DE2217775B2 - Verfahren zum Abscheiden sabiler Tanal-Auminium-Dünnschichten - Google Patents

Verfahren zum Abscheiden sabiler Tanal-Auminium-Dünnschichten

Info

Publication number
DE2217775B2
DE2217775B2 DE2217775A DE2217775A DE2217775B2 DE 2217775 B2 DE2217775 B2 DE 2217775B2 DE 2217775 A DE2217775 A DE 2217775A DE 2217775 A DE2217775 A DE 2217775A DE 2217775 B2 DE2217775 B2 DE 2217775B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
aluminum
tantalum
implantation
layer
ion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2217775A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2217775A1 (de
DE2217775C3 (de
Inventor
Harold Basseches
Dieter Gerstenberg
Martin Paul Hanover Township Lepselter
Alfred Urquhart Berkeley Heights Mac Rae
Joel Mark Whitehall Schoen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Publication of DE2217775A1 publication Critical patent/DE2217775A1/de
Publication of DE2217775B2 publication Critical patent/DE2217775B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2217775C3 publication Critical patent/DE2217775C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48—Ion implantation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5806—Thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5826—Treatment with charged particles
    • C23C14/5833—Ion beam bombardment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/702—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof
    • H01L21/707—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof of thin-film circuits or parts thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

3 4
Substrats zur Austemperung von Strahlungsschäden Stickstoffionen (N2 +) bis auf eine Tiefe von 630 A in
wird in einer weiteren auf die Implantation erfolgenden einem Ionenbeschleuniger durchgeführt, in dem eine
Verfahrensstufe verwendet. Spannung von 150 keV verwendet wurde, wobei eine
Wie erwähnt, werden die hier interessierenden Ionen integrierte Gesamtbeaufschlagung von etwa 2 · 1017
auf eine erforderliche vorbestimmte Energie oder 3 A sec/cm2 erfolgte.
Geschwindigkeit beschleunigt, um ihr angemessenes Im Anschluß an die Implantation wurde der Aufbau
Eindringen sicherzustellen. Beschleunigungspotentiale eine Stunde lang bei 700°C bei einem Druck von
im Bereich von 50000 bis 300000 Volt wurden als im 10"6 Torr getempert, um die Strahlungsschäden in der
allgemeinen geeignet für den angestrebten Zweck ;r- Schicht zu heilen und um eine gleichmäßige Verteilung
mittelf Das verwendete Beschleunigungspotential be- ίο der implantierten Ionen über die Schichtdicke zu
stimmt die Eindringtiefe der in Frage stehenden lone erreichen.
und seine Veränderung hat Veränderungen in der Ein- Die implantierte Schicht wurde durch Messung des
dringtiefe und der gleichzeitigen Steuerung der Dicke spezifischen Flächenwiderstands bei 1 kH auf einem
der implantierten Schicht zur Folge. Für die Zwecke Impedanzvergleicher gekennzeichnet. Der Temperatur-
des vorliegenden Ausführungsbeispiels kann die Ein- 15 koeffizient des Widerstands (TCR) wurde durch
dringtiefe zwischen 400 und 2500 A variiert werden, Widerstandsmessungen bei Raumtemperatur und der
wenn erforderlich. Versuche haben außerdem gezeigt, Temperatur des flüssigen Stickstoffs bestimmt. Die
daß eine gleichförmigere Verteilung der implantierten Schichtdicke des Widerstands wurde durch Talysurf-
Jonen erreicht werden kann, durch ßeschuO mit Ionen Messungen der Schicht ermittelt und die strukturellen
von nach und nach abnehmender Energie. 20 Eigenschaften wurden durch Röntgen-Beugung und
Die Wärmebehandlung oder Temperung des erzeug- durch Elektronen-Mikrotasterverfahren studiert,
ten Bauelements wird schließlich in einem Temperatur- Die so erhaltenen Messungen zeigten, daß der herbereich von 500 bis 7000C durchgeführt, um Strah- gestellte Widerstand einen ursprünglichen spezifischen lungsschäden zu entfernen. Flächenwiderstand von 30,5, 32,8 nach der Implanta-
Nachstehend sind im einzelnen Ausführungsbeispiele 25 tion und 37 Ω nach der Temperbehandlung hatte,
der Erfindung beschrieben. Diese Beispiele sollen ledig- Das vorstehend beschriebene Verfahren wurde mit
lieh das Verständnis der Erfindung fördern. geringeren Abwandlungen wiederholt, wobei die im
folgenden angegebenen Daten festgestellt wurden :
Beispiel 1
Dieses Beispiel beschreibt die Herstellung eines 30 Beispiel 1 (Ergebnisse)
Stickstoff-implantierten Tantal-Aluminium-Schicht- Widerstandsschicht (Atom %)..60 Ta-40 Al
Widerstands gemäß einem Ausführungsbeispiel der Substrat SiO2-Si
Erfindung. Implantierte Ionen N2 +
Es wurde eine Vorrichtung zur kathodischen Zer- Ionendosierung, 1017/cm2 2,46 bei 150 KeV
stäubung mit einer derart mit Aluminiumstreifen be- 35 Ionenbereich, A 630
legten Tantalkathode verwendet, daß die geometrische Anfängliche Schichtdicke, A .. .630
Fläche des Aluminiums auf der Tantalkathode etwa Anfängliches R8 30,5 Ω
40 Atomprozent betrug. R8 nach der implantation 32,8 Ω
Bei der verwendeten Vorrichtung wurde eine schwe- RH nach der Temperbehandlung 37 Ω
bende, d. h. eine nicht angeschlossene Anode verwen- 40 TCR PPM/CC —
det, wobei die Potentialdifferenz dadurch erreicht . , -
wurde, daß die Kathode relativ zur Erde negativ ge- Beispiel
macht wurde. Widerstar.dsschicht (Atom %). .60 Ta-40 Al
Das gewählte Substrat war eine mit Siliziumdioxid Substrat SiO2-Si
beschichtete Siliziumscheibe von 17,463 mm Durch- 45 Implantierte Ionen N2 +
messer. Die Vakuumkammer wurde zunächst auf einen loncndosierung, 1017/cm2 1,64 bei 150 KeV
Druck in der Größenordnung von 1 · 10~e Torr eva- Ionenbereich, A 630
kuiert, worauf Argon mit einem Druck von 25 μ Hg Anfängliche Schichtdicke, A .. .630
zugeführt wurde. Eine Gleichspannung von etwa Anfängliches R9 27,2 Ω
4000 Volt wurde zwischen der Anode und der Kathode 50 R8 nach der Implantation 31,6 Ω
angelegt und der Zerstäubungsvorgang etwa 6 Minuten R8 nach der Temperbehandlung 34,0 Ω
lang durchgeführt, was zu einer Schicht aus einer TCR PPM/°C —
Tantal-Aluminium-Legierung mit etwa 60% Tantal . ...
und 40'% Aluminium in einer Dicke von 630 A führte. Beispiel i
Die aufgestäubte Tantal-Aiuminium-Legierung 55 Widerstandsschicht (Atom %). .60 Ta-40 Al
wurde dann mit einer 200 A dicken Schicht von Titan Substrat SiO2-Si
und einer 5000 A dicken Schicht von Gold belegt., und Implantierte Ionen N2 +
ein gewünschtes Widerstandsmuster wurde hierin lonendosierung, 1017/cm2 2,87 bei 150 KeV
durch bekannte Verfahren erzeugt, so daß sich ein lonenbereich, A 630
dem in Fig. 1 gezeigten ähnlicher Aufbau ergab. 60 Anfängliche Schichtdicke, A ...630
Die Titan-Gold-Anschlußkontaktflächen des Auf- Anfängliches RH 28,6 Ω
baus wurden dann mittels einer Maske aus korrosions- Rn nach der Implantation 31,6 Ω
freiem Stahl abgeschirmt und ihre Rückseiten wurden R8 nach der Temperbehandlung 34,0 Ω
mit Silberfarbe beschichtet, um die während des TCR PPM/"C —
Implantationsvorgangs erzeugte Joulcsche Wärme ab- 65 . .
zuführen. Der erhaltene Aufbau wurde dann in eine Beispiel
Vorrichtung gesetzt, wie sie beispielsweise in Fig. 2 Widerstandsschicht (Atom %). .25 Ta-75 Al
gezeigt ist, und es wurde eine Ionenimplantation mit Substrat Quarz
5 * 6
Implantierte Ionen N2 + ρ nach der Implantation 11 610 μΩ-cm
lonendosierung, IO"/cm2 5,51 ρ nach der Temperbehandlung . 13054 μΩ-cm
lonenbereich, A 400-1300 TCR PPM/°C -221
Anfängliche Schichtdicke, A ... 1500
Anfängliches ρ 695 μΩ-cm 5 Eine Analyse der listenmäßig zusammengestellten
ρ nach der Implantation 4100 μΩ-cm Daten zeigt, daß die in den Beispielen 1 bis 3 erläuter-
ρ nach der Tcmpcrbehandlung .4690 μΩ-cm ten Widerstände mit Verfahren hergestellt sind, bei
TCR PPM/°C —265 denen der berechnete lonenbereich die Schicht-Sub-
strat-Zwischenflächc war. Untersuchungen der Schicht
Beispiel 5 10 zejgtcri( (]aß wenigstens die Hälfte der implantierten
Widerstandsschicht (Atom %). .25 Ta-75 Al Ionen die Schicht vollständig durchdrang und im
Substrat Quarz Substrat eingelagert gefunden wurde. Reflexions- und
Implantierte Ionen .N2 1 Röntgcnbeugungsuntersuchungen zeigten, daß die im-
lonendosierung, 10l7/cm2 4,83 planlierten Gebiete von der /J-Tantalphase in die
lonenbereich, A 400—1300 15 krz.-Tanlalphase umgewandelt waren.
Anfängliche Schichtdicke, A ... 1500 Um eine gleichmäßigere Verteilung der implantierten
Anfängliches ρ 579 μΩ-cm Ionen zu erreichen, wurden die gemäß Beispiel 4 bis 6
ρ nach der Implantation 2370 μΩ-cm hergestellten Bauelemente mit Ionen progressiv ge-
ρ nach der Temperbehandlung .2370 μΩ-cm ringer werdender Energien beschossen. Es wurde
TCR PPM/°C —231 ao beobachtet, daß erhebliche Änderungen des Widerstandes und der Dicke vnr der Temperbehandlung
Beispiel 6 auftraten, so daß angenommen werden muß, daß eine
Widerstandsschicht (Atom "/„). .25 Ta-75 Al gleichmäßigere Verteilung der implantierten Ionen
Substrat Quarz über die Schichtdicke erreicht wurde. Zusätzlich wurde
Implantierte Ionen O2' »5 beobachtet, daß der Widerstand der nach diesen Bci-
lonendosierung, 10"/cm2 7,53 spielen hergestellten Materialien sich um einen Faktor
lonenbereich, Λ 400—1300 um etwa 20 änderte, ohne daß dabei gleichzeitig
Anfängliche Schichtdicke, A ...1500 erhebliche Änderungen des Widerstandstemperatur-Anfängliches ρ 690 μΩ-cm koeffizienten auftraten.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

1 2 Implantationsbehandlung mit Ionen der aus Sauerstoff Patentansprüche: und Stickstoff bestehenden Gruppe und so dann zur Ausheilung der Implantationsstrahlungsschäden einet
1. Verfahren zur Abscheidung einer stabilen Temperung unterzogen wird.
Tantal-Aluminium-Dünnschicht auf ein Substrat 5 Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist es durch kathodische Zerstäubung, dadurch möglich, den spezifischen Widerstand von hochgekennzeichnet. daß eine Tantal-Alumi- beständigen Tantal-Aluminium-Legierungsschichten nium-Dünnschicht mit 25 bis 75 Atomprozent durch Ionenimplantation auf die jeweils gewünschte Aluminium abgeschieden wird, die einer Implan- Höhe anzuheben, ohne daß die übrigen Eigenschaften tationsbehandlung mit Ionen der aus Sauerstoff io verändert würden.
und Stickstoff bestehenden Gruppe und sodann Nachstehend ist das erfindungsgemäße Verfahren
zur Ausheilung der Implantationsstrahlungsschä- an Hand der Zeichnung beschrieben; es zeigt
den einer Temperung unterzogen wird. Fig. 1 eine Draufsicht auf eine durch kathodische
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- Zerstäubung hergestellte Tantal-Aluminium-Legiezeichnet, daß die Implantation mit Beschleunigungs- 15 rungsschicht und
Potentialen von 50000 bis 300000 Volt bei Ein- Fig. 2 eine schematische Ansicht einer für die Ionendringtiefen von 400 bis 2500 A durchgeführt wird. implantation d:s Bauteils nach Fig. 1 geeignete Vor-
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch richtung.
gekennzeichnet, daß der Implantationsvorgang mit Im folgenden wird insbesondere auf Fig. 1 Bezug
Ionen von progressiv abnehmenden Energien in 20 genommen, in der eine Draufsicht auf einen gemäß mindestens zwei Stufen durchgeführt wird einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
4. Verfahren nach einem der Ansprüche I bis 3, hergestellten Aufbau gezeigt ist. In der Zeichnung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Temperung bei ein Substrat- oder Unterlagebauteil 11 gezeigt, auf 500 bis 700°C durchgeführt wird. dem ein Widerstandsmuster aus einer Tantal-Alumi-
25 nium-Legierungsschicht 12 durch den Fachleuten an sich bekannte kathodische Zerstäubung niederge-
schlagin ist. Die Zerstäubungsvorrichtung hierfür
weist eine so aufgebaute Kathodenkonfiguration auf, daß eine Tantal-Aluminium-Legierungsschicht 12 mit
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Absehet- 30 25 bis 75 Atomprozent Aluminium erzeugt wird, wobei dung einer stabilen Tantal-Aluminium-Dünnschicht dieser Bereich durch Erwägungen bezüglich des therauf ein Substrat durch kathodische Zerstäubung. mischen Oxidationswiderstands der Legierung gegeben
Solche Bauelemente sind von besonderem Interesse ist. Ein solcher Aufbau hat üblicherweise die Form einer als Dünnschicht-Widerstände. Tantal-Aluminium-Kathode mit 25 bis 75 Atompro-
Die Miniaturisierung von Schaltungen und Bau- 35 zent Aluminium, wobei eine Tantalscheibe mit AIuelementen in Verbindung mit immer größer werdender minium beschichtet ist oder bearbeitete Streifen aus Kompliziertheit der modernen elektronischen Systeme Aluminium trägt. Anschlußkontaktflächen 13 aus hat die Anforderung an die Zuverlässigkeit von einem geeigneten Leitermaterial für den Widerstand Dünnschicht-Bauelementen in ungeahntem Ausmaß sind vorgesehen. Der so erhaltene Aufbau wird dann wachsen lassen. Die meisten Anforderungen bezüglich 40 einer Ionenimplantation unterzogen, wobei Sauerstoff-Stabilität, Präzision und Miniaturisierung wurden oder Stickstoffionen in die Tantal-Aluminium-Legiegleichzeitig durch Tantal-Bauelemente erfüllt, bei de- rungsschicht implantiert werden. Das für die Implannen elementares Tantal oder eine Tantalverbindung tation verwendete Verfahren wird am einfachsten in in Form einer Dünnschicht verwendet wurde. Erst in Verbindung mit Fig. 2 beschrieben,
jüngerer Zeit wurde jedoch herausgefunden, daß Tan- 45 Die verwendete Vorrichtung weist eine Ionenquelle tal-Aluminium-Legierungen konkurrenzfähig mit Tan- 20 zur Erzeugung von Sauerstoff- oder Stickstoffionen tal sind und hinsichtlich der Stabilität in vieler Hinsicht auf. Ionenquellen sind ausführlicher in »Methods of dem reinen Tantal oder dessen Verbindungen über- Experimental Physics« (herausgegeben von L. Mariegen sind. Untersuchungen haben ergeben, daß Tan- tow), Bd. 4, Teil A (Academic Press, New York, N.Y.), tal-Aluminium-Legierungen überlegene Festigkeits- 50 S. 256 bis 283 (1967), beschrieben. Bei der Durcheigenschaften bei Temperaturen von etwa 4000C führung der Implantation focussieren (nicht gezeigte) zeigen, so daß sich ihre Verwendung als Widerstand elektrostatische oder magnetische Linsen einen Ionenbei der Herstellung von Halbleiterbauteilen anbietet. strahl in eine Beschleunigersäule 21, welche die Ionen Leider standen bisher stabile bzw. beständige Wider- auf eine vorbestimmte Energie beschleunigt. Der Standsmaterialien, wie z. B. gerade die Tantal-Alumi- 55 Ionenstrahl durchläuft dann eine Laufzeitröhre 22, nium-Legierungen, welche spezifische Widerstände im welche einen langgestreckten, auf einen Druck in der Bereich von 10 a bis 102 ücm haben, bisher für die Größenordnung von 10"e Torr evakuierten Bauteil Verwendung bei der Herstellung von Halbleiter-Bau- umfaßt, und durchläuft dann einen Massentrennungselementen nicht zur Verfugung, die normalerweise magneten 23, der Ionenverunreinigungen aus dem Uehandlungstemperaturen von 350 bis 4000C ausge- 60 Strahl entfernt. Die Strahlrichtung wird durch einen setzt sind. x-^-Ablenker 24 gesteuert, der den Strahl auf einen
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, gewünschten Zielbereich 25 richtet, welcher beispielsein verbessertes Verfahren zur Herstellung von Dünn- weise die in Fig. 1 gezeigte Struktur sein kann. Der schicht-Bauelementen der einleitend beschriebenen Art Zielbereich 25 ist auf einer (nicht gezeigten) Halterung anzugeben. 65 angeordnet, die aus einem unter den für die Implanta-
Erfindungsgemäß ist diese Aufgabe dadurch gelöst, tion erforderlichen Bedingungen beständigen Material daß eine Tantal-Aluminium-Schicht mit 25 bis 75 besteht, beispielsweise aus korrosionsfestem Stahl oder Atomprozent Aluminium abgeschieden wird, die einer Molybdän. Eine Einrichtung 26 zum Erwärmen des
DE2217775A 1971-04-19 1972-04-13 Verfahren zum Abscheiden stabiler Tantal-Aluminium-Dünnschichten Expired DE2217775C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13517871A 1971-04-19 1971-04-19

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2217775A1 DE2217775A1 (de) 1972-11-02
DE2217775B2 true DE2217775B2 (de) 1974-02-21
DE2217775C3 DE2217775C3 (de) 1974-10-31

Family

ID=22466901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2217775A Expired DE2217775C3 (de) 1971-04-19 1972-04-13 Verfahren zum Abscheiden stabiler Tantal-Aluminium-Dünnschichten

Country Status (10)

Country Link
US (1) US3737343A (de)
JP (1) JPS5219317B1 (de)
BE (1) BE782263A (de)
CA (1) CA952062A (de)
DE (1) DE2217775C3 (de)
FR (1) FR2133869B1 (de)
GB (1) GB1349046A (de)
IT (1) IT965772B (de)
NL (1) NL149548B (de)
SE (1) SE376931B (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LU67831A1 (de) * 1972-10-31 1973-08-28 Siemens Ag
DE2429434B2 (de) * 1974-06-19 1979-10-04 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung von Widerständen und Kondensatoren in Dunnschichtschaltungen
US4042479A (en) * 1973-12-27 1977-08-16 Fujitsu Ltd. Thin film resistor and a method of producing the same
JPS61295371A (ja) * 1985-06-24 1986-12-26 Nippon Light Metal Co Ltd 窒化アルミニウム層を有するアルミニウム材の製法
DE4114162A1 (de) * 1990-05-02 1991-11-07 Nippon Sheet Glass Co Ltd Verfahren zur herstellung eines polykristallinen halbleiterfilms
US6335062B1 (en) * 1994-09-13 2002-01-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Reactive oxygen-assisted ion implantation into metals and products made therefrom
US6692586B2 (en) 2001-05-23 2004-02-17 Rolls-Royce Corporation High temperature melting braze materials for bonding niobium based alloys

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1258259A (en) * 1917-10-05 1918-03-05 Arthur C Schaffer Headlight-controlling means for automobiles or vehicles.
GB1067831A (en) * 1964-03-11 1967-05-03 Ultra Electronics Ltd Improvements in thin film circuits

Also Published As

Publication number Publication date
SE376931B (de) 1975-06-16
FR2133869A1 (de) 1972-12-01
FR2133869B1 (de) 1974-07-26
JPS5219317B1 (de) 1977-05-27
CA952062A (en) 1974-07-30
DE2217775A1 (de) 1972-11-02
NL149548B (nl) 1976-05-17
BE782263A (fr) 1972-08-16
DE2217775C3 (de) 1974-10-31
IT965772B (it) 1974-02-11
NL7205047A (de) 1972-10-23
GB1349046A (en) 1974-03-27
US3737343A (en) 1973-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3872859T2 (de) Verfahren zur metallisierung eines kieselsaeure-, quartz-, glas- oder saphirsubstrates und so erhaltenes substrat.
DE2536363B2 (de) Dünnschicht-Feldelektronenemissionsquelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1952626B2 (de) Verfahren zur herstellung von isolationsschichten auf halbleitersubstraten durch hochfrequenz-kathodenzerstaeubung
DE2052424C3 (de) Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen
DE3810237C2 (de)
DE3039927A1 (de) Elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung
DE2217737A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leitungssystems
DE2300813A1 (de) Verfahren zum niederschlagen von stickstoffdotiertem beta-tantal sowie eine beta-tantal-duennschicht aufweisender artikel
DE1465702A1 (de) Verfahren zur Haltbarmachung eines schwer schmelzbaren duennschichtigen Metallwiderstandes
DE2231891C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer wannenartigen, amorphen Halbleiterschicht
DE2217775B2 (de) Verfahren zum Abscheiden sabiler Tanal-Auminium-Dünnschichten
DE2302148C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Phosphorsilicatglasschichtmusters
DE1953070C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Tantaloxinitridschicht- widerstandelements
CH658018A5 (de) Oberflaechen-musterstrukturen aus amorphen metallen.
DE2853295A1 (de) Verfahren zur herstellung einer pyroelektrischen werkstoff aufweisenden kathode mit einer fadennetzschicht fuer ein vidikon
EP0027885B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Kondensators
CH663220A5 (de) Verfahren zum herstellen von schichtwerkstoff oder schichtwerkstuecken.
DE2820331C3 (de) Dünnschicht-Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1790082B2 (de) Metallschicht-widerstandselement und verfahren zu dessen herstellung
DE2702282A1 (de) Verfahren zur herstellung von elektrodenkontakten und/oder leiterbahnen an halbleiterbauelementen
DE4224686C2 (de) Verfahren zur Implantation von Ionen in einen Festkörper
DE19848524C1 (de) Verfahren zur Herstellung hochintegrationsfähiger Platin-Dünnschichtwiderstände
DE2614775A1 (de) Verfahren zur herstellung eines aufgedampften dehnungsmesstreifens
DE69015010T2 (de) Verfahren zum Herstellen von Substraten zum Beschichten mit dünnen Diamantschichten.
DE1183565B (de) Verfahren zur Herstellung duenner Isolierfilme durch Vakuumaufdampfen

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977