DE2024608B2 - Verfahren zum Atzen der Oberfläche eines Gegenstandes - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ätzen der Oberfläche eines Gegenstandes, wobei eine
formfeste, wenigstens für in einem folgenden Schritt verwendete Strahlung undurchlässige Maske aufgebracht
wird, ein Teil der Oberfläche des Gegenstandes zur Beschränkung der Unterätzung auf einen zulässigen
Grad nach bereits erfolgter Ätzung bzw. zur Verhinderung einer Unterätzung gegen das Ätzmittel abgeschirmt
wird und die Oberfläche grätzt wird.
Beim Ätzen einer Oberfläche, wobei ein Teil der Oberfläche mit einer gegen das vfe vendete Ätzmittel
beständigen Maske abgedeckt ist, tritt nahezu stets Unterätzung auf, d. h, daß beim Ätzen auch ein Teil der
Oberfläche unterhalb der Maske weggeätzt wird. Diese unerwünschte Ätzung erfolgt im allgemeinen mit der
gleichen oder einer größeren Geschwindigkeit als die Ätzung in einer zu der Oberfläche senkrechten
Richtung. Insbesondere führt Unterätzung zu unerwünschten Ergebnissen in denjenigen Fällen, in denen
die Ätztiefe von der gleichen Größenordnung wie die Abmessungen der mit der Maske abgedeckten Teile der
Oberfläche ist
Unterätzung kann gleichfalls auftreten, wenn zwischen der Maske und der zu ätzenden Oberfläche Spalte
vorhanden sind.
Das Maß der Unterätzung kann in gewissen Fällen dadurch beschränkt werden, daß der Ätzvorgang in
einer Anzahl von Schritten durchgeführt wird, wobei nach jedem Schritt eine neue Maske angebracht wird.
Dieses Verfahren ist ziemlich umständlich, weil die Anbringung jeder neuen Maske sorgfältig in bezug auf
die geätzte Oberfläche ausgerichtet wird.
Aus der britischen Patentschrift 10 35122 ist ein
Verfahren bekannt, bei dem der Ätzvorgang gleichfalls in einer Anzahl von Schritten durchgeführt wird. Nach
jedem Schritt wird auf den Seitenflächen der ausgeätzten Teile eine gegen das Ätzmittel beständige Schicht
angebracht Dies kann nach dieser Patentschrift u.a. dadurch erfolgen, daß die geätzte Oberfläche in einen
Abdruck dieser geätzten Oberfläche gedrückt wird, dessen Hohlräume mit einem Material ausgefüllt sind,
aus dem eine gegen das Ätzmittel beständige Schicht erhalten werden kann. Nach einem anderen, gleichfalls
in dieser Patentschrift beschriebenen Verfahren wild auf einen Trägerkörper harzartiges Material, aus dem
eine gegen das Ätzmittel beständige Schicht erhalten werden kann, in Pulverform aufgestreut und die geätzte
ίο umständlich. In einer Ajizahl von Fällen, insbesondere
wenn es sich um das Ätzen verwickelter Muster mit geringen Abmessungen der ausgeätzten Teile handelt,
ist es nicht wahrscheinlich, daß auf zuverlässige Weise Unterätzung vermieden werden kann. Außerdem ist die
ι i Oefahr nicht ausgeschlossen, daß die ausgeätzten Teile
beschädigt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, beim Ätzen auf zuverlässige und einfache Weke unter
Vermeidung von mehreren Ausrichtschritten eine Unterätzung zu vermeiden bzw. auf einen zulässigen
Grad zu beschränken.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß auf der zu ätzenden Oberfläche und auf der Maske
eine Schicht aus einem positiven Photolack aufgebracht
2, wird, wonach die Lackschicht belichtet wird, die
belichteten Teile der Lackschicht entfernt und die freigelegten Teile des Oberfläche geätzt werden.
Die Maske soll formfest sein, daß heißt, sie soll ihre
Form bei der Druchführung der einzelnen Schritte des
jo Verfahrens beibehalten. Die für eine derartige Formfestigkeit
erforderliche Dicke der Maske ist nicht lediglich von den Eigenschaften des Materials, aus dem die
Maske besteht, und von etwaigen Behandlungen, denen die Maske unterworfen worden ist, sondern zum Teil
λ auch von den Abmessungen der auszuätzenden und vor
dem Ätzmittel zu schützenden Teile der Oberfläche und von der Ätztiefe abhängig.
Die zu ätzende Oberfläche kann aus einem beliebigen Material, z. B. aus einem Metall, einem Oxid oder
-to ähnlichem, bestehen. Auf der zu ätzenden Oberfläche
kann durch verschiedene an sich bekannte Verfahren eine Maske angebracht werden, z. B. dadurch, daß die zu
ätzende Oberfläche zunächst mit einer dünnen Metallschicht ζ. B. auf elektrolytischem Wege oder durch ein
v, stromloses Verfahren überzogen und dann ein Teil der
Metallschicht selektiv weggeätzt wird. Bei Verwendung dieses Verfahrens ist es also erforderlich, daß ein Metall
gewählt wird, das mit einem das Substrat nicht angreifenden Ätzmittel geätzt werden kann. Auch kann
in eine Maske durch Aufdampfen und Aufwachsen nach einem bestimmten Muster angebracht werden. Bei
Anwendung einer aus Metall bestehenden Maske wird meistens eine genügende Formfestigkeit bei einer Dicke
in der Größenordnung von 0,1 μίτι erhalten.
Yt Die Maske muß aus einem Material bestehen, das
gegen das beim Ätzen der Oberfläche verwendete Ätzmittel beständig ist Ferner ist es erforderlich, daß
die Maske wenigstens für die in einem folgenden Schritt des Verfahrens zur Belichtung des positiven Photolacks
Die Maske kann aus jedem Material bestehen, das diesen Anforderungen entspricht und das sich in einer
nicht zu dicken gleichmäßigen Schicht auf der zu ätzenden Oberfläche anbringen läßt. Insbesondere
μ bestimmte Metalle, wie Nickel, Chrom, Gold, Silber
haben sich für diesen Zweck als geeignet erwiesen. Auch kann die Maske aus einem Photolack hergestellt
werden. Bei Verwendung eines positiven Photolacks
wird die nach Belichtung und Entwicklung auf der Oberfläche zurückbleibende Schicht derart hoch erhitzt,
daß sich eine chemische Änderung ergibt wobei die Schicht in dem später angebrachten Lack und den dabei
verwendeten Lösungsmitteln unlöslich wird. Auch kann für die Herstellung der Maske ein negativer strahlungsundurchlässiger
Phoiolack verwendet werden.
In gewissen Fällen wird beim Anbringen der Maske eine ungenügende Haftung zwischen den Rändern der
Maskenteile und der zu ätzenden Oberfläche erhalten. .,, In derartigen Fällen wird unmittelbar auf der zu
ätzenden Oberfläche oder nach einer verhältnismäßig kurzzeitigen Ätzbehandlung, durch die der Raum
unterhalb der Maske etwas vergrößert wird, sowohl auf den mit der Maske überzogenen Teilen als auch auf den
nicht überzogenen Teilen der positive Photolack angebracht; dabei werden auch die Kapiliarräume oder
Spalten zwischen der Maske und der zu ätzenden Oberfläche mit Photolack ausgefüllt
In anderen Fällen wird sogleich eine gute Haftung 2«
zwischen der strahlungsundurchlässigen Maske und der zu ätzenden Oberfläche erhalten. In diesen Fillen wird
zunächst die Oberfläche geätzt, bis die hochstzulässige Unterätztiefe erreicht ist Bei dieser Ätzbehandlung
bildet sich unter den Rändern der Maskenteile ein _>■>
Hohlraum oder Spalt in der zu ätzenden Oberfläche. Diese Hohlräume oder Spalten werden mit Photolack
ausgefüllt und dadurch vor fortgesetzter Ätzung geschützt, indem auf die bereits beschriebene Weise ein
positiver Photolack auf der Oberfläche angebracht wird. Nach Belichtung und Entwicklung wird in den beiden
Fällen ein Schutz derjenigen Teile der Oberfläche unterhalb der Maske erhalten, die der Gefahr ausgesetzt
sind, daß sie durch das Ätzmittel angegriffen werden.
Es ist einleuchtend, daß erforderlichenfalls das Verfahren einige Male wiederholt werden kann,
nachdem stets während einiger Zeit geätzt worden ist, bis die höchstzulässige Unterätztiefe erreicht ist
Unter einem positiven Photolack ist hier ein Lack zu verstehen, ir>t dem eine Schicht erhalten werden kann, to
von der nach Belichtung die belichteten Teile in bestimmten Lösungsmitteln besser als die unbelichteten
Teile löslich sind.
Verschiedene positive Photolacke sind käuflich erhältlich.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird nunmehr anhand einiger Ausführungsbeispiele und der Zeichnung
näher erläutert
Die F i g. 1 bis 6 zeigen Stufen einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Beschränkung
>» der Unierätzung auf einen zulässigen Grad, bei dem
nach dem Anbringen der Maske geätzt wird, bevor der positive Photolack angebracht wird.
Die F i g. 7 bis 11 zeigen Stufen einer Ausführungform
des erfindungsgemäßen Verfahrens unter Verhinderung r, einer Unterätzung, bei dem nach dem Anbringen der
Maske gegebenfalls angeätzt, ein positiver Photolack angebracht und dann geätzt wird.
Dieses Beispiel bezieht sich auf das Ausätzen eines Reliefs in einer Metallplatte wobei die Ätztiefe gleich
oder größer als die Hälfte der Breite des schmälsten Teiles des Reliefs ist.
Auf einer Aluminiumschicht 11 (Fig. 1) mit einer h~<
Dicke von 3,5 μιη, die sich auf einem Glassubstrat 10
befindet, wird eine NickHschicht 12 durch Aufdampfen im Vakuum angebracht. Die Nickelschicht 12 weist eine
Dicke von 0,1 μπι auf. Anschließend wird eine Schicht 13
aus einem positiven Photolack auf der Nickelschicht ί2 angebracht In dieser Stufe des Verfahrens kann aber
auch ein negativer Photolack Anwendung finden. Die Photolackschicht 13 wird dann belichtet, wobei sich
zwischen der Lichtquelle und der Photolackschicht eine Maske befindet, die diejenigen Teile der Photolackschicht
gegen Belichtung abschirmt, die als ätzbeständige Abdeckschicht in der nächsten Stufe des Verfahrens
dienen müssen. Die belichteten Teile der Photolackschicht werden dann in einem geeigneten Entwickler
gelöst, wonach die die nicht mit Photolack überzogenen Teile der Nickelschicht mit verdünnter Salpetersäure
(10Vol%) weggeätzt werden (Fig.2). Die Breite der
auszuätzenden Spur beträgt 4,5 μπι.
Die nun nicht mehr mit einer Nickelschicht abgedeckten Teile der Aluminiumschicht werden
anschließend bis zu einer Tiefe von etwa 1 μπι mit
konzentrierter Phosphorsäure weggeätzt Dabei stellt sich heraus, daß Unterätzung auftrit* die in F i g. 3 mit
15 und 16 schematisch dargesteSi* ist Um eine
fortgesetzte Unterätzung zu verhindern, wird auf der Oberfläche eine Schicht 14 aus einem positiven
Photolack angebracht (F i g. 4).
Die Photolackschicht 14 wird nun belichtet Die Teile der Photolackschicht, die sich in den Hohlräumen 15 und
16 befinden, die sich beim Ätzen der Aluminiumoberfläche 11 unterhalb der Nickelschicht 12 gebildet haben,
werden durch diese Nickelschicht gpgen Belichtung abgeschirmt Nachdem die belichteten Teile der
Photolackschicht weggewaschen worden sind, bleibt in diesen Hohlräumen 15 und 16 Photolack zurück, der an
den betreffenden Stellen die Aluminiumoberfläche gegen das Ätzmittel abschirmt und auf diese Weise eine
fortgesetzte Unterätzung verhindert (F i g. 5).
Die Aluminiumoberfläche wird nun weiter geätzt, bis wieder ein gewisser Grad der Unterätzung erreicht ist
(F i g. 6). Das in den F i g. 1 bis 5 schematisch dargestellte Verfahren kann nun erforderlichenfalls wiederholt
werden. Das in diesem Beispiel beschriebene Verfahren kan.-! z. B. zur Herstellung von Leiterbahnen verwendet
werden.
Bei der Herstellung planearer Hochfrequenztransistoren ist es oft erforderlich, in sehr geringer Entfernung
von einem Fenster in der Oxidschicht ein zweites Fenster anzubringen. Das erste Fenster ist z. B. das
Emitterfenster, während dann daß zweite Fenster als Basisfenster dient
Dies kann durch eine Photoätztechnik erzielt werden. Bei der Herstellung des zweiten Fensters muß dann bei
den bekannten Verfahren, mit sehr großer Genauigkeit eine Photomaske über dem Präparat ausgerichtet
werden.
Das nachstehende Ausführungsbeispiel II und die F i g. 7—12 zeigen die Anwendbarkeit des erfindungsgemäßen
Verfahrens bei der Herstellung planarer Transistoren.
Es wird von einem Germaniumpräparat ausgegangen, das in F i g. 7 im Schnitt dargestellt ist. Die Kollektöfschicht
20 ist vom N-Leitfähigkeitstyp (mU Sb dotiert); die Basisschicht 21 ist vom P-Leitfähigkeitstyp (mit
Gallium dotiert), und die Schicht 22 besteht aus SiO2, in
dem die Fenster 23 u.'d 24 ausgeätzt worden sind. Diese Fenster haben einen Durchmesser von 1 μιη; und der
Abstand zwischen den Fenstern 23 und 24 (Mitte zu Mitte) beträgt 4 μπι. Emitterschichten 25 und 26 sind
dadurch erhalten, daß in die Basisschicht durch an sich
bekannte Techniken Arsen (vom N-Leitfähigkeitstyp) hineindiffundiert wird.
In den Emitterfenstern 23 und 24 wird nun auf elektrolytischem Wege Nickel niedergeschlagen.
Die Ablagerung von Nickel wird solange fortgesetzt, bis die Nickelschicht auch auf das S1O2 aufwächst. In der
Praxis stellt sich aber heraus, daß Nickel in ungenügendem Maße auf SiO2 haftet. Um beim Ätzen der
SiCVSchicht eine Ätzung der Schicht unter der Nickeloberfläche möglichsit zu vermeiden, wird auf
folgende Weise verfahren.
Die Nickelschicht wird während kurzer Zeil mit verdünnter Salpetersäure angeätzt.
Dann wird auf der SiCVSchicht 22 und den Nickelschichten 27 und 21Ϊ eine Schicht aus einem
positiven Photolack 30 angebracht; dabei dringt der Photoiack auch in die beim Anätzen gebildeten
Kapillarräume 29 zwischen den Nickelschichten 27 und 28 und der SiO2-Schicht 22 ein.
Die mit der Photolackschicht 30 überzogene Oberfläche wird anschließend belichtet, wobei eine Maske
angewandt wird, die denjenigen Teil der Lackschicht gegen Belichtung abschirmt, unter dem sich die
SiO2-Schicht befindet, die beim Anbringen der Kontakte einen Kurzschluß zwischen dem Emitter- und dem
Basisgebiet an der Stelle, wo die Emitterelektrode angebracht werden wird, verhindern soll; dabei wird
gleichfalls der Lack in den Kapillarräumen 20 gegen Belichtung abgeschirmt. Die belichteten Teile der
Lackschicht 30 werden dann in einem geeigneten Entwickler gelöst. Nun ergibt sich die in Fig. 9
dargestellte Situation. Die S1O2-Schicht wird dann mit
einer NH4F-HF-Lösung in Wasser weggeätzt, wobei
die Nickelschichten 27 und 28 mit dem zurückgebliebenen Lack als Ätzmaske dienen. Nun ist der in Fig. 10
dargestellte Zustand erhalten. Anschließend werden die
■■> Nickelschichten 27 und 28 und der Lack wieder mit
Salpetersäure und einem organischen Lösungsmittel entfernt(Fig. II).
Der Transistor wird nun dadurch fertiggestellt, daß auf der freigelegten Emitter- und Basisoberfläche durch
υ. ein an sich bekanntes Verfahren Kontakte angebracht
werden.
Zur Erläuterung sei noch auf Fig. 12 verwiesen, die
einen Schnitt senkrecht zu den Schnitten der vorhergehenden Figuren zeigt: daraus ist ersichtlich, daß die
', SiOrSchicht 22, die zum Schutz des NP-Überganges /wischen dem Emitter- und dem Basisgebiet 26—21
dient, teilweise mit einer SiO2-Schicht 31 verbunden ist. die u. a. zum Schutz des PN-übergangs zwischen dem
Basis- und dem Kollektorgebiet 21—20 dient. An dem Verbindungspunkt wird eine Anschlußelektrode 32
angebracht, die von der SiO2-Schicht 22 getragen wird und als Emitter-Elektrode dient.
Das Verfahren nach der Erfindung ergibt insbesondere den Vorteil, daß in allen Fällen, in denen Unterätzung
_■·. unterdrückt oder möglichst vermieden werden muß. auf einfache Weise eine Abschirmung der gefährdeten
Stellen ,-agen das Ätzmittel erhalten werden kann.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann zum Ätzen tiefer Nuten bei der Herstellung von Leiterbahnen.
;i, planarer Hochfrequenztransistortn und anderer Halbleiteranordnungen,
z. B. integrierter Schaltungen, verwendet werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Verfahren zum Ätzen der Oberfläche eines Gegenstandes, wobei eine formfeste, wenigstens für
in einem folgenden Schritt verwendete Strahlung undurchlässige Maske aufgebracht wird, ein Teil der
Oberfläche des Gegenstandes zur Beschränkung der Unterätzung auf einen zulässigen Grad nach bereits
erfolgter Ätzung bzw. zur Verhinderung einer Untersätzung gegen das Ätzmittel abgeschirmt wird
und die Oberfläche geätzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß auf der zu ätzenden Oberfläche und auf der Maske eine Schicht aus
einem positiven Photolack aufgebracht wird, wonach die Lackschicht belichtet wird, die belichteten
Teile der Lackschicht entfernt und die freigelegten Teile der Oberfläche geätzt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, unter Verhinderung der Unterätzung, dadurch gekennzeichnet, daß die
Maske vor Anbringen des Photolacks angeätzt wird.
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NL6907831.A NL157662B (nl) | 1969-05-22 | 1969-05-22 | Werkwijze voor het etsen van een oppervlak onder toepassing van een etsmasker, alsmede voorwerpen, verkregen door toepassing van deze werkwijze. |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2024608A1 DE2024608A1 (de) | 1970-11-26 |
DE2024608B2 true DE2024608B2 (de) | 1979-09-06 |
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GB (1) | GB1311509A (de) |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3035859A1 (de) * | 1980-09-23 | 1982-05-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur aetztechnischen und/oder galvanischen herstellung von ringzonen in engen bohrungen |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5313177B2 (de) * | 1973-06-20 | 1978-05-08 | ||
GB1437112A (en) * | 1973-09-07 | 1976-05-26 | Mullard Ltd | Semiconductor device manufacture |
US3955981A (en) * | 1975-01-06 | 1976-05-11 | Zenith Radio Corporation | Method of forming electron-transmissive apertures in a color selection mask by photoetching with two resist layers |
US4111725A (en) * | 1977-05-06 | 1978-09-05 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Selective lift-off technique for fabricating gaas fets |
JPS54115085A (en) * | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of fabricating semiconductor |
US4318759A (en) * | 1980-07-21 | 1982-03-09 | Data General Corporation | Retro-etch process for integrated circuits |
DE3273637D1 (en) * | 1982-04-19 | 1986-11-13 | Lovejoy Ind Inc | Method for shaping and finishing a workpiece |
DE3343704A1 (de) * | 1983-12-02 | 1985-06-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum aetzen von lochrasterplatten, insbesondere fuer plasma-kathoden-display |
US4631113A (en) * | 1985-12-23 | 1986-12-23 | Signetics Corporation | Method for manufacturing a narrow line of photosensitive material |
US4759821A (en) * | 1986-08-19 | 1988-07-26 | International Business Machines Corporation | Process for preparing a vertically differentiated transistor device |
DE3806287A1 (de) * | 1988-02-27 | 1989-09-07 | Asea Brown Boveri | Aetzverfahren zur strukturierung einer mehrschicht-metallisierung |
FR2683944B1 (fr) * | 1991-11-14 | 1994-02-18 | Sgs Thomson Microelectronics Sa | Procede de gravure d'un sillon profond. |
FR2702306B1 (fr) * | 1993-03-05 | 1995-04-14 | Alcatel Nv | Procédé d'auto-alignement d'un contact métallique sur un substrat de matériau semi-conducteur. |
US6361703B1 (en) | 1999-03-04 | 2002-03-26 | Caterpillar Inc. | Process for micro-texturing a mold |
TWI234819B (en) * | 2003-05-06 | 2005-06-21 | Walsin Lihwa Corp | Selective etch method for side wall protection and structure formed using the method |
-
1969
- 1969-05-22 NL NL6907831.A patent/NL157662B/xx not_active IP Right Cessation
-
1970
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- 1970-05-21 BE BE750761D patent/BE750761A/xx unknown
- 1970-05-21 FR FR7018478A patent/FR2048615A5/fr not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3035859A1 (de) * | 1980-09-23 | 1982-05-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur aetztechnischen und/oder galvanischen herstellung von ringzonen in engen bohrungen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3721592A (en) | 1973-03-20 |
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JPS4843249B1 (de) | 1973-12-18 |
FR2048615A5 (de) | 1971-03-19 |
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CA933019A (en) | 1973-09-04 |
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