DE2150695A1 - Verfahren zum isolierten aufbau von halbleiterelementen, gedruckten und/oder monolithisch und/oder hybrid integrierten schaltungen - Google Patents

Verfahren zum isolierten aufbau von halbleiterelementen, gedruckten und/oder monolithisch und/oder hybrid integrierten schaltungen

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DE2150695A1 DE19712150695 DE2150695A DE2150695A1 DE 2150695 A1 DE2150695 A1 DE 2150695A1 DE 19712150695 DE19712150695 DE 19712150695 DE 2150695 A DE2150695 A DE 2150695A DE 2150695 A1 DE2150695 A1 DE 2150695A1
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Description

  • Verfahren zum isolierten Aufbau von Halbleiterelementen gedruckten und/oder monolithisch und/oder hybrid intenrierten Schaltungen Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum isolierten Aufbau von Halbleiterelementen, gedruckten und/oder monolithisch und/oder hybrid integrierten Schaltungen auf einem metallischen, als Träger dienenden Körper.
  • Plättchen aus Halbleiterkristallen können je nach dem Herstellungs verfahren die verschiedenartigsten Hauelemente bilden, wie beispielsweise Dicden, Transistoren, Thyristoren; sie können aber auch ganze Schaltungen oder Teile daraus enthalten. Die in den Plättchen umgesetzte Verlustwärme muß nach außen abgeführt werden. Die Plättchen sind deshalb meist auf den Boden eines Metallgehäuses aufge lötet oder auflegiert. Die aufgelötete Seite des Halbleiterkristalls, das Substrat, stellt normalerweise eine Elektrode, die Substratelektrode, des Halbleitersystems dar. Enthält eine Schaltung mehrere Halbleiterbauelemente, so können deren Substratelektroden auf unterschiedlichen Potentialen liegen. Sollen sie sich auf einem gemeinsamen metallischen Körper befinden, so müssen die Substrate gegeneinander isoliert werden. Bei einzelverpackten Bauelementen geschieht dies durch Einbringen dünner Plättchen aus Isoliermaterial, wie beispielsweise Glimmer oder Teflon, zwischen den Gehäuseboden und den gemeinsamen metallischen Körper. Es sind aber auch einzelverpackte Bauelemente, wie beispielsweise Hochfrequenztransistoren, bekannt, bei denen zwischen den Kristall und das Meiallgehäuse eine isolierende Scheibe aus keramischem Material eingebracht ist. Auch ist es bekannt, Anordnungen, die zwei oder mehr Halbleiterkristalle enthalten, auf keramischen Plättchen aufzubauen. Besteht diese Keramik aus billigem Material, wie beispielsweise Aluminiumoxyd, so läßt sich wegen der geringen Wärmeleitfähigkeit dieses Materials nur eine geringe Verlustleistung abführen. Größere Verlustleistungen, vor allem aber hohe Verlustlcistungsdichten, wie sie besonders bei Leistungshalbleitern und monolithisch integrierten Schaltungen vorkommen, lassen sich aber nur mit keramischen Plättchen aus einem Material hoher Wärmeleitfähigkeit, wie beispielsweise aus dem sehr teueren Berylliumoxyd, erreichen.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein vereinfachtes und verbilligtes Verfahren der eingangs genannten Art zu entwickeln.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß eine isolierende Zwischenschicht aus einem festen, pulver- oder pastenförmigen Ausgangszustand durch einen thermischen Prozeß unmittelbar auf dem metallischen Körper erzeugt wird Im Gegensatz zu selbsttragenden keramischen Plättchen oder Scheiben, die aus Festigkeitsgründen meist Dicken von 1 mm und mehr haben müssen, lassen sich auf dem tragfähigen metallischen Körper sehr viel dünnere organische oder anorganische Schichten erzeugen, die beispielsweise bereits bei Dicken von 0,05 mm hinreichend elektrisch isolieren. Bei dem erfindungsgemäBen Verfahren kann die Dicke der Isolation somit ungefähr eine Größenordnung und mehr dünner sein als bei den bekannten Verfahren. Damit lassen sich aber noch mit Schichten aus einem sehr viel schlechter wärmeleitenden Material als Berylliumoxyd, wie beispielsweise die Oxyde von Aluminium, Chrom, Magnesium bis hin zum Porzellan oder glasigen oder emailleartigen Schichten hinreichend große Wärmeströme beziehungsweise Wärmestromdichten erzielen. Größte Wärmestromdichten lassen sich auch hier mit Berylliumoxyd erreichen, wobei sich als Vorteil ein außerordentlich geringer Stoffbedarf ergibt.
  • Keramische Schichten können wegen ihres hohen Schmelzpunkts normalerweise nicht auf Metalle aufgeschmolzen werden. Die Erfindung sieht deshalb vor, vorzugsweise Schichten mit einem höheren Schmelzpunkt als dem des Trägermetalls mittels des Plasmaspritzverfahrens aufzutragen, wobei nicht zu beschichtende Flächen durch geeignete Maskiertechniken freigehalten-werden. Neben dem direkten Abdecken nicht zu beschichtender Flächen während des Plasmaspritzens durch Masken wird ein indirektes Maskierverfahren vorgeschlagen, das darauf beruht, die nicht zu beschichtenden Flächen mit einer organischen oder anorganischen Substanz, wie beispie sweise mit einem 1 Leck, zu verseehen, die wcjhrend des thermischen Auftrags der isolierenden Zwischenschicht zersetzt wird und so ein Haften der isolierenden Zwischenschicht auf den lackierten Stellen verhindert. Bei einer den thermischen Prozeß überdauerndes organischen oder anorganischen Substanz kann diese auch anschließend mittels aines Lösungsmittels zusammen mit der nachträglich aufgebrachten isolierenden Zwischenschicht entfernt werden, wobei sich quellende Sub@tanzen besonders aignen.
  • Für glasige und emailleartige Zwischenschichten ist darüber hinaus vorgesehen, diese in pastenförmigern Zustand nur auf die zu isolierenden Teilflächen aufzudrucken, beispielsweise mittels des bekannten Siebdruckverfahrens.
  • Um eine besonders große Beständigkeit der herzustellenden Anordnungen gegenüber Temperaturwechsel zu erreichen, ist vorgesehen, die Koeffizienten der Wärmeausdehnung von metallischem Körper und isolierender Zwischenschicht einander anzupassen. Hierzu kann es vorteilhaft sein, Mischungen oder Verbindungen verschiedener Oxyde oder auch mehrere Schichten verschiedener Zusammensetzung zu erwenden. Bei glasigen oder emailleartigen Schichten sind viele Paarungen mit gleicher oder ähnlicher Wärmeausedehnung möglich.
  • Auch eine große Haftfestigkeit ist anzustreben. Diese wird in Weiterbildung der Erfindung erhöht durch Aufrauhen mittels Sandstrahlen oder durch ätzen der zu beschichtenden Oberfläche des metallischen Körpers. Auch eine chemische Vernderung der zu beschichtenden Oberfläche, beispielsweise eine Oxydation, erweist sich besonders bei glasigen oder emaillcartigen Schichten als vorteilhaft.
  • Soll die isolierende Zwischenschicht als Unterlage für einen Halb~ leitertristall dienen, so muß ihre freie Oberfläche ganz oder teilweise mit einer löt- oder legierungsfähigen Metallisierung versehen sein. Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, diese Metallisierung mittels Metallfarben aufzudrucken und einzubrennen, wobei als Bestandteile löt- oder legierungefähiger Metallfarben vorzugsweise Silber, Gold, Platin oder tlickel beziehungsweise die Eutektika von Gold-Germanium und/oder Gold-Silizium dienen. Die Metallisierung laßt sich aber ebenso im Plasmaspritzverfahr en auftragen wie im Valuurn aufstäuben oder aufdampfen.
  • Anhand der Zeichnung soll die Erfindung näher erläutert werden.
  • Es zeigen: Fig. 1 den Metallboden eines modifizierten Transistorgehäuses für den Spannungsregler einer Lichtmaschine, Fig. 2 den fertig montierten Spannungsregler auf demselben Boden mit einem monolithisch integrierten Schaltkreis, einem Leistungstransistor und einer Freilaufdiode. In Fig. 3 ist ebenfalls ein Spannungsregler dargestellt, der aber anstelle der monolithisch integrierten Schaltung ein Dickschichtnetzwerk enthält, das mittels des Siebdruckverfahrens hergestellt ist, wobei mehrere Halbleiterkomponenten erforderlich sind.
  • In Fig. 1 ist mit 1 der metallische Körper des modifizierten Transistorgehäuses bezeichnet. Mit 2, 3 und 4 sind pfostenartig ausgebildete Anschlußleiter bezeichnet. Mit 5 ist eine keramische Zwischenschicht bezeichnet, die beispielsweise im Plasmaspritzverfahren aufgetragen sein kann. Ferner ist eine ebenfalls plasmagespritzte lötfähige Metallisierung 6 vorgesehen, die zur Aufnahme eines Leistungstransistors und einer Freilaufdiode dient. Die Metallisierung ist mit etwas kleinerer Fläche ausgeführt, so daß ein in sich geschlossener isolierender Rand stehen bleibt, der einen Kurzschluß zwischen Metallisierung und metallischem Körper mit Sicherheit verhindert. Dic halbkreisförmige Erweiterung der Metallisierung dient als Anschlußfleck für den ßonddraht.
  • In Fig. 2 ist der fertig montierte Spannungsregler dargestellt.
  • Mit 7 ist die einseitig mit dem Kollektor des Leistungstran sistors 8 verbundene Freilaufdiode und mit 9 die monolithisch integrierte Schaltung bezeichnet. Die Positionen 10 bis 15 sind Bonddrähte zum Verbinden der einzelnen Komponenten untereinander und mit den pfostenartig ausgebildeten Anschlußleitern 2, 3 und 4.
  • Der Anschlußpfosten 2 führt zur nicht gezeichneten Erregerwicklung der Lichtmaschine. Er ist ferner über den Bonddraht 10 mit der Metallisierung 6 verbunden. Der Bonddraht 11 verbindet den Emitter des Transistors 8 mit dem den Minuspol darstellenden metallischen Körper. Der Bonddraht 12 verbindet den anderen Pol der Freilaufdiode mit dem zum Pluspol führenden Anschlußpfosten 4, an den über den Bonddraht 13 auch der positive Anschluß der monolithisch integrierten Schaltung 9 angeschlossen ist. Der Bonddraht 14 stellt die Verbindung des Ausgangs der monolithisch integrierten Schaltung 9 mit der Basis des Transistors 8 her, und der Bonddraht 15 verbindet einen weiteren Anschlußpunkt der monolithisch integrierten Schaltung 9 mit dem pfostenartig ausgebildeten Anschlußleiter 3, der den Anschluß äußerer Bauelemente erlaubt.
  • Im weiteren Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 3 dient als rnetallischer Körper eine auf der Oberseite ganzflächig mit der isolierenden Zwischenschicht beschichtete ebene Metallplatte 16.
  • Die Schichten 26, 27, 28, 29, 30 und 31 sind Metallisierungen zum Auflöten von Komponenten beziehungsweise zum Schaffen von Verbindungen. Die Schichten 21, 22, 23, 24 und 25 sind Dickschichtwiderstande. Die Schichten 21 bis 31 dünnen im Siebdruckverfahren aufgebracht werden. Diese Schichten können aber auch ganz oder teilweise als dünne Schichten im Vakuum aufgebracht werden. Mit 7, 18, 20, 32 und 33 sind Haibleiterkomponenten und mit 17 ein Kondensator bezeichnet. Von den nach außen führenden Anschlußdrähten geht der Anschlußdraht 4 zum Pluspol, der Anschlußdraht 41 zum Minuspol und der Anschlußdraht 2 wieder zur Erregerwicklung der Lichtmaschine, wrend die Drähte 34 bis 40 Bonddrähte für innere Verbindungen darstellen. Mit der an den Pluspol angeschlossenen Metallisierung 27 sind einseitig die Widerstände 21 und 25, sowie über den Bonddraht 39 der eine Pol der Freilaufdiode 7 verbunden, die mit ihrem anderen Pol aci r clie Metallisierung 26 aufgelötet ist. Auf die Metallisierung 26 ist auch mit seinem Kollektor der monolithische Leistungsver starker iB in Darlingtonschaltung aufgelötet, außerdem bildet die Metallisierung 26 noch die eine Anschlußelektrode des Wider~ standes 22. Der Minuspol wird durch die Metallisierung 28 über den Draht 34 zu einem Belag des Kondensators 17 geführt. Er bildet ferner eine Anschlußelektrode des Widerstandes 23 und ist über den Bonddraht 38 mit dem Emitter des Leistungsverstärkers 18 und über den Bonddraht 40 mit dem Emitter der monolithischen Vorstufe 20, die einen Transistor, einen Widerstand und eine Zenerdiode als Referenzelement für die Spannung enthält, verbunden.
  • Die Vorstufe 20 ist mit ihrem Kollektor auf die Metallisierung 19 aufgelötet, die die andere Anschlußelektrode deS Widerstandes 21 bildet und über den Bonddraht 37 mit der Basis des Darlington Leistungsverstarkers 18 verbunden ist. Auf der Metallisierung 31 sitzen die beiden Diodenchips 32 und 33, wobei der Chip 32 über den Bonddraht 36 mit dem Zener-Referenzelement der Vorstufe 20, und der Chip 33'über den Bonddraht 35 mit der iletallisierung 30 verbunden ist. Die Schicht 30 verbindet außerdem noch je ein Ende der Widerstände 22, 23 und 24 miteinander. Die noch freien Anschlußelektroden der Widerstände 24 und 25 werden gemeinsam durch die Metallisierung 29 gebildet, auf die noch der Kondensator 17 mit seinem anderen Belag aufgelötet ist.
  • Anhand der gezeigten Beispiele läßt sich die Erfindung weiter ausgestalten zu Anordnungen mit einzelverpackten Bauelementen, sogenannten Muitichipanordnungen, komplexeren hybriden Anordnungen und Anordnungen mit rein passiven netzwerken, wobei die isolierende Zwischenschichten tragenden Metallplatten weniger als wärn,eabführende Elemente als vielmehr als billige Substrate dienen können.

Claims (16)

  1. Ansprüche
    Verfahren zum isolierten Aufbau von Halbleiterelementen, gedruckten und/oder monolithisch und/oder hybrid integrierten Schaltungen auf einem metallischen, als Träger dienenden Körper, dadurch gekennzeichnet, daß eine isolierende Zwischenschicht aus einem festen, pulver- oder pastenförmigen Ausgangszustand durch einen thermischen Prozeß unmittelbar auf dem metallischen Körper erzeugt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Zwischenschicht aus glasigen oder emailleartigen Substanzen oder aus keramischem Material, vorzugsweise aus den-Oxyden von Aluminium, Barium, Beryllium, Calzium, Chrom, Magnesium, Silizium, Titan, Zirkon oder aus Mischungen oder chemischen Verbindungen dieser Oxyde gebildet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwei oder mehr isolierende Zwischenschichten verschiedener Zusammensetzung aufgebracht werden.
  4. 4. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet1 a die isolierende Zwischenschicht im Plasmaspritzverfahren aufgetragen wird.
  5. 5. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht mit der isolierenden Zwischenschicht zu belegenden Oberflächenbereiche des metallischen Körpers vor dem Aufbringen des isolierenden Materials mittels einer Maske abgedeckt werden.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht mit der isolierenden Zwischenschicht zu belegenden Oberflächenbereiche des metallischen Körpers vor dem Aufbringen des isolierenden Materials mit einer organischen oder anorganischen Substanz, beispielsweise mit einem Lack oder Salz beschichtet werden, die sich während des Aufbringens des isolierenden Materials thermisch zersetzt und so ein Haften des isolierenden Materials auf den mit der organischen oder anorganischen Substanz beschichteten Oberflächenbereichen des metallischen Körpers verhindert.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht mit der isolierenden Zwischenschicht zu belegenden Oberfitichenbereiche des metallischen Körpers vor dem Aufbringen des isolisrenden Materials mit einer organischen oder ariorgan ischen, in einem Lösungsmittel löslichen und dabei cjegebenenfalls quellenden Substanz beschichtet werden, daß dann das isolierende Material auf der gesamten Oberfläche des metallischen Kcirpers aufgetragen wird und daß schließlich das aufgebrachte isolierende Material an den nicht mit der isolierenden Zwischenschicht zu belegenden Oberfla"chenbereichen durch Behandeln in dem Lösungsmittel entfernt wird.
  8. 8. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die aus einem glasigen oder emailleartigen Material bestehende isolierende Zwischenschicht aufgeschmolzen oder aufgesintert wird.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 0, dadurch gekennzeichnet, daß das glasigen oder emailleartige Material pastenförmig im Siebdruckverfahren aufgetragen wird.
  10. 10. Verfahren nach mindestens einen der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzielung einer hohen Tempefatu@wechseltestandigkeit die Koeffizienten der Wärmeausdehnung von metallischem Korper und isolierender Zwischeenschicht durch geeignete Stoffauswahl, durch Mischung mehrerer Oxyde oder durch mehrere Schichten verschiedener Zusammensetzung einander angeglichen werden.
  11. 11. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichaet, daß zur Frhähung der Haftfestigkeit der isolierenden Zwischenschicht auf dem metallischen Kärper mindestens die zu beschichtende Oberfläche des metallischen Körpers mechanisch oder chemisch oder elektrochemisch aufgerauht wird.
  12. 12. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erhöhung der Haftfestigkeit der isolierenden Zwischenschicht auf dem metallischen Körper mindestens die zu beschichtende Oberfläche des metallischen Körpers durch einen chemischen Prozeß, beispielsweise durch Oxydieren, chemisch verändert wird.
  13. 13. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß auf die freie Oberfläche der isolierenden Zwischenschicht eine löt- oder legierungsfähige Metallisierung mittels Metallfarben im Siebdruckverfahren aufgetragen wird.
  14. 14. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß auf die freie Oberfläche der isolierenden Zwischenschicht eine lSt- oder legierungsfähige Fletallisierung im Plasmaspritzverfahren aufgetragen wird,
  15. 15. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 12 dadurch gekennzeichnet, daß die auf den metallischen Körper aufgebrachte isolierende Zwischenschicht als Substrat für im Siebdruckverfahren hergestellte Dickschichtschaltungen verwendet wird.
  16. 16. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die auf den metallischen Körper aufgebrachte isolierende Zwischenschicht als Substrat für im Vakuum durch Aufdampfen oder Aufstäuben erzeugte Dünnschichtschaltungen verwendet wird.
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