DE2241710A1 - Vorrichtung zum zuechten von halbleitereinkristallen nach dem horizontalen bridgman-verfahren - Google Patents
Vorrichtung zum zuechten von halbleitereinkristallen nach dem horizontalen bridgman-verfahrenInfo
- Publication number
- DE2241710A1 DE2241710A1 DE2241710A DE2241710A DE2241710A1 DE 2241710 A1 DE2241710 A1 DE 2241710A1 DE 2241710 A DE2241710 A DE 2241710A DE 2241710 A DE2241710 A DE 2241710A DE 2241710 A1 DE2241710 A1 DE 2241710A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- boat
- section
- semiconductor material
- seed crystal
- growing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/14—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1092—Shape defined by a solid member other than seed or product [e.g., Bridgman-Stockbarger]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Vorrichtung zum Züchten von Halbleitereinkristallen nach dem horizontalen Bridgman-Verfahren
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Züchten von Halbleitereinkristallen
aus zwei Komponenten, von denen die eine bei der Züchtungstemperatur leicht flüchtig ist, nach dem horizontalen
Bridgman-Verfahren, bei dem ein das geschmolzene Halbleitermaterial und einen Keimkristall enthaltendes, aus
Quarzglas mit sandgestrahlter Oberfläche hergestelltes und in einem zugeschmolzenen Quarzrohr stehendes Züchtungsboot
durch einen Ofen, der einen Abschnitt mit einem abfallenden Temperaturprofil hat, mit dem Keimkristall voraus in Richtung
des Temperaturabfalls gezogen wird, wobei immer ein Teil
des Halbleitermaterials sich auf Schmelztemperatur befindet.
Unter den sehr unterschiedlichen Verfahren zur Züchtung von Halbleitereinkristallen ist das horizontale Bridgman-Verfahren
eines der bekanntesten. Der bei der Züchtung verwendete Ofen hat zwei durch den Abschnitt mit dem abfallenden Temperaturprofil
getrennte, voneinander unabhängig regelbare und auf unterschiedliche Temperaturen eingestellte Temperaturzonen.
Das Züchtungsboot befindet sich in einem waagrecht liegenden Ofenrohr, in dem es sich horizontal verschieben läßt. Die
heißere Ofenzone ist auf eine Temperatur oberhalb und die
309812/1102
kältere Ofenzone auf eine Temperatur unterhalb des Schmelzpunktes
des Halbleltermaterials eingeregelt. Zu Beginn des Züchtens steht das Züchtungsboot so im Temperaturgradienten, daß die Stelle, an
der der Keimkristall die Schmelze berührt, eine Temperatur hat, die dem Schmelzpunkt des Halbleitermaterials entspricht.
Da die eine Komponente der Schmelze bei deren Schmelztemperatur leicht flüchtig ist, ist es notwendig, das Züchtungsboot
in einem evakuierten Quarzrohr einzuschmelzen. Die Schmelze ist im allgemeinen entsprechend der gewünschten Verbindung
im Einkristall zusammengesetzt und wird aus ihren im richtigen Mengenverhältnis vorhandenen Bestandteilen vor der Züchtung
im bereits abgeschmolzenen Quarzrohr erzeugt. Die Schmelze wird unter einem Druck gehalten, der dem bei der Dissoziation der geschmolzenen Verbindung bei ihrem Schmelzpunkt sich einstellenden
Dampfdruck der leichter flüchtigen Komponente entspricht. Einzelheiten beschreiben T.S. Plaskett u.a. im Journal of the
Electrochemical Society, Solid State Science, Januar 1971, Seite 115 am Beispiel des Galliumarsenids.
Im allgemeinen wird das Züchtungsboot aus Quarzglas hergestellt.
Dabei hat es sich als günstig erwiesen, die Oberfläche des Quarzglases sandzustrahlen, weil dadurch ein Benetzen des Quarzglases
mit der Schmelze verhindert wird.
Die ersten Züchtungsbootkonstruktionen bestanden aus halbzylindrischen Wannen, an deren einem Ende sich der Keimkristall eingebettet in pulverisiertem Quarzglas und im Kontakt zur Schmelze befand.
Später wurde es als günstig angesehen, eine gesonderte, zu der Hanne mit der Schmelze geöffnete Höhlung zur Aufnahme des Keimkristalls anzubringen. Man hoffte, dadurch größere Einkristalle
aus kleineren Keimkristallen, als das vorher möglich war, zu
Fi 971 032 309812/1102
mm ö mm
ziehen. Bei diesen Bootkonstruktionen 1st die radiale, thermische Symmetrie zur Kristallwachstumsachse nicht gewährleistet, was
die erwünschte Wachsturnsrichtung entlang der horizontalen Achse
des Bootes behindert oder zu polykristallinem Wachstum führt. Außerdem haben die in diesen Züchtungsbooten gezogenen Einkristalle
keine einheitliche und reproduzierbare kristallographische Orientierung zur Achse des Bootes. Es ist schwierig, aus so deformierten
Einkristallen Blättchen der gewünschten Gestalt und Kristal !orientierung für die Produktion integrierter Schaltkreise
zu gewinnen.
Es wurde auch erkannt, daß die Ausbildung der flüssig-festen Grenzfläche wesentlich mitbestimmt, ob das gewünschte Einkri- .
stallwachstum oder aber Zwillingsbildung oder gar polykristallines
Wachstum stattfindet. Jedoch war es bisher nicht möglich, die Gestalt der flüssig-festen Grenzfläche gezielt und reproduzierbar
festzulegen.
Eine Züchtung nach bekannten Verfahren, wobei die diskutierten
Schwierigkeiten auftreten, wird z.B. in der US-Patentschrift 3 520 810 beschrieben.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, mit hoher Ausbeute, aus zwei
Bestandteilen zusammengesetzte Halbleitereinkristalle zu ziehen, die eine konstante, festgelegte und reproduzierbare kristallographische
Orientierung zur Wachstumsrichtung haben, über ein möglichst langes Stück gerade wachsen und einen konstanten,
festgelegten und reproduzierbaren Querschnitt senkrecht zur Wachstumsrichtung haben.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei dem eingangs genannten
Verfahren dadurch gelöst, daß das Züchtungsboot aufgebaut ist aus einem zur Aufnahme des Halbleitermaterials vorgesehenen und
nach oben offenen ersten Abschnitt, der an seinem äußeren Ende abgeschlossen ist in der Form eines Bootsbugs und der sich an
seinem anderen Ende koaxial verjüngt zu einem am Ende und nach
Fi 97i 032 30981 2/1102
oben offenen, zweiten Abschnitt zur Aufnahme des Keimkristalls,
daß auf den zweiten Abschnitt ein scheibenförmiger, durchbohrter Hitzereflektor aufgesteckt ist, dessen Normale zur Bootsachse
geneigt ist, und daß das offene Ende des zweiten Abschnitts mit einem die Hitze abstrahlenden,zur Bootsachse koaxial angeordneten Körper verschlossen ist.
Der Hitzereflektor stellt die radiale, thermische Symmetrie speziell in dem Bereich des Boots sicher, in dem sich der
erste Abschnitt verjüngt zum zweiten Abschnitt und in dem das Kristallwachstum seinen Anfang nimmt. Der hitzeabstrahlende
Körper gibt der fest-flüssigen Grenzfläche eine konvexe Ausbildung in Richtung auf die Schmelze. Beide Vorrichtungen erleichtern die Kontrolle des Kristallwachstums und verhindern insbesondere polykristallines Wachstum.
Es ist vorteilhaft, wenn der hitzeabstrahlende Körper aus Quarzglas hergestellt ist und seine Enden flammenpoliert sind.
Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich vorteilhaft anwenden,
wenn die beiden Komponenten des Halbleitermaterials aus Gallium
und Arsen gebildet werden.
Die Erfindung wird anhand von durch Zeichnungen erläuterten Ausführungsbeispielen beschrieben.
Es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht des Züchtungsbootes,
durch das Quarzrohr, in das das Boot eingeschmolzen ist und durch den Zweizonenofen,
Fig. 3 einen Ausschnitt aus dem Züchtungsboot im Fi 971 032 309812/1102
Längsschnitt, der die Schmelze, den Keimkristall, den Hitzereflektor und den wärmeabstrahlenden
Körper erkennen läßt und
Fig. 4 einen der Fig. 3 entsprechenden Ausschnitt aus
dem Züchtungsboot von oben gesehen, in dem Pfeile die Richtung des Wärmeflusses veranschaulichen.
Die Fig. 1 zeigt eine spezielle Ausführung des Boots für die
Züchtung von Halbleitereinkristallen. Der halbzylindrische, zur Aufnahme der Schmelze bestimmte Abschnitt 1 verjüngt sich
im Abschnitt 2 koaxial zum Abschnitt 3; der auch halbzylindrisch
ausgebildet ist. Der Abschnitt 3 dient zur Aufnahme des Keimkristalls.
Ein scheibenförmiger, durchbohrter Hitzereflektor 4, der über den Abschnitt 3 geschoben ist und dessen Normale zur Bootsachse
geneigt ist, befindet sich bei der Mitte von Keimkristall 5. Der Hitzereflektor 4 hat, wie die Fig» 4 illustriert, die Aufgabe,
vom Abschnitt 2 abgestrahlte Wärme zu diesem zurückziareflektieren
und dadurch Wärmeverluste an dem konischen Abschnitt 2 zu verhindern. Die daraus resultierende Temperaturstabilisierung
verhindert lokale, kalte Stellen, die polykristalline Kristallisation
begünstigen würden und dadurch eine Qualitätsverminderung des fertigen Kristalls und infolgedessen eine verminderte
Ausbeute verursachen würden.
Der wärmeabstrahlende Körper 6 besteht aus einem glatten, nicht sandgestrahlten Quarzglaszylinder, mit flammenpolierten Enden.
Dieser Quarzzylinder strahlt Wärme in Richtung der Bootsachse in den kälteren Abschnitt des Ofens ab. Einzelheiten werden
im Zusammenhang mit Fig. 2 erklärt. Die durch die beschriebene Ausstattung des Boots gewährleistete, radiale, thermische
Symmetrie sorgt dafür, daß der Kristall entlang der Bootsachse
wächst, ohne davon wesentlich abzuweichen.
FI 971 O32 309812/1102
Die Fig. 2 zeigt das Züchtungsboot in einem geschlossenen Rohr, das seinerseits in einem Zwei-Zonen-Ofen liegt. Die heiße Zone
wird auf einer Temperatur gehalten, bei der einerseits das Halbleitermaterial geschmolzen ist und andererseits eine flüssigfeste Grenzfläche an der Stelle 9 zwischen dem geschmolzenen
Material 8 und dem Keimkristall 5 sich bildet und erhalten bleibt.
Die fest-flüssige Grenzfläche an der Stelle 9 hat eine leicht konvexe Ausbildung in Richtung der Schmelze. Diese Ausbildung
der Grenzfläche rührt her von dem relativ hohen Hitzeabfluß in der Rohrachse im Verhältnis zur radialen Abstrahlung. Die Pfeile
IO und 11 in der Fig. 4 sollen die Verhältnisse verdeutlichen. Wäre die radiale Abstrahlung relativ höher als die axiale, würde
sich eine in Richtung der Schmelze konkave Ausbildung der Grenzfläche ergeben, was sich nachteilig auf die Züchtung von weitgehend
defektfreien Kristallen auswirken würde.
Im folgenden wird die beschriebene Kristallzüchtungsanordnung bei ihrer Verwendung für das Züchten von dotierten oder undotierten
Galliumarsenid-Einkristallen näher erläutert.
Allgemein gesprochen läßt man stöchiometrische Mengen von Gallium
und Arsen in einem geschlossenen Rohr, das einem Temperaturgradient zwischen etwa 614 und etwa 1240 0C ausgesetzt wird,
miteinander reagieren. Arsen verdampft bei 614 0C und bei
1240 0C bildet sich eine fest-flüssige Grenzfläche im Galliumarsenid
aus.
Zur Züchtung wird ein Zwei-Zonen-Ofen, wie ihn die Fig. 1 zeigt, mit einer kalten Zone 12 und einer heißen Zone 13, die voneinander
durch eine Isolation 14 getrennt sind, benutzt. Eine bestimmte Menge Gallium und die gewünschte Menge des Dotierüngsstoffs
werden in den Abschnitt 1 des Züchtungsboots eingefüllt und ein vorbereiteter Keimkristall mit der gewünschten kristallographischen
Orientierung zur Kristallachse wird in den Abschnitt 3 des Züchtungsboots gelegt. Anschließend wird das Züchtungsboot und
Fi 971 032 309812/1102
eine so große Menge Arsen, daß nach der vollständigen Umsetzung
mit der Galliummenge zu Galliumarsenid noch so viel Arsen im Überschuß vorhanden ist, daß bei 1 Atmosphäre Druck, d.h. bei etwa
614 0C noch kondensierte Arsenphase übrig bleibt, in ein einseitig
geschlossenes Quarzrohr 7 gebracht.
Anschließend wird ein Stück einseitig geschlossenes Quarzrohr 15 in das Quarzrohr 7 eingeschoben, dann wird auf 10 Torr
evakuiert und schließlich an der Stelle, wo sich das Rohr 15 befindet, abgeschmolzen. Rohr 7 wird nun in den Ofen geschoben,
auf thermisches Gleichgewicht gebracht und so positioniert, daß das dotierte Gallium sich in der heißen Zone befindet und geschmolzen
gehalten wird. Hat das Arsen mit dem Gallium reagiert, so bildet sich die flüssig-feste Grenzfläche zwischen dem geschmolzenen
Galliumarsenid und dem Keimkristall an der Stelle im Ofen aus, die etwa 1240 0C heiß ist.
Das Rohr 7 wird nun mit der gewünschten Kristallziehgeschwindigkeit
in Richtung der kalten Zone Bewegt. Dabei bleibt die flüssig-feste Grenzfläche am 1240 C-Punkt stehen, oder mit anderen
Worten, die Schmelze kristallisiert in horizontaler Richtung, wobei sich die flüssig-feste Grenzfläche vom Keimkristall wegbewegt.
Ist die Schmelze vollständig in den kristallinen Zustand übergegangan, läßt man das Rohr 7 langsam auf Raumtemperatur
abkühlen, um einen thermischen Schock zu vermeiden. Dann wird das Rohr geöffnet und das Züchtungsboot mit dem Einkristall .
wird herausgeholt.
Mit dem bekannten Verfahren der Galliumarsenid-Einkristallherstellung
wurde eine zehnprozentige Ausbeute an brauchbaren Einkristallen erzielt. Die Ausbeute mit dem beschriebenen Verfahren
beträgt mehr als 60 %. Gleichzeitig wurde eine wesentliche bessere
Reproduzierbarkeit des gewünschten Kristallorientierung in bezug auf die Kristallachse mit dem beschriebenen Züchtungsboot
erreicht. Außerdem waren die Abmessungen der aus den Kristallen hergestellten Blättchen so reproduzierbar, wie es die in der
Fi 971 O32 309812/1 102
Produktion eingesetzten Geräte und damit ein rationeller Herstellungsprozeß verlangen.
Es soll noch angemerkt werden, daß der Querschnitt des Züchtungsbootes nicht notwendigerweise halbzylindrisch sein muß.
Fi 971 032 309812/1102
Claims (4)
1. Vorrichtung zum Züchten von Halbleitereinkristallen aus zwei Komponenten, von denen die eine bei der Züchtungstemperatur leicht flüchtig ist, nach dem Horizontalen
Bridgman-Verfahren, bei dem ein das geschmolzene Halbleitermaterial und einen die Schmelze berührenden Keimkristall
enthaltendes, aus Quarzglas mit sandgestrahlter Oberfläche hergestelltes und in einem zugeschmolzenen
Quarzglas stehendes Züchtungsboot durch einen Ofen, der einen Abschnitt mit einem abfallenden Temperaturprofil
hat, mit dem Keimkristall voraus in Richtung des Temperaturabfalls gezogen wird, wobei immer ein Teil des
Halbleitermaterials sich auf Schmelztemperatur befindet, dadurch gekennzeichnet, daß das Züchtungsboot aufgebaut
ist aus einem zur Aufnahme des Halbleitermaterials (8) vorgesehenen, nach oben offenen ersten Abschnitt (1),
der an seinem äußeren Ende abgeschlossen ist' in der Form eines Bootsbugs und am anderen Ende sich koaxial
verjüngt zu einem am Ende und nach oben offenen zweiten Abschnitt (2) zur Aufnahme des Keimkristalls (5), daß
auf den zweiten Abschnitt (2) ein scheibenförmiger, durchbohrter Hitzereflektor (4) aufgesteckt ist, dessen Normale
zur Bootsachse geneigt ist, und daß das offene Ende des zweiten Abschnitts (2) mit einem die Hitze abstrahlenden,,
zur Bootsachse koaxial angeordneten Körper (6) verschlossen ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Abschnitte (1, 3) des Züchtungsbootes halbzylindrisch
und der wärmeabstrahlende Körper (6) zylindrisch
ausgebildet sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der wärmeabstrahlende Körper (6) aus Quarzglas hergestellt
ist und seine Enden flammenpoliert sind.
309812/1102
FI 971 032
4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Komponenten
des Halbleitermaterials aus Gallium und Arsen gebildet werden.
pi 971 032 309812/1102
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US18004171A | 1971-09-13 | 1971-09-13 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2241710A1 true DE2241710A1 (de) | 1973-03-22 |
DE2241710B2 DE2241710B2 (de) | 1980-03-06 |
DE2241710C3 DE2241710C3 (de) | 1980-10-23 |
Family
ID=22658988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2241710A Expired DE2241710C3 (de) | 1971-09-13 | 1972-08-24 | Schiffchen zum Züchten von Halbleitereinkristallen nach dem horizontalen Bridgman-Verfahren |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3796548A (de) |
JP (1) | JPS5239389B2 (de) |
DE (1) | DE2241710C3 (de) |
FR (1) | FR2154458B1 (de) |
GB (1) | GB1343384A (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3944393A (en) * | 1973-11-21 | 1976-03-16 | Monsanto Company | Apparatus for horizontal production of single crystal structure |
JPS5276926U (de) * | 1975-12-08 | 1977-06-08 | ||
GB1577413A (en) * | 1976-03-17 | 1980-10-22 | Metals Research Ltd | Growth of crystalline material |
FR2383728A1 (fr) * | 1977-03-16 | 1978-10-13 | Radiotechnique Compelec | Perfectionnement a un procede de realisation d'un lingot de materiau cristallin |
JPS5722149U (de) * | 1980-07-15 | 1982-02-04 | ||
JPS5722150U (de) * | 1980-07-15 | 1982-02-04 | ||
JPS6050759B2 (ja) * | 1982-07-14 | 1985-11-09 | 財団法人 半導体研究振興会 | ZnSeのエピタキシヤル成長法及び成長装置 |
JPS6090890A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-22 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 無機化合物単結晶の成長方法及び単結晶成長用ボ−ト |
US4764350A (en) * | 1986-10-08 | 1988-08-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method and apparatus for synthesizing a single crystal of indium phosphide |
FR2614322B1 (fr) * | 1987-04-27 | 1989-07-28 | Europ Propulsion | Four a gradient destine a la solidification orientee, notamment par la methode de bridgmann. |
US5248377A (en) * | 1989-12-01 | 1993-09-28 | Grumman Aerospace Corporation | Crystal-growth furnace for interface curvature control |
CN105297130A (zh) * | 2014-06-03 | 2016-02-03 | 长春理工大学 | 下降法定向生长氟化物晶体的方法及装置 |
CN108546986B (zh) * | 2018-04-19 | 2020-09-15 | 中国科学院半导体研究所 | 籽晶保护装置及单晶生长方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL236919A (de) * | 1957-03-07 | 1900-01-01 | ||
US3124489A (en) * | 1960-05-02 | 1964-03-10 | Method of continuously growing thin strip crystals | |
US3156533A (en) * | 1960-07-26 | 1964-11-10 | Imber Oscar | Crystal growth apparatus |
DE1303150B (de) * | 1961-01-13 | 1971-05-13 | Philips Nv | |
US3198606A (en) * | 1961-01-23 | 1965-08-03 | Ibm | Apparatus for growing crystals |
US3240568A (en) * | 1961-12-20 | 1966-03-15 | Monsanto Co | Process and apparatus for the production of single crystal compounds |
US3401022A (en) * | 1964-03-26 | 1968-09-10 | Motorola Inc | Apparatus for horizontal zone refining of semiconductive materials |
US3453352A (en) * | 1964-12-14 | 1969-07-01 | Texas Instruments Inc | Method and apparatus for producing crystalline semiconductor ribbon |
US3464812A (en) * | 1966-03-29 | 1969-09-02 | Massachusetts Inst Technology | Process for making solids and products thereof |
US3520810A (en) * | 1968-01-15 | 1970-07-21 | Ibm | Manufacture of single crystal semiconductors |
US3617223A (en) * | 1968-05-21 | 1971-11-02 | Texas Instruments Inc | Apparatus for forming monocrystalline ribbons of silicon |
US3607054A (en) * | 1969-05-05 | 1971-09-21 | Us Army | Method for extending the growth of vapor-liquid-solid grown crystals |
-
1971
- 1971-09-13 US US00180041A patent/US3796548A/en not_active Expired - Lifetime
-
1972
- 1972-07-28 GB GB3535172A patent/GB1343384A/en not_active Expired
- 1972-08-24 DE DE2241710A patent/DE2241710C3/de not_active Expired
- 1972-08-29 FR FR7231321A patent/FR2154458B1/fr not_active Expired
- 1972-09-04 JP JP47088029A patent/JPS5239389B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2154458A1 (de) | 1973-05-11 |
GB1343384A (en) | 1974-01-10 |
US3796548A (en) | 1974-03-12 |
JPS4840374A (de) | 1973-06-13 |
DE2241710C3 (de) | 1980-10-23 |
DE2241710B2 (de) | 1980-03-06 |
FR2154458B1 (de) | 1978-08-04 |
JPS5239389B2 (de) | 1977-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69428962T2 (de) | Thermische Umwandlung von polykristallinem Aluminiumoxid in festem Zustand zu Saphir unter Verwendung eines Kristallkeimes | |
DE112011101177B4 (de) | Verfahren zum Fertigen eines Halbleiter-Einkristalls | |
DE2241710A1 (de) | Vorrichtung zum zuechten von halbleitereinkristallen nach dem horizontalen bridgman-verfahren | |
DE69122599T2 (de) | Verfahren und gerät zur herstellung von einkristallen | |
DE3536743C2 (de) | Verfahren zum Herstellung von großflächigen Siliziumkristallkörpern für Solarzellen | |
DE69934643T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines einkristalls mit halbleitender zusammensetzung | |
DE3781016T2 (de) | Verfahren zur zuechtung eines multikomponent-kristalls. | |
DE2015561A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter Einkristalls | |
DE3872922T2 (de) | Verfahren zur herstellung von lanthankuprat-einkristall. | |
DE112017003016B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristall | |
DE112017004790T5 (de) | Einkristallziehvorrichtung | |
DE2311573A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur bildung von einkristallen | |
DE60100148T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Verbindungshalbleiter-Einkristalles | |
DE4427686A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls | |
DE3215620A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von monokristallinem silizium | |
DE1667604B1 (de) | Verfahren zur herstellung von kristallinem cadmiumtellurid | |
DE2137772C3 (de) | Verfahren zum Züchten von Kristallen aus halbleitenden Verbindungen | |
DE68912686T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus einer Halbleiter-Verbindung. | |
DE3325058A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum aufwachsen einer znse-kristalls aus einer schmelze | |
DE3322789C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Hg↓1↓↓-↓↓x↓Cd↓x↓Te | |
DE69315882T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Stange aus supraleitendem Oxidmaterial mit Hochsprungstemperatur | |
DE3210827C2 (de) | Verfahren zum Züchten eines III/V-Verbindungs-Einkristalls | |
DE2700994A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum ziehen von kristallinen siliciumkoerpern | |
DE2025376C3 (de) | Einkristall-Züchtungsverfahren für Bariumnatriumniobat und verwandte Verbindungen | |
DE2508651A1 (de) | Verfahren zur herstellung von koerpern aus einem schmelzbaren kristallinen material, insbesondere halbleitermaterial, bei dem ein ununterbrochenes band aus diesem kristallinen material hergestellt wird, und durch dieses verfahren hergestellter koerper |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |