DE2223376C3 - Schutzschaltungsanordnung für einen Schatttransistor im induktiven Lastkreis - Google Patents

Schutzschaltungsanordnung für einen Schatttransistor im induktiven Lastkreis

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DE2223376C3 DE2223376A DE2223376A DE2223376C3 DE 2223376 C3 DE2223376 C3 DE 2223376C3 DE 2223376 A DE2223376 A DE 2223376A DE 2223376 A DE2223376 A DE 2223376A DE 2223376 C3 DE2223376 C3 DE 2223376C3
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schutzschaltungsanordnung für einen Schalttransistor, der zum An- und Abschalten des Laststromes in einem induktiven Lastkreis angeordnet ist, bestehend aus einer Reihenschaltung aus einem Widerstand und aus der Kollektor-Emitter-Strecke eines Hilfs-Transistors, die zur Kollekior-Emitter-Strecke des Schalltransistors parallel geschaltet ist, und aus einer Steuereinrichtung, welche an die Basis des Hilfs-Transistors angeschlossen ist und diesen in Abhängigkeit von der Höhe der Spannung an der Kollektor-Emitter-Strecke des Schalttransistors steuert. Eine solche Schutzschaltungsanordnung ist aus der Zeitschrift NTZ. 1961, ||,..ft 12, S. 606, Bild 3, bekannt.
Ein Schaltransistor, der in einem mit Induktivitäten behafteten Lastkreis angeordnet ist, wird beim An- und Abschalten durch Eingabe bzw. Wegnahme seines Basisstroms besonderen Beanspruchungen unterworfen. Speziell beim Abschalten können Überspannungen entstehen, welche zu seiner Zerstörung führen. Die in den Induktivitäten des abzuschaltenden Lastkreises gespeicherte magnetische Energie führt nämlich wäh rend des Abschallvorgangs zu einer hohen Energiedichte in seiner Sperrschicht. Sind die 1 tidiiktl·.ü.iteri besonders groß und/oder verläuft der Abschaitw.r^ng besonders schnell, so kann eine maximal /ula^mc Enereiedichte überschritten werden, was zum soiicnannieri Durchbruch zweiter Art führt. Für spe/.itrüu Schalttransistoren hoher Leistung wird daher ein maximaler Energiebetrag E.-i, angegeben, don dicer Schalttransistor noch abzuschalten vermag. Dicer maximale F.iiergiebetrag Eft, ist durch E<,, - 0.5 /. ·,■ ,,,-l·;·,,,-gegeben, worin l.r,„ den maximal zulib-.lecn Wert der Induktivität /. und ίτ,η den maxima! /nissigen Wert des Laststroms IT bedeutet.
Um die beim Abschalten auftretende Energiedichte in der Sperrschicht unterhalb des für den Schalttninsistor maximal zulässigen Wertes zu erhalten. ·.·.crcicn Schalttransistoren verwendet, welche hinsichth J: ihrer Leistung für den Abschaltvorgang ausgelegt und somi; für den Nennbetrieb bei eingeschaltetem Lasistrom überdimensioniert sind. Gegenüber dem Anwenduncsfali. in dem im Lastkreis eine re. a ohmsche Last vorhanden ist, ergibt sich für den Fall eines mit Induktivitäten behafteten Lastkreises eine erheblich \erniii·- dertc Ausnutzbarkeit des Schaltiransistors.
Weiterhin zeigt sich, daß man bei einem St'na't· transistor in einem induktiven Lastkreis diinn. wenn die maximal zulässige Energie E.i, abgeschaltet werden soll, eine ralativ große Abschaltzeit zulassen muß. um gefährliche Überspannungen zu verhindern. Dies bedeutet, daß die Sperrspannung während des Abschaltvorganges nur langsam ansteigen darf. Besonders nachteilig ist das bei Schalttransistoren in Wechselrichtern. Beim langsamen Anstieg der Sperrspannung kommuticrt dort der Laststrom nur entsprechend langsam auf den nächsten Schalttransistor. Lange Kommuticrungszeitcn stehen aber einem Wechselrich terbetrieb bei höheren Frequenzen entgegen.
Bei der eingangs genannten Schutzschaltungsanordnung, die aus dei "Zeitschrift NTZ, 1961. Heft 12. S. 606. bekannt ist. ist als Steuereinrichtung an der Basis des Hilfs-Transistors eine Begrenzerdiode kleiner Leistung vorgesehen. Ihre Durchbruchsspannung liegt noch unter derjenigen des Schalttransistors, aber oberhalb der maximal vorhandenen Nutzsignalamplitude. Die Basis des Hilfs-Transistors erhält beim Überschreiten der Durchbruchsspannung ein Steuersignal. Diese Schutzschaltungsanordnung schützt den Schalttransistor beim Abschalten gegen Überspannung, begrenzt also Spannungsspitzen, kann es aber nicht verhindern, daß in der Sperrschicht des Schalttransistors hohe Energiedichten auftreten, die zum Durchbruch zweiter Art führen.
Schutzmaßnahmen zur Vermeidung einer iUigpn Beanspruchung eines Schalitrans,sturs noch bekanntgeworden.
zur Kollektor-limitler-Strecke des rs geschaltete Zenerdiode (deutsche I 080 2.5. Fig. I) schützt zwar beim Überspannung, bringt den ffiÄstSiaber dennoch kurzzeitigen den ^tischen Bereich des Durchbruchs zweier Art. De Anwendung einer Zenerd.ode ,st auch ,„folge Phrer geringen Verlustleistung auf Lastkreise geregerer Leistung beschrankt
Parallel zur Kollektor-Emitter-Strecke des sPca amransistors gesenk Kondensator-Widerstand-Kombinationen mit D.ode (AtG-M.tteiluneen 50(1960) 1/2. S. 28) erlauben zwar einen Abschaltvorgang,'bei dem ein Durchbruch zweiter Art nicht auftritt. Dieses kombinationen verlangern aber die Abschaltzeil recht erheben. Linem -, Betrieb be. höheren Abschaltfrequenzen bzw. Km Wechselrichierbemeb nut höheren Aus-2angsfrequenzen steht das Auftreten beer \ er- ^chiebungsströme entgegen. Im kondensator muß beim Abschalten die gesamte magnetische hnerg.e =5 des Schaltkreises aufgenommen werden. Der Kondensator ist daher ,ehr groß /u d.mcnsi°nieren·
tor-tmiiter-Strecke des Schalttrans.stors parallel geschultet «t. Schutzschaltungsanordnung
JSÄÄ daß die Steuereinrichtung aus der Serienschaltung eines ^^^/"Si widerstund besteht, welche
trode des Hilfs-Transislors
Schalttransistors geschaltet ist.
kann dabei --- Umstünden aem tungen des kondensa ^%
m bekannter ^^Jf
sato« nut dem Lad widen^ ^ ^
P, 6T^r Hi fs Transistor bei Anliegen d.eses wählt !St1 daß der Hilfs 1 ran» «or e
Spannungswertesar,seiner Se - £^tim Ab. geschaltet ist. Dadrcj w m u,ässi hohen
schalten am Schalttransistor keine
Spannung.ar»»^™le^huUschaltullgsanori„ung läßt Die ^ng^^e^ ^ Schalltransistoren einsetzen, ^ an2eordnet sind.
s "vorteile kom-
G lUn? ,cnn sie «*i s^utrinsi.toren aufge· i
des Konden-Zenerdiode
mch mu die in« ii.
men J^-!^
ne.
bauten und
schicke^^
^ s
h eiie ange-
ters ,e?wendet wird. Prinz.-
χη werJen, daß jedem h
4 S,^A K*tlu,Emi„e,s,trfe
Schalttransistors angeordneter Varistor wurde zu Sen Dauervcrlusten führen Der Schalttran-S!stur sollte aber spannungsmäß,g gut ausnutzt wcrden.
Der Frfindung lie« die Aufgabe zugrunde, für einen ScS transiwr!" der zum An- und Abschalten des Laststroms in e.nem induktiven Lastkreis angeordn ist. eine Schuuschaltungsanordnung anzugeben, welche k^^^{ο^Ληίχη werJen, daß jedem P^ . ^Js^d^Wecnse1nchters eine eigene Schutz- ··.'·,!■ um-· narallel iieschaltet ist. Es ist jedoch weniger
Anordnung se· gctr°"e . ·, ein, in Durchbß-
tung.nbekannU V^-euben ^.^ ^ ^
3. ^ gd^Uruns,sloren de, Wechselrichters ec- ^ die an dcsscn positive Kingangsk emrm.
angeschlossen -^»^ ™™™Χ^Ζ. -ne Anord - gu rge*he ^ DurchlaßndlUmg des 4o ,na.tung uh Dik)c ^ a), ,, cn
^£ft ^ ;,-en ^ Wechseir.chtcrs gescha let ist
setzt werden kann, so daß der Wechselrichter be, höheren Ausgangsfreque.izen als bisher ubl.cn bctr.er C w,rd be, der eingangs .nannten
Die praku.h,
daß sie in Abhängigkeit vom zeitlichen Verlauf de ^ Spannungsanstiegs an der Kcllcktor-Imitter-S trecke 5, ugbl des Schalttransistors ein Steuersignal an a.e Basis des deJ » Hilfs-Transistors abgibt. '
hcn Grcn/.lrom -md b.s g ausgenutzt ,erden kan.r
^- Λ der
slr,.nibelft.tung etwa,um spannungsbelas tung
,.^101 , Bcin, ,:liwlt/ in Wechsc hiaruber hinaus fehl kur/c Komniutie
us c ■
geschaltete Widerstand kann dabei ein ohmscher oder S spannungsabhängiger Widerstand se.n, und as !teuerbarer Hilfs-". ransistor kann sowohl em npn- a auch ein pnp-Traneirtor verwendet T^«· °J' ^.
den WUV..e-..,, ~~
frequenzen gestaltet. Somit ist der
sistorisierten '/Vechselrichtern bei hoher Ausgangs-
frequenz und hoher Ausgangsleistung möglich. 65 Ausführungsbeispiele der Erfindung werden an Hand
der Figuren näher erläutert. Es zeigt
:hutzschaltungsanordnung für einen nit einem npn-Hilfstransistor,
Fig. 2 cine entsprechende Schutzschaltungsanordniing für einen Schalttransistor mit einem pnp-Hilfstransistor.
Fig. 3 den Spannung*- und Stromverlauf beim Abschalten des Schalttransistors und
Fig. 4 einen Wechselrichter mit zwei Schutzsehallungen gemäß Fig. I.
In Fig. I ist ein npn-Schiilllransistor / dargestellt. dessen Kollektor mit einer positiven Fingangsklemme /' und dessen Kmittcr über eine Last, die aus einer Induk- m tivität L und einem ohmschcn Arbeitswiderstand Ra besteht, mit einer negativen Fingangsklemme Λ verbunden ist. An Stelle eines einzigen Schalttransistors 7 können auch mehrere Sehalttransistoren vorgesehen sein, die in Reihe oder parallel geschaltet sind, /wisehen den Fmgangsklemmcn /' und /V liegt eine Speis-;-gleichspannung U0. Der Schalttransistor T ist divch ein Steuersignal an seiner Basis voll durchgesteuert. Über ihn möge als Laststrom la der für den betreffenden Transistortyp maixmal zulässige Transistorslrom I-rm fließen.
Der Kollektor-Fmitter-Strecke K-E des Schalttransistors 7 ist eine Schutzschaltungsanordnung parallel geschaltet. Diese wirkt wie ein spannungsabhüngigcr Widerstand. Sie besteht aus der Reihenschaltung eines Widerstands R mit einem steuerbaren Hilfs-Transistor // und einer Steuereinrichtung für den Hilfs-Transistor //. Der Widerstand R hat die Abschaltverluste aufzunehmen. Er kann rein ohnisch oder spannungsabhängig sein. Sein Wert muß kleiner oder gleich dem Wert Rn UnIIrn, sein. Als Hilfs-Transistor // wird in der Darstellung ein npn-Transistor verwendet. Der Widerstand R ist zwischen dessen Kollektor und die positive Fingangsklemme P geschaltet. Bei Wahl eines npn-Transistors ist ein Vcrtauschen der gezeigten Reihenfolge von Hilfs-Transistor // und Widerstand R nicht möglich.
Der in Durchlaßrichtung des Schalttransistors T gepolte Hilfs-Transistor // wird von einer selbsttätigen Steuereinrichtung gesteuert, welche an die Basis B des Hilfs-Transistors // angeschlossen ist. Die Steuereinrichtung ist so ausgebildet, daß sie in Abhängigkeit vom Spannungsanstieg zwischen Kollektor K und Fmitter E des Schalttransistors T einen Strom in die Basis B des Hilfstransistors H liefert. Solange also der Schalttransistor 7" maximalen Laststrom Irm oder einen geringeren Laststrom führt, ist die Steuereinrichtung nicht im Fingriff, und der Hilfstransistor // ist gesperrt.
Gemäß Fig. 1 besteht die Steuereinrichtung aus der Serienschaltung eines Kondensators C mit einem Ladewiderstand R'. Als Ladewiderstand R' kann oftmals schon der Widerstand der Zuleitungen zum Kondensator C genügen. Im eingezeichneten Fall, also bei Verwendung eines npn-Hilfs-Transistors H. ist die Serienschaltung zwischen der positiven Eingangsklemme P und der Basis B des npn-Hilfs-Transitors // angeordnet. Dieser Serienschaltung kann noch eine Zenerdiode η parallel geschaltet sein.
Fig. 2 zeigt die entsprechende Schutzschaltung. wenn als Hilfs-Transistor H ein pnp-Transistor eingesetzt wird. Dessen Emitter ist direkt an die positive Eingangsklemme P geschaltet. Der Widerstand R befindet sich zwischen dem Emitter E des npn-Schalttransistors T und dem Kollektor des pnp-Hilfstransistors //. Die Serienschaltung des Kondensators C und des Ladevvtderstandes R' liegt hier zwischen der Basis B des pnp-Hilfs-Transistors // und dem Emitter E des Schalltransistors T. Auch hier ist cmc Zenerdiode n vorgesehen.
Fig. 3 zeigt in einer prinzipiellen Darstellung den Verlauf der rransistorspannung Ur und des Transistorstroms /·/■ in Abhängigkeit von der /eil t beim Abschalten eines Schalttransistors I in einer Schutzschaltungsanordnung gemäß I ig. 1 oder 2.
Bis zu einem Zeitpunkt /„ fließe über den Schalttransistor T laut Voraussetzung der für diesen Typ maximal zulässige Transistorstrom /·;■„,. Dieser ist betragsmäßig gleich dem Laststrom la. Die Transistorspannung Ur zwischen Kollektor K und Emitter /: ist praktisch Null. Zum Zeitpunkt /„ wird nun das Steuersignal an der Basis des Schalltransistors 7'abgeschaltet. Ohne Schutzschaltung würde die Transistorspannung Ur auf einen (nicht gezeigten) Spaniuings· wert t/r0 springen, der durch die Beziehung ('
/.„d/7 d' gegeben ist. wobei /.„ den Wert der Induktivität /. und d/r/df die zeitliche Änderung des Last- und Transistorstroms Ir bedeutet. Der Transistorstrom Ir würde nach dem in Fig. 3 gestrichelt eingezeichneten Kurvcnvcrlauf Im noch einige Zeit laut bis zum Zeitpunkt /, weilerfließcn. Der Schalttransistor T hätte zu jedem Zeitpunkt 1 zwischen den Zeitpunkten /,, und r, eine Verlustleistung P1n(I) aufzunehmen, welche sich aus dem Produkt /',„(/)
U;:,U) Ir„U) ergibt. Die zwischen den Zeitpunkter In und /, im Schalttransistor 7" in Wärme umgesetzte Energie En berechnet sich durch Integration der Verlustleistung PmU).
Ist die in Fig. I oder 2 gezeigte Schutzschaltungsanordnung vorhanden, so ergibt sich nach Abschalten des Schalttransistors T zum Zeitpunkt /„ ein Anstieg der Transistorspannung Ur. welche zum Zeitpunkt /, groß genug ist. um die Schwcüspannung der Basis-Emitter-Strecke des Hilfs-Transistors // zu überwinden. Vom Zeitpunkt /, an fließt ein Verschiebungsstrom über den Ladewiderstand R' und den Kondensator Γ in die Biuis B des Hilfs-Transistors //. Dieser wird dadurch vom Zeitpunkt f, an in zunehmendem Maße durchgcstcucrt. Somit kann ein zunehmende! Anteil des Laststroms In über den Widerstand R und den Hilfs-Transistor Il fließen. Der Transistorstrom fr nimmt, wie aus Fig. 3 ersichtlich ist. demzufolge immer mehr ab. bis er zum Zeitpunkt I3 den Wert Ir ■■- 0 erreicht hat. Bei geeigneter Wahl der Kapazität des Kondensators Γ läßt sich der in Fig. 3 dargestellte rein ohmsche Abschaltvcrlaiif für Trans:storstrom /7 und Transistorspannung Ur erzielen. Ein beträchtlicher Anteil der vor dem Abschalten in der Induktivität L gespeicherten magnetischen Energie wird im Zeitraum (Z3-/,) im Widerstand R in Wärme umgesetzt. Die im Schalttransistor Tin Wärme umgesetzte Energie ist somit beträchtlich geringer als der angegebene Wert En.
Zur Spannungsbegrenzung am Schalttransistor T ist in bekannter Weise die Zenerdiode η vorgesehen. Sie sorgt also dafür, daß alle an dem Schalttransistor 7 auftretenden Überspannungen abgebaut werden und nicht zur Zerstörung des Schalttransistors T führen. Ihre Zenerspannung Ur ist so gewählt, daß der Hilfs-Transistor // durch Flutung der Zenerdiode an seiner Basis B voll durchgeschaltet ist. Erreicht nach Überschreiten der Speisespannung U0 die Transistorspannung Ur die Zenerspannung Uz, wird der HilfsTransistor H so weit durchgesteuert, daß an ihm und am Widerstand R gerade die Summenspannung U1 abfällt. Während eines Abschaltvorganges kommutiert
CIl IM-im Xl-
U-yp ist ir-
as
k-,t- T-
I-M
Gruppe von drei Schalttransistorcn 7'3, 7'4, Γ5 unc 7 6, 7 7, 7 8 ist eine Schutzschaltung Sl bzw. Si zugeordnet, wie sie auch in Fig. I dargestellt ist. Di< erste Schutzschaltung Sl. bestehend aus den Bau 5 elementen Hl, Rl. Cl, Rl und /;1, ist für diejenige! Schalttransistoren 73, 7"4 und TS vorgesehen, weicht direkt oder über jeweils eine (nicht dargestellte) Dros seispule an die positive Eingangsklemme P0 ange schlossen sind. Entsprechend ist die zweite Schutz
der dann noch fließende Lasistrom In vom Schalttransistor 7"aui die Reihenschaltung aus Widerstand R
und Hilfs-Transistor //, und der Schalttransistor T
wird stromlos. Die Zcnerspannung U1 steht nur so
lange am Schalüransistor 7" an. bis auch der Hilfs-Trai'oistor H stromlos geworden ist. Anschließend
liegt an der Kollektor-Emitter-Streckc K-E des
Schalttransistors T die Speiscglcichspaiinung Un.
Da bei Flutung der Zcnerdiode η und Durchschalten
des Hilfstransistors // die Transistorspannung Ut >° schaltung Sl, bestehend aus den Bauelementen Hl gleich der Zencrspannung U1 ist und konstant gehalten Rl, C2. R'l und nl, für diejenigen Schalttransistorer wird, durchläuft der Hilfstransistor /■/ das gesamte 7'6, 7"7 und TH vorgesehen, welche an die negative Kennlinienfeld von der Durchlaßspannung im über- Einganjjskiemme Wn angeschlossen sind. Um Kurzsteuerten Betrieb bis zur maximalen Spannung. Ent- Schlüsse zu vermeiden, ist für jeden Schalttransistoi sprechend nimmt der Spannungsabfall am Wider- 15 73 bis Γ8 eine Diode «3 bis /18 vorgesehen. Die stand R von der maximalen Spannung bei vollem Dioden «3 bis «8 sind jeweils in eine Verbindungs-Strom ab. leitung zwischen dem betreffenden Schalttransistoi Es zeigt sich, daß auch bei auftretenden Überspan- 7'3 bis 7'8 und der zugeordneten Schutzschaltung Sl nungen der weitaus größte Teil der anstehenden oder Sl geschaltet. Jedem Schalttransistor 7~3, 7"4 Energie in den Widerstand R verlagert wird und daß 20 7'5 oder Tb, Tl, T8 ist somit die Reihenschaltung des der Schalttransistor Γ unzulässig hohen Bcanspruchun- zugehörigen Widerstands Rl bzw. Rl, des zugehörigen gen nicht ausgesetzt wird. Hilfs-Transistors H\ bzw. Hl mit angeschlossen« In Fig. 4 ist ein Wechselrichter W dargestellt, der Steuereinrichtung und einer Diode n3, «4, /;5 bzw. eingangsseitig an eine positive und eine negative Ein- //6, «7, /(8 parallel geschaltet. Die Dioden /;3 bis /;8 gangsklemme Pn bzw. N0 und ausgangsseitig an einen 25 sind in Durchlaßrichtung der Hilfs-Transistoren HX induktiven Drehstromverbraucher mit den Phasen- bzw. Hl und in Flußrichtung des betreffenden Schalteini,.ingen R', S', 7" angeschlossen ist. Die Eingangs- transistors Γ3 bis Γ8 gepolt. Beispielsweise gibt es klemmen Pn und Nn können z. B. von einer Batterie beim Abschalten des npn-Schalttransistors T3 eine oder einem Gleichrichter gespeist sein. Der induktive stromführende Verbindung von der positiven EinVerbraucher kann eine Drehfeldmaschine sein, die 30 gangsklemme P0 über den Widerstand Λ !,den Hilfsz. B. auch über einen Transformator an den Ausgang Transistor Hl und die Diode «3 zum Phaseneingang des Wechselrichters angeschlossen ist. Der Wechsel- R'; diese Verbindung übernimmt beim Abschalten richter W besteht aus sechs Schalttransistoren T3 bis des Schalttransistors Γ3 einen beträchtlichen Anteil 7"8 in Drehstrombrückcnschaltung. Jeweils einer des Laststroms.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
409 684/213

Claims (6)

Patentansprüche: 2 3
1. Schutzschaltungsanordnung für einen Schalltransistor, der zum An- und Abschalten des Last- stromes in einem induktiven Lastkreis angeordnet ist, bestehend aus einer Reihenschaltung aus einem Widerstand und aus der Kollektor-Emitter-Strecke eines Hilfs-Transistors, die zur Kollektor-Emitter-Strecke des Schalttransistors parallel geschaltet ist, und aus einer Steuereinrichtung, welche an die Basis des Hilfs-Transistors angeschlossen ist und diesen in Abhängigkeit von der Höhe der Spannung an der Kollektor-Emitter-Strecke des Schalttransistors steuert, dadurch gekennzeich- net, daß die Steuereinrichtung (C, R') derart bemessen ist. daß sie in Abhängigkeit vom zeitlichen Verlauf des Spannungsanstiegs an der KoI-lektor-EmittiJi -Strecke des Schalttransistors (7') ein Steuersignal an die Basis (B) des Hilfs-Tranaistors (// labgibt.
2. Schutzschaltungsanordnung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (C R') aus der Serienschaltung eines Kondensators (C) mit einem Ladewidtrstand (R') besteht. welche zwischen die Basis (B) des Hilfs-Transistor (//) und den äußeren Anschluß des Widerstands (R) der Reihenschaltung (R. H) geschaltet ist.
3. Schutzschaltungsanordnung n.ich Anspruch 2, gekennzeichnet durch die zusätzliche Anwendung der bekannter. Ausgestaltung, daß /.ur Spannungsbegrenzung der Serieiibchaltun[ des Kondensators (C) mit dem Ladewiderstand (R ) eine Zencrdiode (/;) parallel geschaltet Kt. deren Zenerspannung so gewählt ist, daß der Hilfs-Transistor (//') bei Anliegen dieses Spannungswertes an seiner Basis (B) voll durchgeschaltet ist.
4. Schutzschaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3. gekennzeichnet durch die Verwendung in einem aus Schalttransistoren (Τλ bk. 7"8) aufgebauten und an eine Gleichspannungsquelle (Pn'. /Vn') angeschlossenen Wechselrichter (IV) (Fig. 4).
5. Schutzschaltungsanordnung nach Anspruch 4. dadurch gekennzeichnet, daß eine Schutzschaltungsanordnung (51) über jeweils eine in Durchlaßrichtung des Hilfs-Transistors (//1) gcpoltc Diode 0;3, /;4, /i5) an all diejenigen Schalttrarisistoren (Γ3, T4. TS) des Wechselrichters (H') geschultet ist, die an dessen positive Eingangsklemme (/'„) angeschlossen sind (I-ig. 4).
6. Schutzschaltungsanordnung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schutzschaltungsanordnung (Sl) über jeweils eine in Durchlaßrichtung des Hilfs-Transistors (Hl) gepol-(e Diode (/;6. ;i7, nH) an all diejenigen Seh.ilttransistoren (Γ6, Tl, TS) des Wechselrichters (H') geschaltet ist, die an dessen negative Eingangsklemme (N0) angeschlossen sind (Fig. 4).
60
DE2223376A 1972-05-12 1972-05-12 Schutzschaltungsanordnung für einen Schatttransistor im induktiven Lastkreis Expired DE2223376C3 (de)

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