DE2205966B2 - Schaltungsanordnung mit zwei zueinander antivalente signale fuehrenden ausgaengen - Google Patents

Schaltungsanordnung mit zwei zueinander antivalente signale fuehrenden ausgaengen

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DE2205966B2
DE2205966B2 DE19722205966 DE2205966A DE2205966B2 DE 2205966 B2 DE2205966 B2 DE 2205966B2 DE 19722205966 DE19722205966 DE 19722205966 DE 2205966 A DE2205966 A DE 2205966A DE 2205966 B2 DE2205966 B2 DE 2205966B2
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transistor
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Eduard 6054 Jügesheim früherDPK21al36-18 Strang
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents

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  • Electronic Switches (AREA)

Description

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die 6S nung wird somit angegeben, mit wievielen Bürden sie eingangs erwähnte Schaltungsanordnung so weiterzu- maximal belastet werden kann, d. h. wieviele Eingänge entwickeln, daß auf einen Ausgang einwirkende anderer Schaltungen vom Ausgang gespeist werden Störsignale den anderen Ausgang öden- den Eingang können, ohne daß eine unzulässige starke Signalab·
Schwächung auftritt Die beiden Ausgänge der oben das Potential des Pols 4 an.
beschriebenen Schaltungsanordnung sind in gleicher Die Ausgänge 16, 17 führen zueinander antivalente
Weise mit den binären Werten »1« und »0« zugeordne- Signale, unabhängig davon, ob der Transistor 1 gesperrt
ten Bürden belastbar. und der Transistors 12 leitend oder der Transistor 1
In einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgese- 5 leitend und der Transistor 12 gesperrt ist
hen, daß dem Emitter des ersten Transistors eine Diode Die Spannungen an den Ausgängen 16, 17 weichen
vorgeschaltet ist bei leitenden Transistoren lt 12 nur um den geringen
Tritt im StörungsfaOe an der mit dem Emitter des Betragder Restspannung vom Wert am Pol 2 ab.
ersten Transistors verbundenen Basis eines der beiden Auf die Ausgänge 16, 17 einwirkende Störspannun-
Ausgangsbansistoren eine negative Spannung auf, dann 10 gen üben keinen EinfluB auf den Transistor 9 aus. Auch
verhindert die Diode ein Umschalten des ersten eine an nur einem Ausgang 16 oder 17 auftretende
Transistors vom leitenden in den gesperrten Zustand Störspannung ändert den Schaltzustand des Transistors Ein AusfühniDgsbeispiel der Erfindung wird im am anderen Ausgang nicht Die Schaltung hat daher
folgenden anhand einer Zeichnung näher erläutert eine hohe Störunterdrückung von Ausgang zu Ausgang
Ein npn-Transistor 1 ist mit seinem Emitter an den 15 und von beiden Ausgängen zum Eingang,
negativen Pol 2 einer Betriebsspannungsquelle ange- Treten an den Ausgängen 16 oder 17 bei gesperrten schlossen. Der Kollektor des Transistors 1 steht über Transistoren 1 oder 12 positive Störspannungen auf, die einen Widerstand 3 mit dem positive.! Pol 4 der die Sperrfähigkeit der Kollektor-Emitter-Strecken BetriebsspannungsqueHe in Verbindung. Die Basis des überschreiten, dann entstehen Kurzschlüsse in den Transistors 1 ist über einen Widerstand 5 an den Pol 2 M Transistoren 1 oder IZ Eine Zerstörung des Transistors gelegt Feiner ist die Basis des Transistors 1 mit einer l bzw. 12 beeinflußt jedoch nicht den Schaltzustand des Zenerdiode 6 verbunden, die einerseits an einen Transistors 12 bzw. 1. Eine Zerstörung eines Ausgangs-Widerstand 7 und andererseits an eine Diode 8 transistors kann durch die Überwachung der antivalenangeschlossen ist Der zweite Anschluß des Widerstan- ten Signale an den Ausgängen 15, 16 festgestellt und des 7 steht mit dem Pol 4 in Verbindung. 25 gemeldet werden.
Die Kathode der Diode 8 ist an den Emitter eines Bei hohen negativen Störspannungen an einem Transistors 9 angeschlossen, in dessen Kollektorkreis Eingang 16 bzw 17 begrenzt die Basis-Emitter-Strecke
zwei Widerstände 10, 11 angeordnet sind. Die des zugehörigen Transistors 1 bzw. 12 die Spannung auf
gemeinsame Anschlußstelle der Widerstände 10, i 1 ist die Durchbruchspannung der Strecke. Wenn die
auf die Basis eines Transistors 12 geführt dessen 30 negative Spannung an der Basis des Transistors 1
Emitter an den Pol 2 gelegt ist. Der zweite Anschluß des ansteht, verhindert die Diode 8 die Veränderung des Widerstandes 11 ist ebenfalls mit dem Pol 2 verbunden. Schaltzustandes des Transistors 9. Tritt die negative Der Kollektor des Transistors 12 wird über einen Spannung an der Basis des Transistors 12 auf. dann Widerstand 13 vom Pol 4 gespeist. sperrt die Kollektor-Basis-Strecke des Transistors 9. Die Basis des Transistors 9 ist an den Ausgang eines 35 Eine Beeinflussung des Einganges oder des anderen Differenzverstärkers 14 angeschlossen, dessen Eingän- Ausganges ist auch bei negativen Störspannungen nicht
gen ein Schaltwerk 15 vorgeschaltet ist, das Schaltglie- möglich.
der und/oder Speicher zum Verarbeiten von Schaltva- An die Ausgänge 16, 17 können sowohl die dem
riablen enthält Die Basis des Transistors 9 kann auch binären Wert »1« als auch die dem binären Wert »0«
unmittelbar an einen Ausgang eines Schaltwerkes 40 zugeordneten Bürden angeschlossen werden. Da die
angeschlossen werden, wenn über Widerstände, die mit Transistoren 1, 12 jeweils entgegengesetzte Schalt-
den Polen 2, 4 verbunden sind, der Arbeitspunkt des zustände einnehmen, fließt auf der Zuleitung zur
Transistors 9 entsprechend eingestellt wird. Betriebsspannungsversorgung ein Strom, der sich aus Die Kollektoren der Transistoren 1, 12 sind mit dem Unterschied der Bürden an beiden Ausgängen 16, Ausgängen 16,17 der Schaltungsanordnung ν erbunden. 45 17 ergibt. Beim Wechsel der Ausgangssignale entstehen Liegt an der Basis des Transistors 9 ein hoher daher nur kleine Stromschwankungen auf den Zuleitun- Signalpegel an, denn sperrt der Transistor 9. Dies führt gen. Dies führt zu geringen Spannungsschwankungen
auch zur Sperrung des Transistors 12. Am Ausgang 17 auf den Leitungen. Die Beeinflussung anderer Schaltun-
steht daher das Potential des Pols 4 zur Verfügung. gen in einer Steuerung durch Schwankungen der
Dem Transistor 1 wird über den Widerstand 7 und die 50 Spannung auf den Stromversorgungsleitungen ist Zenerdiode 6 Basisstrom zugeführt. Daher nimm: der deshalb gering. Transistor 1 den leitenden Zustand ein. Der Ausgang 16 Die Wahl der Kollektorwiderstände 3 und 13 kann
führt daher in etwa das Potential des Pols 2. den unterschiedlichen Bürden angepaßt werden, so daß
Steht an der Basis des Transistors 9 ein niedriger die Stromschwankungen auf den Stromvcrsorgungslei- Signalpegel an, dann nimmt der Transistor 9 den 55 tungen beim Wechsel der Ausgangssignale auf ein
leitenden Zustand ein. Dadurch erhält der Transistor 12 Minimum beschränkt werden.
Basisstrom und geht ebenfalls in den leitenden Zustand An die Stelle der Zenerdiode 6 kann auch ein
über. Am Ausgang 17 steht daher in etwa das Potential Widerstand treten, der so bemessen ist, daß bei
des Pols 2 zur Verfügung. Bei leitendem Transistor 9 leitendem Transistor 9 der Transistor 1 gesperrt ist.
sinkt die Spannung an der Zenerdiode 6 so weit ab, daß 60 Unter Umständen lassen sich auch andere Halbleiterele-
diese sperrt Deshalb geht auch der Transistor 1 in den mente statt der Zenerdiode 6 verwenden. Es ist z. B.
gesperrten Zustand über. Der Ausgang 16 nimmt daher möglich, mehrere Dioden in Reihe zu schalten.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

1 2 nicht beeinflussen, daß die Erzeugung von Störsignalen Po* «^«nrflrhp. «ufden Stromveirorgtuigsleitungen beim Wechselnder Patentansprüche. Ausgangssignale gering ist und daß an beide Auffege
1. Schdtungsanordnung mit zwei zueinander Bürden in gleicher Weise angeschlossen werden
ÄSÄTÄ ^rg wird erfindungsgemäB
hImSL SEor-undEmitterkreisan daß zwei weitere !tau*»» von gle, hig
BeS«i3te angeschlossen und keitstyp. an deren Kofektoren die Ausgangssignale zur taaMSSS^ctaÜta» Verfügung stehen, m Emttersd,atong^,d,e Betriebskes beaufschlagbar ist dadurch gekenn- io spannungsquelle angeschlossen sind und daß die Basis zeichnet, d^zwei weite« Transistoren (1,12) des zweiten. Transmors nut dem Abgriff eines von gleichem Leitföhigkeitstyp, an deren Kollekte- Spannungsteilers w KoHektorkre« des ersten und die ren die Ausgan^signale zur Verfügung stehen, in Basis des dntten Transistors über eme Zenerdiode mit EnütterscfealtangaTdie Betriebsspannungsquefle(2, dem Emitter des ersten Transistors verbunden sind.
4) angeschlossen sind und daß die Basis des zweiten 15 Bei dieser Schaltung ist einer der Transistoren der Transistor« (12) mit dem Abgriff eines Span*mgstei- Ausgänge leitend, wahrend der andere gesperrt Bt
iers (10, 11) im Kollektorkreis des ersten und die Positive Störspannungen beeraflussen den gesperrten Basis des dritten Transistors (1) ober eine Zenerdio- Transistor nur. wenn die Sperrfähigken der Kollektorde (6) mit dem Emitter des ersten Transistors (9) Emitter-Strecke überschritten wird. In diesem Fall tritt verbunden sind. 20 am Transistor eine Begrenzung der Spannung auf die
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bzw. ein Kurzgekennzeichnet daß dem Emitter des ersten Schluß ein. der sich nicht auf den Schaltzustand des Transistors (9) eine Diode (8) vorgeschaltet ist. Transistors am zweiten Ausgang oder auf den
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1. dadurch Transistor am Eingang auswirkt Es wird lediglich die gekennzeichnet daß die Zenerdiode (6) durch 25 Antivalenz der Ausgangssignale aufgehoben. Eine andere Halbleiterbauelemente oder durch einen derartige Störung kann mit entsprechenden Uberwa-Widerstand ersetzt ist chungsschaitkreisen festgestellt und gemeldet werden.
Negative Störspannungen am Ausgang des gesperr-
ten Transistors werden von der Basis-Emitter-Strecke
30 auf deren Durchbruchspannung begrenzt Die verbleibende Basisspannung des mit dem Kollektor des ersten
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanord- Transistors verbundenen Transistors gelangt aufgrund nung mit zwei zueinander antivalente Signale führenden der Sperrwirkung an der Kollektor Basis-Strecke nicht Ausgängen, an deren Eingang ein erster Transistor zum Eingang des ersten Transistors. Dieser bleibt daher angeordnet ist der über Widerstände im Kollektor- und 35 im gesperrten Zustand. Eine zu hohe negative Emitterkreis an eine Betriebssoannungsquelle ange- Störspannung beeinflußt den Eingang oder den zweiten schlossen und dessen Basis von Ausgangssignalen eines Ausgang der Schalte g ebenfalls nicht
Schaltwerkes beaufschlagbar ist Selbst bei Zerstörung eines Transistors an einem
Bei einer bekannten Schaltungsanordnung mit zwei Ausgang tritt bei der erfindungsgemäßen Anordnung zueinander antivalente Signale führenden Ausgängen 40 keine Rückwirkung auf die Signale am anderen Ausgang wird ein Eingangssignal der Basis eines ersten oder am Eingang auf.
Transistors zugeführt dessen Emitter-Kollektor-Strek- Wenn die Transistoren an den Ausgängen nicht
ke im leitenden Zustand den .Abgriffspunkt eines aus zerstört sind, ist immer ein Transistor leitend und der Emitter- und Kollektorwiderstund gebildeten Span- andere gesperrt. Dieses bedingt eine nahezu konstante nungsteilers darstellt An den Kollektor des ersten 45 Stromaufnahme der Schaltung. Bei der Umschaltung Transistors ist über einen Widerstand die Basis eines der Ausgangstransistoren entstehen daher nur geringe npn-Transistors angeschlossen, dessen Kollektor über Störspannungen auf den Leitungen für die Stromversoreinen Widerstand mit dem positiven Ausgang und gung.
dessen Emitter über eine Diode mit dem negativen Es ist üblich, die Belastbarkeit von Ein- und
Ausgang der Betriebsspaiinungsquelle verbunden ist so Ausgängen der binäre Signale verarbeitenden Schal-Weiterhin ist zwischen dem Emitter des ersten tungsanordnungen in sogenannte Bürden anzugeben. Transistors und der Basis eines pnp-Transistors über Die Bürden sind durch bestimmte Signalpegel, denen einen Widerstand eine Verbindung hergestellt Der jeweils der binäre Wert »0« oder »1« zugeordnet ist Emitter des pnp-Transistors ist über eine Diode an den sowie die bei diesen Pegeln fließenden Ströme positiven Ausgang der Betriebsspannungsquelle ange- 55 gekennzeichnet Festgelegt werden die für die Bürden schlossen. Der Kollektor des pnp-Transistors liegt über charakteristischen Daten an Hand der Ströme und einen Widerstand am negativen Ausgang der Betriebs- Spannungen, die bei Verbindung eines Ausgangs einer spannungsqueUe. Zueinander antivalente Ausgangssi- binäre Signale verarbeitenden Grundschaltung, z.B. giiale stehen an den Kollektoren des pnp- und eines UND-Glieds, mit einem Eingang einer anderen npn-Transistors zur Verfolgung (DT-OS 15 37 514). In 60 Grundschaltung, z, B. der gleichen Art, auftreten. Dabei Abhängigkeit vom Signalpegel an der Basis des ersten unterscheiden sich die Bürden in den Strömen und Transistors sind bei der bekannten Schaltungsanord- Spannungen, je nachdem, ob am Ausgang eine binäre nung alle drei Transistoren entweder im leitenden oder »1« oder eine binäre »0« herrscht Für den Ausgang gesperrten Zustand. einer binäre Signale verarbeitenden Schaltungsanord-
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WO2018050847A1 (de) * 2016-09-18 2018-03-22 Seva Academy Ltd. Gleichrichter-vorrichtung zum gleichrichten eines m-phasigen wechselsignals und gesamtvorrichtung mit einem solchen gleichrichter

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