DE2022457A1

DE2022457A1 - Integrierte Schaltung

Info

Publication number: DE2022457A1
Application number: DE19702022457
Authority: DE
Inventors: Langdon Jack Lee
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1969-05-12
Filing date: 1970-05-08
Publication date: 1970-11-19
Also published as: CH501316A; GB1246775A; FR2042556B1; CA931277A; US3656028A; JPS5422753B1; FR2042556A1

Description

2012457

IBM Deutschland Internationale Büro-Maschinen Gesellschaft mbH

Anmelderin:

Amtliches Aktenzeichen:

Aktenzeichen der Anmelderin:

Eöblingen, 5. Mai 1970 gg-gⁿ

International Business Machine s Corporation, Armonk, N. Y. 10504, V. St. v. A.

Neuanmeldung

Docket

FI 968 021

Integrierte Schaltung

Die Erfindung betrifft integrierte Schaltungen, bestehend aus einem Halbleiterplättchen mit mehreren Halbleiterelementen bzw. mehreren Einzelschaltungen und zugeordneten, an eine Energiequelle anschließbaren Speiseleitungen,

In monolithischen Halbleiter schaltungen, bei denen eine grosse Anzahl von Schaltelementen in einer einzigen Vorrichtung untergebracht sind, besteht das Problem, alle Schaltelemente respektive -alle Schaltkreise mit elektrischer Energie zu versorgen. Dazu sind schon eine Reihe verschiedener Vorschläge gemacht worden. Beispielsweise betreffen die französischen Patentschriften 2 000 269 und 2 000 270 Möglichkeiten für die Zuführung elektrischer Energie zu den einzelnen Verbrauchern innerhalb integrierter Schaltungen.

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Sind in einer monolithischen Vorrichtung zahlreiche Einzelschaltungen integriert, die mit elektrischer Energie versorgt werden müssen, so tritt oft das Problem auf, dass die Versorgungsleitungen zu diesen Schaltungen verschieden lang sind und mit verschiedenen Strömen belastet sind. Dadurch erhalten die einzelnen Schaltungen dann voneinander abweichende Versorgungsspannungen. Bei vielen Schaltungen besteht aber in bezug auf die Versorgungsspannung eine enge Toleranz und es muss dafür gesorgt werden, dass dieselbe vom vorgeschriebenen Wert nicht oder möglichst wenig abweicht. Die vorliegende Erfindung schlagt eine Lösung vor, die besonders dazu geeignet ist, mehrere in einer einzigen Vorrichtung integrierte Schaltungs stufen derart mit elektrischer Energie'zu versorgen, dass allen Stufen dieselbe Spannung zugeführt wird,und dass der Spannungsabfall auf den Zufüh rungs leitungen möglichst gering, zumindesten aber für alle Stufen gleich ist.

In grösseren Systemen bereitete die Energiezuführung keine Schwierig-· keiten solange metallische Leiter zur Zuführung verwendet werden konnten, die einen geringen Widerstand aufwiesen und deshalb hohe Ströme führen konnten. Wurden mehrere Verbraucher an eine solche Zuleitung angeschlossen, so war stets eine genügend qleichmissige und genaue Versorgungsspannung sicher gestellt. In den Mikrosystcmen der integrierten Schaltungstechnik, wie sie auf kleinsten Halbleiter-

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würfeln.oder -scheibchen hergestellt werden, ist das Aufbringen metallischer Zuführungsleitungen an sich schon ein Problem, da ausser diesen stets noch zahlreiche andere Leitungen aufgebracht werden müssen. Zudem ist der Leitungsquerschnitt stets so klein, dass selbst bei geringem Stromverbrauch der Widerstand dieser Leitungen zu hoch werden kann. Zur Ueberwindung der genannten Schwierigkeiten können die Zuführungsleitungen ins Innere der Halbleitervorrichtung verlegt werden, sodass von dort aus Zuführungen zu den Oberflächenbereichen geschaffen werden können, in denen Stromverbraucher eingebaut sind. Die Leitungen bestehen hierbei aus einem leitfähigen Kanal innerhalb des Halbleiterkörpers. Dieser Kanal wird durch entsprechende Dotierung, etc., während des Herstellungsprozesses im Halbleiterkörper gebildet. Derartige Ausführungen sind bereits bekannt geworden. Auch ist schon eine Aueführung bekannt geworden, bei der ein leitender Kanal im Halbleiterkörper von einer gut leitenden Schicht des Halbleitermaterials aus je zu einem oder einer Gruppe von Stromverbrauchern führt. .

Es ist der Zweck der vorliegenden Erfindung, die bisher bekannt gewordenen Lösungen noch wesentlich zu verbessern. Der Zuleitungs· Widerstand zwischen Stromquelle* und Stromverbraucher soll noch

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wesentlich verkleinert werden. Auch soll die Zuleitung möglichst für jeden Verbraucher individuell geführt werden. Ferner soll die Möglichkeit bestehen, die Zuleitung als Arbeit swider st and für den jeweiligen Verbraucher ausbilden zu können. Dadurch wird die vorgeschlagene Vorrichtung besonders gut geeignet zur Aufnahme von elektronischen Schaltungen, die nur geringe Toleranzen der Betriebsversorgungsspannung ertragen. Insbesondere ist die Vorrichtung geeignet zur Aufnahme logischer Schaltkreise des Stromschaltungs-Emitterfolgetyps, wie sie beispielsweise in der deutschen Patentschrift 1 065 876 beschrieben sind.

Gemäß der Erfindung wird dies dadurch erreicht, daß die Speiseleitungen aus getrennten, die gegenüberliegenden Oberflächen des Halbleiterplättchens durch das Halbleiterplättchen hindurch verbindenden, geeignet dotierten Halbleiterkanälen ( 60, 62, 64, 66) bestehen, die mit zugeordneten, als Anschlußpunkte verwendeten Oberflächenbereichen verbunden sind.

Insbesondere auch zum Zwecke der Wärmeabfuhr besteht ein Ausführungs- ^ beispiel darin, daß die Halbleiterkanäle mit einer als gemeinsamer An-

Schluß dienenden, auf der Rückseite des Halbleiterplättchens angeordneten leitenden Schicht vereinigt sind.

Um die erforderliche elektrische Trennung zu ermöglichen, ist es von Vorteil, daß die leitende Schicht auf der Rückseite und die von dieser ausgehend an die Vorderseite verlaufenden Halbleiterkanäle dem gleichen Leitungstyp angehören, während die zwischen den Halbleiterkanälen lie-

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genden, die aktiven Schaltungen aufnehmend/Schichtbereiche den entgegengesetzten Leitungstyp aufweisen.

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Eine spezielle Anwendung besteht darin, daß die Einzelschaltungen strom schaltende Emitterfolger sind, und daß die Halbleiterkanäle (60, 62, 64, 66) jeweils wenigstens einen Teil eines zugehörigen Arbeitswiderstandes bilden.

Besonders einfache Anpassung wird dadurch ermöglicht, daß in Serie zu durch einen Halbleiterkanal gebildeten Widerstände auch diffundierte Widerstände angeordnet sind.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen und den zugehörigen Zeichnungen näher^erklärt,· Es zeigen:

Fig. 1 eine Standardschaltung bekannter Art;

Fig. IA ein Blockschaltbild mit Ein- und Ausgängen zur

vereinfachten Darstellung der in Fig. 1 gezeigten

Schaltung;

Fig. 2 eine konventionelle Schaltung, wie sie bisher auf

einem Halbleiterträger integriert verwendet wurde.

Fig. 3 eine schematische Darstellung der Schaltung in Fig.

auf einem Halbleiterträger;

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Fig. 4 eine weitere schematische Darstellung der Anordnung ;

Fig. 5 ein schematisches Schaltbild, welches zeigt, wie

die einzelnen Stromwege zu den Anschlüssen der entsprechenden Schaltungsanordnungen ausgebildet sind ;

Fig. 6 eine Schnittansicht entlang der Linie 6-6 der Fig. 7

eines monolithischen Schaltungsträgers ;

Fig. 7 eine Draufsicht eines Teiles der im Schnitt des in Fig.

gezeigten Trägers zur Darstellung nebeneinanderliegender Oberflächenbereiche der diffundierten Wege auf einer ersten Ebene der auf dem Träger aufzubauenden Einheiten ; . · -

Fig. 8A- die aufeinanderfolgenden Schritte bei der Herstellung Fig. 8D

eines Ausführungsbeispiels.

Fig. 1 zeigt eine konventionelle Schaltung, die Transistoren für Schaltzwecke benutzt. Sie ist hier nur wiedergegeben, um zu zeigen, dass derartige Schaltkreise mit ihrem eigenen Arbeitswiderstand für die Eingangselektrode zu jedem arbeitenden Transistor ausgerüstet sind. .

Die als Beispiel in Fig. 1 gezeigte Schaltung umfasst drei Transistoren T-I, T-2 und T-3. Die Transistoren T-I und T-2 sind parallel geschaltet und ihre entsprechenden Kollektor- und Emitteranschlüsse

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mit einem gemeinsamen Arbeitswiderstand R-1 und einem gemeinsamen Kathoden- oder Emitterwiderstand R-2 verbunden. Der Basis -

anschluss des Transistors T-I ist mit 1-1 bezeichnet, weil es sich " um einen Eingang handelt. Der entsprechende Basisanschluss des Transistors T-Z dient als zweiter Eingang und ist daher mit 1-2 bzeichnet. Der gemeinsame Kollektoranschluss für die beiden Transistoren T-I und T-2 dient als Ausgang O_l. In ühnlidier ·

Weise empfängt der Transistor T-3 eine positive Spannung über einen Arbeitswiderstand R-3 an seiner Kollektorelektrode, die als Ausgang0-2 dient, und die Emitterelektrode des Transistors T-3 ist mit dem gemeinsamen Widerstand R-2 an den Minuspol der Schaltung angeschlossen. Die Spannung am Basisanschluss des Transistors T-3 ist als Bezxigsspannung V-R bezeichnet.

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In Fig. IA ist die Schaltung der Fig. 1 in vereinfachter Darstellung gezeigt, so wie sie in Fig. 2 benützt wird.

Gemäss Darstellung in Fig. 2 sind die vier mil A₁ B₁ C und D bezeichneten Schaltungen mit Anschlüssen für die Betriebsspannungen von einer Versorgungsleitung 10 ausgestattet, die ihrerseits an einer positiven Klemme liegt. Die in Fig. 2 gezeigte Schaltung stellt die bisher gebräuchliche Schaltungsart dar. Wenn eine der Schaltungen A,

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B, C oder D Strom zieht, dient die Leitung 10 als gemeinsamer Widerstand, in dem dieser Strom einen Spannungsabfall hervorruft. Infolgedessen wird die für die anderen Schalteinheiten verfügbare Spannung um den Betrag des Spannungsabialls reduziert. Dadurch kann die Leistungsfähigkeit des gesamten Systems beeinträchtigt sein.

Fig. 3 zeigt eine andere Anordnungsmöglichkeit für einen Stromleiter von der Rückseite eines Halbleilertriigers 14 zu einher vorderen Verteilerebene eines auf dem Träger hergestellten Schaltkreises. Die Rückseite des Halbleiterträgers 14 ist mit Erdpotential verbunden und dient als Anschluss für die positive Spannung, so dass alle Betriebsspannungen unterhalb des Erdpotentials liegen. Die Leiterbahn 12 kann aus demselben Material bestehen, aus welchem sich auch der Halbleiterträger 14 zusammensetzt. Die Leiterbahn führt zur Oberflächenschicht 18 aus Metall, die der Leitung 10 in Fig. Z entspricht. Der Widerstand der Leitung 18 liegt s.B. für Metalle · wie Aluminium zwischen 40-100 Milliohm pro Quadrat. Die Widerstände 10 führen zu den einzelnen Elektrodenanschlüssen. Bei dieser Anordnung tritt, ebenfalls ein Spannungsabfall auf, wie bei der in Fig. geseigten Schaltung.

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Urn diesen störenden Spannungsabfall zu vermeiden, werden
in der in Fig. 4 gezeigten Anordnung getrennte Stromwege 22
im Halbleiter durch Diffusion oder Icmeneinpflanzuiig vorgesehen, die von der Rückseite des Substrates 14 durch alle darüber liegenden Schichten zu den Anschlussleitungen oder -bereichen an der Oberseite der fertigen integrierten Schaltung führen. Diese Leitungen führen zu den Widerständen 24, die im HaibleiterplSttchen ausgebildet sein können. Ihre Werte können so sein, dass bei Bedarf die Widerstands· werte der separat diffundierten Stromwege als Speisespannungs-Anschlussleiter kompensiert werden.

Eine Schaltung, wie sie in Fig. 2 gezeigt ist, nach dem in Fig. 4 gezeigten Spannungsversorgungsprinzip entspricht der fertigen
Schaltungsanordnung der Fig. 5. Jede der Eingangsspannungs- _, elektroden der einzelnen Schaltungsgruppen A, B, C und D ist direkt mit der Spannungsquelle V+ verbunden und frei von gerne ins anaen Widerstandswegen. Somit treten dort keine störenden Spannungsabfälle auf, die bewirken, dass die Stromentnahme einer Schaitungseinheit zu einer reduzierten Spannung für andere Einheiten führt. Das ist wichtig, wenn integrierte Schaltungen als Emitterfolge-■ chalter verwendet werden.

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Fig. 6 zeigt in einer Schnittansicht die Grundstruktur einer integrierten Schaltung, die auf einem Halbleiterträger aufgebaut ist. Zur praktischen Verwirklichung werden auf das Halbleitermaterial Schichten und Bereiche zur Herstellung der Anschlüsse an bestimmten Stellen der Oberseite der Struktur aufgetragen. So kann die an der Unterschicht des Trägers zur Verfugung stehende Spannung auf andere Ebenen der integrierten Schaltungsstruktur übertragen werden. Die entsprechenden Dotierungszonen des Halbleitermaterials im Substrat und in einer der darüber liegenden expitaxialen Schichten sind in Fig. 6 durch die Buchstaben P oder N gekennzeichnet. Die Dotierungen können natürlich auch auf andere Weise, je nach Bedarf, angeordnet sein.

Fig. 7 zeigt eine Draufsicht der in Fig. 6 gezeigten Struktur ohne Passivierungsschicht.

In Fig. 8A ist eine vergrösserte Seitenansicht eines Teils eines Halbleitersubstrates 80 gezeigt, das mit Donatoren wie Arsen, Phosphor oder Antimon entsprechend Fig. 6 N-leitend gemacht werden kann.

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Das Substratmaterial in Fig. 8A kann z.B. ein Siliziurnplättchen niit einem Durchmesser von 32 mm und einer' Picke von 0,18-0, 25 mm sein, das chemisch und mechanisch poliert ist. Ein dazu geeignetes Verfahren ist im U.S.A.Patent Nr. 3,436,259 besehrieben. Das Substrat 80 hat z.B. eine Kristallorientierung <100> mit Standardkerbung und Ebenheit, um einen parallelen Verlauf nachfolgender Operationen sicherzustellen. Das Substrat kann mit Arsen einer · Konzentration dotiert werden, die einen spezifischen Widersland «wischen 7,8 und 11,3 Milliöhni/cm erzeugt.

Das aus einem Plättchen münokristallinen llaibleilermaterials bestehende Substrat Wird für die Ausbildung von 50 oder mehr separaten

vollständigen elektronischen Blocks oder Würfeln benutzt, von denen alle gleichzeitig behandelt und ausgebildet werden, bis jeder Block als integrierte Schaltung fertiggestellt ist, woraufhin sie dann durch herkömmliche Techniken voneinander getrennt werden.

Zur Ausbildung der drei Zonen 82 (Fig. 8B) gehören als erstes die thermische Oxydation des Plüttchens 80 durch Erwärmen auf eine Temperatur von ca. 970 C wahrend 30-40 Minuten in einer oxydierenden Atmosphäre, wodurch ein Silizium-Oxydfilm von ca. 5000 A Dicke entsteht. Als zweites wird eine Photoätzmaske durch herkömmliche Techniken gebildet, um die Oberfläche für die nachfolgende Operation

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zu schützen. Als drittes wird das Plättchen einer Aetzlösung ausgesetzt, die an vorbestimmten Stellen der Maske angreift und Kanäle durch die Siliziumdioxydschicht bis zur Oberfläche des Substratmaterials bildet. Als viertes wird das Plättchen bei einer Temperatur von 970 C 20-30 Minuten lang Donaloren ausgesetzt, wie z.B. POCl , um in diesen Kanälen oder Ausschnitten die Verunreinigung in das Plättchen hineinzudiifundieren. Die Donatoren sollten so konzentriert sein, dass im Plättchen eine

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Oberflächenkonzentration vo 3,5 χ 10 Atomen/ccm erreicht wird.

In diesem Schritt wird das Plättchen durch herkömmliche AeIztechniken von allen Oxydfilmen befreit und befindet sich dann in dem in Fig. 8B gezeigten Zustand. Die drei Kanäle 82-1, 82-2 und 82-3 sind für einen niedrigen spezifischen Widerstand dotiert. Im nächsten Schritt wird das ganze Plättchen in den in Fig. 8C gezeigten Zustand versetzt.

Dieser nächste Schritt beginnt mit dem Niederschlag einer epitaktischen Schicht 85 auf der gesamten Oberfläche des Plättchens 80 in dem in Fig. 8B gezeigten Zustand. Dabei wird ein Material mit P-Verunreinigungen bi s zu einer Dicke von 6,1 t 0,3 micron, bei einer Temperatur von 1150 C, niedergeschlagen, das einen spezifischen Widerstand über 15 Ohm cm hat. Die Aufwachsgeschwindigkeit kann

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0,5 micron/min. in einem horizontalen Reaktor_#bis zu 0, 7 raicron/min, in einem vertikalen Trommelreaktor betragen, wie er im U.S. Patent Nr. 3,424, 629 beschrieben ist. Die nächsten N+-Bereiche diffundieren in die epitaktische Schicht 85, während diese wächst.

Die erste Oxydation nach dem Aufwachsen erfolgt jetzt wöhrend 30-40 Minuten bei 970 G, bis die zu erzeugende Oxydschicht 86 .,eine Dicke von etwa 4600 A erreicht hat. Wie vorher, wird eine Photoätzschicht zur Maskierung ausgebildet, Kanalöffnungen in der Silizium-Dioxydschicht über den zu diffundierenden Bereichen ausgeätzt, und, »war direkt über den Bereichen 82-1 / 82-2 und 82-3. Die übrigen Bereiche und die Rückseite des Trägers bleiben von der Silizium-Dioxydschicht bedeckt und dadurch geschützt.

Das Plättchen wird jetzt wieder der Diffusionsatmospiihre aus POCL während 20-30 Minuten bei 970 -C-für-die Phosphordiffusion und einer anschliessenden 20-30 Minuten dauernden Eintreibeh&rtung bei 1050 C ausgesetzt. In dieser Zeit wird der Oxydfilm 88 mit einer Dicke von. etwa 4000 A ausgebildet. Die Verunreinigungskonzentration an der Oberfläche sollte nach dem Eintreiben auf etwa

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8.-10. reduziert sein.

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Die Kanäle 82-1, 82-2 und 82-3 im Substrat verlaufen jetzt nach oben durch die Kanalläufe 82A, 82B und 82C zur Oberseite der Epitaxialschicht 85 und der Oxydschichten 86 und 88.

Die Oxydschicht auf der Oberfläche des Plcittchens wird jetzt entfernt, um die Oberfläche der Epitaxialschicht 85 mit den P-Verunreinigungen freizulegen, wie es in Fig. 8C gezeigt ist.

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Auf der Schicht 85 wird nun eine, zweite Expitaxialschicht 90 mit N-Verunreinigungen ausgebildet. Die Oxydation erfolgt wie zuvor mit anschliessender Auflage einer Photoätzmaske zur Kanaldiffus ion, wobei sich eine entsprechende N-Verunreinigungsdiffusion 92A, 92B , 92C and die Kanäle 82A, 82B, 8ZC nach oben anschliesst und wahlweise eine P+-Diffusion zur- Trennung der N-Kanäle angeordnet wird. Für diese Diffusion kann dieselbe Phosphordiffusion wie vorher für die N-Bereiche benutzt werden, während für die P+-Isolationsdiffusion eine Bordiffusion verwendet werden kann.

Zur Bildung monolithischer Halbleiterschaltungen oder -einheiten steht jetzt ein Träger zur Verfügung, wie er z.B. im schweizerischen Patent Nr. 483.127 beschrieben ist. Die N-Kanäle müssen natürlich mit der Oberfläche durch eine N-Epitaxialschicht verbunden sein. Mit einer Subkollektordiffusion und einer Emitterdiffusion werden die N-Bahnen zur Erzeugung der integrierten Schaltung hergestellt.

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BAD ORfGfNAL

Ein besonderes Merkmal ist die axis Fig. 6 zu ersehende vertikale Anordnung einzelner Kanäle 50, 52,'54 und 56, die auf der Grundschicht 40 aufgewachsen sind. Somit wird das -.-■>■ Potential dieser Grundschicht 40, das von der Spannungsquelle 58 über den metallischen Wärmeableiter 80 kömmt, an die Oberflächenleiter 60, 62, 64 und 66 an den oberen Enden der entsprechenden Kanäle weitergeleitet. Die metallische Wärmeableitung 70 kann aus einem geeigneten leitenden Material bestehen, wie z.B. goldplattiertem Molybdän., an welches das Plättchen mit *

evitektischem Gold-Silizium angeklebt ist. Es besteht also zwischen den Kanälen kein gemeinsamer Stromkreis _} der einen Spannungsabfall hervorruft. Die volle Spannung von der Grundschicht steht für * jede Schaltung zur Verfugung, ungeachtet des Betriebes anderer Stromkreise, und jeder Stromkreis erhält seine volle Spannung unter allen Betriebsbedingungen.

Ein anderes wichtiges Merkmal der Erfindung ist die Verwendung ,^

der ganzen Grundschicht als Spannungszuführung, wobei die Unterfläche auf einerinetallischen Wärmeableitung 70 ruhen und dadurch · die Betriebstemperatur des Plättchens niedrig gehalten werden kann. Die Wärmeableitung 70 ist geerdet, und eine derartige geerdete Ebene unterhalb des Plättchens günstig für den Wechselstrombetrieb innerhalb des Trägers. .

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BAD ORlOINAL

Es wird noch kurz auf einige betriebliche Einzelheiten der in Fig. 1 gezeigten herkömmlichen Schaltung verwiesen, um die Bedeutung der Merkmale dieser Erfindung hervorzuheben, wodurch einem Transistor seine ganze Signalspannung dadurch • zur Verfügung steht, dass der Spannungsabfall in einem gemeinßamen Widerstandsweg von der Stromversorgung her ausgeschaltet wird. Separate Widerstände R-I und R-3 laufen von den Kollektoranschlüssen der Transistoren T-I undT-3 zur Stromquelle, Die Bezugßspannung ist so eingeregelt, dass der Transistor T-3 abschaltet, wenn das Signal an I-i und I-Z tief ist. Wenn entweder I_rl oder 1-2 eingeschaltet werden, schaltet der Transistor T-3 ab. Somit fliesst der Strom entweder über R-] oder über R-3, aber niemals über beide Widerstände gleichzeitig. Der Kollektorknotenpunkt erreicht, die positive Versorgungsspannung, wenn der Wideretand keinen Strom führt. Am Kollektorknotenpunkt des anderen Transistors, wo der Widerstand Strom führt, geht die Spannung herunter, Es ist daher wichtig, dass die Spannung an einem Knotenpunkt nicht durch einen Spannungsabfall in einem gemeinsamen Stromweg beeinflusst wird, auch wenn dieser Weg ein Teil bu einer anderen Transiatorechaltung ist.

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Durch die beschriebene Trennung der Stromwege für ein Plättchen wird der Nachteil des Spannungsabfalls auf gemeinsamen Leitungen vermieden.

Ausserdem kann der Eigenwiderstand eines Stromweges von den Grundschichten zu einem Leitungsmuster als Teil des Widerstandes zum Knotenpunkt oder zur Elektrode eines Transistors benutzt werden.

Da der in Fig. 4 gezeigte innere Katiai 22 seinen Eigenwiderstand und den separaten Widerstand 24 aufweist, der innerhalb des Halbleiters durch Diffusion oder Ioneneinpflanzung gebildet werden kann, stellt er einen Arbeitswiderstand vom Substrat 14 zum Anschlussbereich des Transistors, hier zur Kollektorelektrode, dar, der in Verbindung mit verschiedenen Komponenten einen Schaltkreisbilden kann, wie er in Fig. 1 als Beispiel gezeigt ist.

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Claims

- vT -

PATENTANSPRÜCHE

1/ Integrierte Schaltung, bestehend aus einem Halbleiterplättchen mit mehreren Halbleiterelementen bzw. mehreren Einzel schaltungen und zugeordneten, an eine Energiequelle anschließbaren Speiseleitungen, dadurch gekennzeichnet, daß die Speiseleitungen aus getrennten, die gegenüberliegenden Oberflächen des Halbleiterplättchens durch das Halbleiterplättchen hindurch verbindenden, geeignet dotierten Halbleiterkanälen ( 60, 62, 64, 66) bestehen, die mit zugeordneten, als Anschlußpunkte verwendeten Oberflächenbereichen verbunden sind.
2. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterkanäle mit einer als gemeinsamer Anschluß dienenden, auf der Rückseite des Halbleiterplättchens angeordneten leitenden Schicht vereinigt sind.
3. Integrierte Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Schicht auf der Rückseite und die von diesen ausgehend an die Vorderseite verlaufenden Halbleiterkanäle dem gleichen Leitungstyp angehören, während die zwischen den Halbleiterkanälen

en liegenden, die aktiven Schaltungen aufnehmend/Schichtbereiche den

entgegengesetzten Leitungstyp aufweisen.

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Ur."
4. Integrierte Schaltung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Einzelschaltungen strom schaltende Emitterfolger
sind und daß die Halbleiterkanäle (60, 62, 64, 66) jeweils wenigstens einen Teil eines zugehörigen Arbeitswiderstandes bilden.
5. Integrierte Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß in Serie zu durch einen Halbleiter kanal gebildeten Widerstände auch

• diffundierte Widerstände angeordnet sind.

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