegenden FaDe ist an die Eingangskontakte
13, 14 ein elektromagnetisches Mikrophon 11 angeschlossen, das einen Teil des Teilnehmergerätes bildet
und über einen Kondensator 10 mit dem Eingangskontakt
13 verbunden ist, um zu verhindern, daß der
Gleichstromwiderstand des Mikrophons 11 die Charakteristik des Transistors QX ändert die von den
Widerständen 1 und 3 bestimmt wird.
Damit der vorgenannte Mindeststrom die Einheitsspannung des Verstärkers und damit in erster Linie den
Transistor QX mit den zagehörigen Widerständen 1 und 3 nicht stören kann, wurde der bereits genannte
Entkopplungswiderstand 6 eingeführt. Im vorliegenden Falle wirkt dieser Widerstand mit einem Entkopplungskondensator 9 zusammen, der an der; einen Seite am
Verbindungspunkt 12 mit dem zum Ausgangskontakt 16 entfernten Ende des Widerstandes 6 am Leiter 19
verbunden ist. Die andere Seite des Kondensators 9 steht mit dem Ausgangskontakt 15 und damit mit dem
Leiter 20 über einen Widerstand 7 in Verbindung, der für den Verstärker nicht unbedingt erforderlich ist und
ίο auch weggelassen werden kann. Auf diese Weise wird
die erwünschte Entkopplung in bezug auf die Transistoren QX und Ql erzielt
Die Widerstände 7 und 8 haben sekundäre Aufgaben zu erfüllen in bezug auf die Einstellung der Ausgangs-
Bei einer Integration nach den herkömmlichen Verfahren ist es üblich, für jedes Schaltungselement einen
besonderen Isolationsrahmen vorzusehen. Bei einem Verstärker mit der in der Figur dargestellten Schaltung
kann jedoch eine starke Vereinfachung dadurch erreicht werden, daß die Widerstände 1 bis 5 in demselben
Isolationsrahmen angeordnet werden, welche Maßnahme möglich wird, da das η-Material der epitaktischen
Schicht innerhalb des betreffenden Rahmens ohne Grenzschichten eine direkte Verbindung aufweist
mit dem Ende des Entkopplungswiderstandes 6, der direkt mit dem Leiter 19 verbunden ist und damit mit
dem Speisepunkt für die Eingangsstufe.
Der bereits genannte Kondensator 9 übt außer der genannten Entkopplungsfunktion noch eine weitere wichtige Funktion aus, nämlich die Aufladung des Transistors QA als Folge eines an den Eingangskontakten des Verstärkers auftretenden Signals, wobei das Potential am Kontaktpunkt 12 und damit auch am Speiseleiter 19 konstant gehalten wird in bezug auf das Potential am Kontaktpunkt 15 und das Potential am Speiseleiter 20. Der Kondensator 9 stellt daher ein Zusatzelement bei der tatsächlichen monolithischen Schaltung und damit ein »äußeres« Schaltungselement dar, aufgrund des Umsiandes, daß der Kondensator 9 eine Kapazität von ungefähr 1 Mikrofarad aufweisen soll.
Der bereits genannte Kondensator 9 übt außer der genannten Entkopplungsfunktion noch eine weitere wichtige Funktion aus, nämlich die Aufladung des Transistors QA als Folge eines an den Eingangskontakten des Verstärkers auftretenden Signals, wobei das Potential am Kontaktpunkt 12 und damit auch am Speiseleiter 19 konstant gehalten wird in bezug auf das Potential am Kontaktpunkt 15 und das Potential am Speiseleiter 20. Der Kondensator 9 stellt daher ein Zusatzelement bei der tatsächlichen monolithischen Schaltung und damit ein »äußeres« Schaltungselement dar, aufgrund des Umsiandes, daß der Kondensator 9 eine Kapazität von ungefähr 1 Mikrofarad aufweisen soll.
Der Widerstand 6 kann in die monolithische Schaltung aufgenommen werden, kann jedoch in diesem Falle
nicht gänzlich in demselben Isolierrahmen angeordnet werden wie die Widerstände 1 bis 5 oder wie die
Transistoren Q& und QA. Andererseits kann ein Teil des
Widerstandes 6 in dem Isolierrahmen für die Widerstände 1 bis 5 angeordnet werden, während der übrige
Teil des Widerstandes 6 mit einem eigenen Isolierrahmen versehen wird. Beide Transistoren Ql und QZ sind
mit einem eigenen Isolierrahmen versehen, während die Transistoren Q3 und Qi in einem gemeinsamen lsolierrahmen
angeordnet werden können.
SS ten Schaltung wurde unter Berücksichtigung der oben
angeführten Erwägungen im Betrieb eine Spannungsverstärkung von ungefähr dem tausendfachen Wert erreicht
der fur ein Fernsprechgerät mehr als ausreichend ist Die erfindungsgemäße Schaltung weist noch
te den weiteren Vorzug auf, daß eine verhältnismäßig
große Ausgangsleistung erzieh wind und daß die Speisespannung auf einige Volt oder auch auf nur ein Volt
absinken kann, ohne daß die Verstärkung zu weit absinkt Der gesamte Verstärker kann zusammen mit zu-
6s gehörigen äußeren Schaltungselemente!!, wenn überhaupt
solche vorgesehen sind, ober du* Teilnehmerleitung und über den Vollwellengteichrichter 18 mit
Strom versorgt werden, wobei die zugeführte Span-
nung immer die ordnungsgemäße Polarität aufweist, ungeachtet des Anschlusses der Teilnehmerleitungen.
Die in Betracht kommenden Teile des Fernsprechgerätes sind nicht dargestellt, da sie für die Erfindung nicht
wesentlich sind.
Die Erfindung ist auf die beschriebene Ausführungsform nicht beschränkt. Beispielsweise kann unter Beibehaltung
der genannten Prinzipien in bezug auf die Integration der Gruppe von Widerständen der Spannungsverstärkungseinheit
und des Widerstandes 6 der Verstärkungsgrad noch weiter angehoben werden dadurch,
daß anstelle des Transistors Ql mehrere Transistoren in der sogenannten Darlington-Kopplung nach
der USA.-Patentschrift 2 663 806 verwendet werden. Es ist ferner möglich, den Kondensator 9 durch eine für
eine niedrige Spannung bemessene Avalanche-Diode zu ersetzen, in welchem Falle die Avalatiche-Spannung
dieser Diode 3,5 Volt betragen kann. Dies kann unter gewissen Umständen verwirklicht werden; jedoch darf
in einer solchen Schaltung die Speisespannung nicht auf einen zu niedrigen Wert absinken. Der Kondensator
9 in der Schaltung weist eine günstigere Wirkung in bezug auf die Aufrechterhaltung einer konstanten
Spannung auf und gestattet die Zuführung einer niedrigeren Speisespannung.
In der Verstärkertechnik ist das Verfahren bekannt,
einen Entkopplungskondensator durch eine Konstantstromschaltung zu ersetzen, die in bezug auf die Speisung
der Transistoren Ql und Q2. so angeschlosser werden kann, daß sie als Konstantstromgenerator
wirkt. Eine derartige Schaltung kann einen oder mehrere Transistoren sowie eine Avalanche-Diode mit einei
niedrigen Avalanche-Spannung enthalten und könnte den Kondensator 9 ersetzen, weist jedoch denselber
Nachteil auf wie eine einfache Avalanche-Diode, inso fern, als die Speisespannung nicht unter einen so niedri
gen Wert absinken darf: wie dies bei Verwendung de; Kondensators 9 zulässig ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (10)
1. Integrierter Verstärker, bestehend aus einem monolithischen SiUkonplättchen mit mehreren integrierten
Widerständen und mit mindestens drei integrierten Transistoren, die eine Spannungsversiärkungseinheit
mit Signaleingangskontakten und eine Ausgangsstufe mit Signalausgangskontakten bilden,
wfelcher Verstärker besonders als Mikrophonverstärker für Fernsprechgeräte geeignet ist wobei das
Mikrophon mit den Signaleingangskontakten und die Signalausgangskontakte mit der Anscjilußleitung
des Femsjjrechgepätes verbunden %5ä?^eo «nd \
wobei die Stromversorgung des Verstärkers ä«fs der Fernsprechleitung über die Signalausgangskontakte
erfolgt dadurch gekennzeicjinet, daß zwischen die Spannungsverstärkungseinheit (Qi,
Ql) und die Ausgangsstufe (Q3, Q4) und zwischen
einen Speiseletter (19) für die Spannungsverstärkungseinheit und einen Signalausgangskontakt (16)
für die Speisung der Ausgangsstufe ein Widerstand (6) eingeschaltet ist der eine Entkopplung bewirkt
und in das monolithische Plättchen integriert ist daß der genannte Widerstand zum Entkoppeln der
Spannungsverstärkungseinheit von der Ausgangsstufe mit einem weiteren beispielsweise kapazitiven
oder die Spannung konstant haltenden Schaltungselement (9) zusammenwirkt das außerhalb des integrierten
Verstärkers angeordnet ist, daß mindestens die zur Eingangsstufe (Qi) gehörenden Widerstände
(1, 3) der Spannungsverstärkungseinheit innerhalb eines einzelnen Isolationsrahmens am monolithischen
Plättchen angeordnet werden, daß alle Widerstände (1 bis 5) der Spannungsverstäikungs·
einheit erzeugt werden durch Diffusion in ein gegendotiertes Material im monolithischen Planchen,
welches Material ohne Grenzschichten mit demjenigen Ende des Entkopplungswiderstandes (6) in
Verbindung steht, das der Spannungsverstärkungseinheit zugewandt ist, und daß die Ausgangsstufe in
einem oder mehreren getrennten Isolationsrahmen am monolithischen Plättchen angeordnet ist.
2. Integrierter Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß das weitere Schaltungselement
(9) aus einem außerhalb des eigentlichen integrierten Verstärkers angeordneten Kondensator
(9) besteht der an der einen Seite mit dem der Spannungsverstärkungseinheit zugewandten Ende
des Entkopplungswiderstandes (6) in Verbindung steht und der an der anderen Seite mit dem Ausgangskontakt
(15) des Verstärkers in Verbindung steht, welcher Kontakt die entgegengesetzte Polarität
in bezug auf den Entkopplungswiderstand aufweist.
3. Integrierter Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß das weitere Schaltungselement
(9) aus einer Avalanche-Diode besteht, die zwischen das der Spannungsverstärkungseinheit zugewandte Ende des Entkopplungswiderstandes (6)
und den Signalausgangskontakt (15) eingeschaltet ist, der die entgegengesetzte Polarität des Verstärkers
aufweist, und daß der Avalanche-Diode im Betrieb die entgegengesetzte Spannung zugeführt
wird.
4. Integrierter Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Schaltungselement
aus einer Konstantstromschaltung besteht, die mindestens einen Transistor und eine Avalanche-Diode
aufweist und zwischen das der Spannungsverstärkungseinheit zugewandte Ende des Eiitkopplungswiderstandes (6) und den genannten
Speiseleiter (19) eingeschaltet ist
5. Integrierter Verstärker nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet daß dem Kondensator (9) ein Widerstand (7) und möglicherweise eine Reaktanz
nachgeschaltet ist
6. Integrierter Verstärker nach einem der Ansprüche
2 bis 4, dadurch gekennzeichnet daß zwischen den Ausgangskontakt (IS) und einen Punkt
(17) für die gesamte Stromversorgung des Verstärkers
ifi ejnen>
Stromkreis zwischen dem Verstärker
ύηύ der Fernsprechleitung eine zusätzliche Impedanz
(8) in Form eines Widerstandes und möglicherweise idne Reaktanz eingeschaltet ist
7. Integrierter Verstärker nach Anspruch J, dadurch
gekennzeichnet daß die Spannungsverstärkungseinhei* mindestens zwei Transistoren (Ql, Ql)
aufweist von denen ein Paar aus je einem n-p-n-Transistor
und einem p-n-p-Transistor besteht
8. Integrierter Verstärker nach Anspruch 1 und 7, dadurch gekennzeichnet daß in der Spannungsverstärkungseinheit
eine erste Stufe als Darlington-Koppler mit zwei Transistoren geschaltet ist.
9. Integrierter Verstärker nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet daß die Ausgangsstufe als
Darlington-Koppler mit zwei Transistoren ausgebildet ist.
10. Integrierter Verstärker nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet daß der Entkopplungswiderstand (6) zum Teil im Isolationsrahmen für die
Widerstände (1 bis 5) der Spannungsverstärkungseinheit angeordnet ist oder innerhalb eines Isolationsrahmens
für die Ausgangsstufe, während der übrige Teil des Entkopplungswiderstandes innerhalb
eines gesonderten Isolationsrahmens angeordnet ist der am monolithischen Plättchen für den betreffenden
Teil des Entkopplungswiderstandes (6) vorgesehen ist
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE00093/72A SE351335B (de) | 1972-01-05 | 1972-01-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2300540A1 DE2300540A1 (de) | 1973-07-12 |
DE2300540B2 true DE2300540B2 (de) | 1975-01-02 |
Family
ID=20256026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2300540A Ceased DE2300540B2 (de) | 1972-01-05 | 1973-01-04 | Integrierter Verstärker, insbesondere für Fernsprechgeräte |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3825848A (de) |
DE (1) | DE2300540B2 (de) |
FR (1) | FR2167689B1 (de) |
GB (1) | GB1414893A (de) |
IT (1) | IT973193B (de) |
SE (1) | SE351335B (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2906084C2 (de) * | 1979-02-15 | 1981-10-08 | Deutsche Telephonwerke Und Kabelindustrie Ag, 1000 Berlin | Schaltungsanordnung zur Übertragung von sprachfrequenten Signalen in Fernsprechanlagen |
JPS6041909B2 (ja) * | 1980-03-26 | 1985-09-19 | 日本電気株式会社 | 電話機通話回路網 |
GB8317706D0 (en) * | 1983-06-29 | 1983-08-03 | Standard Telephones Cables Ltd | Telephone subsets |
US6067363A (en) * | 1996-06-03 | 2000-05-23 | Ericsson Inc. | Audio A/D convertor using frequency modulation |
US11755555B2 (en) | 2020-10-06 | 2023-09-12 | EMC IP Holding Company LLC | Storing an ordered associative array of pairs using an append-only storage medium |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3440351A (en) * | 1966-09-09 | 1969-04-22 | Bell Telephone Labor Inc | Telephone transmitter circuit employing variable capacitance microphone |
US3491203A (en) * | 1966-10-18 | 1970-01-20 | Sonotone Corp | Temperature stabilized amplifier |
GB1211851A (en) * | 1967-05-09 | 1970-11-11 | Mullard Ltd | Improvements in or relating to circuit arrangements incorporating transistors |
DE1762924B1 (de) * | 1968-09-24 | 1970-09-03 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung fuer einen Fernsprechmikrofonverstaerker mit verstaerkerausgangsseitiger Speisung |
US3551833A (en) * | 1969-05-01 | 1970-12-29 | Motorola Inc | Circuit having a reduced number of external connections |
US3602830A (en) * | 1969-10-21 | 1971-08-31 | Honeywell Inc | A constant current control circuit |
NL6916988A (de) * | 1969-11-11 | 1971-05-13 |
-
1972
- 1972-01-05 SE SE00093/72A patent/SE351335B/xx unknown
- 1972-12-18 US US00316403A patent/US3825848A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-12-29 IT IT33912/72A patent/IT973193B/it active
-
1973
- 1973-01-04 GB GB65373A patent/GB1414893A/en not_active Expired
- 1973-01-04 FR FR7300244A patent/FR2167689B1/fr not_active Expired
- 1973-01-04 DE DE2300540A patent/DE2300540B2/de not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1414893A (en) | 1975-11-19 |
IT973193B (it) | 1974-06-10 |
SE351335B (de) | 1972-11-20 |
FR2167689B1 (de) | 1976-10-29 |
DE2300540A1 (de) | 1973-07-12 |
US3825848A (en) | 1974-07-23 |
FR2167689A1 (de) | 1973-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2312414C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von integrierten MOSFET-Schaltkreisen | |
DE927932C (de) | Schaltung fuer einen sehr kleinen Transistor-Verstaerker | |
DE932435C (de) | Verstaerkerschaltung mit Transistoren | |
DE29806131U1 (de) | Multiplex-Vorrichtung zum Überwachen von Computer-Videosignalen | |
DE3420068A1 (de) | Spannungs-stromwandler, insbesondere fuer integrierte schaltungen | |
DE2240971C3 (de) | Torschaltung | |
DE1172321B (de) | Schaltungsanordnung zum zweidrahtmaessigen Verbinden von Leitungsabschnitten ueber eine Zeitmultiplexuebertragungsleitung | |
DE69616192T2 (de) | Halbleitervorrichtung mit einem Leistungsverstärker und mobilen Telekommunikationsendgerät mit einer solchen Halbleitervorrichtung | |
CH652882A5 (de) | Speiseschaltung fuer eine teilnehmerleitung. | |
DE112017002654T5 (de) | Ethernet-Magnetik-Integration | |
DE1909721C3 (de) | Schaltungsanordnung zur Gleichspannungsteilung | |
DE2300540B2 (de) | Integrierter Verstärker, insbesondere für Fernsprechgeräte | |
DE2438883B2 (de) | Durch rueckkopplung stabilisierte verstaerkeranordnung | |
DE3224209C2 (de) | ||
DE2328402A1 (de) | Konstantstromkreis | |
DE3019761C2 (de) | Schaltungsanordnung zum Zuführen von Signalen an eine Fernsprechleitung | |
DE2551816A1 (de) | Teilnehmerleitungs-anschlusschaltung | |
DE3628922A1 (de) | Schaltungsanordnung zum anschalten von zwei oder mehr fernsprechapparaten an eine anschlussleitung | |
DE2608576A1 (de) | Aus feldeffekt-transistoren vom gleichen kanaltyp aufgebauter differenzverstaerker mit hoher gleichtaktunterdrueckung | |
EP0169584A1 (de) | Schaltungsanordnung zur elektrischen Speisung von Einrichtungen in einem Fernsprechapparat | |
DE2454043A1 (de) | Energieversorgungs- und ausgangskreise fuer ein mikrophon | |
DE2739718A1 (de) | Fernsprechleitungsschaltung | |
DE1940558C3 (de) | Schaltungsanordnung fur einen sprachgeschutzten Tastwahlempfänger | |
DE2703561A1 (de) | Schaltungsanordnung zum trennen und verstaerken von farbsynchronsignalen und farbartsignalen | |
DE2614678C3 (de) | Videoverstärkerschaltung, insbesondere zur Ansteuerung einer Farbbildröhre |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8235 | Patent refused |