DE2107862C3 - Elektronischer Schaltkreis, der - Google Patents
Elektronischer Schaltkreis, derInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen elektronischen Schaltkreis, der auf eine Widerstandsänderung eines
Widerstands-Fühlclements anspricht, mit einem Feldeffekt-Transistor,
mit dessen Gate-Elektrode das Fühlelement verbunden ist, um das Schalten des Fcldeffekt-Transistors zu steuern, mit einem steuerbaren
Schalter, mit dem der Feldeffekt-Transistor an Speisespannung legbar ist, um die Gate-Drain-Kapazität
über das Fühlelement aufzuladen und mit einem eine das Fühlelement überbrückende Entladestrecke
für die Gate-Drain-Kapazität des Feldeffekt-Transistors bildenden Widerstand und mit einem
Arbeitswiderstand des Feldeffekt-Transistors.
Aus der CH-PS 4 68 683 ist eine elektrische Schaltung mit einer Rückkopplungsanordnung für
einen Feuermelder bekannt, bei der eine Ionisationskammer mit der Gate-Elektrode eines Feldeffekt-Transistors
verbunden ist. Steigt z. B. infolge des Eindringens von Rauchgas in die Ionisationskammer
deren Widerstandswert an, so wird der Feldeffekt-Transistor leitend, und an seinem Arbeitswiderstand
ist ein entsprechendes Ausgangssignal abzunehmen. Damit dieses den Alarnmistand angebende Ausgangssignal
auch dann noch abgegeben wird, wenn infolge einer scheinbaren oder tatsächlichen Änderung der
durch das Eindringen von Rauchgas in die Ionisationskammer gegebenen Bedingungen ihr Widerstand
wieder so weit abgesunken ist, daß der Feldeffekt-Transistor gesperrt werden könnte, ist eine den
Feldeffekt-Transistor auch dann in seinem leitenden Zustand haltende Rückkopplungsschaltung vorgesehen.
Diose Rückkopplungsschaltung besteht aus einem vom Ausgangssignal des Feldeffekt-Transistors
gesteuerten elektronischen Schalter, der einen zusätzlichen Strom durch einen mit der Ionisationskammer
in Reihe geschalteten Widerstand schickt. Infolge dieses zusätzlichen Stroms wird die an der Gate-Elektrode
des Feldeffekt-Transistors bei einer Vergrößerung des Widerstandes der Ionisationskammer
auftretende Spannung weiter vergrößert, so daß die Wirkung einer Widerstandsänderung der Ionisationskammer
herabgesetzt wird und gleichzeitig ein Rückkopplungssignal zum weiteren Leitendwerden bzw.
Leitendbleiben des Fekleffekl-Transistors an dessen Gate-Elektrode gegeben wird. Mit Hilfe dieser
Rückkopplungsschaltung wird sichergestellt, daß die einmal in ihren Alarmzustand umgeschaltete elektrische
Schaltung diesen Schaltzustand unabhängig
von einer erneuten nachträglichen Widerstandsänderung der Ionisationskammer so lange beibehält,
bis die elektrische Schaltung, z.B. von Hand, in ihren Ruhezustand zurückgeschaltet wird. Die Eigen kapazität
der Ionisationskammer und iic geringe Eigenkapazität des FeldeiTekt-Transistors werden bei
dieser bekannten elektrischen Schaltung für eine natürliche Ansprechverzögerung ausgenutzt, so daß
die elektrische Schaltung nicht bereits durch einen Alarmzusxand vortäuschende Störsignale umgeschaltet
werden kann.
Ein aus der DT-OS 19 33 93S bekannter elektronischer Schaltkreis wird als Ionisations-Rauchgasanzeiger
benutzt, bei dem eine Ionisationskammer zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode
eines Feldeflekt-Transistors angeordnet ist. Bei einer Änderung des Widerstandes der Ionisationskammer
infolge des Eintretens von Rauchgas in diese Kammer ändert sich damit auch die Spannung
zwischen den Elektroden des Feldeffekt-Transistors, so daß dieser umschaltet und an seinem mit ihm
verbundenen Arbeitswiderstand eine Spannung abfällt, die über eine Zenerdiode an die Steuerelektrode
eines steuerbaren Gleichrichters gegeben wird, der seinerseits wieder einen Alarmgeber einschaltet. Diese
bekannte Anordnung ist in mechanischer Weise so ausgebildet, daß bei einer Entfernung der mit der
Source-Elektrode des Feldeflekt-Transistors verbundenen sogenannten Filter-Elektrode der Tonisationskammer
der elektrische Anschluß der Source-Elektrode des Feldeffekt-Transistors elektrisch kurzgeschlossen wird. Auf diese Weise ist zu verhindern,
daß die infolge des sehr hohen Eingangswiderstandes der Siebelcktrode sonst auftretende Unterbrechung
zwischen der Gate- und der Source-Elektrode des Feldeffekt-Transistors eine sehr hohe Spannung erzeugt,
die zu einer Beschädigung oder gar Zerstörung des Feldeflekt-Transistors führen könnte.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen neuen elektronischen Schaltkreis der genannten Art zu schaffen,
mit dem bereits sehr kleine Änderungen eines einen hohen Widerstandswert aufweisenden Widerstandes
zuverlässig erfaßt werden können, der also gegenüber bisher bekannten vergleichbaren Schaltungen sehr
viel empfindlicher ist.
Bei dem Schallkreis nach der Erfindung ist diese Aufgabe gelöst durch ein Steuerglied, mit dem der
steuerbare Schalter immer dann betätigbar ist, um den Feldeffekt-Transistor während einer vorgegebenen
Zeitdauer von der Speisepannung abzuschalten, wenn die am Arbeitswiderstand intolge des über
das Fühlelement und durch ihn fließenden Ladestroms für die Gate-Drain-Kapazität abfallende
Spannung einen vorbestimmten Spannungspegel unterschreitet, wodurch sich die Gate-Drain-Kapazität
über den Entladcwidcrstand entladen kann, so daß eine Widerstandsänderung des Fühlelements eine
Ladezeitänderung und damit eine Änderung der Schaltfrequenz des Feldeffekt-Transistors bedingt.
Bei der erfindungsgemäßen Schaltung ist im Speise- c. kreis des Fcldeffekt-Transistors ein steuerbarer
Schalter vorgesehen, der in vorbestimmten Zeitintervallen zur Speisung des Feldeffekt-Transistors
geschlossen wird. Nach dem Anschalten des Feldeffekt-Transistors an die Speisespannung lädt sich
dessen Gatc-Drain-Kapazität über den Widerstand des Fühlelementcs auf, so daß also die Ladezeit
dieser Kapazität bis zum Erreichen einer vorbestimmten Spannung von der Größe des Widerstandswertes
des Fühlelementes abhängt. Beim Aufladen dieser Kapazität verringert sich mit wachsender
Lfdespannung der durch den Arbeitswidersiand
fließende Strom des Feldeffekt-Transistors, wodurch sich auch die am Arbeitswiderstand infolge dieses
Stromes abfallende Spannung verringert. Fällt dieser Spannungsabfall am Arbeitswider*tand unter einen
vorbestimmten Spannungspegel, so spricht ein den Spannungsabfall überwachendes Steuerglied an, das
außerdem den steuerbaren Schalter in der Speiseleitung des Feldeffekt-Transistors betätigt. Beim
Unterschreiten des vorbestimmten Spannungspegels wird also dieser steuerbare Schalter von dem Steuerglied
geöffnet, so daß sich die Kapazität des Feldeffekt-Transistors über einen Entladewiderstand entladen
kann. Die von dem Steuerglied bestimmte Öffnungszeit für den steuerbaren Schalter ist dabei ausreichend
groß, daß sich die Kapazität des Feldeffekt-Transistors vollständig entladen kann. Nach der
Entladung der Kapazität wird der steuerbare Schalter erneut geschlossen, wodurch sich wiederum die
Kapazität des Feldeffekt-Transistors über den Widerstand des Fühlelementes aufladen wird, also nach
einer vom Widerstandswert des Fühlelementes bestimmten Ladezeit der Feldeffekt-Transistor erneut
von der Speisespannung abgetrennt wird. Bei der erfindungsgemäßen Schalteranordnung schaltet also
der Feldeffekt-Transistor mit einer bestimmten Schaltfrcquenz hin und her, wobei die Größe dieser
Schaltfrequenz vom Widerstand des Fühlelementes abhängig ist. Da sich nun die Schaltfrequenz bereits
bei einer relativ kleinen Widerstandsänderung des Fühlclements merklich ändert, ist die Ansprechempfindlichkeit
der neuen elektrischen Schaltung sehr viel größer als bei den bisher bekannten vergleichbaren
Schaltungen, bei denen die Widerstandsänderung des Fühleiements unmittelbar zum Umschalten
eines Feldeffekt-Transistors benutzt wird, was jeweils beim Überschreiten eines bestimmten
Spannungspegels an der Gate-Elektrode des FeIdcffekt-Transislors
auftritt.
Die besondere Ausbildung des neuen Schaltkreises betreffende Ausgestaltungen der Erfindung sowie
seine Anwendung für einen Feuermelder sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung wird an Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Im einzelnen zeigt
Fig. 1 ein schcmatisches Blockschaltbild des
neuen Schaltkreises, das die für die grundlegende Wirkungsweise erforderlichen Bauelemente zeigt,
F i g. 2 eine grafische Darstellung des Ausgangssignals des Schaltkreises nach Fi g. 1,
Fig. 3 eine gralische Darstellung der Zeitcharaklerislik
der Spannung K- sowohl für die Schaltkreise
nach F i g. 1 als auch F i g. 4 und
Fig. 4 einen schematischen Schaltplan eines
Detektors für Verbrennungsprodukte, bei dem der Schaltkreis von F i g. 1 verwendet ist und die notwendige,
damit verbundene Schaltung zur Bedienung einer Alarm- und einer Anzeigeeinrichtung dargestellt
ist.
In der einfachsten Form, wie in Fig. 1 gezeigt, wird der elektronische Schaltkreis zum Feststellen
eines elektrischen Stromes und zum Umformen dieses Stromes in ein zeitlich gesteuertes impulsförmiccs
Ausgangssignal benutzt. Die Grundschal-
5 6
ung enthält einen Feldeffekt-Transistor 2 mit einer Fiihlelements Rs abhängt. Die Funktion von R0
3ate-Elektrode, eine Energiequelle 9, die mit den besteht darin, den Kondensator 4 zu entladen, so-
Drain-Source-Anschlüssen 5 und 6 des Transistors bald Vx weggenommen ist.
verbunden ist, einen Widerstand R1,, der in die Zu- In Fig. 1 ist der Schalter 8 als ein mechanischer
leitung zur Source-Elektrode zur Messung von Ände- 5 Schalter gezeigt, in einer praktischen Vorrichtung
rungen des Drain-Source-Stromes geschaltet ist, und wird er jedoch bevorzugt ein Festkörper-Schalt-
ein leitendes Fühlelement Rs, das zwischen die Gate- element sein.
Elektrode 3 des Transistors 2 und der geerdeten Fig. A zeigt einen praktischen Schaltkreis für
Seite der Energiequellen 9 geschaltet ist. Der Source- einen Detektor von Verbrennungsprodukten, der von
Anschluß 6 ist mit dem Gate-Anschluß 3 durch einen io der oben beschriebenen grundlegenden Schaltung
Widerstand Rn verbunden. Gebrauch macht.
Um die Wirkungsweise des Schaltkreises klarer zu Das nachgebildete Fühlelement, der Widerstand R5
zeigen, ist ein einfacher Schalter 8 gezeigt, der in von Fig. 1, ist im praktischen Schaltkreis der Fig.4
Serie zum Drain-Anschluß 5 geschaltet ist, wobei durch eine Ionisationskammer 10 ersetzt. Die
der Schalter vom Ausgangssignal eines Steuer- 15 Ionisationskammer 10 hat zwei räumlich voneinander
gliedes 7, dessen Eingang mit dem Drain-Anschluß 6 getrennte Elektroden, die einen ein Gas enthaltenden
verbunden ist, bedient wird. Im Augenblick des Raum zwischen sich abgrenzen und schließt auch
Schließens des Schalters 8 wird eine Spannung K1 eine Quelle radioaktiver Strahlung ein. Eine Ionisaan
die Drain - Elektroden- S/Source-Elektroden- tionskammer dieser Art ist ein hochempfindlicher
Strecke 6 des Feldeffekt-Transistors 2 gelegt. Zu 20 Detektor für Partikeln, die bei einer Verbrennung
diesem Zeitpunkt erreicht der Drain-Source-Strom entstehen. Das Phänomen der Erfassung soll nur
sein Maximum (Punkte, Fig. 2). Die wirksame kurz beschrieben werden, wobei festgestellt wird,
Gate-Drain-Kapazität 4 beginnt sofort sich über das daß die Strahlungsquelle das Gas bzw. Luft inner-Widerstands-Fühlelement
Rs aufzuladen und so wie halb der Kammer ionisiert, wodurch die Kammer
die Spannung an der Kapazität 4 zunimmt, so nimmt 25 elektrisch leitend wird. Partikeln der Verbrennung,
der Strom IL als eine exponentiell Funktion der die frei in die Kammer eintreten können, verringern
Ladung an der Kapazität ab. Die Zeit f, (F i g. 2), in die Leitfähigkeit der Kammer oder erhöhen umgeder
der Strom IL auf den Punkt B abfällt, hängt vom kehrt den Widerstand der Kammer, wodurch elek-Widerstandswert
von Rs ab. Für Werte von Rs im trische Änderungen in der Schaltung, die damit verGebiet
von 1010 bis 1012 Ohm, beträgt die Größen- 30 bunden sein können, verursacht werden. Die Funkordnung
der Zeit 0,1 see bis zu mehreren Sekunden. tion des zu beschreibenden Schaltkreises besteht
Wenn der Strom /L zum Punkt B abgesunken ist, darin, solche Änderungen im Widerstandswert der
erfaßt das Steuerglied 7 die Spannung, die am Wider- Ionisationskammer zu erfassen und eine Alarmstand RL auftritt und öffnet den Schalter 8, wodurch vorrichtung zu betätigen.
die Spannung V1 beseitigt wird. Beim Fehlen der 35 In F i g. 4 ist zu erkennen, daß die Spannung E
Spannung V1 entlädt sich der Kondensator 4 über den Transistor T11 leitend macht, während die Tranden
Widerstand R0. Das Steuerglied 7 hält den sistoren T6, T. und T8 gesperrt werden und eine
Schalter 8 für ein voreingestelltes Zeitintervall geregelte Spannung V1 an die Drain- und Source-
t., + ta (Fig. 3) geöffnet, das ausreichend lang ge- Anschlüsse 5 und 6 des Feldeffekt-Transistors T2
wählt ist, um im wesentlichen eine Entladung der 40 geliefert wird, ähnlich der Wirkung, die durch Schlie-Kapazität
4 zu erlauben. Am Ende der Zeit /., + t3 ßen des Schalters 8 im Schaltkreis der Fig. 1 herschließt
der Schalter 8 und der Zyklus wird wieder- vorgerufen wird. Es ist leicht zu erkennen, daß die
holt. Die punktierte Linie L1 in Fig. 2 zeigt die Transistoren T9 und T11 der Fig. 4 zusammen mit
Funktion des Schaltkreises bei einem Widerstands- der Zenerdiode D., und den Widerständen R7 und Rb
wert von Rs, der angenähert doppelt so groß ist, wie 45 einen Spannungsregler bilden.
anfänglich beschrieben. Wenn Rs geöffnet ist, würde Da der Strom /s- durch die Ionisationskammer die
der Strom IL nicht ausreichend abfallen, damit das Gate-Kapazität 4 des Transistors T0 auflädt, nimmt
Steuerglied 7 den Schalter 8 öffnet; der Strom lL die Spannung über dem Belastungswiderstand RL,
und die Spannung V1 würden bestehenbleiben. gemäß der in der grafischen Darstellung in Fig. 2
Die Funktion der Spannung V„ ist ebenfalls für 50 gezeigten Funktion ab. Wenn die Spannung an Kt
den neuen Schaltkreis bedeutsam. Wenn zum Zeit- auf einen Wert absinkt, der ungefähr gleich der
punkt des Schließens des Schalters 8 zurückgekehrt Emitterspannung des Transistors Tc ist, bestimmt
wird, ist die Kapazität 4 entladen, so daß sehr wenig durch die Einstellung des veränderbaren WiderSpannung über R0 abfällt und deshalb praktisch Standes 12, dann wird der Transistor T6 leitend und
kein Strom durch R0 fließt. So wie sich die Kapa- 55 die Spannung am Widerstand 13 im Kollektivkreii
zität 4 auflädt, steigt die Spannung am Source- nimmt zu. Wenn die Spannung am Widerstand 12
Anschluß 6 gegenüber Erde mit einem Grad an, der die Schwellenspannung im Durchlaßbereich dei
sich dem Grad annähert, mit dem die Spannung an Diode 16 überschreitet, werden die Transistoren T
der Gate-Elektrode 3 gegenüber Erde ansteigt. Da und T8 leitend. Während der Transistor T8 leitern
deshalb die Spannung am Widerstand/?,, klein bleibt, 60 wird, beschleunigt der Ladestrom durch den Kon
ist der Strom durch diesen Widerstand klein im densator 18 das Leitendwerden der Transistoren T
Vergleich zum Strom, der durch das Fühlelement Rs und T8, wodurch beide voll durchgesteuert werden
fließt, solange der Widerstand 7?n von derselben Die Spannung, die sich am Emitter des Transistors T
Größenordnung ist wie der Widerstand des Fühl- während dessen Leitendwerden aufgebaut hat, be
elements R5- Dies hat zur Folge, daß der Wider- 65 wirkt die Sperrung des Transistors T11, so daß di
stand R0 eine unbedeutende Wirkung auf die Ladung Spannung V1 auf einen niedrigen Wert (c) absind
des Kondensators 4 hat und deshalb die Zeit Z1 (s. Fig. 3). Wie im Schaltkreis der Fig. 1, bewirt
(Fig. 2) fast vollständig vom Widerstandswert des der Abfall der Spannung F1, die an den Feldeffeki
Transistor T., geliefert wird, daß dieser Transistor gesperrt wird, mit der Folge, daß die Gate-Kapazität
4 entladen wird. Die Länge der Zeit, in der der Transistor T8 leitend bleibt, hängt von der Zeitkonstanten
des KC-Netzwerks ab, das aus dem Kondensator 18 und dem Widerstand 19 gebildet ist.
Wenn der Kondensator 18 aufgeladen ist, wird der Transistor TH gesperrt, wodurch der Transistor Tn
noch einmal leitend wird, so daß die Spannung V1
an den Feldeffekt-Transistor T2 geliefert wird.
Die Zeitperiode (,, während der der Transistor T2
leitend bleibt, hängt von der Zeit ab, die erforderlich ist, um die Gate-Kapazität 4 aufauladen, was durch
die Leitfähigkeit der Ionisationskammer 10 bewirkt wird. Das Vorhandensein von Partikeln der Verbrennung
in der Kammer vermindert die Leitfähigkeit der Kammer 10 und vergrößert dadurch die Zeit
zur Ladung der Gate-Kapazität 4. Ein typisches Rauchsignal verdoppelt die Ladezeit. Als Reaktion
auf die verlängerte Zeitperiode für die Aufladung der Gate-Kapazität, wird das Alarm-Relais 20 durch
den Ausgang eines integrierenden Verstärkers erregt, der durch die Transistoren T21 und T„2 in Verbindung
mit dem Widerstand 24 und dem Kondensator 25 gebildet ist. Der zuletzt genannte Widerstand und
der Kondensator bilden ein Netzwerk, dessen Zeitkonstante die Länge der Zeit bestimmt, die die
Spannung V1 bestehenbleiben muß, ehe ausreichend
Spannung am Kondensator 25 vorhanden ist, um den Transistor T22 leitend zu machen. Wenn der
Transistor T22 leitend wird, wird auch T21 leitend
und liefert Spannung an die elektromagnetische Spule des Alarmrelais 20. Die an der Relaisspule
vorhandene Spannung bewirkt auch, daß die Transistoren T7 und T8 gesperrt bleiben, was Tn, bei
einer demzufolge stetigen Lieferung der Spannung V1, leitend erhält. Der Schaltkreis kann durch
eine vorübergehende Entfernung der Spannung E vom Schaltkreis zurückgestellt werden. F i g. 4 zeigt
einen Satz typischer Relaiskontakte, die mit dem Alarmrelais vereinigt sind, wobei diese Kontakte mil
einer Alarmanlage verbunden sind.
Um das Funktionieren des Schaltkreises anzuzeigen, kann eine Lampe oder ein ähnlicher Indikatoi
zwischen einen Schaltpunkt, der die Spannung V, führt, und einen Schaltpunkt, der Speisespannung
führt, geschaltet werden. Unter normalen Umständer blitzt die Lampe gemäß dem Ein- und Aus-Zustanc
der Spannung Vx. Im Alarm-Zustand bleibt di<
Lampe erleuchtet.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 509 681/1
Claims (7)
1. Elektronischer Schaltkreis, der auf eine Widerstandsänderung eines Widerstands-Fühlelements
anspricht, mit einem Feldeffekt-Transistor, mit dessen Gate-Elektrode das Fühlelement
verbunden ist, um das Schalten des Feldeffekt-Transistors zu steuern, mit einem steuerbaren
Schalter, mit dem der Feldeffekt-Transistor an Speisespannung legbar ist, um die Gate-Drain-Kapazität
über das Fühlelement aufzuladen, mit einem eine das Fühlelement überbrückende Entladestrecke
für die Gate-Drain-Kapazität des Feldeffekt-Transistors, bildenden Widerstand und
mit einem Arbeitswiderstand des Feldeffekt-Transistors, gekennzeichnet durch ein
Steuerglied (7, T6) mit dem der steuerbare Schalter (8, 7"n) immer dann betätigbar is(, um
den Feldeffekt-Transistor während einer vorgegebenen Zeitdauer von der Speisespannung abzuschalten,
wenn die am Arbeitswiderstand (R L) infolge des über das Fühlelement und durch ihn
fließenden Ladestroms für die Gate-Drain-Kapazität abfallende Spannung einen vorbestimmten
Spannungspegel unterschreitet, wodurch sich die Gate-Drain-Kapazität über den Entladewiderstand
entladen kann, so daß eine Widerstandsänderung des Fühlelements eine Ladezeitänderung
und damit eine Änderung der Schaltfrequenz des Feldeffekt-Transistors bedingt.
2. Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem steuerbaren Schalter
(8, Tn) der Feldeffekt-Transistor (2) abschaltbar
ist, wenn seine Gate-Drain-Kapazität (4) im wesentlichen vollständig aufgeladen ist.
3. Schaltkreis nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch einen integrierenden Verstärker
(Γ.,,, T2.,), der von einer Zeitschaltung
(24, 25) steuerbar ist, und durch eine alarmgebende Schaltung (.20), wie z. B. ein Relais, die
von dem integrierenden Verstärker einschaltbar ist, wenn die Ladezeit der Gate-Drain-Kapazität
(4) des Feldeffekt-Transistors (T2) einen von der
Zeitschaltung festgesetzten, vorbestimmten Wert überschreitet.
4. Schaltkreis nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine weitere Zeitschaltung (18,19), mit der
die Zeitdauer bestimmbar ist, während der der steuerbare Schalter (T11) den Feldeffekt-Transistor
(T2) von der Speisespannung abschaltet.
5. Schaltkreis nach Anspruch 4. dadurch gekennzeichnet, daß der steuerbare Schaller der
letzte (T11) von mehreren Transistoren (T0, T7,
T8, T9, Tn) ist. die zu einem Schalter-Netzwerk
zusammengeschart sind, das in Serie zwischen einer Speiseleitung und dem Feldeffekt-Transistor
(7'2) geschaltet ist.
6. Schaltkreis nach einem der Ansprüche 3 bis 5, gekennzeichnet durch eine Verbindung
zwischen dem Ausgang des integrierenden Verstärkers (T2p T„„) und dem Schalter-Netzwerk,
die eine Abschaltung des Feldeffekt-Transistors (T2) von der Speisespannung durch den steuerbaren
Schalter (T11) verhindert, wenn der integrierende
Verstärker arbeitet.
7. Schaltkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Widerstands-Fühlelement
eine offene Ionisationskammer (10) ist, die eine Quelle radioaktiver Strahlung, eine Anode und eine Kathode, die
räumlich voneinander getrennt sind, enthält.
S. Schaltkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Widerstands-Fühlelement
eine ein Paar von Elektroden aufweisende Ionisationskammer (10) ist, die mindestens
teilweise gegenüber dem Umgebungsluftraum offen ist, wodurch der tatsächliche Widerstand zwischen den Elektroden bei ionisierender
Atmosphäre in der Kammer durch Anwesenheit von Verbrennungsprodukten innerhalb der Kammer ansteigt.
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E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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