DE2223376B2 - Schutzschaltungsanordnung für einen Schalttransistor im induktiven Lastkreis - Google Patents
Schutzschaltungsanordnung für einen Schalttransistor im induktiven LastkreisInfo
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Description
eines Hilfs-Transistors, die zur Kollektor-Emitter- Ein Schaltransistor, der in einem mit Induktivitäten
Strecke des Schalttransistors parallel geschaltet ist, io behafteten Lastkreis angeordnet ist, wird beim An- und
und aus einer Steuereinrichtung, welche an die Abschalten durch Eingabe bzw. Wegi.ahme seines
Basis des Hilfs-Transistors angeschlossen ist und Basisstroms besonderen Beanspruchungen unterworfen,
diesen in Abhängigkeit von der Höhe der Spannung Speziell beim Abschalten können Überspannungen
an der Kollektor-Emitter-Strecke des Schalttran- entstehen, welche zu seiner Zerstörung führen. Die in
sistors steuert, dadurch ge kenn zeich- 15 den Induktivitäten des abzuschaltenden Lastkreises
net, daß ah Steuereinrichtung (C, R') derart gespeicherte magnetische Energie führt nämlich wähbemessen
ist, daß sie in Abhängigkeit vom zeit- rend des Abschaltvorgangs zu einer hohen Energielichen Verlauf des Spannungsanstiegs an der KoI- dichte in seiner Sperrschicht. Sind die Induktivitäten
lektor-Emitter-Strecke des Schalttransistors (T) ein besonders groß und/oder verläuft der Abschaltvorgang
Steuersignal an die Basis (B) des Hilfs-Transistors ao besonders schnell, so kann eine maximal zulässige
(H) abgibt. Energiedichte überschritten werden, was zum soge-
2. Schutzschaltungsanordnung nach Anspruch 1, nannten Durchbruch zweiter Art führt. Für spezielle
dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung Schalttransistoren hoher Leistung wird daher ein
(C, R') aus der Serienschaltung eines Konden- maximaler Energiebetrag £«» angegeben, den dieser
sators (C) mit einem Ladewiderstand (R') besteht, 35 Schalttransistor noch abzuschalten veirnag. Dieser
welche zwischen die Basis (B) des Hilfs-Transistor maximale Energiebetrag E,b ist durch E,b = 0,5 LTm-
(H) und den äußeren Anschluß des Widerstands \Tm* gegeben, worin LTm den maximal zulässigen
(R) der Reihenschaltung (R, H) geschaltet ist. Wert der Induktivität L und ITm den maximal zuläs-
3. Schutzschaltungsanordnung nach Anspruch 2, sigen Wert des Lasturoms It bedeutet,
gekennzeichnet durch die zusätzliche Anwendung 30 Um die beim Abschalten auftretende Energiedichte
der bekannten Ausgestaltung, daß zur Spannungs- in dei Sperrschicht unterhalb des für den Schalttranbegrenzung
der Serienschaltung des Kondensators sistor maximal zulässigen Wertes zu erhalten, werden
(C) mit dem Ladewiderstand (R') eine Zenerdiode Schalttransistoren verwendet, welche hinsichtlich ihrer
(ri) parallel geschaltet ist, deren Zenerspannung so Leistung für den Abschaltvorgang ausgelegt und somit
gewählt ist, daß der Hilfs-Transistor (H) bei An- 35 für den Nennbetrieb bei eingeschaltetem Laststrom
liegen dieses Spannungswertes an seiner Basis (B) überdimensioniert sind. Gegenüber dem Anwendungsvoll
durchgeschaltet ist. [all, jn dem im Lastkreis eine rein ohmsche Last vor-
4. Schutzschaltungsanordnung nacii einem der handcn ist, ergibt sich für den Fall eines mit Induk-Ansprüche
1 bis 3, gekennzeichnet durch die Ver- tivitäten behafteten Lastkreises eine erheblich verminwendung
in einem aus Schalttransistoren (7"3 bis *o derte Ausnutzbarkeit des Schalttransistors.
TS) aufgebauten und an eine Gleichspannungs- Weiterhin zeigt sich, daß man bei einem Schaltquelle
(P0', N0') angeschlossenen Wechselrichter (HO transistor in einem induktiven Lastkreis dann, wenn
(Fig- 4) die maximal zulässige Energie E,b abgeschaltet werden
5. Schutzschaltungsanordnung nach Anspruch 4, son( ejne ralativ große Abschaltzeit zulassen muß, um
dadurch gekennzeichnet, daß eine Schutzschal- 45 gefährliche Oberspannungen zu verhindern. Dies be·
tungsanordnung (S 1) über jeweils eine in Durchlaß- deutet, daß die Sperrspannung während des Abschaltrichtung
des Hilfs-Transistors (Hl) gepolte Diode Vorganges nur langsam ansteigen darf. Besonders
(«3, «4, π 5) an all diejenigen Schalttransistoren nachteilig ist das bei Schalttransistoren in Wechselns,
TA, TS) des Wechselrichters (W) geschaltet richtem. Beim langsamen Anstieg der Sperrspannung
ist, die an dessen positive Eingangsklemme (P0) 50 kommutiert dort der Laststrom nur entsprechend
angeschlossen sind (Fig. 4). langsam auf den nächsten Schalttransistor. Lange
6. Schutzschaltungsanordnung nach Anspruch 4 Kommutierungszeiten stehen aber einem Wechselrich-
oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schutz- terbetrieb bei höheren Frequenzen entgegen,
schaltungsanordnung (Sl) über jeweils eine in ßej der eingangs genannten Schutzschaltungsanord-Durchlaßrichtungde*
Hilfs-Transistors (/f2)gepol- 55 nung<
die aus der Zeitschrift NTZ, 1961, Heft 12, te Diode («6, «7, n8) an all diejenigen Schalt- § 506, bekannt ist, ist als Steuereinrichtung an der
transistoren (7*6, TT, Γ8) des Wechselrichters (HO Basis des Hilfs-Transistors eine Begrenzerdiode kleiner
geschaltet ist, die an dessen negative Eingangs- Leistung vorgesehen. Ihre Durchbruchsspannung liegt
klemme (JV0) angeschlossen sind (Fig. 4). noch unter derjenigen des Schalttransistors, aber
60 oberhalb der maximal vorhandenen Nutzsignalampli-
tude. Die Basis des Hilfs-Transistors erhält beim Überschreiten der Durchbruchsspannung ein Steuersignal.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schutzschal- Diese Schutzschaltungsanordnung schützt den Schaltungsanordnung
für einen Schalttransistor, der zum transistor beim Abschalten gegen Überspannung, be-An-
und Abschalten des Lasistromes in einem induk- 6S grenzt also Spannungsspitzen, kann es aber nicht vertiven
Lastkreis angeordnet ist, bestehend aus einer hindern, daß in der Sperrschicht des Schalttransistors
Reihenschaltung aus einem Widerstand und aus der hohe Energiedichten auftreten, die zum Durchbruch
Kollektor-Emitter-Strecke eines Hilfs-Transistors, die zweiter Art führen.
Folgende Schutzmaßnahmen zur Vermeidung einer unzulässigen Beanspruchung eines Schalttransistors
aind noch bekanntgeworden:
1. Eine parallel zur Kollektor-Emitttr-Strecke des Schalttransistors geschaltete Zenerdiode (deutsche
Auslegeschrift 1 080 215, Fig. 1) schützt zwar beim Abschalten gegen Überspannung, bringt den
Schalttransistor aber dennocL kurzzeitig in den kritischen Bereich des Durchbruchs zweiter Art.
Die Anwendung einer Zenerdiode i£t auch infolge ihrer geringen Verlustleistung auf Lastkreise geringerer
Leistung beschränkt
2. Parallel zur Kollektor-Emitter-Strecke des
des Schalttransistors parallel geschaltet ist.
Eine Ausführung der Schutzschaltungsanordnung ist dadurch gegeben, daß die Steuereinrichtung aus der
Serienschaltung eines Kondensators mit einem Ladewiderstand besteht, welche zwischen die Steuerelektrode
des Hilfs-Transistors und den Kollektor des Schalttransistors geschaltet ist. Der Ladewiderstand
kann dabei unter Umständen aHein durch die Zuleitungen des Kondensators gegeben sein. Weiterhin kann
in bekannter Weise der Serienschaitung des Kondensators mit dem Ladewiderstand eine Zenerdiode
parallel geschaltet sein, deren Zenerspannung so ge-
=t-w :„t Λα« H(»r Hilfs-Transistor bei Anliegen dieses
an seiner Steuerelektrode voll durch-
Art nicht auftritt. Dieses Kombinationen verlangern aber die Abschaltzeit recht erheblich. Emem
Betrieb bei höheren Abschaltfrequenzen bzw. einem Wechselrichterbetrieb mit höheren Ausgangsfrequenzen
steht das Auftreten hoher Verfchfebungssuöme
entgegen. Im Kondensator muß beim Abschalten die gesamte magnetische Energie
Die angege Schalttransistoren einsetzen,
*<> sich mi .™™'md^ktiven Lastkreis angeordnet sind,
die_m ^fn m m mShstromsteller. Ihr Vortede komz.
B. b^einem O ^ ^^ wenn Μ ^1
men^ J^och Deso Schalttransistoren aufge-
Schalttransistoren e Gleichspannungsqudle ange-
»5 ^^Wechselrichters verwendet wird Prinz,-
sen
mit Schalttransistoren (Zeitschrift eine
sistor sollte aber spannungsmäß.g gut ausgenutzt 35 d c£"g cn de s S chalttransistoren des Wechselnder, gewerden,
schakef ist die an dessen positive ^Jgg^S
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde für einen ^^^^^Ά^Ά^^
Schalttransistor, der zum An- und Abschalten des ^Αη^η^^ρ .n DurchlaB ichtung des
Laststroms in einem induktiven Lastkreis angeordnet 4<>
schaltung «Π Diode an M ^,ejemgen
^^^^!^"^^^^^Ά^ SÄSSSin 6dePs Wechselrichters geschaht ist
seut werden kann, so daO *«*«***<&??
höheren Aosganptrequenjen als bisher üblich beme taA5
thermischen
und bis
ϋ· thermische
„,„„„ng ausgenuul werden
daß se in Abhängigkeit vom zeitlichen Verlauf des Spannungsanstiegs an der KoHektor.Em.tter-Strecke
des Schalttransistors ein Steuersignal an d.e Basis des Hilfs-Transistors abgibt. .
Diese Schutzschaltungsanordnung ist sowohl bei
einem pnp- als auch bei ^W**f«™££ ,,
einsetzbar. Der in Reihe mit dem Hilfs-Trans.stör
geschaltete Widerstand kann dabei ein ohmscher oder ein spannungsabhängiger Widerstand sem und a
steuerbarer Hilfs-Transistor kann sowohl e.n npn-ale
auch ein ^^^^"JS^SSiS
^^C höhere;Strombelastung etwa um
^ sich aus einer ^^ g gsfe
den ™aor ^^ ^ ^n Ejngatz m Wechscinch-
darüber hinaus sehr kurze Kommutie-J£icht Die
Schutzschaltungsanordnung S^SÄitie^Ufe»betete.^lcte
istsomitaifsko ^ We^8drichtere„egange-
Jen jJb^a«8 zu ^ ^ Betrieb von tran.
JjKSÜ^ Wechselrichtern bei hoher Ausgangs»«ο™«™
h h Ausgangsleistung möglich.
AuSungsbeispiele der Erfindung werden an Hand
i?TSiSÄS^^ einen
ni?TSiSÄS^^ einen
sLttransistor mit einem npn-Hilfstranslstor>
Fig. 2 eine entsprechende Schutzschaltungsanord- Schalttransistors T. Auch hier ist eine Zenerdiode η
nung für einen Schalttransistor mit einem pnp- vorgesehen.
Hilfstransistqr, Fig. 3 zeigt in einer prinzipiellen Darstellung den
Fig. 3 den Spannungs- und Stromverlauf beim Verlauf der Transistorspannung Ut und des Tran-
Abschalten des Schalttransistors und 5 sistorstroms It in Abhängigkeit von der Zeit t beim
Fig. 4 einen Wechselrichter mit zwei Schutzschal- Abschalten eines Schalttransistors Γ in einer Schutztungen
gemäß Fig. 1. schaltungsanordnung gemäß Fig. 1 oder 2.
In Fig. 1 ist ein npn-Schaittransistor Γ dargestellt, Bis zu einem Zeitpunkt r0 fließe über den Schaltdessen
Kollektor mit einer positiven Eingangsklemme/* transistor T laut Voraussetzung der für diesen Typ
und dessen Emitter über eine Last, die aus einer Induk- io maximal zulässige Transistorstrom /n». Dieser ist
tivität L und einem ohmschen Arbeitswiderstand Ra betragsmäßig gleich dem Laststrom la. Die Transistorbesteht,
mit einer negativen Eingangsklemme N ver- spannung Ut zwischen Kollektor K und Emitter E
bunden ist. An Stelle eines einzigen Schalttransistors T ist praktisch Null. Zum Zeitpunkt I0 wird nun das
können auch mehrere Schalttransistoren vorgesehen Steuersignal an der Basis des Schalttransistors T abgesein,
die in Reihe oder parallel geschaltet sind. Zwi- 15 schaltet. Ohne Schutzschaltung würde die Transistorsch6n
den Eingangsklemmen P und N liegt eine Speise- spannung Ut auf einen (nicht gezeigten) Spannungsgleichspannung IZ0. Der Schalttransistor T ist durch wert Ut0 springen, der durch die Beziehung U —
ein Steuersignal an seiner Basis voll durchgesteuert. —Lad/r/di gegeben ist, wobei La den Wert der Induk-Über
ihn möge als Laststrom la der für den betreffen- tivität L und d/r/df die zeitliche Änderung des Lastden
""rensistortyp maixmal zulässige Transistorstrom »o und Transistorstroms It bedeutet. Der Transistor-
Ιτη fließen. strom It würde nach dem in Fig. 3 gestrichelt einge-
Der Kollektor-Emitter-Strecke K-E des Schalt- zeichneten Kurvenverlauf Ιτο noch einige Zeit lang
transistors T ist eine Schutzschaltungsanordnung bis zum Zeitpunkt f4 weiterfließen. Der Schalttranparallel
geschaltet. Diese wirkt wie ein spannungs- sistor T hätte zu jedem Zeitpunkt t zwischen den i
abhängiger Widerstand. Sie besteht aus der Reihen- 45 Zeitpunkten t0 und /4 eine Verlustleistung /WO auf- |
schaltung eines Widerstands R mit einem steuerbaren zunehmen, welche sich aus dem Produkt /WO = i
Hilfs-Transistor H und einer Steuereinrichtung für LVo(O /ro(O ergibt. Die zwischen den Zeitpunkten I
den Hilfs-Transistor //. Der Widerstand R hat die t0 und /4 im Schalttransistor T in Wärme umgesetzte |
Abschaltverluste aufzunehmen. Er kann rein ohmsch Energie E0 berechnet sich durch Integration der Ver-
oder spannungsabhängig sein. Sein Wert muß kleiner 30 lustleistung Pvo{t). j
oder gleich acm Wert Ra = UJhm sein. Als Hilfs- 1st die in Fig. 1 oder 2 gezeigte Schutzschaltungs- !
Transistor H wird in der Darstellung ein npn-Tran- anordnung vorhanden, so ergibt sich nach Abschalten
sistor verwendet. Der Widerstand R ist zwischen dessen des Schalttransistors T zum Zeitpunkt f0 ein Anstieg
Kollektor und die positive Eingangsklemme P ge- der Transistorspannung Ut, welche zum Zeitpunkt Jx
schaltet. Bei Wahl eines npn-Transisiors ist ein Ver- 35 groß genug ist, um die Schwellspannung der Basistauschen
der gezeigten Reihenfolge von Hilfs-Tran- Emitter-Strecke des Hilfs-Transistors H zu überwin- |
sistor H und Widerstand R nicht möglich. den. Vom Zeitpunkt I1 an fließt ein Verschiebungs-
Der in Durchlaßrichtung des Schalttransistors T strom über den Ladewiderstand R' und den Konden-
gepolte Hilfs-Transistcr H wird von einer selbsttätigen sator C in die Basis B des Hilfs-Transistors H. Dieser
Steuereinrichtung gesteuert, welche an die Basis B des 40 wird dadurch vom Zeitpunkt J1 an in zunehmendem
Hilfs-Transistors H angeschlossen ist. Die Steuerein- Maße durchgesteuert. Somit kann ein zunehmender
richtung ist so ausgebildet, daß sie in Abhängigkeit Anteil des Laststroms /a über den Widerstand R und
vom Spannungsanstieg zwischen Kollektor K und den Hilfs-Transistor H fließen. Der Transistorstrom
Emitter E des Schalttransistors T einen Strom in die It nimmt, wie aus Fig. 3 ersichtlich ist, demzufolge
Basis B des Hilfstransistors H liefert. Solange also der 45 immer mehr ab, bis er zum Zeitpunkt /3 den Wert
Schalttransistor T maximalen Laststrom /rm oder It = O erreicht hat. Bei geeigneter Wahl der Kapazität
einen geringeren Laststrom führt, ist die Steuerein- des Kondensators C läßt sich der in Fig. 3 dargestellte
richtung nicht im Eingriff, und der Hilfstransistor H rein ohmsche Abschaltverlauf für Transistorstrom It
ist gesperrt. und Transistorspannung Ut erzielen. Ein beträcht-
Gemäß Fig. 1 besteht die Steuereinrichtung aus der 50 licher Anteil der vor dem Abschalten in der Induk-
Serienschaltung eines Kondensators C mit einem Lade- tivität L gespeicherten magnetischen Energie wird im
widerstand R'. Als Ladewiderstand R' kann oftmals Zeitraum (J3-J1) im Widerstand R in Wärme umgesetzt,
schon der Widerstand der Zuleitungen zum Konden- Die im Schalttransistor Tin Wärme umgesetzte Energie
satbr C genügen. Im eingezeichneten Fall, also bei ist somit beträchtlich geringer als der angegebene
Verwendung eines npn-Hilfs-Transistors //, ist die 55 Wert £0.
Serienschaltung zwischen der positiven Eingangs- Zur Spannungsbegrenzung am Schalttransistor T ist
klemme P und der Basis B des npn-Hilfs-Transitors H in bekannter Weise die Zenerdiode η vorgesehen. Sie
angeordnet. Dieser Serienschaltung kann noch eine sorgt also dafür, daß alle an dem Schalttransistor T
Zenerdiode η parallel geschaltet sein. auftretenden Oberspannungen abgebaut werden und
Fig. 2 zeigt die entsprechende Schutzschaltung, 60 nicht zur Zerstörung des Schalttransistors T führen,
wenn als Hilfs-Transistor H ein pnp-Transistor einge- Ihre Zenerspannung Ur ist so gewählt, daß der Hilfssetzt
wird. Dessen Emitter ist direkt an die positive Transistor H durch Flutung der Zenerdiode an seiner
Eingangsklemme P geschaltet Der Widerstand R Basis B voll durchgeschaltet ist. Erreicht "nach Oberbefindet
sich zwischen dem Emitter E des npn-Schalt- schreiten der Speisespannung U0 die Transistorspantransistors
T und dem Kollektor des pnp-Hilfstran- 65 nung Ut die Zenerspannung U1, wird der Hilfssistors
H. Die Serienschaltung des Kondensators C und Transistor H so weit durchgesteuert, daß an ihm und
des Ladewiderstandes /{'liegt hier zwischen der Basis B am Widerstand R gerade die Summenspannung Uz
des pnp-Hilfs-Transistors H und dem Emitter E des abfällt. Während eines Abschaltvorganges kommutiert
fiis or 7'auf die Reihenschaltung aus Widerstand Λ
Π H is-Transistor //. und der Schalttians.sUr 7
w rd stromlos. Die Zencrsnannung Ut si el ι.nur so
Cm Sch.llln.nsi.tor T an,^te aud, J^r IJJh
Transistor // stromlos geworden 15V. ^nschlttlicna
lieet an der Kolleklor-Emitler-Strecke A-£
Schalttransistors Γ die Spe^chspa« ^o
Da bei Flutung der Zenerdiode λ und Uurenscraiwi
£feiÄÄ=5£
7«. /, in ρ , dargestcl,t lsl Die
^hL*allung Sl, bestehend aus den Bau-
^ , R{ Cl Λ', und „i, ist fur diejenigen
^ttrBnsirtoren r3§ 74 und " vor«^· ^
„ber k dne (mcht dargestellte) Dros-α
ve £. angsklemme /» ange-
^ £ ^ igt die zwe.te SchuU-
bestehend aus den Bauelementen //2,
von der maximalen Spannung be, vollem Sch^trans.Stor
der
rzigt sich, daß auch bei auftretenden
nungen der weitaus größte Teil der
Ene5.e in den Widerstand R verlagert
der Schalttransistor runzulässig hohen
gen nicht ausgesetzt wird.
In Fig. 4 ist ein Wechselrichter W dngUsseitig an eine positive und «"«"g^Ä
gXklemme P0 bzw. Nn und ausgang se.t.g an emen
Sduktiven Drehstromverbraucher nut teiMPhwm_
eingängen Jl\ S', T angeschlossen ,st Die E.ngangs
klemmen ^0 und N0 können z. B. von «ne Battene
oder einem Gleichrichter gespeist^seinjDer ,nduMrje
Verbraucher kann eine ^«Mdmaschije sein, «e
z. B. auch über einen Transformator an den Ausgang
5es Wechselrichters angeschlosseη ^ De^Wed«g
richter W besteht aus sechs ^"""81JS einer
TS in Drehstrombruckenschattung. jeweus
a5 „r oder/6, Γ7, Γ8 ist somit die Reihenschaltung des
Tugeiöiigen Widerstands Rl bzw. Ä 2, des zugehörigen
HJ[s.Tra B nsistors wl bzw. //2 nut angeschlossener
Steuereinrichtung und einer Diode n3n4, ns>
Dzw. n6 Λ% „8 parallel geschaltet. Die Dioden «3 bis n8
^jn' Durchlaßrichtung der Hilfs-Transistoren »1
s ^ Fluflrichtung des betre fenden Schalt-
r3 bis r8 gepolt. BeisP1elswe.se gibt es
Abschalten des npn-Schalttransistors Γ3 eine
hrende Verbindung von der pos.WenEmk,emme
p über den widerstand Jl. den HU^
« £ ^, und djc Diode „3 zum Phasenemgang
Verbindung übernimmt beim Abschalten ^. Schalttransjstors r3 einen beträchthchen Anteil
des Laststroms.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Schutzschaltungsanordnung für einen Schalt- ist und diesen in Abhängigkeit von der Höhe der
transistor, der zum An- und Abschalten des Last- 5 Spannungan der KoUektor-Emitter-Strecke des Schaltstromes
in einem induktiven Lastkreis angeordnet transistors steuert. Eine solche Schutzschaltungsanordist,
bestehend aus einer Reihenschaltung aus einem nung ist aus der Zeitschrift NTZ, 1961, Heft 12,
Widerstand und aus der Kollektor-Emitter-Strecke S. 606, Bild 3, bekannt.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2223376A DE2223376C3 (de) | 1972-05-12 | 1972-05-12 | Schutzschaltungsanordnung für einen Schatttransistor im induktiven Lastkreis |
GB3203472A GB1394242A (en) | 1972-05-12 | 1972-07-07 | Circuit arrangement including an inductive load circuit which is provided with a switching transistor for switching on and off the load current therein |
CH1003772A CH548700A (de) | 1972-05-12 | 1972-07-14 | Schutzschaltung fuer einen schaltertransistor im induktiven lastkreis. |
JP47072445A JPS4927155A (de) | 1972-05-12 | 1972-07-19 | |
US00279392A US3729655A (en) | 1972-05-12 | 1972-08-10 | Protective circuit arrangement for a switching transistor in an inductive load circuit |
CA149,107A CA953784A (en) | 1972-05-12 | 1972-08-10 | Protective circuit arrangement for a switching transistor in an inductive load circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2223376A DE2223376C3 (de) | 1972-05-12 | 1972-05-12 | Schutzschaltungsanordnung für einen Schatttransistor im induktiven Lastkreis |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2223376A1 DE2223376A1 (de) | 1973-11-22 |
DE2223376B2 true DE2223376B2 (de) | 1974-06-06 |
DE2223376C3 DE2223376C3 (de) | 1975-01-23 |
Family
ID=5844790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2223376A Expired DE2223376C3 (de) | 1972-05-12 | 1972-05-12 | Schutzschaltungsanordnung für einen Schatttransistor im induktiven Lastkreis |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3729655A (de) |
JP (1) | JPS4927155A (de) |
CA (1) | CA953784A (de) |
CH (1) | CH548700A (de) |
DE (1) | DE2223376C3 (de) |
GB (1) | GB1394242A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0311576A2 (de) * | 1987-10-09 | 1989-04-12 | STMicroelectronics S.r.l. | Aktive Überspannungsüberwachung für den Betrieb einer induktiven Last |
FR2654270A1 (fr) * | 1989-11-07 | 1991-05-10 | Marelli Autronica | Limiteur de surtension aux bornes d'une charge inductive, applicable aux installations d'injection. |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3766432A (en) * | 1972-10-20 | 1973-10-16 | Honeywell Inf Systems | Actuator drive circuitry for producing dual level drive current |
JPS50145840A (de) * | 1974-05-11 | 1975-11-22 | ||
FR2361777A1 (fr) * | 1976-08-14 | 1978-03-10 | Bosch Gmbh Robert | Montage pour deriver le courant de coupure d'un appareil utilisateur inductif |
DE2638178C2 (de) * | 1976-08-25 | 1986-01-02 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Schutzvorrichtung für integrierte Schaltungen gegen Überspannungen |
FR2441290A1 (fr) * | 1978-11-13 | 1980-06-06 | Anvar | Convertisseur statique d'energie electrique a semi-conducteurs |
US4366522A (en) * | 1979-12-10 | 1982-12-28 | Reliance Electric Company | Self-snubbing bipolar/field effect (biofet) switching circuits and method |
US4626980A (en) * | 1984-05-17 | 1986-12-02 | Square D Company | Power bridge having a non-dissipative snubber circuit |
JPS6258827A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-14 | 株式会社日立製作所 | トランジスタの過電流保護方式 |
US4682262A (en) * | 1986-02-18 | 1987-07-21 | Acme Electric Corporation | Battery charger spark suppressor |
FI81701C (fi) * | 1988-05-17 | 1990-11-12 | Kone Oy | Oeverspaenningsskydd foer riktarbryggor. |
US4893212A (en) * | 1988-12-20 | 1990-01-09 | North American Philips Corp. | Protection of power integrated circuits against load voltage surges |
DE69629278D1 (de) * | 1996-04-30 | 2003-09-04 | St Microelectronics Srl | Schaltung zum gesteuerten schwingungsfreien Rückleiten des Entladungsstromes einer induktiven Last |
GB0109955D0 (en) * | 2001-04-23 | 2001-06-13 | Nicotech Ltd | Inverter circuits |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL279663A (de) * | 1961-07-05 | |||
US3287608A (en) * | 1963-06-03 | 1966-11-22 | Westinghouse Air Brake Co | Time delay control circuit |
US3390306A (en) * | 1965-07-30 | 1968-06-25 | Dickson Electronics Corp | Dc circuit breaker including complementary feedback coupled solid state devices having trigering means in the feedback circuit |
-
1972
- 1972-05-12 DE DE2223376A patent/DE2223376C3/de not_active Expired
- 1972-07-07 GB GB3203472A patent/GB1394242A/en not_active Expired
- 1972-07-14 CH CH1003772A patent/CH548700A/de not_active IP Right Cessation
- 1972-07-19 JP JP47072445A patent/JPS4927155A/ja active Pending
- 1972-08-10 CA CA149,107A patent/CA953784A/en not_active Expired
- 1972-08-10 US US00279392A patent/US3729655A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0311576A2 (de) * | 1987-10-09 | 1989-04-12 | STMicroelectronics S.r.l. | Aktive Überspannungsüberwachung für den Betrieb einer induktiven Last |
EP0311576A3 (de) * | 1987-10-09 | 1991-01-09 | STMicroelectronics S.r.l. | Aktive Überspannungsüberwachung für den Betrieb einer induktiven Last |
FR2654270A1 (fr) * | 1989-11-07 | 1991-05-10 | Marelli Autronica | Limiteur de surtension aux bornes d'une charge inductive, applicable aux installations d'injection. |
EP0427594A1 (de) * | 1989-11-07 | 1991-05-15 | Marelli Autronica | Schaltung zur impulsförmigen Versorgung induktiver Lasten mit einer Spannungsbegrenzung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1394242A (en) | 1975-05-14 |
DE2223376C3 (de) | 1975-01-23 |
DE2223376A1 (de) | 1973-11-22 |
CA953784A (en) | 1974-08-27 |
CH548700A (de) | 1974-04-30 |
US3729655A (en) | 1973-04-24 |
JPS4927155A (de) | 1974-03-11 |
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