DE2029013A1

DE2029013A1 - Vorrichtung zum Aussprühen von Material aus einem Substrat durch Ionenbeschuß

Info

Publication number: DE2029013A1
Application number: DE19702029013
Authority: DE
Inventors: Lawrence Vincent Hopewell Junction; Maissei Leon Israel Poughkeepsie; Standley Charles Lampert Wappinger Falls; N.Y Gregor, (V.St.A.)
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1969-06-18
Filing date: 1970-06-12
Publication date: 1970-12-23
Also published as: US3617463A; FR2046839B1; GB1292198A; FR2046839A1; JPS4940109B1

Description

International Business Machines Corporation, Armonk, I.Y. 10504 Vorrichtung sum Ausstrühen von Material aus einen Substrat duroh

lenenbeachuS.

Die Erfindung betrifft eine Verrichtung sun Aussprtthen von Material aus einem Substrat durch XonenbesehuB mit eine? evakuierbaren,mit einer dünnen Edelgasatmosphäre gefüllten Kammer, in der eine geger-Über der Kammerwandung an eine Hoehfrequen*epannungequelle angeeohlos« sene Elektrode eur Auflage des Substrates vorgesehen ist.

Sei einer bekennten Vorrichtung ähnlicher Art -steht die Elektrode unter Gleiohspannungapotentlal. Bei Betrieb bildet sich dann ue das Substrat ein Ionenmantel, der den «eiteren AuSeprtthvorgang behindert· Diese nachteilige Wirkung «ird bei Vorrichtungen der eingangs genannten Art durch die an die Elektrode angelegte Hochfrequenzwechselspannung vermieden, die aber sur Folge hat, daß der Aueeprühvorgang nicht auf den Slektrodenbereloh beschränkt ist· Vielmehr «erden auch die umliegenden Teile der Kammerwandung von Ionen oder geladenen Materieteilchen getroffen, duroh die dann Material ausgesprüht werden kann. Dabei kann es sich auch um Material handeln, das gerade zuvor aus dem Substrat ausgesprUht wurde und eich auf

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der Kammerwandung nieder geschlagen hat. Diesea unerwünschte ausgesprühte Material kann auf daß Substrat gelangen und dieses verunreinigen. Solche Verunreinigungen sind unerwünscht und in vielen Fällen sehr uchädHiofa bsstefeungsneeis® nachteilig.

Aufgabe der Erfindung ist es, ©in® Vorrichtung der eingangs genannten Art so auszugestalten, daS diese Verunreinigungen vermieden werden können.

Die Erfindung ist dadursh gekennzeichnet, daB ela Fänger mit einer zum Substrat offenen Rippejiatruktur der Auflageseite der Elektrode für daß Substrat gegenilbarTder Kammer angeordnet ist. Der Fänger ist räumlich an einer Stelle angeordnet, an der sich di© unerwünschte Äusapriihung tatsächlich abspielt. Die Bippenstruktur behindert einersetis das Aussprühen von Materialien durch Xonenbesohuß, weil sie diesemloneabaaehuS für am AuasprtUaan ungünstig angestellte Flächen biats&uncl andererseits läSt ate aus dea Sippenmaterial auagesprüht® Materie beirorsugt la die Tiefe der Blppenstruktar gelamgen, was uissoliäslXisä ±®t und nlclxt su Verunreinigungen des Substrates führen kann«

Eine besonders ainfacbe Auogvetaltong der Erfindung lat dadurch ge~ kennzeichnet, daß die Bippenatroktur alt ihrer dem Substrat abgekehrten Rücke ei te auf einer Platte befestigt ist, die sich etwa parallel zur Auflagefläche für das Substrat S erstreckt. Die Platte kann dann gleichseitig die eine, eine Kammerwandung bildende, Deckplatte sein·

Eine wirkungsvolle geometrische Geetaltung der Rippenstruktur ist dadurch gekennzeichnet, daß die Rippen der Rippenstruktur mit der ganzen Länge ihrer Fußenden an der Platte befestigt sind, so daß zwischen je zwei benachbarten Rippen ein nur zum Substrat offener Kanal stehen bleibt. In den so gebildeten Kanälen fangen sich die ausgesprühten Materieteilchen und landen schließlich, nachdem sie unter Umständen wiederholt ausgesprUht worden sind, auf dem Boden der Kanäle, der durch die Platte gebildet wird. Eine bevorzugte

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Bemessung, die sich bewährt hat ist dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand der Rippen auf der ganzen Höhe der Rippen konstant etwa ein Drittel der Rippenhöhe beträgt.

Bemerkenswert ist, daß Materieteilchen, die aus dem Substrat ausgeschlagen «orden sind, mit hoher Wahrscheinlichkeit von vornherein in die Tiefe der Kippenstruktür eindringen und nur mit sehr geringer Wahrscheinlichkeit nieder auf das Substrat zurückgelangen können« Dies ist deshalb bemerkenswert, neureich beispielsweise bei mehrschichtigen Substraten oder anderen Substraten, die aus verschiedenen Materialien bestehen, um Katerlallen handeln kann, die eine außerordentliche schädliche Verschmutzung verursachen. Solehe besondere schädliche Materialien kann man unter Umständen bei der Herstellung der Kammerwandung und der übrigen Teile der Vorrichtung von vorherein vermeiden» aber bei« Substrat selbst sind diese Materialien unter Umständen nicht veraeidbar.

Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt:

Flg. 1 eine Vorrichtung nach der Erfindung in Schnitt, Flg. 2 eine abgeänderte Ausgestaltung des Fängers la Schnitt, Fig. 3 den Fänger aus Fig. 2 in Drauf sieht, Fig. 4 den Fänger aus Fig. 1 in Draufsicht und Fig. 5 den Fänger aus Fig. 1 beziehungsweise 4 im Schnitt.

In Flg. 1 ist schematisch eine Sprüheinrichtung 10 nach der Erfindung dargestellt, die eine vakuumdichte Kammerraufwelst, in der eine Elektrode 12 angeordnet 1st. Die Elektrode 12 dient gleichzeitig als Halter für das auszusprühendβ Substrat S. Der Elektrode gegenüber ist in der Kammer ein Fänger 14 angeordnet. Die Kammer beet eh t aus einer Bodenplatte 16 aus elektrisch leitendem Material, einer zylindrischen Wandung 18 aus Glas oder Metall und einer Deckplatte 20, die entweder mit dem Fänger 14 aus einem Stück bestehen kann oder ein besonderes Element sein kann, auf dem der Fän-

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ger 14 montiert 1st. Die Beckplatte 20 1st ebenso wie die Bodenplatte 16 an der Wandung 18 befestigt und besteht aus elektrisch leitendem Material. Mit 22 sind Dichtringe bezeichnet, die zwischen der Wandung 18 einerseits und der Deckplatte 20 beziehungsweise der Bodenplatte 16 andererseits angeordnet sind und dort vakuumdicht abdichten. Die Deckplatte und Bodenplatte sind an Massenpotential 21 angeschlossen. Die Elektrode 12 ist In an sich bekannter Weise ausgebildet und besteht aus einem Elektrodeneleinent 24 aus elektrisch leitendem Material / einem ringförmigen Isolationselement 26 aus dielektrischem Material, in welchem das Elektrodenelement 24 gehaltert ist und durch welches das Elektrodenelement 24 gegenüber der Bodenplatte 16 elektrisch Isoliert ist. Außerdem let ein Mantel 28 vorgesehen. Das Elektrodenelement 24 kann bei Bedarf an eine Flüssigkeitskühlung angeechloseen sein und von Kühlflüssigkeit durchströmt werden. Zu diesem Zweck ist eine Kühlflüssigkeitsleitung 29 Innerhalb der Elektrode vorgesehen, die in einen In der Zeichnung nicht sichtbaren Hohlraum des Elektrodenkopf es 13 führt, und über die in diesen Hohlraum Kühlflüssigkeit eingepumpt und wieder abgesaugt werden kann. Die Kühlflüssigkeit kann von außen über einen Stutzen gemäß dem Pfeil 30 zugeführt und über einen anderen Stutzen gemäß dem Pfeil 31 wieder abgezogen werden, die KUhIflttesigkeit kann in der Elektrode bei entsprechender Leitungeausgestaltung auch zirkulieren. Das Substrat S liegt auf einer Unterlegeplatte 32 aus Glas oder Dielektrikum, die ihrerseits auf der Stirnseite dee Blektrodenkopfes 13 liegt. Mit 34 1st eine Hochfrequenzspannungsquelle bezeichnet, die Über eine Kapazität an das Elektrodenelement 24 angeschlossen ist. Die Kapazität 35 soll Gleichspannungen zurück halten. Die Bodenplatte 16 und die anderen leitenden an Massenpotential angeschlossenen Elemente dieneil als Gegenelektrode in der Kammer. Die Kammer wird über eine Vakuumpumpe 36 evakuiert und mit chemisch Inaktivem Gas, wie zum Beispiel Argon über den Einlaßstutzen 38 beschickt« Der Fänger weist eine Vielzahl konzentrischer gegen die Elektrode 12 sich konisch verengender Bippen 40 auf. Die Hippen bestehen vorzugsweise aus Metall, vorzugsweise aus Aluminium. Die Rippen 40 können zusammen mit der Deckplatte ein Gußstück bilden, sie können aber auch aus der Deckplatte heraus gefräst sein, schließlich konner

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ale gesondert hergestellt sein und an der Deckplatte 20 beispielsweise durch Verschweißen befestigt sein· Der Fänger 14 mit der Beckplatte 20 ist in Pig. 4 und 5 noch einmal dargestellt. Beim dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Fänger an der Deckplatte, also am oberen Ende der Wandung befestigt. Er kann aber auch an Ständern, die sich auf der Bodenplatte 16 abstützen, befestigt sein.

Die Rippen des Fängers sind mit der ganzen Länge ihrer Fußenden an der Platte 20 befestigt, so daß zwischen je zwei benachbarten Rippen ein nur zum Substrat offener Kanal stehen bleibt. Der Abstand der Rippen auf der ganzen Höhe der Rippen ist konstant, er beträgt etva ein Drittel der Rippenhöhe. Die Rippen 40 sind kreisrund und konzentrisch zur Mittelachse der Elektrode 12 beziehungsweise Mittelnormalen der Auflagefläche für das Substrat angeordnet. Die Rippen 40 erstrecken sich vom Rippenfuß ausgehend in einem spitzen Anstellwinkel zu der genannten Mittelnormalen hin geneigt. Dieser Anstellwinkel ist für alle Rippen auf dem ganzen Umfang der einzelnen Rippen der gleiche«

Während des Aussprühens wird die Elektrode 12 und die zu ihr gehörigen Elemente mit positiven Ionen des in der Kammer befindlichen Gases bombardiert. Durch dieses Bombardement «erden die nicht durch eine Schutzmaske abgedeckten und geschützten Teile des Substrates ausgesprüht beziehungsweise erodiert. Auch die Maske und die ungeschützten Teile der Unterlegeplatte 32 «erden von Ionen bombardiert. Durch dieses Bombardement wird Material aus den getroffenen Teilen heraus geschlagen, das in verschiedenen Richtungen versprüht und sich an den frei liegenden Oberflächen der Aussprtihvorrichtung also im wesentlichen an der Inneneeite der Kammerwandung 18 und auf dem Fänger 14 niederschlägt. Der Fänger 14 1st so angeordnet, daß der Hauptteil dieser ausgesprühten Materialien sich auf dem Fänger niederschlagt. Wie bereits eingangs bemerkt muß man damit rechnen, daß dadurch Material der Wandungen und auch Material« das sich bereits auf den Wandungen niedergeschlagen hat, erneut ausgesprüht wird. Es ist natürlich Bohädlich, wenn dieses Material, sum Beispiel das Material der Maske und das der Unterlegplatte auf diese Weise auf die Substr»tobtrflache gelangt, di· ausgesprüht werden soll. Der Fänger ist, um dies bu verhindern, so ausgestaltet, daö

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sowohl elektrisch geladene wie neutrale Partikelchen, die auf ihn zufliegen, an die Oberflächen der Rippen 40 gelangen» Sobald dieser? Sprühmaterial auf die Rippenoberfläche gelangt, wird es entweder fest haften bleiben oder re-emittiert werden. Da das Ionenbombardement, das diese Re-Bniasion verursacht, bezogen auf Fig. 1 von unten nach oben gerichtet ist wird re-emittiertes Material nach oben, also an den Fuß der Rippen getrieben. Dort bleibt es nun endgtiltig haften oder es wird erneut emittiert. Wenn es erneut emittiert wird, besteht eine sehr hohe Wahrscheinlichkeit, daß es wieder auf einer anderen Rippenoberfläche landet· Aufgrund der Rippenstruktur des Tangers besteht also eine sehr hohe Wahrscheinlichkeit, daß die einmal in die Rippenstruktur geratenen ausgespxühten Teilchen im Fänger beziehungsweise am Fänger 14 verbleiben. Weiterhin wird durch die Rippenstruktur das Material, das sich im Fänger niedergeschlagen hat, durch Re-emission zunehmend in die tieferen Bereiche zwischen die Rippen, also gegen die Rippenfüße wandern, wodurch die Wahrscheinlichkeit, daß solches Material den Fänger wieder verläßt, verringert wird. Sie Situation, die sich in den Fänger 14 eingesprühten Teilchen bietet, ist etwa die gleiche wie * für einen elastischen Ball, der durch ein kleines Fenster in einen sonst geschlossenen Raum geworfen wird. Er wird dann in diesem Raum an den Wänden hin und her reflektiert und schließlich innerhalb des Raumes zur Ruhe kommen· Die Wahrscheinlichkeit, daß er aus dem Fenster wieder heraus reflektiert wird, ist sehr gering. Der Fänger 14 dient nicht nur dazu, aus dem Substrat der Maske und der Elektrode und dergleichen ..Teilen ausgesprühte Materialien aufzufangen und festzuhalten, sondern auch zu verhindern, daß aus der Deckplatte 20 beziehungsweise dem Fänger selbst keine Materialien au8gesprüht werden, die an das Substrat gelangen können. Der Fänger 14 ist, wie auch alle anderen Teile, Innerhalb der Kammer 15 dem Bombardement durch neutrale und geladene Partikelchen ausgesetzt· Durch dieses Bombardement können aus dem Material des Fängers Teilchen ausgesprttht werden. Die Wahrscheinlichkeit, βββ eolohe ausgesprühten Teilchen j©doch den Fänger 14 verlassen können, ist wesentlich kleiner als im Falle der Fänger 14 nicht vorhanden wäre sondern nur eine glatte Deckplatte 20· Wenn Ionen oder Partikelchen auf eine Oberfläche treffen, dann kann an dem Auftreff-

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Dunlct Material aue dieser Oberfläche ausgest>rUht werden. Wenn die Partikelchen in einem schrägen Winkel eintreffen, dann erfolgt die Re-emiaeion etwa im dazugehörigen optischen Reflektionewinkel. Wenn dagegen Ionen senkre'cht beziehungsweise in Normalen-Richtung auf eine Oberfläche treffen, dann verlassen die ausgesprühten Teilchen die Oberfläche in einer statistischen Verteilung gegenüber der Normalen-Richtung, wobei dieser statistischen Verteilung eine Kosinusfunktion zugrunde liegt. Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 und Fig. 4 und 5 treffen also die Teilchen, die von der Elektrode 12 ausgesprüht werden, in einem schrägen Einfallswinkel auf die Oberfläche 42 der Rippen 40. Das Material, das aus der Oberfläche 42 ausge8prüht wird, tritt unter etwa dem gleichen schrägen Winkel aus, jedoch gerichtet auf den RippenfuQ und trifft so die Oberfläche 44 der-jeweils angrenzenden-Rippe. Das Material wird also entweder sich anlagern oder erneut gegen die Oberfläche 42 der benachbarten Ripoe gesprüht werden. In jedem Fall wird dieses Material Immer weiter, bezogen auf die Fig. 1, nach oben in die Tiefe der Ripüenstruktur getrieben. Wenn das Material auf die Rückseite 44 einer Rippe trifft, dann unterliegt es nur noch sehr geringem Bombardement von Material, das von den die Elektrode umgebenden Bereichen ausgesprüht wird. Material, das auf diese Weise tief in die Rippenstruktur eingedrungen ist, lagert sich schließlich auf der Oberfläche 45 am Fuß der Rippen an und ist dort von weiterem Bombardement durch die davor gelagerte Rippenstruktur weitgehend geschützt.

Bei der bisherigen Figurenbeschreibung wurde davon ausgegangen, das ausgeeprUhte Material, das von der Elektrode 12 oder dem Substrat S und den umgebenden Teilen stammt, im wesentlichen elektrisch neutral ist und nur eine sehr kleine elektrische Ladung aufweist. Der der Erfindung und der Wirkung des Fängers zugrunde liegende Mechanismus beruht aber nicht auf elektrostatischen Ladungen, sondern allein auf der geometrischen Anordnung. Ein elektrisches Potential des Fängers 14 ist für deseen Wirkung ohne große Bedeutung, weil zusätzlich ausgesprUhtes Material, bedingt durch ein bezogen auf die

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Glimmentladung negatives Potential, in der gleichen Weise wie das Ubrige ausgesprühte Material in die Rippenstruktur des Fängers getrieben wird. In der Praxis wird man das Wiederaussprühen des Materials möglichst gering halten, um die Wahrscheinlichkeit, daß solches Material den Fänger verläßt und wieder in den Bereich der Elektrode oder des Substrates gelangen kann, dadurch zu erhöhen. Aus diesem Grunde empfiehlt es sich, den Fänger auf dem niegrigst möglichen Potential, bezogen auf das Plasma, zu halten. Zu diesem Zweck kann man den Fänger, wie in Fig. 1, an Massenpotetial 21 anschließen. Der Fänger 14 kann auch mit anderem Abstand zur Elektrode 12 angeordnet sein. In der Praxis hat sich eine Bemessung als vorteilhaft erwiesen, bei der der Abstand zwischen den einzelnen Rippen etwa ein Drittel der Rippenhöhe beträgt. Die Rippen 40 brauchen nicht unbedingt konzentrisch angeordnet oder kreisrund, ausgebildet zu sein. Die Rippen können auch eine quadratische oder eine rechteckige Grundform haben oder es können geradlinige Rippen parallel zueinander angeordnet sein. Dies sind nur einige Beispiele möglicher Rippenstrukturen.

Fig. 2 und 3 zeigt eine abgeänderte Ausgestaltung des Fängers aus Fig. 1, die anstelle des Fängers aus Fig. 1 bei dem AusfUhrungs- ^: beispiel nach Fig. 1 verwendbar ist. Der Fänger nach Fig. 2 und 3 weist eine Vielzahl konzentrischer kreisrunder zylindrischer Rippen 52 auf, die an der Deckplatte 20 befestigt sind. Die Wirkung dieser Rippenstruktur ist im wesentlichen die gleiche wie im Text zu Fig. 1 und 5 beschrieben, vorteilhaft 1st es jedoch, daß diese Rippenstruktur wegen der zylindrischen Ausgestaltung der einzelnen Rippen leichter herzustellen ist. Auch dieses Ausführungebeispiel mit Rippen, die sich normal zur Deckplatte erstrecken, ist dahingehend abänderungsfähig, daß die Rippen statt kreisförmig und konzentrisch,wie in Verbindung mit Fig. \ erwähnt andere geometrische Formen haben können.

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Tm folgenden wird, ein Beispiel für eine Betriebsweise des dargestellten Ausführungsbeispiels angegeben. Vier Siliziuinblättchen aus Siliziummaterial mit 8 Ohm pro cm, die von 1 bis 4 durchnumeriert sind, worden in einem Trockenofen in reiner Sauerstoffatmosphäre von einer Atmosphäre Druck bei 1000 Grad Celsius oxydiert. Auf diese Weise entsteht eine Siliziumdioxydummantelung (SiO₂) von ungefähr 1000 Angström Stärke. Das Blättchen Nummer 1 dient als Kontrollelement für Vergleichskontrollen. Die Blättchen Nummer 2, 5 und 4 wurden mit Phosphorsilikatglas in einer Stärke von 250 Angström beschichtet und zwar indem diese Blättchen in einer POCl, - Gasatmosphäre auf 850 Grad Celsius erhitzt werden» Das Phosphorsilikatglas wurde dann von dem Blättchen Nummer 2 durch AuseprUhen mit einem bekannten Sprühapperat abgeätzt. Dieser bekannte Sprühapparat hatte keinen dem Fänger 14 entsprechenden Fänger. Bei den Blättchen Nummer 3 und 4 wurde das PhosphorsilikatglaB in einer Aussprühvorrichtung nach der Erfindung, also einer solchen, mit einem Fänger 14 ausgesprüht. Der Sprühvorgang erfolgte mit Watt und dauerte so lange an, bis das gesamte Phosphorsilikatglas aus- beziehungsweise abgesprüht war· Unmittelbar danach wurde Siliziumnitrid durch reaktives Aufsprühen mit einem bekannten Hochfrequenzeprühapuarat, in dem sich ein Siliziumziel befand, niedergeschlagen. In der Kammer dieses Apparates war bei diesem Sprühvorgang Stickstoff unter einem Druck von 3 Mikron und die Leistung betrug 4,2 Watt pro cm· Anschließend wurden Aluminiumeinschlüsse durch Elektronenbeschuß mittels einer Elektronenkanone aus der Oberfläche der Siliziumnitridsohicht herausgedampft. Das Ergebnis ist ein Metall - Isolator - Halbleiterkondensator bekannter Art»

Die Kapazität eines solchen Kondensators hängt von der Größe der Gleichspannung ab, die angelegt wird. Hißt man die Kapazität C als Funktion der angelegten Gleichspannung V, dann gewinnt man eine Bandbreitenspannung Vp_B, die für die Oberflächenbesohaffenheiten des Halbleiters charakteristisch ist und die Funktionen dieses Halbleiters gut kennzeichnet. Dem liegt folgende Gleichung zugrunde;

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^NFB - .^{C 7}PB

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In Gleichung 1 bedeutet Np_B die Bandbreitenladung und q die Einheit der Elektronenladung. In entsprechender Weise kann man die Stabilität der Halbleiteroberfläche nach thermisch elektrischer Beanspruchung durch die Bandbreitenladung N_pB ausdrücken. Es ist wünschenswert das /\ N₅₁₅ bei elektronischen Halbleiterelementen möglichst klein zu halten. Es gilt:·

<1 Δ ⁿfb ^{= C} Δ ^vpB (Gleichung 2)

Die Bandbreitenspannung V_pß wird gemessen, nachdem Elektroden angesetzt sind und nachdem das Element geglüht ist. Die Bandbreitenladung Np₉ wurde einmal sofort und einmal im Anschluß an den Aussprühvorgang gemessen. Die Ergebnisse, die auf diese Weise bei den nach diesem Beispiel behandelten Elementen gewonnen wurden, sind in der nachfolgenden Tabelle angegeben.

Element	SiO₂C+PSO)+Si₅N₄	Erster gemessener Wert	Im Anschluß an die Behandlung gemessener Wert	Bemerkung
	SiO₂C+pso )+si₅ir₄
	SiO₂C+PSO)+Si₅H₄	N_pB χ 10 /cm	2,57 1,9
2.	1,43 2,0	0,83	Kein Phosphor silikatglas kein Fän ger kein Fän ger
3.	0,78	0,91	Fänger
4.	0,80	Fänger

In der Tabelle bedeutet PSO Phosphorsilikatglas

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stA

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ist ein Maß für die Stabilität der Halbleiteroberfläche. Die Instabilität der Halbleiteroberfläche ist bei diesen Versuchselementen direkt abhängig von den Verunreinigungen, die während des Auasprühens der Phosphosilikatschicht entstanden. Das Element Nummer 2 zeigt die Ergebniese, nenn Natrium mit Phosphoroilikatglas jedoch ohne die Verwendung eines Fängers ausgesprüht wurde. Die Elemente 3 und 4 zeigen die günstige Wirkung des Fängers. Es wird auf die geringere Werte für ^ Nj_{1 B} bei den Elementen Nummer 3 und im Vergleich zu dem Element Nummer 2 verwiesen. Der Unterschied in dem Wert für A%jj zwischen den Elementen Nummer 1 und 2 ist bedingt durch einen Gättereffekt aufgrund des Phosphorsilikatglasee.

Der Vergleich der Werte der Elemente 3 und 4 mit denen der Elemente 1 und 2 zeigt deutlich die günstige Wirkung des Fängers, der eine Wiederverschmutzung durch Wiederaussprühen bereits ausgesprühter und niedergeschlagener Teilchen weitgehend verhindert.

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Claims

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ANSP RÜCHE

1.) Vorrichtung sum Aussprühen von Material aus einem Substrat durch -^ Ionenbeschuß.mit einer evakuierbaren _f mit einer dünnen Edelgasatmosphäre gefüllten Kammer, in der eine gegenüber der Kammerwandung an eine Hochfrequenzspannungequelle angeschlossene Elektrode zur Auflage des Substrates vorgesehen ist, dadurch-gekennzeichnet, daß ein Fänger ( 14) mit einer zum Substrat offenen Rippenstrufctur (40) der Auflageseite der Elektrode (12) für das Substrat gegenüber in der Kammer (15) angeordnet 1st.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1," dadurch gekennzeichnet, daß die Rippenstruktur (14) mit ihrer dem Substrat abgekehrten Rückseite auf einer Platte (20) befestigt ist, die etwa parallel zur Auflagefläche für das Substrat S erstreckt,

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte (20) gleichzeitig die eine Kaiimerwandung bildende Deck- * platte ist.

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4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die

Rippen der Ripuenetruktur mit der ganzen länge ihrer Fußenden an der Platte(20) befestigt sind, so daß zwischen je zwei benachbarten Rippen ein nur zum Substrat offener Kanal stehen bleibt.

5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand der Rippen auf der ganzen Höhe der Rippen konstant etwa ein Drittel der Rippenhöhe beträgt.

6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehend» Ansprüche, dadurch gekennzeichnet« daß die Rippen (40) kreisrund und konzentrisch zur Mittelachse der Elektrode (12) beziehungsweise Mittelnormalendtr Auflagefläche sind.

7. Vorrichtung nach Anspruch 6» dadurch gekennzeichnet, daß die Rippen sich in Richtung der Plächennormaleriäer Platte (20) er- ^l strecken.

8. Vorrichtung nach Ansprach 6» dadurch gekennzeichnet, daß sich die Rippen (40) vom Rippenfuß ausgehend in einem spitzen Anstellwinkel zur Mittelnormalen hin geneigt erstecken·

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Anstellwinkel für all· Rippen auf dem ganzen Umfang der einzelnen Rippen der gleiche ist.

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