DE2058917C3 - Verfahren und Vorrichtung zum Modulieren eines Halbleiter-Lasers - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Modulieren eines Halbleiter-LasersInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1 sowie auf eine
Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 6. Verfahren und
Vorrichtungen dieser Art sind aus der Zeitschrift »Applied Physics Letters«, Bd. 15 (1969), Nr. 7, Seiten
bis 205 bekannt.
60
65 In dem Artikel »Coupled Longitudinal Mode Pulsing in Semiconduc-tor Lasers«, Phys. Rev. Letters. 22 (19691
Nr. 21, S. 1085—1088 wird über einen im Dauerstrichbetrieb arbeitenden GaAs-Injektionslaser berichtet, der
bei geeigneten Werten für Temperatur und Injektionsstrom spontan zu pulsieren beginnt und dabei eine Folge
von Lichtimpulsen bei Frequenzen im Mikrowellenbereich erzeugt
Das selbstinduzierte Pulsieren ist der Kopplung unter den Longitudinal-Schwingungsformen des Lasers und
der hohen Dispersion von Halbleiter-Materialien zuzuschreiben. Die Theorie besagt, daß ein ähnliches
Pulsierverhalten in Halbleiter-Lasern besteht, die aus anderen Materialien als Galliumarsenid hergestellt sind
und/oder bei denen andere Anregungsmechanismen als die Injektion über einen Übergang verwendet werden.
Des weiteren wird in dem Artikel »Frequency Pulling and Pulse Position Modulation of Pulsing cw GaAs
Injection Lasers«, Applied Physics Letters, Bd. 15 (1969), Nr. 7, Seiten 203 bis 205 von einem Verfahren zum
Modulieren eines Halbleiter-Lasers berichtet, bei dem ebenfalls spontanes Pulsieren im Laser durch Zuführen
eines geeigneten Anregungssignals induziert wird. Hierbei erfolgt eine Pulslagenmodulation des Laserausgangsstrahls
durch Zuführen eines frequenzmodulierten Mikrowellensignals in der Weise, daß die vom Laser
erzeugten Impulse mit dem Modulations- bzw. Informationssignai phasenstarr gekoppelt sind. Auch die US-PS
34 78 280 und der Aufsatz »Optical Pulses from cw GaAs Injection Lasers«, Applied Physics Letters, Bd. 15
(1969), Nr. 3, Seiten 105 bis 107, beschreiben spontan pulsierende Halbleiter-Laser, bei denen sich eine
phasenstarre Kopplung zwischen dem Ausgangsstrahl des Lasers und dem Modulationssignal einstellt.
Demgegenüber besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, bei einem Verfahren und einer
Vorrichtung der eingangs erwähnten Art eine Pulslagenmodulation des Laserausgangsstrahls auf baulich
einfachere Weise zu erzielen, insbesondere unter Vermeidung der Bereitstellung eines Signals bei der
Impulsfolgefrequenz des Lasers.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Verfahrensschritte und Merkmale der
nebengeordneten Ansprüche 1 und 6 alternativ gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens nach Anspruch 1
ergeben sich aus den Ansprüchen 2 bis 5.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird eine Pulslagenmodulation bei Frequenzen ermöglicht, die
entsprechend der theoretischen Grenze für die Informationsübertragung bei der halben Impulsfolgefrequenz
des Lasers liegen. Dazu wird das Anregungssignal entsprechend der Eingangsinformation amplitudenmoduliert.
Gleichzeitig werden Modulationsleistung und Modulationsfrequenz so eingestellt, daß eine phasenstarre
Kopplung des modulierenden Signals mit dem Laserausgangsstrahl verhindert wird. Auf diese Weise
gelingt eine wesentliche Herabsetzung des erforderlichen Aufwands an elektronischen Bauelementen für die
Bereitstellung eines geeigneten Anregungssignals.
In einer Ausführungsform der Erfindung werden die von einem spontan pulsierenden Halbleiter-Laser
emittierten Lichtimpulse durch das modulierende Signal in ihrer Lage moduliert, welches den Injektionsstrom
des Lasers direkt amplitudenmoduliert, vorausgesetzt, daß die Leistung und die Frequenz des modulierenden
Signals so eingestellt werden, daß eine phasenstarre Kopplung des Laserausgangsstrahls mit dem Informa-
tionssignal verhindert wird. Mit den Änderungen der Amplitude des modulierenden Signals folgt die Impulsfolgefrequenz
des Lasers. Die Pulslagemodulation bei Frequenzen bis zur halben Impulsfolgefrequenz (ge-V/öhnlich
von 250 bis 1500 MHz) ist ohne Informationsverlust möglich. Diese Grenze ergibt sich aus dem
bekannten Kriterium für die maximal übertragbare Informationskapazität, die dann erzielt wird, wenn die
im modulierenden Signal enthaltene maximale Frequenz gleich der halben Abtastfrequenz ist Diese
Wirkung steht im Gegensatz zu der Amplitudenmodulation des Injektionsstroms eines herkömmlichen im
Dauerstrich- oder Pulsbetrieb arbeitenden Halbleiter-Lasers, wobei eine Amplitudenmodulation des Laserausgangsstrahls
und keine Pulslagenmodulation erzeugt wird. Ferner ist zu erwähnen, daß wegen des spontanen
Pulsierens des Lasers das Anregungssignal die Impulse nicht zu erzeugen braucht und die Pulslagenmodulation
bei verhältnismäßig niedrigen Modulaticsleistungen bewirken kann.
Eine Ausführungsform der Erfindung wird anhand der
Zeichnungen näher erläutert; es zeigt
F i g. 1 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform der Erfindung,
F i g. 2 ein Diagramm zur Darstellung der Abhängigkeit der Impulsfolgefrequenz des pulsierenden Laserausgangsstrahls
vom Injektionsstrom, bezogen auf die Schwellenwertstromstärke, und
F i g. 3 ein Diagramm zur Darstellung der Abhängigkeit der Modulationsleistung von der Frequenz, das die
Bereiche zeigt, in denen der Laserausgangsstrahl mit dem Modulationssignal phasenstarr gekoppelt ist.
In F i g. 1 ist eine Anordnung zum Modulieren eines Halbleiter-Lasers 10 dargestellt, der gegebenenfalls mit
einer nicht gezeigten Kühleinrichtung versehen wird und der sowohl mit einer Gleichspannungsquelle 14 als
auch mit einer Wechselspannungsquelle 16 geringer Leistung (d. h. mit einer Informationsquelle) zur
Amplitudenmodu'ation des Injektionsstromes entsprechend der Eingangsinformation gekoppelt ist. Im
einfachsten Fall befindet sich der Laser in Parallelschaltung sowohl zur Gleichspannungsquelle 14, die in Reihe
mit einer Spule 12 geschaltet ist, als auch mit der Wechselspannungsquelle 16, die in Reihe mit einem
Kondensator 15 geschaltet ist. Induktivität und Kapazität der Elemente 12 und 15 sind so gewählt, daß die
beiden Spannungsquellen voneinander isoliert sind, so daß der Spannungsabfall am Laser im wesentlichen
gleich der Summe der Spannungen der beiden Quellen ist.
Der Wert der Gleichspannung wird so gewählt, daß ein selbstinduziertes Pulsieren im Ausgangsstrahl des
Lasers 10 auftritt. Diese Spannung hängt vom jeweiligen Laser und von der Temperatur ab. Für
Galliumarsenid-Halbleiter-Laser bei Temperaturen des
flüssigen Stickstoffs ist die Spannung gewöhnlich diejenige, bei der eine Stromstärke des 1,1- bis 3fachen
der Schwellenwertstromstärke für stimulierte Emission erzeugt wird. Die Impulsfolgefrequenz liegt dann
gewöhnlich zwischen 0,5 und 3 GHz. Der genaue Bereich der Gleichspannung;·» Hie ein Pulsieren bei
dem betrachteten Laser bewirken, läßt sich empirisch dadurch ermitteln, daß die Spannung verändert, das
Laserlicht mit einer Photodiode detektiert und die Ausgangsspannung der Diode mit einem Mikrowellen-Spektralanalysator
untersucht wird. Wenn spontanes Pulsieren eingetreten ist, wird die Wechselspannungsquelle
16 so eingestellt, daß eine phasenstarre Kopplung des pulsierenden Laserausgangsstrahls mit dem Modulationssignal
verhindert wird; wie nachfolgend beschrieben wird.
Die Veränderung der Impulsfolgefrequenz des Laserausgangsstrahls in Abhängigkeit von der Injektionssjomstärke
/ der Gleichspannungsquelle 14 oberhalb der Schwellenwertstromstärke Ia, ist in Fi g. 2
gezeigt Im Bereich 20 ist die Modulation des Laserausgangsstrahls in erster Linie rauschinduziert
ίο Am Scheitel 21 (Strom Ij) beginnt die Modulationstiefe
zuzunehmen, wobei der Laserausgangsstrahl im Mittelteil des Bereiches 22 im wesentlichen sinusförmig
moduliert ist Etwa am Punkt 23 (Strom /2) erreicht die
Modulationstiefe 100%, d.h. der Laserausgangsstrahl pulsiert spontan. Am Punkt 24 (Strom /3) verändert sich
die Steigung der Kurve vom Negativen im Bereich 22 ins Positive im linearen Bereich 26, in welchem der
Laserausgangsstrahl immer noch spontan pulsiert Es ist der Bereich 26, in welchem der Arbeitspunkt 25 (Strom
/0 = 1,4 χ Ith, beispielsweise) gewählt wird. Wenn
dieser Punkt einmal festgelegt ist wird das Modulationssignal der Wechselspannungsquelle 16 eingeschaltet
was zur Folge hat, daß sich der Injektionsstrom längs der Kurve entsprechend der Amplitude des
Informationssignals von der Quelle 16 ändert Diese Veränderungen in der Amplitude ergeben eine Modulation
der Impulsfolgefrequenz. Bei verhältnismäßig geringen Leistungen Pm (gewöhnlich 1 mW) wurden
Modulationsfrequenzen bis zur Höhe der halben Impulsfolgefrequenz von etwa 1,2 GHz erzielt.
Die Wahl des Arbeitspunktes 25 im linearen Bereich 26 ist vorteilhaft da in diesem Bereich die Impulsfolgefrequenz
des Laserausgangsstrahls linear (d. h. ohne harmonische Verzerrungen) den Amplitudenänderungen
des Informationssignals folgt Obwohl durchführbar würde die Wahl eines Arbeitspunktes in einem
nichtlinearen Bereich harmonische Frequenzen erzeugen, was die Verwendung einer elektronischen Kompensationsschaltung
(an sich bekannt) notwendig macht.
Ein weiterer Vorteil wird durch eine Erhöhung der Steigung des Bereiches 26 erzielt, d. h., es wird der
gleiche Modulationsbetrag der Impulsfolgefrequenz mit kleineren Modulationsstromänderungen erhalten, wodurch
sowohl die erforderliche Modulationsleistung als auch die Aufheizeffekte herabgesetzt werden, die durch
einen hohen Modulationsstrom hervorgerufen werden. Außerdem verringert eine Erhöhung der Steigung eine
unerwünschte Amplitudenmodulation der Ausgangsimpulse, und verringert durch Herabsetzen der Modulationsleistung
Pn, die Gefahr weiter, daß der Laserbetrieb in Bereiche mit phasenstarrer Kopplung kommt.
Da der Bereich 26 temperaturabhängig ist, läßt sich die Steigung der Kurve leicht dadurch verändern, daß
die Temperatur der Wärmesenke verändert wird. Die Richtung der Veränderung wird empirisch bestimmt, da
durch Erhöhen der Temperatur die Steigung bei manchen Laserdioden zunimmt, während durch Herabsetzen
der Temperatur die Steigung bei anderen Dioden zunimmt.
Die Art und Weise, in welcher die phasenstarre Kopplung verhindert wird, ist am besten aus F i g. 3
ersichtlich, die die Abhängigkeit der Modulationssignalleistung Pm von der Modulationssignalfrequenz vm,
sowie die Bereiche zeigt, in welchen die phasenstarre Kopplung des Laserausgangsstrahls mit dem Modulationssignal
auftritt. Diese Bereiche mit phasenstarrer Kopplung befinden sich innerhalb der schraffierten
Bereiche der Kurven 30 bis 37. Eine phasenstarre
Kopplung erfolgt, wenn vm = tj v«, wobei N und M
ganze Zahlen sind und Pn, eine bestimmte Mindestleistung
bei dieser Frequenz überschreitet. Beispielsweise muß bei vm = '/3 vr der Wert von Pn, mindestens so
groß wie Pm 3 sein, damit eine phasenstarre Kopplung
eintritt. Wenn vm = '/5 vr ist, muß für eine phasenstarre
Kopplung Pn, 2: Pms sein. Daher bestimmt die Kombination
von Werten {vm Pm) einen Modulationsparameter
und damit einen Punkt im Diagramm der F i g. 3, der außerhalb der schraffierten Bereiche liegen muß, wenn
eine phasenstairre Kopplung verhindert werden soll.
Im Falle eines Informationssignals mit einer Bandbreite Δν, die sich von Vi bis Vh erstreckt und bei vo
zentriert ist, kann eine phasenstarre Kopplung dadurch verhindert werden, indem sichergestellt wird, daß die
Leistung Pm unterhalb derjenigen liegt, die für die
höchste Frequenz von der Form — Vr, die innerhalb der
Bandbreite Δν enthalten ist, für eine phasenstarre
Kopplung erforderlich ist. Daher sind für das gezeigte Beispiel die Frequenzen von der Form i- Vr innerhalb
der Bandbreite Δν wie folgt: '/5 Vr, 1U Vr und '/3 Vr. Die
höchste dieser Frequenzen ist '/3 vr. Um eine phasenstarre
Kopplung zu verhindern, wird daher Pm unterhalb Pm 3 gehalten.
Bekanntlich wird durch das Abtasttheorefn vorgeschrieben,
daß die Übertragung der maximalen Informationskapazität dann erzielt wird, wenn die Modulationsfrequenz
gleich der halben Abtastfrequenz ist Dementsprechend muß die maximale Frequenz Vh
innerhalb des Iinformationsbandes kleiner als '/2 vr sein.
Wenn Vh beispielsweise größer als 2Iz vr wäre, würde das
Abtastsystem nicht in der Lage sein, einen Abtastwert bei '/3 vr von einem bei 2h Vr zu unterscheiden, so daß
keine zusätzliche Informationskapazität dadurch erhalten wird, daß Vn größer als' /2 vr gewählt wird.
Eine graphische Darstellung der in F i g. 3 gezeigten Art kann für jeden Arbeitspunkt 25 (F i g. 2) aufgetragen
werden. Das Verfahren zur Verhinderung einer phasenstarren Kopplung besteht also darin, einen
Arbeitspunkt zu wählen, die Leistung und die Frequenz des Modulationssignals zu verändern, um die Aussage
von F i g. 3 zu erhalten, die maximale Frequenz Vn im
Informationssignal von der Form — vr zu ermitteln, die
Leistung für phasenstarre Kopplung bei dieser Frequenz zu messen und Pm kleiner als diese Leistung zu
halten.
Wie erwähnt zeigt die Theorie an, daß ein spontanes Pulsieren in Halbleiter-Lasern auch aus anderen
Materialien als aus Galliumarsenid hervorgerufen werden kann, wobei auch andere Anregungsmechanismen
statt einer Injektion über einen Übergang vorgesehen sein können. Die Impulsfolgefrequenz in
solchen Lasern kann auch durch Modulieren der Anregungssignalquelle moduliert werden. Beispielsweise
wird bei einem durch Elektronenstrahl angeregten Halbleiter-Laser das Informationssignal dem Strahl
zugeführt und bei einem optisch angeregten Laser die Intensität der optischen Anregungsquelle mit den
Frequenzen des Informationssignals moduliert
Da praktisch jeder untersuchte Halbleiter-Laser ein spontanes Pulsieren bei einem bestimmten Strom und in
einem bestimmten Temperaturbereich zeigte, genügt es,
ein einziges Beispiel eines GaAs-Halbleiterlasers im
einzelnen zu erläutern:
Ein Galliumarsenid-Halbleiter-Laser wurde in der
folgenden Weise hergestellt. Ein η-dotiertes Substrat wurde durch Ziehen eines tellurdotierten Galliumarsenid-Kristalls
im Czochralsky-Ziehverfahren und durch Schneiden des Kristalls in Plättchen hergestellt. Die
Konzentration freier Elektronen des Substrats betrug zwischen 3 und 4,5 χ 1018 Elektronen cm-3. In das
Substrat wurde eine p-dotierte Zone mittels allgemein bekannter Verfahren eindiffundiert. Bei einer Quelle mit
einer 2,0%igen Lösung von Zink in mit Galliumarsenid gesättigtem Gallium betrug die Diffusionszeit 4 Stunden
bei 8000C. Die Tiefe des auf diese Weise gebildeten Übergangs betrug etwa 1,8 μπι.
Das Substrat wurde darauf wärmebehandelt. Nachdem eine etwa 95 nm dicke SiO2-Schutzschicht aufgebracht
worden war, wurde das Substrat zusammen mit einigen Milligramm reinem Arsen in eine Quarzampulle
(eines Volumens von etwa 7 cm3) gebracht Die Ampulle wurdeauf einen Druck vpn 10-'Torr (1,33 χ 10-'°bar)
evakuiert. Hierauf wurde die Ampulle 4 Stunden lang auf 8500C erhitzt und durch Eintauchen in Eiswasser auf
0°C abgeschreckt.
Nach der Wärmebehandlung wurden die elektrischen Kontakte zur n- und p-Zone der Diode hergestellt
Durch das Oxid auf der p-dotierten Zone wurden mittels photolithographischer Methoden Streifen mit Abmessungen
von 25,4 χ 380 μπι geschnitten. Sodann wurde eine zweite Diffusion durchgeführt, um einen guten
ohmschen Kontakt zur p-dotierten Zone zu erhalten.
(Diese Diffusion verursacht keine Änderung der ursprünglichen Diffusion und wird nur zur Herstellung
guter Kontakte angewendet.) Dieser Schritt wurde mittels allgemein bekannter Verfahren unter Verwendung
einer Quelle aus reinem Zinkarsenid und mit einer Diffusionszeit von 15 Minuten bei 650° C durchgeführt
Durch diese Diffusion wurde eine stark dotierte, weniger als 300 nm dicke Schicht in der p-Zone
erhalten. Sodann wurde ein metallischer Kontakt aus 50 nm Titan, 500 nm Silber und 100 nm Gold auf die
p-Zone aufgebracht Die η-dotierte Seite wurde auf eine Dicke von 105 μΐη geläppt und ein Kontakt aus 200 nm
Zinn. 400 nm Nickel und 400 nm Gold aufgebracht Das Substrat wurde dann angerissen und gespalten, um
einzelne Fabry-Perot-Resonatoren mit Endabmessun-
^s'^gen von etwa 100 χ 380 χ 625 μπι zu bilden.
Der fertige Laser wurde dann auf einer Wärmesenke aus Kupfer aufgebracht und in einem Mikrowellengehäuse
mit einem Fenster angeordnet so daß das Licht aus dem Laser austreten kann. Die Anordnung wurde
als Abschluß einer 50-Ohm-Mikrowellenübertragungsleitung
eingesetzt um eine gute Kopplung der zugeführten Mikroweilensignale in den Laser zu
erhalten.
Für bestimmte Bereiche des Injektionsstromes (zwischen dem einfachen und zweifachen Betrag der
Schwellenwertstromstärke) und Temperaturen der Wärmesenke zwischen 77K und 11 OK bestand die
Lichtemission des beschriebenen Lasers aus spontan
■ erzeugten Impulsen mit Impulsfolgefrequenzen zwisehen
500MHz und 1200MHz. Beispielsweise wurden
bei einem Strom von 670 mA und einer Temperatur der Wärmesenke von 96K Impulse bei 620 MHz erzeugt
deren Gesamtbreite bei der Halbwertsleistung etwa 400 psec betrug. Unter diesen Bedingungen wurde die
maximal nutzbare Frequenz der Pulslagenmodulation (d. h. 310 MHz) erzielt Wie erwähnt, ergeben Frequenzen,
die höher als V2 vr liegen, obwohl erzielbar, keine
zusätzlich übertragbare Informationskapazität
Die Ausführungsform nach Fig. 1 kann leicht mit einer elektrooptischen, rein optischen oder rein
elektrischen Rückkopplungseinrichtung kombiniert werden, um die Impulsbreite zu verringern und die
Impulsfolgefrequenz des spontan pulsierenden Laserausgangsstrahls zu stabilisieren. Beispielsweise wurde
mit einer elektrooptischen Rückkopplung (d. h. das Ausgangssignal einer von den Laserimpulsen beauf-
schlagten Photodiode wurde verstärkt und auf den Laser-Injektionsström rückgekoppelt) bei einem spontan
pulsierenden Laser (Strom 489 mA, Temperatur der Wärmesenke 95K. und Impulsfolgefrequenz 790 MHz)
die Impulsbreite von 400 psec auf weniger als 200 psec herabgesetzt und die Spektrallinienbreite von 1,5 MHz
auf weniger als 100 kHz verringert.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Verfahren zum Modulieren eines Halbleiter-Lasers,,bei
dem spontanes Pulsieren im Laser durch die Zufuhr eines geeigneten Anregungssignals induziert
wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Anregungssignal entsprechend der Eingangsinformation
amplitudenmoduliert wird und gleichzeitig die Modulationsleistung und die Modulationsfrequenz
so eingestellt werden, daß phasenstarre Kopplung des modulierenden Signals mit dem
Laserausgangsstrahl verhindert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Modulationsleistung geringer als
die Mindestleistung gehalten wird, bei der eine phasenstarre Kopplung bei der höchsten Frequenz
in der Form — vr auftritt, die innerhalb der
M
Bandbreite des modulierenden Signals enthalten ist, wobei M eine ganze Zahl von Vr die Impulsfolgefrequenz
ist
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Gleichstrom-Arbeitspunkt des
Lasers festgelegt wird (F i g. 2), das Pulsierverhalten des Lasers bei Veränderungen des Zusammenhangs
zwischen der Modulationsfrequenz und der Modulationsieistung gemessen wird, um die Arbeitsbereiche
des Lasers zu bestimmen, in welchen das Laserimpulsausgangsignal mit dem modulierenden Signal
gekoppelt ist (F i g. 3), die erwähnte höchste Frequenz der Form ' vr bestimmt wird, die für
phasenstarre Kopplung bei tier höchsten Frequenz erforderliche Mindestmodulationsleistung gemessen
wird, und diese Modulationsleistung niedriger als die erwähnte Mindestleistung gehalten wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Gleichstrom-Arbeitspunkt des
Lasers in einem linearen und temperaturabhängigen Teil der Ausgangsfrequenz/Anregungsstrom-Kennlinie
des Lasers festgelegt wird (25 in F i g. 2).
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Lasertemperatur im Hinblick auf
möglichst geringe erforderliche Modulationsleistung eingestellt wird.
6. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß den Ansprüchen 1, 2 oder 4, gekennzeichnet
durch eine Anregungssignal-Stromquelle (14, 12) zum Anlegen einer Gleichspannung an den Laser in
ausreichender Höhe, um selbstinduziertes Pulsieren des Lasers herbeizuführen, und eine Schaltung (16,
15) für die Zufuhr eines modulierenden Signals von geringer Leistung zum Laser zur Amplitudenmodulation
des Anregungssignalstroms.
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