DE2009947A1 - - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3052—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in bandpass amplifiers (H.F. or I.F.) or in frequency-changers used in a (super)heterodyne receiver
- H03G3/3068—Circuits generating control signals for both R.F. and I.F. stages
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- Amplifiers (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
- Circuits Of Receivers In General (AREA)
Description
6977-70/H
RGA 61 810
Serial No. 8OJ 728
Piled March 3, 1969
RGA 61 810
Serial No. 8OJ 728
Piled March 3, 1969
RCA-Corporation, New York, N.Y0, USA
Schaltungsanordnung für einen Überlagerungsempfänger mit
automatischer Verstärkungsregelung
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung für einen Überlagerungsempfänger mit einem Tuner zur selektiven
Verstärkung empfangener HP-Signale und deren Umsetzung in ZF-Signale, einer Anordnung zur Erzeugung einer sich
in Abhängigkeit von Amplitudenänderungen empfangener Signale ändernden Regelgleichspannung für eine automatische
Verstärkungsregelung, und einer ZF-Verstärker- . stufe.
Insbesondere betrifft die Erfindung eine Anordnung zur automatischen Verstärkungsregelung (nachfolgend kurz AVR
genannt) für einen Überlagerungsempfänger ("Superhet") mit einem ZF-Verstärker, der als integrierte Schaltung
herstellbar ist.
In der deutschen Offenlegungsschrift 1 951 295 wurde
eine ZF-Verstärkeranordnung mit regelbarer Verstärkung vorgeschlagen, die als monolithischer integrierter
Schaltkreis auf einer entsprechenden Scheibe ausgebildet werden kann. Bei dieser Anordnung werden die Eingangssignale an eine Spannungsverstärkerstufe über eine dynamische
Dämpfungssehaltung angelegt. Ein in den Sätti gungszustand
vorgespannter Verzögerungstransistor hält
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*""■ cL mm
einen weiteren Transistor gesperrt, welcher über einen ersten Signalpegelbereich, in dem die Amplituden der
Eingangssignale unter einem gegebenen Schwellwert liegen,
als das aktive Glied der Dämpfungsschaltung dient, was zur Folge hat, daß eine konstante schwache Dämpfung
eingeführt wird. AVR-Spannungsschwankungen an der Eingangselektrode
der Verstärkerstufe ändern während dieses
ersten Betriebsbereiches den Verstärkungsgrad der Stufe, nicht jedoch die Dämpfung.
Die den Verzögerungstransistor aufsteuernde Basisvorspannung ist von der AVR-Spannung abhängig gemacht.
Bei einem gewählten AVH-Potentialwert, der einem gegebenen
Signalpegel der empfangenen Signale entspricht, kommt der Verzögerungstransistor außer Sättigung, so
daß sich sein Kollektorpotential im umgekehrten Sinn mit der AVR-Spannung ändern kann. Bei einem noch größeren
Signalpegel weicht das Kollektorpotential des Verzögerungstransistors
so stark vom Sättigungspotentialwert
ab, daß der Dämpfungstransistor aufgesteuert wird. Bei Sijnalamplituden, die über diesen Schwellwert ansteigen,
bewirkt der Dämpfungstransistor in entsprechend zunehmendem Maße eine Dämpfung, die den Spannunr;shub
an der Eingangselektrode des Verstärkers begrenzt. Wenn der Dämpfungstransistor leitet, schließt er eine
Gleichstrom-Gegonkopplungsschleife, welche die Vorspannung an der Eingangselektrode des Verstärkers angesichts
AVR-Änderungen, die über dem Schwellwert liegenden Signalpegeln
entsprechen, relativ "konstant hält· Im zweiten Betriebsbereich oberhalb des Schwellwerts ist die
Regelung also im wesentlichen auf die Dämpfungswirkung
beschränkt, während der Verstärkungsgrad der Verstärker-
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8AD ORIGINAL
stufe verhältnismäßig konstant bleibt.
Diese vorgeschlagene Anordnung erleichtert die Bewältigung eines großen Amplitudenbereiches der Eingangssignale durch den ZF-Verstärker, wobei eine Verzerrung
bei den großen Signalamplituden des Bereiches vermieden
wird, ohne daß sich der Rauschabstand bei den niedrigen Signalamplituden verschlechtert. Wie ferner in
der erwähnten Offenlegungsschrift angegeben ist, können
die Dämpfungsschaltung und der zugehörige Verzögerungstransistorkreis zweckmäßig in integrierter Form in der
gleichen monolithischen integrierten Schaltung enthalten sein wie die zugehörige Verstärkerstufe.
Die Erfindung schafft eine Abwandlung der beschriebenen
vorgeschlagenen Anordnung, bei welcher in genau geregelter V/eise die erwähnte ZF-Verstärkungsregelung und ZF-Dämpfung
mit einer verzögerten HF-AVR-Viirkung kombiniert
werden· Gemäß der Erfindung erfolgt die Herleitung eines
AVR-Potentials zum Regeln der HF-Verstärkung empfangener
Signale vor der Umsetzung in ZF-Signale in Verbindung
mit der Verzögerungsanordnung, welche die ZF-Dämpfung steuert. Die Verwendung einer gemeinsamen Verzögerungsanordnung
ermöglicht die genaue gegenseitige Zuordnung der jeweiligen Schwellwerte der HF-Verstärkungsregelung und
der ZF-Dämpfung.
Bei einer bevorzugten Anwendung des Erfindungsgedankens
zur Optimierung des Amplitudenbereiches, in welchem der
Empfänger die empfangenen Signale bewältigen kann, erfolgt die Amplitudenregelung in Abhängigkeit von einer
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AVR-Potentialquelle gemäß einer Folge von wenigstens
drei getrennten Phasen. Es handelt sich dabei um a) eine Phase niedriger Signalamplituden, in welcher
sich die AVR-Wirkung auf Änderungen des 'Verstärkungsgrades des ZF-Verstärkers beschränkt, b) eine Phase
mittlerer Signalamplituden, in welcher zusätzlich zu Verstärkungsänderungen des ZF-Verstärkers Änderungen
des Verstärkungsgrades des HF-Verstärkers bewirkt werden und c) eine Phase großer Signalamplituden, in v/elcher
die AVR-V/irkung im wesentlichen auf eine ZF-Dämpfungswirkung
beschränkt ist«
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung
ist ein Verzögerungstransistor, der in der oben beschriebenen Weise arbeitet, so angeordnet, daß er sowohl
einen ZF-Dämpfungstransistor, wie auch einen ΗΡΑ VR-Tr eiber trans ist or steuert. Letzterer wird in den
Leitzustand bei einem (durch das Vorspannungspotential des ZF-Verstärkers bezeichneten) Signalschwellwertpegel
gesteuert, welcher niedriger ist als derjenige, bei dem der Dämpfungstransistor aufgesteuert wird. Bevor der
letztgenannte -Pegel erreicht wird, wird ein voller HF-Verstärkungsregelbereich durchmessen. Wenn die Dämpfungswirkung beginnt, dient die oben erwähnte, sich schließende
Gegenkopplungsschleife zum Stabilisieren des Verstärkungsgrades des ZF-Verstärkers auf einem relativ konstanten
Wert. In derselben monolithischen integrierten Schaltung, welche den geregelten ZF-Verstärker, den Verzögerungstransistorkreis
und die Dämpfungsschaltung enthält, kann sich zweckmäßig auch der HF-AVR-Treibertransistorkreis
befinden.
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Die Erfindung schafft somit einen Überlagerungsempfänger
mit einem verzögerten HP-AVR-System, das derart mit einer
ZP-Signalregelanordnung verbunden ist, daß der Signalbereich
vergrößert wird, den der Empfänger bewältigen kanne
Die Erfindung soll nun an einem bevorzugten Ausführungsbeispiel näher erläutert v/erden. Die Zeichnung zeigt teilweise
in schematischer Detaildarstellung und teilweise
als Blockschaltbild einen Überlagerungsempfänger gemäß der Erfindung„
Ein Tuner 18 dient in üblicher Weise zur selektiven Verstärkung eines gewünschten von verschiedenen empfangenen
HP-Signalen und zum Umsetzen des gewählten HP-Signals in ZP-Signale. Eine Selektivitätsschaltung 20 mit Bandpassverhalten
entsprechend der speziellen ZP-Betriebsfrequenzen des Empfängers koppelt den Ausgang des Tuners
18 mit einer ZP-Eingangsklemme T^ einer Scheibe 30
mit einer monolithischen integrierten Schaltung, die sich innerhalb der gestrichelten Umgrenzungslinie befindet.
Die Scheibe 30, d.h. die integrierte Schaltung enthält eine ZP-Verstärkerstufe (wie noch naher beschrieben werden
wird) und liefert an einer Klemme T8 ein Ausgangssignal
dieser Stufe·
Eine zweite Selektivitätsschaltung 40, die den ZP-Bandpassbereich
ferner abgrenzt, koppelt die ZP-Signale an der Klemme T8 der Scheibe mit einer Ausgangsklemme 0.
Die sieh anschließenden Kreise des Empfängers (nicht dargestellt) können unterschiedlich sein, je nach den speziellen
Signalen, für welche der Empfänger vorgesehen ist.
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Typisch v/erden jedoch zusätzliche ZF-Verstärkerstufen
zwischen die Klemme 0 und den ZF-Signaldemodulator
des Empfängers geschaltet werden»
Eine Quelle 50 für ein ZF-AVE-Potential legt an die
ZF-Eingangsklemme T5 der Scheibe 50 eine veränderliche
Vorspannung an. Diese Quelle 50 ist in der Zeichnung nur als Block dargestellt, v/eil verschiedene Möglichkeiten
zur Erzeugung einer geeigneten ZF-AVR-Spannung aus demodulierten ZF-3ignalen bekannt sind und dies
nicht Gegenstand der Erfindung ist. Beim hier behandelten Ausführungsbeispiel sei angenommen, daß die Quelle
50 an die Klemme 1'5 eine positive Vorspannung anlegt,
die mit v/achsenden Amplituden des empfangenen Signals
weniger positiv wird« Um die sich ergebenden Änderungen des Empfängerbetriebes zu erläutern, welche den Einfluß
der Signalpegeländerungen des empfangenen Signals auf den Ausgangssignalpegel an der Klemme 0 herabsetzen,
soll nun auf Einzelheiten der Zeichnung eingegangen v/erden.
In der dargestellten Schaltung der Scheibe 50 werden die
von der Selektivitätsschaltung 20 der Klemme TS zugeführten
ZF-Signale direkt an die Basis eines Transistors Q101 angelegt, der als Emitterfolger geschaltet ist.
Anstelle eines Emitterwiderstandes bildet der Kollektor-Emitter-Pfad eines Transistors Q119 einen Rückweg vom
Emitter des Transistors Q101 zur Masseklemme T4- der
Scheibe 50, und zwar aus Gründen, die noch erläutert
werden.
Die am Emitter des Transistors Q101 erscheinenden Signale
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v/erden an eine Dämpfungsanordnung angelegt, die aus einem
Widerstand R101 und dem Emitter-Kollektor-Pfad
eines Transistors QIO3 gebildet ist» In gedämpfter Form
wird das Ausgangssignal des Emitterfolgers an der Verbindungsstelle
zwischen dem Widerstand und dem Transistor erscheinen, wobei das Maß der Dämpfung von der Impedanz
des Emitter-Kollektor-Pfades des Transistors QIO5 abhängt.
Die Wirkungsweise dieser Dämpfungsanordnung wird noch genauer beschrieben werden.
Das Ausgangssignal der Dämpfungsschaltung wird über ein Paar in Kaskade liegender, als Emitterfolger geschalteter
Transistoren QIO5 und QIO7 an die Basis eines Transistors
QIO9 angelegt, wobei das Ausgangssignal der in Kaskade
geschalteten Emitterfolger an einem Emitterwiderstand R107 erscheint. Der Transistor Q109 ist mit einem Transistor
Q111 in Kaskode geschaltet und bildet mit· diesem
eine Verstärkerstufe mit hohem Verstärkungsfaktor, deren Ausgangssignal der ZF-Ausgängsklemme T8 der Scheibe 30
zugeführt ist. In dieser Kaskodeanordnung ist der Transistor QIO9 eine an der Basis angesteuerte Emitterschaltung
(Emitterbasisstufe), deren Kollektor direkt mit dem als Eingangselektrode dienenden Emitter des in Basisschaltung
arbeitenden Transistors Q111 verbunden ist. Die Betriebsspannung für die Kaskode-Verstärkerstufe wird über
einen äußeren Widerstand 56 und eine Spule der Selektivitätsschaltung
4-0 von einer Scheibenklemme T12 (B+)
zugeführt.
Wie schon erläutert wurde, wird an die Eingangsklemme T5
zusätzlich zu den ZF-EingangsSignalen ein AVR-Potential
angelegt. Auf Grund einer direkten Kopplung über den
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Emitterfolgertransistor Q101, den Widerstand R1O1 und
die Emitterfolgertransistoren Q10.5 und Q107 beeinflußt
diese AVR-Eingangsspannung unmittelbar die Vorspannung an der Basis des Transistors QIO9 des in
Kaskode geschalteten Transistorpaares· Die Änderungen der angelegten AVR-Spannung besitzen eine solche Polarität,
daß sie eine umgekehrte AVR-Wirkung hervorrufen.
Damit ist gemeint, daß bei wachsenden Signalamplxtuden die Basisvorspannung des Transistors QIO9
weniger positiv gemacht wird, um den Verstärkungsgrad der Kaskodeverstärkerstufe im gewünschten Maß zu verringern.
Wie in der eingangs erwähnten deutschen Offenlegungsschrift 1 951 295 erläutert ist, ist es wünschenswert,
zusätzlich zu Änderungen des Verstärkungsgrades der Kaskodeverstärkerstufe noch weiter zur Herabsetzung der
Verstärkung beizutragen, insbesondere derart, daß bei großen Signalamplxtuden der an die Basis des Transistors
QIO9 angelegte Spannungshub begrenzt v/ird, so daß Verzerrungen
in dieser Stufe vermieden werden. Dies ist der Grund, warum die erwähnte, aus dem Widerstand R1O1 und
dem Transistor QIO3 gebildete Dämpfungsanordnung vorgesehen
ist.
Die Steuerung der Dämpfungsanordnung erfolgt auf folgende Weise, Es ist ein Transistor Q113 vorgesehen, der
seine Kollektorspannung über einen äußeren Widerstand 52 von einer äußeren Stromversorgung des Empfängers erhält.
Die Basis dieses Transistors Q113 ist über einen Widerstand RII3 mit der Basis des Transistors QIO9 verbunden
und somit von der dort liegenden Spannung abhängig.
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Wenn keine oder nur schwache Signale erscheinen, ist die Basis des Transistors Q113 so stark in Durchlaßrichtung
vorgespannt, daß der Transistor sich im Sättigungszustand befindet.
Bei diesem Sättigungsbetrieb wird ein als Emitterfolger
geschalteter Transistor Q115 gesperrt, dessen Basis
direkt mit dem Kollektor des Transistors Q113 verbunden ist und dessen Emitter über eine Serienschaltung aus
zwei Widerständen R115 und R116 an Masse liegt. Die Basis
des Transistors Q1O3 in der erwähnten Dämpfungsanordnung
ist direkt mit dem Emitter des Emitterfolgertransistors QII5 verbunden.
Im Falle kleiner Signalamplituden ist also der Transistor
QIO3 ebenfalls gesperrt, und folglich wird von der
Dämpfungsanordnung aus dem Widerstand R1O1 und dem Transistor
QIO3. eine konstante, relativ schwache Dämpfung
eingeführt. Die Einschaltung der in Kaskade geschalteten Emitterfolgertransistoren QIO5 und Q1O7 in den °ignalpfad
zum Eingang der Kaskodeverstärkerstufe bedeutet eine dynamische Eingangsimpedanz, die im Vergleich mit
der Impedanz des Dämpfungswiderstands R1O1 genügend groß
ist, zu gewährleisten, daß die Dämpfung schwacher Signale (wenn der Transistor QIO3 gesperrt ist) wirklich
klein ist.
Bn Fall von Signalen großer Amplituden wird jedoch die
von der Quelle 50 gelieferte AVR-Spannung die Spannung
an der Basis des Transistors QIO9 herabsetzen und einen
Punkt erreichen, bei welchem der Transistor QII3 nicht
mehr gesättigt ist, so daß sein KoIlektorpotential auf
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einen Wert ansteigt, bei dem der Emitterfolgertransistor QII5 in Durchlaßrichtung vorgespannt wird. Der Emitter
des Transistors Q115 folgt anschließend der steigenden
Basisspannung, Der Transistor QIO3 wird zu leiten beginnen,
wenn der Emitter des Transistors QII5 auf eine
zur Überwindung der Sperrvorspannung am Emitter des Transistors Q103 ausreichende positive Spannung angestiegen
ist.
Wenn die Signalamplituden noch größer werden als im soeben beschriebenen Fall, wird der vom Transistor QIO3
bezogene Strom ansteigen, und die von seinem Emitter-Kollektor-Pfad gebildete Impedanz wird mit wachsender
Signalstärke sinken. Dabei wird das an die Basis des Transistors Q1O9 anzulegende ZF-Signal in immer stärkerem
Maße gedämpft.
Zur Ansteuerung der Ausgangsklemme Tb der verzögerten
HP-Verstärkungsregelung ist ein zusätzlicher Transistor QII7 vorgesehen. Die Basis dieses Treibertransistors
QII7 ist direkt mit dem Verbindungspunkt zwischen den
Widerständen R115 und R116 im Emitterkreis des Emitterfolgertransistors
QII5 verbunden. Der Emitter des Transistors
QII7 liegt über einen Emitterwiderstand R117 an
Masse, während der Kollektor des Transistors Q'117 über
die Klemme T6 der Scheibe pO und einen äußeren Widerstand 55B mit der schon erwähnten Stromversorgung (+5OV)
gekoppelt ist, die in einer Schaltungsscheibe 80 geregelt wird, wie noch beschrieben werden wird. Im Falle
fehlender und schwacher Signale ist ebenso wie der Transistor QII5 auch der Transistor Q117 gesperrt.
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Wenn jedoch die Signalamplituden so groß sind, daß der
Bmitterfolgertransistor Q115 ausreichend stark leitet, wird die Basis des Transistors Q117 in Durchlaßrichtung
vorgespannt,und der Transistor Q117 beginnt zu leiten.
Die Einstellung des Schwellwertes bei der Zuführung der HF-AVR-Spannung kann von außen gesteuert werden, etwa
durch die Wahl des Wertes des Widerstandes 52, um den Sättigungsstrora des Verzögerungstransistors Q113 zu bestimmen·
Für Signalpegel oberhalb des gewählten Schwellwertpegels,
d.h. für AVR-Pegel, die den Pegel überschreiten, der ausreicht,
den Transistor Q115 außer Sättigung zu bringen und die Transistoren Q115 und Q117 aufzusteuern, wird die
Spannung an der Klemme T6 in Übereinstimmung mit der AVR-Spannung an der Basis des Transistors Q1O7 schwanken.
Die vom aus den Widerständen 54 und 55 in Verbindung mit
einer negativen Versorgungsspannungsquelle gebildeten Verschiebungsnetzwerk in einen niedrigeren Spannungsbereich
verschobene veränderliche Spannung am Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 54· und ^ stellt eine geeignet
verzögerte AVR-Spannung zur Regelung des HP-Verstärkers
im Tuner 18 dar. Die Einschaltung eines Kondensators 57 zwischen den Verbindungspunkt der Widerstände und
die überbrückte Scheibenklemme T7 (die über einen Kondensator 55 mit Masse gekoppelt ist) trägt zur Filterung der
HF-AVR-Spannung bei.
Es sei darauf hingewiesen, daß es wünschenswert ist, daß der dem Treibertransistor Q117 zugeordnete Verzögerungsschwellwert
kleiner ist als aer Verzögerungsschwellwert, der dem DämpfungstraiHLstor Q1O5 zugeordnet ist. Dies be-
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deutet, daß die HF-Verstärkungsregelwirkung bei einem
niedrigeren Pegel der oignalamplituden (der durch das
AVR-Potential angegeben ist) beginnt als die Dämpfungswirkung. Vorzugsweise wird vor dem Beginn der Dämpfungswirkung der volle Bereich der HF-Verstärkungsregelung
durchmessen. Bei der dargestellten Schaltungsanordnung erreicht beispielsweise der Treibertransistor Q117 die
Sättigung bei einem Potentialwert am Emitter des Transistors
Q115, der niedriger ist als der Potentialwert, bei welchem der Dämpfungstransistor 0105 zu leiten beginnt.
Es ist auch zu beachten, daß nach Beginn der Dämpfungswirkung durch den leitenden Transistor Q103 eine lileichstrom-Geüenkopplungsschleife
relativ hohen Verstärkungsgrades geschlossen ist, die den Widerstand R113 und die
Transistoren Q11J, Q115, Q105, Q1O5 und Q1O7 enthält.
Eine I1OIge dieser Rückkopplung besteht darin, daß die
Vorspannung an der Basis des Transistors Q109 bei einem weiteren Ansteigen der an die Klemme T^3 angelegten AVR-Spannung
relativ konstant gehalten wird.
Demgemäß setzt sich die Regelfolge aus wenigstens drei getrennten Phasen zusammen. In einer ersten Phase rej61a~
tiv schwacher Signale ist die AVR-Wirkung auf Änderungen
des Verstärkungsgrades der Kaskodeverstärkerstufe aus den Transistoren Q109 und Q111 beschränkt. Bei einer zweiten
Phase eines mittleren Signalpegels kommen zu Verstärkungsänderungen
der Kaskodeverstärkerstufe Änderungen der HP-Verstärkung hinzu. In einer dritten Phase großer
Signalamplituden ist die AVR-Wirkung im wesentlichen auf
den Betrieb der Dämpfungsanordnung aus-dem Widerstand R1O1
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und dem Transistor QIO3 beschränkt. Auf Wunsch kann eine
vierte Phase vorgesehen sein, bei welcher eine Rückkehr zu einer Betriebsweise erfolgt, bei der nur die Verstärkung
des ZF-Vorstärkers geändert wird, und zwar beim Übergang zwischen der erwähnten zweiten und der dritten
Phase. Dies richtet sich danach, wie weit die Pegel für die Sättigung des !Transistors Q117 und die Aufsteuerung
des !Transistors QIO3 getrennt sind.
Wie schon erwähnt wurde, verbindet der Kollektor-Emitter-Pfad des Transistors Q119 den Emitter des als
Emitterfolger geschalteten Eingangstransistor Q1O1 mit
Masse. Der Transistor Q119 wird anstelle eines Emitterwiderstandes
verwendet, um einen relativ konstanten Versorgungsstrom für die Emitter der Transistoren Q1O1 und
QIO5 zu liefern. Der Strom ist dabei genügend groß, so ■
daß der AVR-Bereich nicht dadurch beschränkt .wird, daß
dem Transistor Q1O1 vom Transistor Q1O3 zuviel Strom entzogen
wird.
Wenn im Betriebsbereich starker Signale nämlich der Transistor Q10J zu leiten beginnt und einen immer größeren
Strom zieht, so wird der Strom durch den Transistor Q101
entsprechend verringert werden. Um zu verhindern, daß der Transistor Q101 unter solchen Umständen gesperrt wird,
müssen die Emitter an eine leistungsfähige Stromquelle angeschlossen sein. Der Transistor Q119» dessen Basis so
vorgespannt ist, daß er einen relativ konstanten Strom der gewünschten Größe liefert, dient als solche Quelle.
Der notwendige Vorspannungsstrom zum Speisen des Transistors QI19 wird vom Emitter des Emitterfolgertransistors
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Q1O5 über cine Vorspannungsschaltung geliefert, welche
die Serienschaltung aus dem Widerstand R104, dem "'iderstand
R105 und einer in Durchlaßrichtung vorgespannten
stabilisierenden Diode D101 enthält. Die Basis des (Transistors 0119 ist an den Verbindungspunkt zwischen
den beiden Widerständen R104- und R105 angeschlossen.
Der Gesamtwiderstandswert dieser Serienschaltung ist
so gewählt, daß sich ein Vorspannungsstrom ergibt, welcher
den konstanten Versorgungsstrom im gewünschten Bereich ermöglicht. Der Widerstandswert des Widerstands
R1O4- ist relativ zu demjenigen des Widerstands R105
genügend groß, um den Transistor Q119 daran zu hindern,
beim Betriebszustand schwacher Signale die AVR-Spannung durch Gegenkopplung wesentlich zu beeinträchtigen.
Die integrierte Schaltung der Scheibe 30 enthält zusätzlich
ein Entkopplungsnetzwerk zum Anlogen der Betriebsspannungen an eine Anzahl der beschriebenen Transistoren.
Eine geregelte Gleichspannung (B+ , beispielsweise +11 V) wird von einem Regelkreis 80 aus einer (nicht dargestellten)
Stromverrjorgungsanordnung gewonnen, die sich an
anderer Stelle im Empfänger befindet. Die geregelte Gleichspannung wird der Klemme T12 der Scheibe 30 zugeführt
und an eine einfache Entkopplungsschaltung mit einem Widerstand R119 und einer mit diesem in Reihe liegenden
Zenerdiode Z101 angelegt.
Diese einfache Schaltung gewährleistet zwar eine angex
messene Entkopplung, doch könnte der Zenerdiodenbetrieb einen unerwünschten Rauschpegel in die Spannung über der
Zonerdiode einführen. Deshalb wird die an der Zenerdiode
Z101 liegende Spannung über einen Emitterl'olger brans is tor
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Q121 an eine dynamische Rauschfiltorschaltung angelegt,
die durch einen Transistor Q12J, einen Widerstand R121
und einen Kondensator C1O1 gebildet ist, Der Kollektor
des Transistors Q12J ist direkt mit dem Emitter des
Transistors Q121 verbunden. Der Widerstand R121 koppelt die Basis des Transistors Q125 mit dem Emitter des Transistors Q121, während der Kondensator C101 zwischen die Basis des Transistors Q12J und die an Masse liegende
Klemme T4- gekoppelt ist. An einem Emitter des Filtertransistors Q125 steht also eine praktisch rauschfreie
Versorgungs,Gleichspannung (B+) zur Verfügung, die in
angemessener Weise von weiteren an die Klemme T12 angeschlossenen Kreisen entkoppelt ist.
und einen Kondensator C1O1 gebildet ist, Der Kollektor
des Transistors Q12J ist direkt mit dem Emitter des
Transistors Q121 verbunden. Der Widerstand R121 koppelt die Basis des Transistors Q125 mit dem Emitter des Transistors Q121, während der Kondensator C101 zwischen die Basis des Transistors Q12J und die an Masse liegende
Klemme T4- gekoppelt ist. An einem Emitter des Filtertransistors Q125 steht also eine praktisch rauschfreie
Versorgungs,Gleichspannung (B+) zur Verfügung, die in
angemessener Weise von weiteren an die Klemme T12 angeschlossenen Kreisen entkoppelt ist.
Es hat sich gezeigt, daß es ratsam ist, zusätzlich die
Kollektoren der Transistoren Q101 und Q103 vom Kollektor der nachfolgenden Stufen in der Schaltungsanordnung der Scheibe zu entkoppeln. Aus diesem Grund besitzt der
Transistor Q125 eine Doppel-Emitter-Anordnung. Der erste Emitter lieJert die Versorgungsgleichspannung (B+) an
die Kollektoren der Transistoren Q1O1 und Q1O5, während der zweite Emitter eine isolierte Versorgungsspannungsquelle für die Kollektoren der Transistoren Q1O5, Q1O7, Q1O9 und Q115 darstellt. Die Basis des am Emitter angesteuerten Transistors Q111 der Kaskodeverstärkerstufe
liegt ebenfalls an der letztgenannten Versorgunsspannungsquelle.
Kollektoren der Transistoren Q101 und Q103 vom Kollektor der nachfolgenden Stufen in der Schaltungsanordnung der Scheibe zu entkoppeln. Aus diesem Grund besitzt der
Transistor Q125 eine Doppel-Emitter-Anordnung. Der erste Emitter lieJert die Versorgungsgleichspannung (B+) an
die Kollektoren der Transistoren Q1O1 und Q1O5, während der zweite Emitter eine isolierte Versorgungsspannungsquelle für die Kollektoren der Transistoren Q1O5, Q1O7, Q1O9 und Q115 darstellt. Die Basis des am Emitter angesteuerten Transistors Q111 der Kaskodeverstärkerstufe
liegt ebenfalls an der letztgenannten Versorgunsspannungsquelle.
Ein Beispiel für einen Überlagerungsempfänger gemäß der
Erfindung ist ein.Farbfernsehempfänger, der sich in der
Praxis bereits bewährt hat. Einzelheiten eines solchen
Farbforn^ehgerätes können der deutschen Patentanmeldung
Farbforn^ehgerätes können der deutschen Patentanmeldung
009841/1123
... (entsprechend der amerikanischen Patentanmeldung
Serial Ko. 803 544-) entnommen v/erden. Bei diesem Anwendungsbeispiel
v/ar die dargestellte Schaltungsanordnung der Scheibe 30 auf der gleichen Scheibe mit einer
monolithischen integrierten Schaltung enthalten wie zusätzliche Schaltkreise zur ZF-EndverStärkung, Videodemodulation,
Yideoverstärkung, Erzeugung der AVR-Spannung,
zur Differenzträger-Tondemodulation und für deren Steuerung, Differenzträger-ZF-Tonverstärkung, automatische
Feinabstiinmungssteuerung und Reglerreferenzsteuerung. Die hier verwendete Schaltungsanordnung zur
Erzeugung der AVR-Spannung i.-;t in der deutschen Patentanmeldung
... (entsprechend der USA-Patentanmeldung Serial Ko. SOJ 590) beschrieben.
Hur als Beispiel sind nachstehende Werte für die Schaltungsanordnung
der Scheibe 30 und die zugehörigen äußeren Schaltungskomponenten zusammengestellt, die in
dem erwähnten Farbfernsehempfänger einen befriedigenden Betrieb gewährleistet haben:
Tabelle A (Komixmenten auf der Scheibe)
Widerstand R101 Widerstand R104-Widerstand
R105 Widerstand R107 Widerstand R113
Widerstand R115 Widerstand R116
Widerstand R117 Widerstand R121 Kondensator C101
1 | OUO | Ohm |
2 | 000 | 0hm |
360 | Olim | |
700 | Ohm | |
1 | 000 | Olim |
1 | 600 | Ohm |
3 | 200 | Olim |
800 | Ohm | |
3 | 000 | Ohm |
20 | Pikofarad |
009841/1123
Tabelle B (Komponenten außerhalb der Scheibe)
Widerstand 52 Widerstand 54-Widerstand
55 Widerstand 56 Widerstand 58
Kondensator 53 Kondensator 57 Kondensator 59 000 Ohm 2 4-00 Ohm
000 Ohm 1 200 Ohm 6 800 Ohm 0,001 Mikrofarad 0,100 Mikrofarad 0,001 Mikrofarad
009841/1123
Claims (5)
- Patentansprüche,1./ Schaltungsanordnung für einen Überlagerungempfänger mit einem Tuner zur selektiven Verstärkung empfangener PIF-Signale und deren Umsetzung in ZF-Signale, einer Anordnung zur Erzeugung einer sich in Abhängigkeit von Amplitudenänderungen empfangener Signale ändernden Regelr;leichspannung für eine automatische Verstärkungsregelung und einer ZF-Verstärkerstuf e, dadurch gekennzeichnet, daß an den Eingangskreis (Q1O7) der ZF-Verstärkerstufe die ZF-Ausgangssignale des Tuners (18) und die Regeljleichspannu-ig über eine dynamische Dämpfungsschaltung (Q1O3, R1O1) mit einem Dämpfungstransistor (Q1O?) angelegt sind, der durch seinen Leitzusband das Dämpfungsinaß dieser Schaltung bestimmt, daß ein i'rcibertransistor (Q117) vorgesehen ist, v/elcher eine automatische Verstärkungsregelung der HF-Signal verstärkung im Tuner steuert, und daw eine von der υ ich ändernden Regel:;;leichspannung gesteuerte gemeinsame Verzögerungseinrichtung (Q113) vorgesehen ist, welche sowohl den Dämpfungstransistor als auch den Treibertransistor sperrt, wenn der Signalpegel der empfangenen Signale in einem ersten Bereich niedriger Signalamplituden liegt, welche nur den Dämpfungstransistor sperrt, die Aufsteuerung des Treibertransistors jedoch zuläßt, wenn dieser Signalnegel in einen zweiten Bereich mittlerer Signalamplituden fällt, und welche die Aufsteuerung sowohl des Dämpfungstransistors wie auch des Treibertransistors zuläßt, wenn der Signalpegel in einem dritten Bereich hoher Signalamplituden liegt.009841/1123
- 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verzögerungseinrichtung einen Verzögerungstransistor (QI13) enthält, der in den Sättigungszustand vorgespannt ist, wenn keine Signale empfangen werden.
- 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Därapfungstrsvnsistor (Q1O3) im Leitzustand, wenn der oignalpegel der empfangenen Signale im dritten Bereich liegt, eine Gleichstrom-Gegenkopplungsschleife (R113> Q113» Q115, Q1O5, Q1O7) schließt, welche Änderungen der Gleichspannung am Eingangskreis (Q1O9) der ZF-Verstärkerstufe entgegenwirkt.
- 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Treibertransistor (Q117) im Sättigungsbereich arbeitet, wenn der Signalpegel der empfangenen Signale in den dritten Bereich fällt.
- 5. Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche., dadurch gekennzeichnet, daß die ZF-Verstärkerstufe, die Dämpfungsschaltung (Q1O3> R1Q1), der Treibertransistor (Q117) und die Verzögerungseinrichtung (Q113) Teile einer monolithischen integrierten Schaltung (30) sind.009841/1123I. e e ι s e ι I e
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2756332A1 (de) * | 1976-12-29 | 1978-07-13 | Philips Nv | In seiner verstaerkung geregelter signalverstaerker |
DE3145849A1 (de) * | 1980-11-19 | 1982-06-03 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Automatische verstaerkungsregeleinrichtung (agc) fuer einen breitbandtuner |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1371660A (en) * | 1971-12-09 | 1974-10-23 | Texas Instruments Ltd | Radio receivers |
JPS5060941U (de) * | 1973-10-02 | 1975-06-05 | ||
JPS5422512U (de) * | 1977-07-15 | 1979-02-14 | ||
DE3105928C2 (de) * | 1981-02-18 | 1986-09-11 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh, 7730 Villingen-Schwenningen | Schaltungsanordnung zur Regelung der Verstärkung von HF- und ZF-Stufen in Rundfunk- und Fernsehempfängern |
CN101536308B (zh) * | 2006-12-11 | 2015-08-12 | 汤姆森许可贸易公司 | 使用改进的交叉调制的自动增益控制 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3153189A (en) * | 1961-02-15 | 1964-10-13 | Westinghouse Electric Corp | Attenuation network automatically controlled by level of signal carrier |
CH407238A (de) * | 1963-08-23 | 1966-02-15 | Siemens Ag Albis | Schaltungsanordnung zur Regelung des Verstärkungsgrades mehrerer gleicher Transistor-Wechselstrom-Verstärkerstufen |
US3450834A (en) * | 1966-03-04 | 1969-06-17 | Sylvania Electric Prod | Automatic gain control circuit |
-
1969
- 1969-03-03 US US803728A patent/US3579112A/en not_active Expired - Lifetime
-
1970
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- 1970-03-03 AT AT199170A patent/AT323810B/de not_active IP Right Cessation
- 1970-03-03 BE BE746805D patent/BE746805A/xx unknown
-
1973
- 1973-12-30 MY MY453/73A patent/MY7300453A/xx unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2756332A1 (de) * | 1976-12-29 | 1978-07-13 | Philips Nv | In seiner verstaerkung geregelter signalverstaerker |
DE3145849A1 (de) * | 1980-11-19 | 1982-06-03 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Automatische verstaerkungsregeleinrichtung (agc) fuer einen breitbandtuner |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7002927A (de) | 1970-09-07 |
AT323810B (de) | 1975-07-25 |
BE746805A (fr) | 1970-08-17 |
US3579112A (en) | 1971-05-18 |
SE372153B (de) | 1974-12-09 |
DK142388C (de) | 1981-03-16 |
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ES377085A1 (es) | 1972-06-01 |
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DE2009947C3 (de) | 1978-03-09 |
GB1290092A (de) | 1972-09-20 |
DK142388B (da) | 1980-10-20 |
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FR2037492A5 (de) | 1970-12-31 |
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Legal Events
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