DE2009947A1 - - Google Patents

Description

6977-70/H
RGA 61 810
Serial No. 8OJ 728
Piled March 3, 1969

RCA-Corporation, New York, N.Y₀, USA

Schaltungsanordnung für einen Überlagerungsempfänger mit automatischer Verstärkungsregelung

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung für einen Überlagerungsempfänger mit einem Tuner zur selektiven Verstärkung empfangener HP-Signale und deren Umsetzung in ZF-Signale, einer Anordnung zur Erzeugung einer sich in Abhängigkeit von Amplitudenänderungen empfangener Signale ändernden Regelgleichspannung für eine automatische Verstärkungsregelung, und einer ZF-Verstärker- . stufe.

Insbesondere betrifft die Erfindung eine Anordnung zur automatischen Verstärkungsregelung (nachfolgend kurz AVR genannt) für einen Überlagerungsempfänger ("Superhet") mit einem ZF-Verstärker, der als integrierte Schaltung herstellbar ist.

In der deutschen Offenlegungsschrift 1 951 295 wurde eine ZF-Verstärkeranordnung mit regelbarer Verstärkung vorgeschlagen, die als monolithischer integrierter Schaltkreis auf einer entsprechenden Scheibe ausgebildet werden kann. Bei dieser Anordnung werden die Eingangssignale an eine Spannungsverstärkerstufe über eine dynamische Dämpfungssehaltung angelegt. Ein in den Sätti gungszustand vorgespannter Verzögerungstransistor hält

009641/1123

"""'*. - / ■ BAD ORIGINAL

*""■ cL ^mm

einen weiteren Transistor gesperrt, welcher über einen ersten Signalpegelbereich, in dem die Amplituden der Eingangssignale unter einem gegebenen Schwellwert liegen, als das aktive Glied der Dämpfungsschaltung dient, was zur Folge hat, daß eine konstante schwache Dämpfung eingeführt wird. AVR-Spannungsschwankungen an der Eingangselektrode der Verstärkerstufe ändern während dieses ersten Betriebsbereiches den Verstärkungsgrad der Stufe, nicht jedoch die Dämpfung.

Die den Verzögerungstransistor aufsteuernde Basisvorspannung ist von der AVR-Spannung abhängig gemacht. Bei einem gewählten AVH-Potentialwert, der einem gegebenen Signalpegel der empfangenen Signale entspricht, kommt der Verzögerungstransistor außer Sättigung, so daß sich sein Kollektorpotential im umgekehrten Sinn mit der AVR-Spannung ändern kann. Bei einem noch größeren Signalpegel weicht das Kollektorpotential des Verzögerungstransistors so stark vom Sättigungspotentialwert ab, daß der Dämpfungstransistor aufgesteuert wird. Bei Sijnalamplituden, die über diesen Schwellwert ansteigen, bewirkt der Dämpfungstransistor in entsprechend zunehmendem Maße eine Dämpfung, die den Spannunr;shub an der Eingangselektrode des Verstärkers begrenzt. Wenn der Dämpfungstransistor leitet, schließt er eine Gleichstrom-Gegonkopplungsschleife, welche die Vorspannung an der Eingangselektrode des Verstärkers angesichts AVR-Änderungen, die über dem Schwellwert liegenden Signalpegeln entsprechen, relativ "konstant hält· Im zweiten Betriebsbereich oberhalb des Schwellwerts ist die Regelung also im wesentlichen auf die Dämpfungswirkung beschränkt, während der Verstärkungsgrad der Verstärker-

000841/1123

8AD ORIGINAL

stufe verhältnismäßig konstant bleibt.

Diese vorgeschlagene Anordnung erleichtert die Bewältigung eines großen Amplitudenbereiches der Eingangssignale durch den ZF-Verstärker, wobei eine Verzerrung bei den großen Signalamplituden des Bereiches vermieden wird, ohne daß sich der Rauschabstand bei den niedrigen Signalamplituden verschlechtert. Wie ferner in der erwähnten Offenlegungsschrift angegeben ist, können die Dämpfungsschaltung und der zugehörige Verzögerungstransistorkreis zweckmäßig in integrierter Form in der gleichen monolithischen integrierten Schaltung enthalten sein wie die zugehörige Verstärkerstufe.

Die Erfindung schafft eine Abwandlung der beschriebenen vorgeschlagenen Anordnung, bei welcher in genau geregelter V/eise die erwähnte ZF-Verstärkungsregelung und ZF-Dämpfung mit einer verzögerten HF-AVR-Viirkung kombiniert werden· Gemäß der Erfindung erfolgt die Herleitung eines AVR-Potentials zum Regeln der HF-Verstärkung empfangener Signale vor der Umsetzung in ZF-Signale in Verbindung mit der Verzögerungsanordnung, welche die ZF-Dämpfung steuert. Die Verwendung einer gemeinsamen Verzögerungsanordnung ermöglicht die genaue gegenseitige Zuordnung der jeweiligen Schwellwerte der HF-Verstärkungsregelung und der ZF-Dämpfung.

Bei einer bevorzugten Anwendung des Erfindungsgedankens zur Optimierung des Amplitudenbereiches, in welchem der Empfänger die empfangenen Signale bewältigen kann, erfolgt die Amplitudenregelung in Abhängigkeit von einer

00984U1123

BAD ORIGINAL

AVR-Potentialquelle gemäß einer Folge von wenigstens drei getrennten Phasen. Es handelt sich dabei um a) eine Phase niedriger Signalamplituden, in welcher sich die AVR-Wirkung auf Änderungen des 'Verstärkungsgrades des ZF-Verstärkers beschränkt, b) eine Phase mittlerer Signalamplituden, in welcher zusätzlich zu Verstärkungsänderungen des ZF-Verstärkers Änderungen des Verstärkungsgrades des HF-Verstärkers bewirkt werden und c) eine Phase großer Signalamplituden, in v/elcher die AVR-V/irkung im wesentlichen auf eine ZF-Dämpfungswirkung beschränkt ist«

Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist ein Verzögerungstransistor, der in der oben beschriebenen Weise arbeitet, so angeordnet, daß er sowohl einen ZF-Dämpfungstransistor, wie auch einen ΗΡΑ VR-Tr eiber trans ist or steuert. Letzterer wird in den Leitzustand bei einem (durch das Vorspannungspotential des ZF-Verstärkers bezeichneten) Signalschwellwertpegel gesteuert, welcher niedriger ist als derjenige, bei dem der Dämpfungstransistor aufgesteuert wird. Bevor der letztgenannte -Pegel erreicht wird, wird ein voller HF-Verstärkungsregelbereich durchmessen. Wenn die Dämpfungswirkung beginnt, dient die oben erwähnte, sich schließende Gegenkopplungsschleife zum Stabilisieren des Verstärkungsgrades des ZF-Verstärkers auf einem relativ konstanten Wert. In derselben monolithischen integrierten Schaltung, welche den geregelten ZF-Verstärker, den Verzögerungstransistorkreis und die Dämpfungsschaltung enthält, kann sich zweckmäßig auch der HF-AVR-Treibertransistorkreis befinden.

009841 /1123

Die Erfindung schafft somit einen Überlagerungsempfänger mit einem verzögerten HP-AVR-System, das derart mit einer ZP-Signalregelanordnung verbunden ist, daß der Signalbereich vergrößert wird, den der Empfänger bewältigen kanne

Die Erfindung soll nun an einem bevorzugten Ausführungsbeispiel näher erläutert v/erden. Die Zeichnung zeigt teilweise in schematischer Detaildarstellung und teilweise als Blockschaltbild einen Überlagerungsempfänger gemäß der Erfindung„

Ein Tuner 18 dient in üblicher Weise zur selektiven Verstärkung eines gewünschten von verschiedenen empfangenen HP-Signalen und zum Umsetzen des gewählten HP-Signals in ZP-Signale. Eine Selektivitätsschaltung 20 mit Bandpassverhalten entsprechend der speziellen ZP-Betriebsfrequenzen des Empfängers koppelt den Ausgang des Tuners 18 mit einer ZP-Eingangsklemme T^ einer Scheibe 30 mit einer monolithischen integrierten Schaltung, die sich innerhalb der gestrichelten Umgrenzungslinie befindet. Die Scheibe 30, d.h. die integrierte Schaltung enthält eine ZP-Verstärkerstufe (wie noch naher beschrieben werden wird) und liefert an einer Klemme T8 ein Ausgangssignal dieser Stufe·

Eine zweite Selektivitätsschaltung 40, die den ZP-Bandpassbereich ferner abgrenzt, koppelt die ZP-Signale an der Klemme T8 der Scheibe mit einer Ausgangsklemme 0. Die sieh anschließenden Kreise des Empfängers (nicht dargestellt) können unterschiedlich sein, je nach den speziellen Signalen, für welche der Empfänger vorgesehen ist.

009841/1123

BAD ORIGINAL

Typisch v/erden jedoch zusätzliche ZF-Verstärkerstufen zwischen die Klemme 0 und den ZF-Signaldemodulator des Empfängers geschaltet werden»

Eine Quelle 50 für ein ZF-AVE-Potential legt an die ZF-Eingangsklemme T5 der Scheibe 50 eine veränderliche Vorspannung an. Diese Quelle 50 ist in der Zeichnung nur als Block dargestellt, v/eil verschiedene Möglichkeiten zur Erzeugung einer geeigneten ZF-AVR-Spannung aus demodulierten ZF-3ignalen bekannt sind und dies nicht Gegenstand der Erfindung ist. Beim hier behandelten Ausführungsbeispiel sei angenommen, daß die Quelle 50 an die Klemme 1'5 eine positive Vorspannung anlegt, die mit v/achsenden Amplituden des empfangenen Signals weniger positiv wird« Um die sich ergebenden Änderungen des Empfängerbetriebes zu erläutern, welche den Einfluß der Signalpegeländerungen des empfangenen Signals auf den Ausgangssignalpegel an der Klemme 0 herabsetzen, soll nun auf Einzelheiten der Zeichnung eingegangen v/erden.

In der dargestellten Schaltung der Scheibe 50 werden die von der Selektivitätsschaltung 20 der Klemme TS zugeführten ZF-Signale direkt an die Basis eines Transistors Q101 angelegt, der als Emitterfolger geschaltet ist. Anstelle eines Emitterwiderstandes bildet der Kollektor-Emitter-Pfad eines Transistors Q119 einen Rückweg vom Emitter des Transistors Q101 zur Masseklemme T4- der Scheibe 50, und zwar aus Gründen, die noch erläutert werden.

Die am Emitter des Transistors Q101 erscheinenden Signale

009841/1 123

v/erden an eine Dämpfungsanordnung angelegt, die aus einem Widerstand R101 und dem Emitter-Kollektor-Pfad eines Transistors QIO3 gebildet ist» In gedämpfter Form wird das Ausgangssignal des Emitterfolgers an der Verbindungsstelle zwischen dem Widerstand und dem Transistor erscheinen, wobei das Maß der Dämpfung von der Impedanz des Emitter-Kollektor-Pfades des Transistors QIO5 abhängt. Die Wirkungsweise dieser Dämpfungsanordnung wird noch genauer beschrieben werden.

Das Ausgangssignal der Dämpfungsschaltung wird über ein Paar in Kaskade liegender, als Emitterfolger geschalteter Transistoren QIO5 und QIO7 an die Basis eines Transistors QIO9 angelegt, wobei das Ausgangssignal der in Kaskade geschalteten Emitterfolger an einem Emitterwiderstand R107 erscheint. D_er Transistor Q109 ist mit einem Transistor Q111 in Kaskode geschaltet und bildet mit· diesem eine Verstärkerstufe mit hohem Verstärkungsfaktor, deren Ausgangssignal der ZF-Ausgängsklemme T8 der Scheibe 30 zugeführt ist. In dieser Kaskodeanordnung ist der Transistor QIO9 eine an der Basis angesteuerte Emitterschaltung (Emitterbasisstufe), deren Kollektor direkt mit dem als Eingangselektrode dienenden Emitter des in Basisschaltung arbeitenden Transistors Q111 verbunden ist. Die Betriebsspannung für die Kaskode-Verstärkerstufe wird über einen äußeren Widerstand 56 und eine Spule der Selektivitätsschaltung 4-0 von einer Scheibenklemme T12 (B+) zugeführt.

Wie schon erläutert wurde, wird an die Eingangsklemme T5 zusätzlich zu den ZF-EingangsSignalen ein AVR-Potential angelegt. Auf Grund einer direkten Kopplung über den

009841/1123

Emitterfolgertransistor Q101, den Widerstand R1O1 und die Emitterfolgertransistoren Q10.5 und Q107 beeinflußt diese AVR-Eingangsspannung unmittelbar die Vorspannung an der Basis des Transistors QIO9 des in Kaskode geschalteten Transistorpaares· Die Änderungen der angelegten AVR-Spannung besitzen eine solche Polarität, daß sie eine umgekehrte AVR-Wirkung hervorrufen. Damit ist gemeint, daß bei wachsenden Signalamplxtuden die Basisvorspannung des Transistors QIO9 weniger positiv gemacht wird, um den Verstärkungsgrad der Kaskodeverstärkerstufe im gewünschten Maß zu verringern.

Wie in der eingangs erwähnten deutschen Offenlegungsschrift 1 951 295 erläutert ist, ist es wünschenswert, zusätzlich zu Änderungen des Verstärkungsgrades der Kaskodeverstärkerstufe noch weiter zur Herabsetzung der Verstärkung beizutragen, insbesondere derart, daß bei großen Signalamplxtuden der an die Basis des Transistors QIO9 angelegte Spannungshub begrenzt v/ird, so daß Verzerrungen in dieser Stufe vermieden werden. Dies ist der Grund, warum die erwähnte, aus dem Widerstand R1O1 und dem Transistor QIO3 gebildete Dämpfungsanordnung vorgesehen ist.

Die Steuerung der Dämpfungsanordnung erfolgt auf folgende Weise, Es ist ein Transistor Q113 vorgesehen, der seine Kollektorspannung über einen äußeren Widerstand 52 von einer äußeren Stromversorgung des Empfängers erhält. Die Basis dieses Transistors Q113 ist über einen Widerstand RII3 mit der Basis des Transistors QIO9 verbunden und somit von der dort liegenden Spannung abhängig.

009841/1123

Wenn keine oder nur schwache Signale erscheinen, ist die Basis des Transistors Q113 so stark in Durchlaßrichtung vorgespannt, daß der Transistor sich im Sättigungszustand befindet.

B_ei diesem Sättigungsbetrieb wird ein als Emitterfolger geschalteter Transistor Q115 gesperrt, dessen Basis direkt mit dem Kollektor des Transistors Q113 verbunden ist und dessen Emitter über eine Serienschaltung aus zwei Widerständen R115 und R116 an Masse liegt. Die Basis des Transistors Q1O3 in der erwähnten Dämpfungsanordnung ist direkt mit dem Emitter des Emitterfolgertransistors QII5 verbunden.

Im Falle kleiner Signalamplituden ist also der Transistor QIO3 ebenfalls gesperrt, und folglich wird von der Dämpfungsanordnung aus dem Widerstand R1O1 und dem Transistor QIO3. eine konstante, relativ schwache Dämpfung eingeführt. Die Einschaltung der in Kaskade geschalteten Emitterfolgertransistoren QIO5 und Q1O7 in den °ignalpfad zum Eingang der Kaskodeverstärkerstufe bedeutet eine dynamische Eingangsimpedanz, die im Vergleich mit der Impedanz des Dämpfungswiderstands R1O1 genügend groß ist, zu gewährleisten, daß die Dämpfung schwacher Signale (wenn der Transistor QIO3 gesperrt ist) wirklich klein ist.

Bn Fall von Signalen großer Amplituden wird jedoch die von der Quelle 50 gelieferte AVR-Spannung die Spannung an der Basis des Transistors QIO9 herabsetzen und einen Punkt erreichen, bei welchem der Transistor QII3 nicht mehr gesättigt ist, so daß sein KoIlektorpotential auf

0 0 9 8 A 1 / 1 1 2 3

200994?

- ίο -

einen Wert ansteigt, bei dem der Emitterfolgertransistor QII5 in Durchlaßrichtung vorgespannt wird. Der Emitter des Transistors Q115 folgt anschließend der steigenden Basisspannung, Der Transistor QIO3 wird zu leiten beginnen, wenn der Emitter des Transistors QII5 auf eine zur Überwindung der Sperrvorspannung am Emitter des Transistors Q103 ausreichende positive Spannung angestiegen ist.

Wenn die Signalamplituden noch größer werden als im soeben beschriebenen Fall, wird der vom Transistor QIO3 bezogene Strom ansteigen, und die von seinem Emitter-Kollektor-Pfad gebildete Impedanz wird mit wachsender Signalstärke sinken. Dabei wird das an die Basis des Transistors Q1O9 anzulegende ZF-Signal in immer stärkerem Maße gedämpft.

Zur Ansteuerung der Ausgangsklemme Tb der verzögerten HP-Verstärkungsregelung ist ein zusätzlicher Transistor QII7 vorgesehen. Die Basis dieses Treibertransistors QII7 ist direkt mit dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R115 und R116 im Emitterkreis des Emitterfolgertransistors QII5 verbunden. Der Emitter des Transistors QII7 liegt über einen Emitterwiderstand R117 an Masse, während der Kollektor des Transistors Q'117 über die Klemme T6 der Scheibe pO und einen äußeren Widerstand 55B mit der schon erwähnten Stromversorgung (+5OV) gekoppelt ist, die in einer Schaltungsscheibe 80 geregelt wird, wie noch beschrieben werden wird. Im Falle fehlender und schwacher Signale ist ebenso wie der Transistor QII5 auch der Transistor Q117 gesperrt.

0 0 9 8 4 1/112 3

Wenn jedoch die Signalamplituden so groß sind, daß der Bmitterfolgertransistor Q115 ausreichend stark leitet, wird die Basis des Transistors Q117 in Durchlaßrichtung vorgespannt,und der Transistor Q117 beginnt zu leiten. Die Einstellung des Schwellwertes bei der Zuführung der HF-AVR-Spannung kann von außen gesteuert werden, etwa durch die Wahl des Wertes des Widerstandes 52, um den Sättigungsstrora des Verzögerungstransistors Q113 zu bestimmen·

Für Signalpegel oberhalb des gewählten Schwellwertpegels, d.h. für AVR-Pegel, die den Pegel überschreiten, der ausreicht, den Transistor Q115 außer Sättigung zu bringen und die Transistoren Q115 und Q117 aufzusteuern, wird die Spannung an der Klemme T6 in Übereinstimmung mit der AVR-Spannung an der Basis des Transistors Q1O7 schwanken. Die vom aus den Widerständen 54 und 55 in Verbindung mit einer negativen Versorgungsspannungsquelle gebildeten Verschiebungsnetzwerk in einen niedrigeren Spannungsbereich verschobene veränderliche Spannung am Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 54· und ^ stellt eine geeignet verzögerte AVR-Spannung zur Regelung des HP-Verstärkers im Tuner 18 dar. Die Einschaltung eines Kondensators 57 zwischen den Verbindungspunkt der Widerstände und die überbrückte Scheibenklemme T7 (die über einen Kondensator 55 mit Masse gekoppelt ist) trägt zur Filterung der HF-AVR-Spannung bei.

Es sei darauf hingewiesen, daß es wünschenswert ist, daß der dem Treibertransistor Q117 zugeordnete Verzögerungsschwellwert kleiner ist als aer Verzögerungsschwellwert, der dem DämpfungstraiHLstor Q1O5 zugeordnet ist. Dies be-

009841/1-123 . _BAD

deutet, daß die HF-Verstärkungsregelwirkung bei einem niedrigeren Pegel der oignalamplituden (der durch das AVR-Potential angegeben ist) beginnt als die Dämpfungswirkung. Vorzugsweise wird vor dem Beginn der Dämpfungswirkung der volle Bereich der HF-Verstärkungsregelung durchmessen. Bei der dargestellten Schaltungsanordnung erreicht beispielsweise der Treibertransistor Q117 die Sättigung bei einem Potentialwert am Emitter des Transistors Q115, der niedriger ist als der Potentialwert, bei welchem der Dämpfungstransistor 0105 zu leiten beginnt.

Es ist auch zu beachten, daß nach Beginn der Dämpfungswirkung durch den leitenden Transistor Q103 eine lileichstrom-Geüenkopplungsschleife relativ hohen Verstärkungsgrades geschlossen ist, die den Widerstand R113 und die Transistoren Q11J, Q115, Q105, Q1O5 und Q1O7 enthält. Eine I¹OIge dieser Rückkopplung besteht darin, daß die Vorspannung an der Basis des Transistors Q109 bei einem weiteren Ansteigen der an die Klemme T^3 angelegten AVR-Spannung relativ konstant gehalten wird.

Demgemäß setzt sich die Regelfolge aus wenigstens drei getrennten Phasen zusammen. In einer ersten Phase rej61a~ tiv schwacher Signale ist die AVR-Wirkung auf Änderungen des Verstärkungsgrades der Kaskodeverstärkerstufe aus den Transistoren Q109 und Q111 beschränkt. Bei einer zweiten Phase eines mittleren Signalpegels kommen zu Verstärkungsänderungen der Kaskodeverstärkerstufe Änderungen der HP-Verstärkung hinzu. In einer dritten Phase großer Signalamplituden ist die AVR-Wirkung im wesentlichen auf den Betrieb der Dämpfungsanordnung aus-dem Widerstand R1O1

009841/1123 ^BAD ORIGINAL

und dem Transistor QIO3 beschränkt. Auf Wunsch kann eine vierte Phase vorgesehen sein, bei welcher eine Rückkehr zu einer Betriebsweise erfolgt, bei der nur die Verstärkung des ZF-Vorstärkers geändert wird, und zwar beim Übergang zwischen der erwähnten zweiten und der dritten Phase. Dies richtet sich danach, wie weit die Pegel für die Sättigung des !Transistors Q117 und die Aufsteuerung des !Transistors QIO3 getrennt sind.

Wie schon erwähnt wurde, verbindet der Kollektor-Emitter-Pfad des Transistors Q119 den Emitter des als Emitterfolger geschalteten Eingangstransistor Q1O1 mit Masse. Der Transistor Q119 wird anstelle eines Emitterwiderstandes verwendet, um einen relativ konstanten Versorgungsstrom für die Emitter der Transistoren Q1O1 und QIO5 zu liefern. Der Strom ist dabei genügend groß, so ■ daß der AVR-Bereich nicht dadurch beschränkt .wird, daß dem Transistor Q1O1 vom Transistor Q1O3 zuviel Strom entzogen wird.

Wenn im Betriebsbereich starker Signale nämlich der Transistor Q10J zu leiten beginnt und einen immer größeren Strom zieht, so wird der Strom durch den Transistor Q101 entsprechend verringert werden. Um zu verhindern, daß der Transistor Q101 unter solchen Umständen gesperrt wird, müssen die Emitter an eine leistungsfähige Stromquelle angeschlossen sein. Der Transistor Q119» dessen Basis so vorgespannt ist, daß er einen relativ konstanten Strom der gewünschten Größe liefert, dient als solche Quelle.

Der notwendige Vorspannungsstrom zum Speisen des Transistors QI19 wird vom Emitter des Emitterfolgertransistors

BAD

0 9 8 4 1/112 3

Q1O5 über cine Vorspannungsschaltung geliefert, welche die Serienschaltung aus dem Widerstand R104, dem "'iderstand R105 und einer in Durchlaßrichtung vorgespannten stabilisierenden Diode D101 enthält. Die Basis des (Transistors 0119 ist an den Verbindungspunkt zwischen den beiden Widerständen R104- und R105 angeschlossen. Der Gesamtwiderstandswert dieser Serienschaltung ist so gewählt, daß sich ein Vorspannungsstrom ergibt, welcher den konstanten Versorgungsstrom im gewünschten Bereich ermöglicht. Der Widerstandswert des Widerstands R1O4- ist relativ zu demjenigen des Widerstands R105 genügend groß, um den Transistor Q119 daran zu hindern, beim Betriebszustand schwacher Signale die AVR-Spannung durch Gegenkopplung wesentlich zu beeinträchtigen.

Die integrierte Schaltung der Scheibe 30 enthält zusätzlich ein Entkopplungsnetzwerk zum Anlogen der Betriebsspannungen an eine Anzahl der beschriebenen Transistoren. Eine geregelte Gleichspannung (B+ , beispielsweise +11 V) wird von einem Regelkreis 80 aus einer (nicht dargestellten) Stromverrjorgungsanordnung gewonnen, die sich an anderer Stelle im Empfänger befindet. Die geregelte Gleichspannung wird der Klemme T12 der Scheibe 30 zugeführt und an eine einfache Entkopplungsschaltung mit einem Widerstand R119 und einer mit diesem in Reihe liegenden Zenerdiode Z101 angelegt.

Diese einfache Schaltung gewährleistet zwar eine angex messene Entkopplung, doch könnte der Zenerdiodenbetrieb einen unerwünschten Rauschpegel in die Spannung über der Zonerdiode einführen. Deshalb wird die an der Zenerdiode Z101 liegende Spannung über einen Emitterl'olger brans is tor

009841/1 123

Q121 an eine dynamische Rauschfiltorschaltung angelegt, die durch einen Transistor Q12J, einen Widerstand R121
und einen Kondensator C1O1 gebildet ist, Der Kollektor
des Transistors Q12J ist direkt mit dem Emitter des
Transistors Q121 verbunden. Der Widerstand R121 koppelt die Basis des Transistors Q125 mit dem Emitter des Transistors Q121, während der Kondensator C101 zwischen die Basis des Transistors Q12J und die an Masse liegende
Klemme T4- gekoppelt ist. An einem Emitter des Filtertransistors Q125 steht also eine praktisch rauschfreie
Versorgungs,Gleichspannung (B+) zur Verfügung, die in
angemessener Weise von weiteren an die Klemme T12 angeschlossenen Kreisen entkoppelt ist.

Es hat sich gezeigt, daß es ratsam ist, zusätzlich die
Kollektoren der Transistoren Q101 und Q103 vom Kollektor der nachfolgenden Stufen in der Schaltungsanordnung der Scheibe zu entkoppeln. Aus diesem Grund besitzt der
Transistor Q125 eine Doppel-Emitter-Anordnung. Der erste Emitter lieJert die Versorgungsgleichspannung (B+) an
die Kollektoren der Transistoren Q1O1 und Q1O5, während der zweite Emitter eine isolierte Versorgungsspannungsquelle für die Kollektoren der Transistoren Q1O5, Q1O7, Q1O9 und Q115 darstellt. Die Basis des am Emitter angesteuerten Transistors Q111 der Kaskodeverstärkerstufe
liegt ebenfalls an der letztgenannten Versorgunsspannungsquelle.

Ein Beispiel für einen Überlagerungsempfänger gemäß der Erfindung ist ein.Farbfernsehempfänger, der sich in der Praxis bereits bewährt hat. Einzelheiten eines solchen
Farbforn^ehgerätes können der deutschen Patentanmeldung

009841/1123

... (entsprechend der amerikanischen Patentanmeldung Serial Ko. 803 544-) entnommen v/erden. Bei diesem Anwendungsbeispiel v/ar die dargestellte Schaltungsanordnung der Scheibe 30 auf der gleichen Scheibe mit einer monolithischen integrierten Schaltung enthalten wie zusätzliche Schaltkreise zur ZF-EndverStärkung, Videodemodulation, Yideoverstärkung, Erzeugung der AVR-Spannung, zur Differenzträger-Tondemodulation und für deren Steuerung, Differenzträger-ZF-Tonverstärkung, automatische Feinabstiinmungssteuerung und Reglerreferenzsteuerung. Die hier verwendete Schaltungsanordnung zur Erzeugung der AVR-Spannung i.-;t in der deutschen Patentanmeldung ... (entsprechend der USA-Patentanmeldung Serial Ko. SOJ 590) beschrieben.

Hur als Beispiel sind nachstehende Werte für die Schaltungsanordnung der Scheibe 30 und die zugehörigen äußeren Schaltungskomponenten zusammengestellt, die in dem erwähnten Farbfernsehempfänger einen befriedigenden Betrieb gewährleistet haben:

Tabelle A (Komixmenten auf der Scheibe)

Widerstand R101 Widerstand R104-Widerstand R105 Widerstand R107 Widerstand R113 Widerstand R115 Widerstand R116 Widerstand R117 Widerstand R121 Kondensator C101

1	OUO	Ohm
2	000	0hm
	360	Olim
	700	Ohm
1	000	Olim
1	600	Ohm
3	200	Olim
	800	Ohm
3	000	Ohm
	20	Pikofarad

009841/1123

Tabelle B (Komponenten außerhalb der Scheibe)

Widerstand 52 Widerstand 54-Widerstand 55 Widerstand 56 Widerstand 58 Kondensator 53 Kondensator 57 Kondensator 59 000 Ohm 2 4-00 Ohm 000 Ohm 1 200 Ohm 6 800 Ohm 0,001 Mikrofarad 0,100 Mikrofarad 0,001 Mikrofarad

009841/1123

Claims (5)

1. Patentansprüche

   ,1./ Schaltungsanordnung für einen Überlagerungempfänger mit einem Tuner zur selektiven Verstärkung empfangener PIF-Signale und deren Umsetzung in ZF-Signale, einer Anordnung zur Erzeugung einer sich in Abhängigkeit von Amplitudenänderungen empfangener Signale ändernden Regel^r;leichspannung für eine automatische Verstärkungsregelung und einer ZF-Verstärkerstuf e, dadurch gekennzeichnet, daß an den Eingangskreis (Q1O7) der ZF-Verstärkerstufe die ZF-Ausgangssignale des Tuners (18) und die Regeljleichspannu-ig über eine dynamische Dämpfungsschaltung (Q1O3, R1O1) mit einem Dämpfungstransistor (Q1O?) angelegt sind, der durch seinen Leitzusband das Dämpfungsinaß dieser Schaltung bestimmt, daß ein i'rcibertransistor (Q117) vorgesehen ist, v/elcher eine automatische Verstärkungsregelung der HF-Signal verstärkung im Tuner steuert, und daw eine von der υ ich ändernden Regel_:;;leichspannung gesteuerte gemeinsame Verzögerungseinrichtung (Q113) vorgesehen ist, welche sowohl den Dämpfungstransistor als auch den Treibertransistor sperrt, wenn der Signalpegel der empfangenen Signale in einem ersten Bereich niedriger Signalamplituden liegt, welche nur den Dämpfungstransistor sperrt, die Aufsteuerung des Treibertransistors jedoch zuläßt, wenn dieser Signalnegel in einen zweiten Bereich mittlerer Signalamplituden fällt, und welche die Aufsteuerung sowohl des Dämpfungstransistors wie auch des Treibertransistors zuläßt, wenn der Signalpegel in einem dritten Bereich hoher Signalamplituden liegt.

   009841/1123
2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verzögerungseinrichtung einen Verzögerungstransistor (QI13) enthält, der in den Sättigungszustand vorgespannt ist, wenn keine Signale empfangen werden.
3. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Därapfungstrsvnsistor (Q1O3) im Leitzustand, wenn der oignalpegel der empfangenen Signale im dritten Bereich liegt, eine Gleichstrom-Gegenkopplungsschleife (R113> Q113» Q115, Q1O5, Q1O7) schließt, welche Änderungen der Gleichspannung am Eingangskreis (Q1O9) der ZF-Verstärkerstufe entgegenwirkt.
4. 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Treibertransistor (Q117) im Sättigungsbereich arbeitet, wenn der Signalpegel der empfangenen Signale in den dritten Bereich fällt.
5. 5. Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche., dadurch gekennzeichnet, daß die ZF-Verstärkerstufe, die Dämpfungsschaltung (Q1O3> R1Q1), der Treibertransistor (Q117) und die Verzögerungseinrichtung (Q113) Teile einer monolithischen integrierten Schaltung (30) sind.

   ^009841/1123

   I. e e ι s e ι I e