DE2043065A1 - Halbleiter Speicher - Google Patents

Halbleiter Speicher

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DE2043065A1
DE2043065A1 DE19702043065 DE2043065A DE2043065A1 DE 2043065 A1 DE2043065 A1 DE 2043065A1 DE 19702043065 DE19702043065 DE 19702043065 DE 2043065 A DE2043065 A DE 2043065A DE 2043065 A1 DE2043065 A1 DE 2043065A1
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/39—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using thyristors or the avalanche or negative resistance type, e.g. PNPN, SCR, SCS, UJT

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

  • In Halbleiterteohnik aufgebaute Speicher z.B. fur die Computer-Technik sind bekannt. Sie bestehen aus mehreren Halbleitern, Z .3. Feldeffekt-Transistoren, die zu einer Speicherzelle zusammengeschaltet sind. Eine Vielzahl solcher Speicherzellen bilden unter sinnvoller Zusammenschaltung in integriertor Technik dann den gewünschten Speicher.
  • Um eine wesentlich höhere Speicherdichte und um die Kosten des Speichers Je speicherbarem bit gesenkt au erhalten, wird erfindungsgeinaß eine neue Art von Speicherzelle fLir integriert aufgebaute Halbleiter-Speicher vorgesehen.
  • Diose erfindungsgemäß vorgesehene Speicherzelle besteht aus nur einem Halbleiter mit Gebieten negativer Widerstandsoharakteristik in seiner Strom -Spannungs -Kennlinie. Eine Vielzahl dieser aus einem solchen Halbleiter bostehenden Speicherzellen wird dann in integriertor Halbleitertechnik zu der gewünschten Speicher-Matrix zusammengeschaltet HalbloiXtor mit Gebieten negativer Widerstandscharakteristik in ihren Strom-Spannung -Eurven sind in der Lage, innerhalb eines bestimmten Spannungsbereiches zwei Schaltzustände einzunehmen. Wird dieser Spannungsbereich überschritten, so schaltet der Halbleiter in einen niederohmigen Zustand um, wird dieser Spannungsbereich unterschritten, so schaltet er in den anfänglichen Hochohmigen Zustand zurück. Als Beispiel solcher Halbleiter mag golten: Tumneldioden, spezielle Avalanchedioden, Unijunctiontransistoren, Vierschichtdioden, Thyristoren, Fünfschichtdioden, Triacs und andere.

Claims (1)

  1. P A T E N T A N S P R U C H :
    Ingrierter Halbleiter-Speicher, dadurch gekennzeichnet, daß das Kernstück einer jeden seiner Speicherzellen durch einen Halbleiter gebildet wird, der in soinor Strom - Spauninge -Charakteristik Gebiete negativen Widerstandes aufweist. Zugeschaltete Widerstände etc. mögen das Schaltverhalten nach Wunsch modifizieren.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2307335A1 (fr) * 1975-04-07 1976-11-05 Ibm Transistor a effet de champ bistable a mode multiplication et memoire utilisant celui-ci
DE2631285A1 (de) * 1976-07-12 1978-01-19 Siemens Ag Statisches speicherelement

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2307335A1 (fr) * 1975-04-07 1976-11-05 Ibm Transistor a effet de champ bistable a mode multiplication et memoire utilisant celui-ci
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