DE2124650A1 - Frequenzteiler-Schaltung mit Tunnel-Diode - Google Patents
Frequenzteiler-Schaltung mit Tunnel-DiodeInfo
- Publication number
- DE2124650A1 DE2124650A1 DE19712124650 DE2124650A DE2124650A1 DE 2124650 A1 DE2124650 A1 DE 2124650A1 DE 19712124650 DE19712124650 DE 19712124650 DE 2124650 A DE2124650 A DE 2124650A DE 2124650 A1 DE2124650 A1 DE 2124650A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- tunnel diode
- pulse
- output
- transistor
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R13/00—Arrangements for displaying electric variables or waveforms
- G01R13/20—Cathode-ray oscilloscopes
- G01R13/22—Circuits therefor
- G01R13/34—Circuits for representing a single waveform by sampling, e.g. for very high frequencies
- G01R13/342—Circuits for representing a single waveform by sampling, e.g. for very high frequencies for displaying periodic H.F. signals
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K23/00—Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains
- H03K23/80—Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains using semiconductor devices having only two electrodes, e.g. tunnel diode, multi-layer diode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
10. August 1971
Aktenzeichen: P 2t 24 650.4
Anmelder : Iwasaki Tsushinki K.K. Uns. Zeichen: A I80 7I Pp/ib
Anmelder : Iwasaki Tsushinki K.K. Uns. Zeichen: A I80 7I Pp/ib
Firma IWASAKI TSUSHINKI K.K., 1-7-41, Kugayama, Sugingami-Ku,
Tokyo-To, Japan
Frequenzteiler-Schaltung mit Tunnel-Diodev
Die Erfindung betrifft eine Frequenzteiler-Schaltung
mit Tunnel-Diode für die Verwendung in beispielsweise einem Sampling-Oszilloskop.
Eine Frequenzteiler-Schaltung, (im späteren auch kurz "Count-down"-Schaltung genannt) mit Tunnel-Diode wird beispielsweise
in einem Sampling-Oszilloskop verwendet, um die Teilung einer Frequenz eines Eingangssignales zu erzielen.
Es ist Jedoch schwierig, die üblichen Frequenzteiler-Schaltungen auf optimale Bedingungen einzustellen, zumal diese
Schaltungen durch einen Wechsel der Raumtemperatur etc. be-
- 2 109849/1729
einflußt werden.
Es 1st daher Aufgabe der Erfindung, eine Frequenzteiler-Schaltung zu schaffen, welche geeignet ist, die oben erwähnten
Nachteile der üblichen Schaltungen auszuschalten, und welche unter stabilen Bedingungen arbeitet, ohne Schwierigkeiten
einer' Nachabstimmung wegen der Wechsel der Bedingungen und wegen der charakteristischen Abweichungen der
Bauelemente.
Andere Aufgaben und Prinzipien, Aufbau- und Arbeitsweisen entsprechend der Erfindung werden aus nachfolgender
Beschreibung im Zusammenhang mit den dazugehörigen Zeichnungen deutlich, wobei in diesen gleiche Teile mit den
gleichen Bezugszeichen versehen sind.
Auf der Zeichnung sind Ausführungsformen der Erfindung beispielsweise dargestellt und zwar zeigen:
Fig. 1 ein Verbindungsdiagramm einer üblichen
Frequenzteiler-Schaltung, welche im Synchron-Kreis eines Sampling-Oszilloskops verwendet
wird;
Fig. 2 ein erklärendes Wellen-Bild der Arbeitsweise der in Fig. 1 gezeigten Schaltung;
109849/1729
Fig. JA
und 5B charakteristische Kurven der Spannungs-Bedingungen
einer Tunnel-Diode aus der in Fig. 1 gezeigten Schaltung;
Fig. 4A ein Verbindungsdiagramm des Hauptteils der in Fig. 1 gezeigten Schaltung;
Fig. 4b ein Wellen-Bild als Erklärung für die Arbeitsweise der in Fig. 4A gezeigten Schaltung;
Fig. 5 ein Schaltbild einer Ausführungsform dieser
Erfindung;
Fig. 6 ein erklärendes Wellenbild der Arbeitsweise der in Fig. 5 gezeigten Schaltung;
Fig. 7 eine charakteristische Kurve der Spannungsbedingungen einer Tunnel-Diode, welche in
der in Fig. 5 gezeigten Schaltung verwendet wird; und
Fig. 8A,
8b, 8c,
8b, 8c,
3D, 8e u. .
8f Schaltungen von verschiedenen AusführungsformBn
gemäß der Erfindung.
Um einen deutliechen Unterschied zwischen der üblichen Technik und dieser Erfindung herauszustellen,
wird zunächst ein Beispiel einer üblichen Count-down-Schaltung anhand der Fig. 1, 2, JA, JB, 4A und 4b beschrieben.
In einer Synchronisier-Schaltung natth Fig. 1,
welche eine Count-down-Schaltung verwendet und welche
in einem üblichen Sampling-Oszilloskop verwendet wird, wird eine Frequenz eines Signales auf eine Eingangsklemme
109849/1729
2724650
gegeben und wird im Count-down auf eine Frequenz gebracht, welche niedriger ist als eine Frequenz von
10 MHz und gleich einem Integral von dieser. Das Countdown-Signal wird durch den Transisotr Q2 verstärkt, so
daß man das verstärkte Signal ν . gezeigt in Fig. 2, erhält. Ein Oszillator, bestehend aus einem Transistor
Q-, und den Dioden Dp und D.,, hat eine Eigenfrequenz
von 100 kHz und erzeugt negative Impulse v,, gezeigt in Fig. 2, synchron mit der Anstiegszeit des Ausganges
des Transistors Q2. Eine Tunnel-Diode Dg ist so vorgespannt,
daß sie zwei mögliche Zudsinde hat. Andererseits ist eine Tunnel-Diode D7 so vorgespannt, daß sie einen
monostabilen Zustand hat und eineiNiederspannungs-Zustand
unter normalen Bedingungen einnimmt. In diesem Fall nimmt die Tunnel-Diode Dg einen Arbeitspunkt (1) bei einer
Spannungs-Stromcharakteristik,wie in Fig. J5 gezeigt, ein,
entsprechend dem Sperren eines Transistors Q^,, während die
Tunnel-Diode D^, einen Arbeitspunkt 1 auf der Spannungs-Stromcharakteristik
der in Fig. ]5B gezeigten Kurve einnimmt. Wenn der Ausgang des Transistors Q-, auf die Tunnel-Diode
Dg über einen Widerstand IU und einen Kondensator
C, gegeben wird, wird der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dg über einen Negativ-Widerstandsbereich auf einen Arbeitspunkt
(2) übertragen, wie in Fig. 3>A gezeigt. In
109849/1729 " 5 "
Pig, 2 ist eine Kathodenspannung v der Tunnel-Diode Dg
gezeigt. Entsprechend der Übertragung des Arbeits-Punktes der Tunnel-Diode Dg wird die Diode D^ von dem Sperrzustand
durchgeschaltet, während ein Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dh vom Arbeitspunkt (1) zum Arbeitspunkt
(2) übertragen wird, wie in Pig. JB gezeigt ist. Wenn
ein negativer Ausgangsimpuls des Transistors Q2 auf die
Tunnel-Diode D^, über den Kondensator C1 gegeben wird,
wird der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode D2, über den Negativ-Widerstandsbereich
in einen stabilen Arbeitspunkt (j5) übertragen, wie in Pig. 5B gezeigt. Demgemäß erscheint
ein negativer Ausgang v., wie in Fig. 2 gezeigt,
an der Kathode der Tunnel-Diode D^. Ein Teil des Ausganges
v, der Tunnel-Diode D^ läuft durch einen Widerstand
R^ und einen Kondensator (X, um in einen negativen
Impuls (v^), gezeigt in Fig. 2, umgewandelt w zu werden,
so daß ein Arbeitspunkt einer Tunnel-Diode T>„ von einem
Niederspannungs-Bereich zu einem Hochspannungs-Bereich übertragen wird. In diesem Fall wird die Tunnel-Diode
Du leitend, während der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode
Dg in den Niederspannungs-Bereich zurückkehrt, wie das
durch den Punkt (1) in Fig. j5A gezeigt ist. Entsprechend
diesem Wechsel sperrt eine Diode Dj-iWährend der Arbeitspunkt
109849/1729
. der Tunnel-Diode Dj, zu dem Punkt (1),gezeigt in Pig.
zurückkehrt. Wie oben erwähnt, kann ein Signal, welches durch den Count-down des Ausganges des Transistors Q2
unterhalb einer Frequenz von 100 kHz erhalten wird, von einer Kathode der Tunnel-Diode Dh im Zusammenhang mit
der monostabilen Arbeitsweise der Tunnel-Diode D7 erreicht
werden. Der Ausgang der Tunnel-Diode D2, wird ferner
über einen Widerstand Rg und einen Kondensator Cg
auf die Kathode einer Tunnel-Diode Do gegeben. Diese
Tunnel-Diode D8 wird als bistabiler Kreis verwendet.
Wenn der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dg in einen Hochspannungs-Bereich in bezug auf den Ausgang der Tunnel-Diode
D^ über tragen wird, nimmt ein Transistor Q1- von
einem Sperr-Zustand einen leitenden Zustand an, während eine Diode Dq von einem leitenden Zustand in einen sperrenden
gelangt. Demgemäß kann eine rasche Sägezahn-Kurve
von der Basis eines Transistors Qg erhalten werden. Dieser
Transistor Qg vergleicht die schnelle Sägezahn-Kurve mit
einer langsamen Sägezahn-Kurve, welche an eine Klemme 2 gegeben ist, für die Erzeugung eines Ausgangsimpulses
an der Ausgangsklemme j5, wobei ein Teil davon über eine
Diode 11 und einen Widerstand R„ auf die Tunnel-Diode
Dg zurückgegeben wird, um diese wieder in den Nieder-
- 7 -109849/1729
spannungs-Bereich zu bringen. Wenn diese Schaltung in
einem Sampling-Oszilloskop verwendet wird, wird der
Ausgangsimpuls der Klemme 3 als Sampling-Kommandoimpuls
zur Erzeugung eines Sampling-Impulses verwendet.
Die oben erwähnte Schaltung ist so ausgerichtet, daß ein Zittern beim Count-down eines Signales von
über 10 MHz vermindert ist, welches beim Count-down an der Diode D1 erhalten wird, auf ein Signal unter
100 kHz. Jedoch ist die oben beschriebene Schaltung schwer auf eine optimale Bedingung abzustimmen und wird
leicht durch einen Wechsel der Bedingungen in der Raumtemperatur etc. beeinflußt. Uraachen dafür werden im
folgenden erwähnt.
Ein Teil der in Fig. 1 gezeigten Schaltung für einen Count-down am Ausgang der Diode 1 unterhalb
eines NMerfrequenzen-Signals von 100' kHz kann kurz in
Fig. 4a illustriert werden. In diesem Fall wird die Ausgangsspannung ν des Transistors Q0 auf eine Klemme
11 gegeben und ein negativer Ausgangsimpuls vf am
- 8 109849/1729
Kollektor des Transistors Q., mit einer Wiederholungsfrequenz von weniger als 100 kHz und synchronisiert mit
der Anstiegszeit des Transistors Q2 wird auf die Klemme
12 gegeben. Der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dh wird
vom Niederspannungs-Bereich in den Hochspannungs-Bereich
™ übertragen, entsprechend der Anstiegszeit des Ausgangs
ν des Transistors Q2 an der Klemme 11, Jedoch nur,
wenn der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dg in den Hochspannungsbereich
entsprechend des Impulses v„ an der Klemme 12 Übertragen wird. Den Ausgang ν von der
Tunnel-Diode Dj, erhält man an der Klemme 1j5. Wenn die
Vorspannung der bistabilen Zustände der Tunnel-Diode Dg dahingehend vermindert wird, daß die Höhe des Impulses
vf an der Klemme 12 zunimmt, kann in diesem Fall
fc ' ein Überfluß-Strom durci>eine Diode D1- und die Tunnel-Diode
Dh nach dem Umwandeln des Arbeitspunktes der Tun-, nel-Diode Dg vom Niederspannungs-Bereich in den Hochspannungs-Bereich
gelangen. Dieser Überfluß-Strom bringt eine mögliche Gefahr des Umformens des Arbeitspunktes der Tunnel-Diode vom Niederspannungs-Bereich in
den Hochspannungs-Bereich. Daher muß die Vorspannung der Tunnel-Diode genügend groß sein, um den oben erwähnten
Überfluß-Strom zu vermeiden, während die Höhe des Impulses
- 9 109849/1729
vf an der Klemme 12 klein sein muß. Mit anderen Worten
fließt ein beträchtlicher Strom durch die Diode Dc zur Tunnel-Diode D2, eben dann, wenn der Arbeitspunkt der
Tunnel-Diode Dg einen Niederspannungs-Wert annimmt. Es
ist daher sehr schwer, den Wert des Kondensators C1
so zu bestimmen, daß die Größe i eines Impulses an der Klemme 11 zu der Tunnel-Diode D2, durch den Kondensator
C. folgender Verhältnisgleichung genügt:
1P '
(D
Wenn die Größe des Impulses νΩ an der Klemme
11 nicht konstant ist, ist es außerdem schwer, den Wert des Kondensators C. so zu bestimmen, daß immer
die Bedingung der Gleichung 1 erfüllt wird. Wenn die Vorspannung für die bistabilen Zustände der Tunnel-Diode
D^ von den entsprechenden Charakteristiken der Dioden Dh und D ebenso abhängen wie ston den Werten
der Tunnel-Diode T)r, einem Widerstand R1- und einer
6 O
Spannungsquelle V * muß außerdem der Wert des Wider-
CC
Standes R1- sehr genau nach dem Einbau einer Kombination
der Dioden D2,, D^ und Dg bestimmt werden. Die Arbeitsweise
der Tunnel-Diode D2, hängt schliäSlich von der Vorspannung
der Diode Dg ab, wie oben erwähnt. Demgemäß
- 10 109849/1729
sind Fachkenntnisse und ausreichend Zeit für die Einstellung des Kondensators C1 und des Widerstandes R- notwendig,
da diese Einstellung zugleich für den Kondensator C1 und den Widerstand Rp- durchgeführt werden muß. Wenn
die Spannungs-Strom-Charakteristiken der Dioden Dj,, D1-
bzw. DV in Abhängigkeit von Bedingungen, wie beispielsweise der Raumtemperatur, beeinflußt werden, kann diese
Schaltung außerdem keine fortlaufende und korrekte Arbeitsweise bei Veränderungen der Bedingungen auch dann
nicht bringen, wenn die entsprechenden Werte des Kondensators C1 und des Widerstandes R^- auf ihren optimalen
Wert eingestellt eind. Wenn der Ausgang V der Tunnel-Diode
D^, einen niedrigen Wert annimmt, wird ferner der
Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dg, welcher als bistabiler
Multivibrator verwendet wird, notwendigerweise derart bestimmt, nahe am Strom I im Niederspannungs-Bereich
zu liegen, während ein Widerstand Rg derart abgestimmt
werden muß, daß ein übergang der Diode Dg in den Hochspannungsbereich
entsprechend einem Rauschen in der Leitung von der Kathode der Tunnel-Diode D^, zu der Kathode
der Tunnel-Diode Dg vermieden wird.
In den Fig. 5, 6 und 7 ist eine Ausführungsform
- 11 -
109849/1729
gemäß der Erfindung unter Ausschaltung der oben erwähnten Nachteile der üblichen Count-down-Schaltung beschrieben.
In dieser Ausführungsform führen die Dioden D.. und D und
die Transistoren Q2 und Q« die gleichen Aufgaben durch
wie die Elemente D., Dq, Q2 und Q der Fig. 1. Der monostabile
Multivibrator A besitzt eine Wiederholungsperiode von über 10 msec und wird mit einem Eingangssignal von
einer Frequenz von mehr als 20 MHz beispielsweise synchronisiert
oder kann ein Oszillator von über 100 kHz sein. Eine bistabile Schaltung B liegt auf einem hohen Ausgangs-Zustand
einer Ausgangsklemme T entsprechend einem positiven Taktimpuls v., wenn eine Rückstell-Zuleitung T einen hohen
Wert annimmt, während er in einen niedrigen Ausgangs-Zustand zurückkehrt in Abhängigkeit eines negativen Rückstell-Impulses,
welcher an den Rückstell-Eingang T gegeben wird. Aus den Wellen-Bildern v. und v. in Fig. 6
ist zu verstehen, daß der monostabile Multivibrator A einen positiven Impuls v. in Abhängigkeit einer
Aufwärts- oder einer Rückwärts-Flanke des Ausgangs v.
des Transistors Q2 erzeugt. Wenn der Aufgangs impuls v.
an die Takt-Klemme des bistabilen Kreises B gegeben wird> wird ein positiver Impuls v. an der Ausgangsklemme T ,
j ο
wie in Fig. 6 gezeigt, erhalten, so daß ein Transistor Q aus einem Sperrzustand heraus leitend wird. Durch
109849/1729 " ^ "
eine Tunnel-Diode Dg fließt kein Strom, wenn der Transistor
Q10 sperrt, so daß diese Tunnel-Diode Dq überhaupt nicht
über einen Negativ-Widerstandsbereich in einen Hochspannungs-Bereich eben dann übertragen wird, wenn der Ausgang des
Transistors Q2 an diese über einen Widerstand R1 und einen
Kondensator C1 gegeben wird. Wenn der Transistor Q10 leitend
wird, fließt jedoch ein Strom durch folgenden Weg: Spannungsquelle + V1, Tunnel-Diode Dg, Widerstand R-J0'
Transistor Q10 und Masse. Demgemäß ist die Tunnel-Diode
Dg derart vorgespannt, daß sie einen der beiden möglichen Zustände in einer in Fig. 7 gezeigten Spannungs-Stromcharakteristik
besitzt, und ein Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dg wird in einem Punkt (1) in Nifederspannungs-Bereich zurückverlegt.
Wenn der negative Ausgangsimpuls v. des Transistors Q2 an die Tunnel-Diode Dg gegeben wird, wird in diesem Fall
der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dg über den Negativ-WiderStändsbereich
in einen in Fig. 7 gezeigten Punkt (2) übertragen. In Abhängigkeit dieser Veränderung der Tunnel-Diode
Dg, wird der Transistor Q11- leitend, so daß ein Ausgangs-Impuls
ν am Kollektor des Transistors Q erhalten wird. Anschließend wird ein Sampling-Kommandoimpuls ν ,
gezeigt in Fig. 6, in einer ähnlichen Weise erhalten, wie die Arbeitsweise der in Fig. 1 beschriebenen Schaltung.
109849/1729
Ein Teil des Sampling-Kommando-Impulses ν wird an die
Rucksteil-Klemme T des bistabilen Kreises B gegeben,
um diesen in den niederen Ausgangszustand zurückzustellen.
Ein Beispiel eines elementaren Aufbaus dieser Erfindung
ist in Fig. 8A beschrieben. In diesem Beispiel ist ein Kreis A ein Oszillator mit einer Wiederholungsperiode P oder ein monostabiler Kreis, welcher einen
positiven Impuls v., wie in Pig. ό gezeigt, synchron mit der Anstiegszeit eines Eingangs-Signals einer. Wiederholungsperiode
t erzeugt. Die Wiederholungsperiode P dös Ausgangsimpulses des Kreises A ist daher gleich dem
Wert η · t und im wesentlichen gleich der Wiederholungsperiode PQ, wobei "n" eine ganze Zahl ist. Mit anderen
Worten wird die Frequenz des Eingangs-Signals auf ein "n"-tel im Count-down gebracht. Wenn der Ausgangs-Impuls
des Kreises A Schwankungen aufweist und Verzogerungszeiten im Bezug auf das Eingangs-Signal, kann in diesem Fall
dieser Ausgangs-Impuls nicht für einen Synchronisations-Kreis verwendet werden, wie diese in einem Sampling-Oszilloskop
etc. verwendet werden. Ein Kreis B ist ein bistabiler Kreis, welcher in einem hohen Ausgangszustand in bezug
auf den Ausgangsimpuls des Kreises A liegt und in einen
- 14 -
109849/1729
niedrigen Ausgangszustand in bezug auf einen Rückstell-Impuls
von Jenem Ausgang zurückkehrt. Eine Tunnel-Diode Dg wird in einem Niederspannungs-Bereich gehalten, eben
wenn ein Eingangs-Signal an diese Diode Do gelangt, was
dann auftritt, wenn ein Kollektor-Emitter-Weg eines Transistors Q10* welcher mit der Tunnel-Diode Dg über
den Widerstand R10 verbunden ist, gesperrt ist. Wenn
der bistabile Kreis B im hohen Ausgangszustand liegt
und der Transistor Q10 leitend wird, läuft ein Strom
durch folgenden Weg: Spannungsquelle +V1, Tunnel-Diode
Dg, Widerstand R10* Transistor Q10 und Masse. Demgemäß
ist die Tunnel-Diode Dg von zwei möglichen stabilen Zuständen für einen niederen Spannungsbereich vorgespannt
und wird dann in einen Hochspannungs-Bereich über einen Negativ-Widerstandsbereich geschaltet, wenn an sie ein
negativer Impuls des Eingangs-Signals gelangt. Ein Teil des Ausganges stellt den bistabilen Kreis B zurück, wie
oben erwähnt. Diese Rückdaellung kann durch einen anderen
Steuer-Impuls bis zum nächsten Impuls vom Kreis A erreicht werden.
Wenn der Transistor Q10 ein NPN-Transistor ist,
wird das in Fig. 8A gezeigte Beispiel abgewandelt in ein in Fig. 8b gezeigtes Beispiel, wobei die leitende
109849/1729
- 15 -
212ΛΒ50
Richtung des Kollektor-Emitterweges des Transistors Q10
in einer Richtung von Spannungsquelle + V. zu Masse gerichtet ist.
Wenn die Anospde der Tunnel-Diode Dg mit Masse verbunden ist, wird die Polarität der Vorspannung V1
negativ, wie in den Pig. 8C und SD gezeigt ist.
Die Ausgangsklemme 1j5 kann an der Anode der
Tunnel-Diode Do vorgesehen werden, wie in den Fig. 8E und 8p gezeigt ist.
Die Vorzüge dieser Erfindung gegenüber der in Fig. 1 gezeigten üblichen Schaltung können wie folgt
zusammengefaßt werden:'
1. Die Arbeitsweise der Count-down-Schaltung dieser
Erfindung ist äußerst stabil. Mit anderen Worten wird, wenn durch die Tunnel-Diode Dg bei gesperrtem Transistor
Q10 kein Strom fließt, die Tunnel-Diode Dg im Niedervolt-Bereich
gehalten, vorausgesetzt, daß ein Strom größer als ein Strom I vom Transistor Q2 unter dieser Bedingung erhalten
wird. Während die Tunnel-Diode Dg derart vorgespannt wird, daß sie einen der beiden in Fig. 8 gezeigten Zustände
annimmt, wenn der Transistor Q10 leitend ist, wird
- 16 109849/1729
212A65Q
eine Last-Linie für diese Bedingung durch die Spannungs-Quelle V1 und den Wert des Widerstandes R10 bestimmt.
Demgemäß ist die Beeinflussung durch Schwankungen der Raumtemperatur etc. sehr gering. Wenn der Wert i des
negativen Eingangs-Impulses genügend groß ist, um folgender Ungleichung zu genügen:
um eine normale Arbeitsweise fortzuführen, kann eine normale Arbeitsweise für beträchtliche Schwankungen des
Wertes am Ausgang des Transistors Qg fortgesetzt werden.
Demgemäß sind Abstimmungen der Bauteile R1, C1 und R10
überhaupt nicht notwendig.
2. ' Wenn der Ausgang des Transistors Q2 direkt an die
Tunnel-Diode Dg über die Bauteile R1 und C1 alleine gegeben
wird, sind Zeitverzögerungen und Schwankungen sehr gering.
Die oben erwähnten Vorzüge dieser Erfindung sind kurz durch Ausschaltuen der anhand der Fig. 4A und 4B
beschriebenen Vorrichtung erreicht.
- 17 -
109843/1729
Claims (3)
- Aktenzeichen: P 21 24 650.4
Anmelder : IWASAKI TSUSHINKI K.K.
Uns. Zeichen: A 18O 71 Pp/ib - 2. August 1971(NEUE) PATENTANSPRÜCHE IUMFrequenzteiler-Schaltung mit Tunnel-Diode für eine Teilung einer Folge-Frequenz eines Eingangs-Irapulssignals, welches von einer Eingangsklemme auf eine Elektrode dieser Tunnel-Diode gelegt ist, um eine Teilfrequenz an der Ausgangsklemme, welche an dieser einen Elektrode der Tunnel-Diode vorgesehen ist, zu erzeugen, gekennzeichnet durch eine Serienverbindung, welche mit dieser Ausgangsklemme (I3) verbunden ist und welche aus einem Widerstand (R10) unc* aus e*"" ner Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors (Q10) besteht, durch eine Vorspannungs-Vorrichtung (+V.., -V.) für einen notwendigen Vorspannungs-Stromablauf durch die Kollektor-Emitter-Strecke, den Widerstand (R10) 1^ die Tunnel-Diode (Dfl)# so daß ein Arbeltspunkt dieser Tunnel-Diode (Dg) in einem Nieder-109849/1729l\ 212A650spannungs-Bereich gehalten wird, durch einen mit der Eingangs-Klemme (11) verbundenen Impuls-Generator (A) für die Erzeugung eines Impulses mit einer Wiederholungsperiode gleich einem ganzzahligen Vielfachen einer Wiederholungsperiode des Eingangs-Impulssignales, in Synchronität mit sowohl der Anstiegs- wie auch der Abfall-Planke des Eingangs-Impulssignales und durch einen bestabilen Kreis (B), zwischen den Ausgang des Impuls-Generators (A) und der Basis des Transistors (Q-ιλ) geschaltet, wobfci dieser bistabile Kreis entsprechend Jedem Ausgangs-Impuls dieses Impuls-Generators (A) angesteuert und zurückgestellt ist, bis ein gerade nachfolgender Ausgangs-Impuls von diesem Impuls-Generator (A) folgt.2. Frequenzteiler-Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangs-Klemme (13) mit der Rückstell-Klemme (T ) des bistabilen Kreises (B) für die Rückstellung des bistabilen Kreises entsprechend jedem Ausgangs-Impuls verbunden ist.
- 3. Frequenzteiler-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Impuls-Generator (A) ein monostabiler Multivibrator ist.109849/1729Le e rs ei te
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP45042312A JPS4934255B1 (de) | 1970-05-18 | 1970-05-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2124650A1 true DE2124650A1 (de) | 1971-12-02 |
DE2124650B2 DE2124650B2 (de) | 1973-03-22 |
Family
ID=12632491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19712124650 Pending DE2124650B2 (de) | 1970-05-18 | 1971-05-18 | Elektronische frequenzteilerschaltung mit tunnel-diode |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3700917A (de) |
JP (1) | JPS4934255B1 (de) |
DE (1) | DE2124650B2 (de) |
NL (1) | NL7106653A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0025894A1 (de) * | 1979-09-20 | 1981-04-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Frequenzteiler |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3984824A (en) * | 1975-07-25 | 1976-10-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Wide-band optical analog signal link using fiber optics |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3124706A (en) * | 1964-03-10 | Emitter | ||
US3165647A (en) * | 1962-06-20 | 1965-01-12 | Alpha Tronics Corp | Ring counter with no feedback comprising silicon controlled rectifier stages |
US3350576A (en) * | 1965-01-29 | 1967-10-31 | Tektronix Inc | Trigger countdown circuit which is armed and triggered by different portions of the same trigger pulse |
US3569733A (en) * | 1967-12-28 | 1971-03-09 | Gen Electric | Reversible counter circuit utilizing tunnel diodes |
US3530315A (en) * | 1968-03-15 | 1970-09-22 | Tektronix Inc | Jitter-free triggering circuit |
-
1970
- 1970-05-18 JP JP45042312A patent/JPS4934255B1/ja active Pending
-
1971
- 1971-05-14 US US143367A patent/US3700917A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-05-14 NL NL7106653A patent/NL7106653A/xx unknown
- 1971-05-18 DE DE19712124650 patent/DE2124650B2/de active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0025894A1 (de) * | 1979-09-20 | 1981-04-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Frequenzteiler |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7106653A (de) | 1971-11-22 |
JPS4934255B1 (de) | 1974-09-12 |
US3700917A (en) | 1972-10-24 |
DE2124650B2 (de) | 1973-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3204840A1 (de) | Gleichstromnetzgeraet mit stromkonstanthaltung, insbeondere fuer eine fernmeldeanlage | |
DE2426394A1 (de) | Saegezahngenerator | |
DE3216378C2 (de) | Schaltungsanordnung zum Umsetzen eines Bitstroms in eine analoge Darstellung einer vom Bitstrom bestimmten Wellenform | |
DE1763751B2 (de) | Impulsgenerator für eine mit einer Wechselspannung synchrone Impulsfolge mit einstellbarem Phasenwinkel | |
DE2712369A1 (de) | Oszillator zur erzeugung von rechteckimpulsen | |
DE2618633C3 (de) | PCM-Decodierer | |
DE2211100A1 (de) | Zellenkippschaltung in einem Fern sehempfänger | |
DE2213625A1 (de) | Synchronisieranordnung | |
DE69113414T2 (de) | Integrierte Konstantstromversorgung. | |
DE2124650A1 (de) | Frequenzteiler-Schaltung mit Tunnel-Diode | |
DE2908065A1 (de) | Monostabiler multivibrator | |
DE1806905C3 (de) | Impulsformerschaltung | |
DE1638582A1 (de) | Schaltungsanordnung zum Erzeugen von Signalen bei zwischen zwei Wechselspannungen auftretenden Frequenzunterschieden | |
DE1085915B (de) | Impulsformende Halbleitertransistorverstaerkeranordnung | |
DE2211326B2 (de) | Horizontal-Kippschaltung in einem Fernsehempfänger | |
DE1144762B (de) | Schaltungsanordnung zur Erzeugung rechteckiger Impulse | |
DE2757053A1 (de) | Steuersystem fuer einen impulsbreiten-steuerinverter | |
DE2827960C3 (de) | Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Ausgangsimpulsen mit einstellbarer Taktfrequenz | |
DE2062355C3 (de) | ||
DE1151280B (de) | Schaltungsanordnung zur Erzeugung impuls-foermiger Kurvenverlaeufe | |
DE1137479B (de) | Verfahren und Anordnung zur Erzeugung von Steuersignalen im Nulldurchgang des positiven oder negativen Astes einer Wechselspannung bzw. eines Wechselstromes | |
DE1437784C (de) | Impulsbreitenmodulator | |
AT203052B (de) | Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Wellen, deren Frequenz in Abhängigkeit von einem äußeren Signal veränderbar ist | |
DE1071386B (de) | Bistabile Schaltungen, insbesondere für datenverarbeit'ende Maschinen | |
DE1176184B (de) | Schaltungsanordnung zur Synchronisierung eines Oszillators |