DE2159592C3 - Integrierte Halbleiteranordnung - Google Patents
Integrierte HalbleiteranordnungInfo
- Publication number
- DE2159592C3 DE2159592C3 DE2159592A DE2159592A DE2159592C3 DE 2159592 C3 DE2159592 C3 DE 2159592C3 DE 2159592 A DE2159592 A DE 2159592A DE 2159592 A DE2159592 A DE 2159592A DE 2159592 C3 DE2159592 C3 DE 2159592C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- integrated semiconductor
- tetrode
- control
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 51
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 108091028109 FinP Proteins 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
- H01L29/4238—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the surface lay-out
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7831—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with multiple gate structure
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
- H03D7/125—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes with field effect transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine integrierte Ha'bleiteranordnung,
bestehend aus zwei Feldeffekttransistoren in einem gemeinsamen Halbleiterkörper, auf dessen einer
Oberflächenseite die Anschlußelektroden angeordnet sind.
Es sind beispielsweise aus »Philips Technische Rundschau« 1969/70 Nr. 5, S. 135-142, Feldeffekttran-
Ij sistoren mit zwei von der Halbleiteroberfläche isolierten
Steuerelektroden bekannt, die zwischen einer Source- und einer Drainelektrode angeordnet sind.
Solche Transistoren, die vielfach auch als MiS-FET-Tetrode
bezeichnet werden, weisen eine sehr kleine Rückwirkungskapazität und einen hohen Innenwiderstand
auf und werden vor aiiem für VHF- und UHF-Anwendungen benötigt.
Ferner ist es aus der US-PS 34 36 621 bekannt, zwei einer Schaltung zugehörige Feldeffekttransistoren in
einem gemeinsamen Halbleiterkörper zu integrieren, wobei die Anschlußkontakte auf einer Oberflächenseite
des Halbleiterkörpers angeordnet sind. Für bestimmte Schaltungen wird eine Tetrode und ein weiterer
Feldeffekttransistor benötigt.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine integrierte Halbleiteranordnung der
eingangs genannten Art anzugeben, die besonders vorteilhaft in Mischstufen und in Verstärkerschaltungen
eingesetzt werden kann. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß einer der Feldeffekttransistoren
eine Feldeffekttransistortetrode mit zwei Steuerelektroden ist und daß sich eine Elektrode des
anderen Feldeffekttransistors zwischen die Sourceelektrode und die Drainelektrode der Tetrode erstreckt und
dort eine der beiden Steuerelektroden bildet.
Die erfindungsgemäße integrierte Halbleiteranordnung zeichnet sich durch einen einfachen, Halbleiterfläche
sparenden Aufbau aus. Eine Elektrode wird für beide Feldeffekttransistoren doppelt ausgenutzt. In
Mischstufen kann mit dieser Anordnung der Oszillatortransistor und der Mischertransistor realisiert werden.
Bei den Feldeffekttransistoren der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung können die Steuerelektroden
durch Isolierschichten, insbesondere durch Oxydschichten, von der Halbleiteroberfläche getrennt sein.
Andererseits können die Steuerelektroden jedoch auch unmittelbar auf der Halbleiteroberfläche zwischen den
Drain- und den Sourceelektroden angeordnet werden, sofern es sich bei diesen Steuerelektroden um
gleichrichtende Metall-Halbleiterkontakte (Schottkykontakte) handelt.
In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der integrierten Halbleiteranordnung ist eine Sourceelektrode
dem anderen Feldeffekttransistor und der Tetrode gemeinsam. In diesem Fall ist die Sourceelektrode
zwischen den beiden Drainelektroder der beiden Feldeffekttransistoren angeordnet.
Die erfindungsgemäße Halbleiteranordnung kann sowohl mit Feldeffekttransistoren vom Anreicherungstyp,
die selbstsperrend sind, als auch mit Transistoren vom Verarmungstyp, die selbstleitend sind, aufgebaut
werden. Bei den selbstsperrenden Transistoren vom Anreicherungstyp fließt bei der Steiierspannung Null
kein Strom zwischen der Drain- und der Sourceelektrode.
Erst durch ein elektrisches Feld, das bei zunehmender Steuerspannung an der Steuerelektrode auf die
Halbleiteroberfläche einwirkt, werden Ladungsträger an der Halbleiteroberfläche angereichert, so daß
zwischen der Drain- und der Sourceelektrode ein leitendes Kanalgebiet zustande kommt.
Bei den selbstleitenden Transistoren vom Verarmungstyp beiieht dieser leitende Kanal bereits bei einer
Steuerspannung null. Durch das elektrische Feld bei einer zunehmenden Steuerspannung entsprechender
Polarität werden Ladungsträger aus dem Kanalgebiet verdrängt und somit der Kanal mehr und mehr
abgeschnürt Um seitliche, die Steuerelektroden umgehende Ströme bei den selbstleitenden Feldeffekttransistören
zu vermeiden, wird die Transistorstruktur mit einer Isolationszone umgeben, die so angelegt ist, daß
zwischen der Source- und der Drainelektrode praktisch nur Strom unter der Steuerelektrode hindurch fließen
kann. '
Die Erfindung und ihre weitere vorteilhafte Ausgestaltung
sowie ihr vorteilhafter Einsatz in geeigneten Schaltungen sollen anhand der Figuren noch näher
erläutert werden. Die
Fig. 1, 2, 5 und 6 zeigen mögliche Strukturen der
Elektroden der integrierten Halbleiteranordnung. Die
Fi g. 3 zeigt die Schnittansicht einer Halbleiteranordnung.
Die
Fig.4 zeigt im Schnitt eine Halbleiteranordnung mit
Steuerelektroden ails gleichrichtenden Metall-Halbleiterkontakten.
Die
Fig. 7 zeigt das Ersatzschaltbild einer Halbleiteranordnung. Die
Fig.8 zeigt eine Mischstufe, während die Fig.9
einen zweistufigen Verstärker darstellt.
Die Elektrodenstrukturen der Fig. 1, 2, 5 und 6 können sowohl bei MOS-Transistoren als auch bei
Transistoren mit Schottky-Kontakt-Steuerelektroden verwirklicht werden.
Die Fig. 1 zeigt eine Elektrodenstruktur, bei der die
Steuerelektrode Gj des Transistors zugleich auch die Steuerelektrode Gi der Tetrode bildet. Im Abstand
voneinander sind zwei Drainelektroden D\ und D2
angeordnet, zwischen denen die Sourceelektrode S liegt, die beiden Bauelementen gemeinsam ist. Die
Elektrode Gj verläuft beispielsweise in Form einer Streifenleitung zwischen der Elektrode Di und der
Elektrode Sund erstreckt sich dann noch als Fortsatz Gi
zwischen die Drainelektrode D\ und die weitere Steuerelektrode Ou die wiederum zwischen der
Elektrode Gi und der Sourceelektrode S liegt. Die
beiden Sieuerelektroden G\ und Gi haben die Form von
parallel zueinander verlaufenden Streifenleitungen, die beispielsweise der Kreisform der Sourceelektrode S
angepaßt sein können. Die zusammenhängenden Elektroden Gi und Gj haben bei einer kreisförmigen
Sourceelektrode beispielsweise die Form eines offenen Kreisringes.
Bei der in der Fig. 1 dargestellten Anordnung sind die Elektroden Du Gi, Gu S die Elektroden der Tetrode,
während die Elektroden S, Gs, Di dem anderen Feldeffekttransistor zugeordnet sind.
In der Fig.2 ist eine weitere Elektrodenstruktur
dargestellt, bei der die Steuerelektroden der Tetrode örtlich miteinander vertauscht wurden. Die der Sourceelektrode
benachbarte Steuerelektrode Gi der Tetrode ist zugleich Steuerelektrode G] des Einzeltransistors.
Daher kann die Sourceelektrode 5, die beiden Bauelementen gemeinsam ist, mit einem Ringstreifen
umgeben werden, der zwischen den Elektroden D> und S die Steuerelektrode G3 des Einzelbauelementes und
zwischen den Elektroden 5 und G\ eine Steuerelektrode der Tetrode ist. Anstelle einer Ringstruktur kann die
beiden Bauelementen gemeinsame Elektrode selbstverständlich auch rahmenförmig ausgebildet werden. Man
wird die Struktur der Elektroden jeweils vorteilhafterweise aneinander anpassen.
In der Fig.3 ist eine Halbleiteranordnung mit einer
Elekirodenstruktur gemäß F i g. 2 im Schnitt dargestellt.
Man geht von einem Halbleiterkörper 1 des ersten Leitungstyps aus, in den an der Oberfläche nebeneinander
angeordnet eine Drainzone 2, eine Sourcezone 4 und eine Drainzone 3 vom zweiten Leitungstyp
eingebracht werden. Diese Zonen sind an der Halbleiteroberfläche durch entgegengesetzt dotierte
Bereiche des Halbleitergrundkörpers voneinander getrennt. Durch Inversion dieser zwischen den Zonen 2
und 4 bzw. 3 und 4 liegenden Oberrichenbereiche unter
dem Einfluß eines elektrischen Feldes, das durch die Steuerspannungen an den Steuerelektroden verursacht
wird, werden leitende und steuerbare Widerstandskanäle erzeugt Diese Oberflächenbereiche sind bei MOS-Strukturen
mit einer Oxydschicht 5 bedeckt, auf der die Steuerelektroden angeordnet sind. Die Drainzone 2 der
Tetrode ist mit der Drainelektrode D\, die Drainzone 3 des Einzeltransistors mit der Drainelektrode Di und die
Sourcezone 4 beider Bauelemente mit der Sourceelektrode S versehen. Auf der Oxydschicht verlaufen
zwischen den Elektroden D\ und 5 die Steuerelektroden G\ und Gi, wobei sich die Elektrode Gi als Steuerelektrode
Gj auch zwischen die Sourceelektrode 5 und die
Drainelektrode Di erstreckt.
In der F i g. 4 ist eine entsprechende Halbleiteranordnung mit Schottky-Kontakt-Steuerelektroden dargestellt
In einen schwachdotiert.en Halbleitergrundkörper 1 vom ersten Leitungstyp wurde eine Zone 6 vom
zweiten Leitungstyp eingebracht. In diese Zone 6 wurden im Abstand voneinander die Drainzone 8, die
Svurcezone 9 und die Drainzone 10 vom zweiten Leitungstyp eingelassen. Die Halbleiteroberfläche zwischen
den Zonen 8 und 9 bzw. 9 und 10 wurde freigelegt und mit den gleichrichtenden Metall-Halbieiterkontakten
G\, Gi und Gj bedeckt. Da die dargestellte
Halbleiteranordnung mit selbstleitenden Transistoren aufgebaut ist, mußte der aktive Bereich der Halbleiteranordnung
mit einer Separationszone 7 vom ersten Leitungstyp umgeben werden, die ungesteuerte Randströme
zwischen der Source- und den Drainelektroden verhindert.
In der Fig.5 ist eine Elektrodenstruktur dargestellt,
bei der sich die Drainelektrode Di des Einzeltransistors
zugleich als Steuerelektrode Gi zwischen die Drainelektrode
D] der Tetrode und die Souneelektrode S
erstreckt. Die Steuerelektrode Gi ift direkt auf der
einen Seite der Sourceelektrode Sund auf der anderen
Seite der zweiten Tetroden-Steuerelektrode G\ benachbart, die ihrerseits an die Drainelektrode D\ angrenzt.
Die Steuerelektroden haben in dem Ausführungsbeispiel die Form gebogener, der kreisförmigen Sourceelektrode
S angepaßter Metallstreifen.
Bei der Struktur der Fig.6 wurde die örtliche Lage
der Steuerelektroden Ct und Gi bei der Anordnung
nach der F i g. 5 vertauscht.
Die Ersatzschaltung der Halbleiteranordnungen mit Elektrodenstrukturen nach den Fig. 5 und 6 ist der
Fig. 7 zu entnehmen. Die Tetrode Tc hat die
Steuerelektroden Gi und Gj. wobei Gi mit der
Drainelektrode Di des anderen Feldeffekttransistors Tr
verbunden ist. Die Sourceelektrode S ist beiden Bauelementen gemeinsam.
In der Fig.8 ist eine Mischstufe dargestellt, bei der
eine Halbleiteranordnung mit dem Ersatzschaltbild der Fig. 7 Verwendung findet. Die Hochfrequenz wird an
die Klemmen EE angelegt und gelangt über den Parallelschwingkreis Lu G auf die Steuerelektrode C,
der Tetrode. Die Widerstände Rt und /?2 bilden einen an
die Steuerelektrode G\ angeschlossenen Spannungsteiler und bestimmen deren Arbeitspunkt. Genauso wird
der Arbeitspunkt der Steuerelektrode G> des Transistors Tr über den Spannungsteiler aus den Widerständen
Ri, Ra eingestellt. Die Spule Ln bestimmt in
Verbindung mit dem parallelgeschalteten Kondensator G die Oszillatorfrequenz 7.. Der Parallelschwingkreis
aus Ln. Co ist daher direkt mit der Drainelektrode D2
des Transistors Tr ν*Γ^*Μπ^ρπ Aip !hr**r5isits *ϊπ d'c
Steuerelektrode Gt der Tetrode Te angeschlossen ist.
Der Ausgang D\ der Tetrode ist mit dem Parallelschwingkreis C)Lj verbunden, aus dem die Zwischenfrequenz
induktiv ausgekoppelt wird. Die Kondensatoren G, G dienen zur gleichstrommäßigcn Entkopplung; die
erforderlichen Betriebsspannungen werden den beiden Batterien mit den Spannungen U\ und Ui entnommen.
Eine Halbleiteranordnung mit dem Ersatzschaltbild nach der F i g. 7 läßt sich auch für eine verstärkungsgeregelte
Stufe gemäß F i g. 9 verwenden. Die Widerstände Rs. Rt. /?5, Rk dienen zur Einstellung der Arbeitspunkr.
te an den Stcuerclcktroden Gi(Tr) und G\(Te). Der
zwischen die Spannungsquelle und die Drainelektrode des Transistors Tr geschaltete Widerstand Rj ist der
Lastwiderstand der nunmehr als erste Verstärkerslufe fungierenden Teilstruktur mit dem Einzeltransistor Tr.
ίο Die Drainelektrode Di und damit der Ausgang der
ersten Verstärkerstufe ist direkt mit der Steuerelektrode Gi der Tetrode verbunden. So wird das zweifach
verstärkte Ausgangssignal an dem mit der Drainelektrode Di der Tetrode verbundenen Arbeitswiderstand
π /fm abfallen und über den Anschlußkontakt A entnommen.
Die beiden Kondensatoren C, und C* dienen auch hier zur gleichstrommäßigen Entkopplung der Verstärkerschaltung.
Finp Halhlpilprannrdming mit in den F i g. 1 und 2
dargestellten Elektrodenstrukturen läßt sich gleichfalls in einer Mischstufe verwenden. Nur wird bei einer
solchen Struktur das an Gj anliegende Oszillatorsignal
im Tetrodenteil zur Veränderung der Verstärkung benutzt und nicht mehr die Wechselspannung der
Drainelektrode Di.
Hierzu 5 Blatt Zeichnungen
Claims (12)
1. Integrierte Halbleiteranordnung, bestehend aus zwei Feldeffekttransistoren in einem gemeinsamen
Halbleiterkörper, auf dessen einer Oberflächenseite die Anschlußelektroden angeordnet sind, dadurch
gekennzeichnet, daß einer der Feldeffekttransistoren (Te, Tr) eine Feldeffekttransistortetrode
(Te) mit zwei Steuerelektroden (G], G2) ist und daß sich eine Elektrode (&, D2) des anderen
Feldeffekttransistors (Tr) zwischen die Sourceelek-. trade (S) und die Drainelektrode (O1) der Tetrode
(Tr) erstreckt und dort eine der beiden Steuerelektroden (Gu G2) bildet.
2. Integrierte Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sourceelektrode
(S) dem Feldeffekttransistor (Tr) und der Tetrode (Te) gemeinsam ist und zwischen den Drainelektroden
(Di, .O2) der beiden Bauelemente angeordnet ist.
3. Integrierte Halbleiteranordnung nach Anspruch
1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Steuerelektrode (Gs) des Transistors (Tr) zwischen
die Drainelektrode (D]) der Tetrode (Te) und die Sourceelektrode (S) erstreckt und eine Steuerelektrode
(G2) der Tetrode (Te)bWdei.
4. Integrierte Halbleiteranordnung nach Anspruch
2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich die beiden Bauelementen gemeinsame Steuerelektrode (G2)
ring- oder rahmenförmig um die gemeinsame Sourceelektrode (S) erstreckt und im Bereich der
Tetrode (Ij) zwischen der Sourceelektrode (S) und einer weiteren Steuerelektrode (G\) angeordnet ist.
5. Integrierte Halbleiteranordnung nach Anspruch 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich die
Steuerelektrode (G3) des Transistors (Tr) zwischen
die Drainelektrode (D]) der Tetrode (Te) und eine weitere der Sourceelektrode (S) benachbarte
Steuerelektrode (Gi) erstreckt (F i g. 1).
6. Integrierte Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich die
Drainelektrode (D2) des Transistors (Tr) a\s eine der
beiden Steuerelektroden (G2) zwischen die Drehelektrode
(D]) der Tetrode (Te) und die gemeinsame Sourceelektrode (^erstreckt.
7. Integrierte Halbleiteranordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Steuerelektroden (G], G2, Gj) der
beiden Bauelemente durch eine Isolierschicht (5) von der Halbleiteroberfläche getrennt sind.
8. Integrierte Halbleiteranordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Steuerelektroden (G], G2, Gj) aus
unmittelbar auf der Halbleiteroberfläche angeordneten gleichrichtenden Metall-Halbleiterkontakten
bestehen.
9. Integrierte Halbleiteranordnung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die
steuerbaren Kanäle zwischen den Drainelektroden und der Sourceelektrode durch Anreicherung von
Ladungsträgern entstehen,
10. Integrierte Halbleiteranordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerung
des Kanalquerschnitts durch Verarmung an Ladungsträgern erfolgt.
11. Integrierte Halbleiteranordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet
durch ihre Anwendung in einer Mischstule.
12. Integrierte Halbleiteranordnung nach einem
der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch ihre Anwendung in einem zweistufigen
Verstärker.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2159592A DE2159592C3 (de) | 1971-12-01 | 1971-12-01 | Integrierte Halbleiteranordnung |
US00309663A US3803461A (en) | 1971-12-01 | 1972-11-27 | Semiconductor arrangements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2159592A DE2159592C3 (de) | 1971-12-01 | 1971-12-01 | Integrierte Halbleiteranordnung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2159592A1 DE2159592A1 (de) | 1973-06-07 |
DE2159592B2 DE2159592B2 (de) | 1981-04-16 |
DE2159592C3 true DE2159592C3 (de) | 1981-12-17 |
Family
ID=5826718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2159592A Expired DE2159592C3 (de) | 1971-12-01 | 1971-12-01 | Integrierte Halbleiteranordnung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3803461A (de) |
DE (1) | DE2159592C3 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3216776A1 (de) * | 1982-05-05 | 1983-11-17 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Hochfrequenzmischstufe |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4315272A (en) * | 1979-05-21 | 1982-02-09 | Raytheon Company | Field effect transistor |
US4313126A (en) * | 1979-05-21 | 1982-01-26 | Raytheon Company | Field effect transistor |
NL8104414A (nl) * | 1981-09-25 | 1983-04-18 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting met veldeffekttransistor. |
US4409499A (en) * | 1982-06-14 | 1983-10-11 | Standard Microsystems Corporation | High-speed merged plane logic function array |
NL8301629A (nl) * | 1983-05-09 | 1984-12-03 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting. |
US4996576A (en) * | 1986-11-24 | 1991-02-26 | At&T Bell Laboratories | Radiation-sensitive device |
US5331192A (en) * | 1989-06-15 | 1994-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
DE4108818A1 (de) * | 1991-03-18 | 1992-09-24 | Siemens Ag | Geometrischer mos-transistor |
US5274255A (en) * | 1991-08-30 | 1993-12-28 | Houssaye Paul De | Structure for providing high resolution modulation of voltage potential in the vicinity of a surface |
EP0959503A1 (de) * | 1998-05-11 | 1999-11-24 | Alcatel Alsthom Compagnie Générale d'Electricité | Feldeffekt-Transistor, Steuerungsverfahren zum Steuern eines derartigen Feldeffekt-Transistors, und Frequenzmischer-Einrichtung, die einen derartigen Feldeffekt-Transistor beinhaltet |
US6157048A (en) * | 1998-08-05 | 2000-12-05 | U.S. Philips Corporation | Thin film transistors with elongated coiled electrodes, and large area devices containing such transistors |
TW454251B (en) * | 1998-11-30 | 2001-09-11 | Winbond Electronics Corp | Diode structure used in silicide process |
JP4140180B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2008-08-27 | 富士ゼロックス株式会社 | トランジスタ |
US7005713B2 (en) * | 2003-12-01 | 2006-02-28 | The Aerospace Corporation | Annular segmented MOSFET |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3265981A (en) * | 1963-12-02 | 1966-08-09 | Hughes Aircraft Co | Thin-film electrical networks with nonresistive feedback arrangement |
GB1094831A (en) * | 1965-07-21 | 1967-12-13 | Standard Telephones Cables Ltd | Semiconductor junction devices |
US3436621A (en) * | 1966-12-16 | 1969-04-01 | Texas Instruments Inc | Linear amplifier utilizing a pair of field effect transistors |
US3573509A (en) * | 1968-09-09 | 1971-04-06 | Texas Instruments Inc | Device for reducing bipolar effects in mos integrated circuits |
BE756495A (fr) * | 1969-09-23 | 1971-03-23 | Int Standard Electric Corp | Element de commutation electronique |
-
1971
- 1971-12-01 DE DE2159592A patent/DE2159592C3/de not_active Expired
-
1972
- 1972-11-27 US US00309663A patent/US3803461A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3216776A1 (de) * | 1982-05-05 | 1983-11-17 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Hochfrequenzmischstufe |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3803461A (en) | 1974-04-09 |
DE2159592A1 (de) | 1973-06-07 |
DE2159592B2 (de) | 1981-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2159592C3 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung | |
DE2257846B2 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung zum Schutz gegen Überspannung | |
DE1489893B1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung | |
DE1614144B2 (de) | Feldeffekttransistor mit isolierten Gattern | |
DE1154834B (de) | Verstaerkende, auf einem Kristall aufgebaute Halbleiterschaltungsanordnung | |
DE1514431B2 (de) | Halbleiteranordnung mit pn-Übergang zur Verwendung als spannungsabhängige Kapazität | |
DE2255676C2 (de) | Halbleiterbauteil mit integrierter Darlington-Schaltung | |
DE2740203C2 (de) | Ladungsgekoppelte Halbleiteranordnung | |
DE2300116B2 (de) | Hochfrequenz-Feldeffekttransistor mit isolierter Gate-Elektrode für Breitbandbetrieb | |
DE3123239A1 (de) | Mos-halbleitervorrichtung | |
EP0052860B1 (de) | Monolithisch integrierte Gleichrichter-Brückenschaltung | |
DE2129108B2 (de) | Verstaerker mit einer mindestens einen bipolaren transistor enthaltenden eingangsstufe | |
DE2940954A1 (de) | Verfahren zur herstellung von hochspannungs-mos-transistoren enthaltenden mos-integrierten schaltkreisen sowie schaltungsanordnung zum schalten von leistungsstromkreisen unter verwendung derartiger hochspannungs-mos-transistoren | |
DE2435606A1 (de) | Reihenschaltung | |
EP1003218A1 (de) | Halbleiteranordnungen mit einer Schottky-Diode und einer Diode mit einem hochdotierten Bereich und entsprechende Herstellungsverfahren | |
DE2653484A1 (de) | Integrierbarer konstantwiderstand | |
DE2629468A1 (de) | Temperaturkompensierter oszillator | |
DE10206375A1 (de) | Integrierte, abstimmbare Kapazität | |
DE1930606A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einem Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode und Schaltungsanordnung mit einem solchen Halbleiterbauelement | |
DE2535864A1 (de) | Halbleiterbauelemente | |
DE3024296A1 (de) | Doppelgatter-metalloxid-feldeffekt- halbleiterelement | |
DE1285634B (de) | Induktive Transistor-Blindwiderstandsschaltung | |
WO2000044031A2 (de) | Leistungstransistoranordnung mit hoher spannungsfestigkeit | |
DE2118213C3 (de) | Monolithisch integrierte Halbleiterschaltung | |
DE1464829C3 (de) | Schaltungsanordnung mit mehreren in einem Halbleiterplättchen ausgebildeten Schaltungselementen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |