DE19958096A1 - Gyratorstrukturen mit hohem Q - Google Patents

Gyratorstrukturen mit hohem Q

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Filterschaltung und ein Verfahren zum Herstellen einer Filterschaltung, umfassend wenigstens einen Gyratorkern-Abschnitt (GCi) mit vier Invertern, die zwischen einem Paar von Eingangsanschlüssen (i_1; i_2) und einem Paar von Ausgangsanschlüssen (o_1; o_2) in einer Schleifenkonfiguration untereinander verschaltet sind. Wenigstens ein Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt (CMIi, CMOi) ist zwischen dem Paar von Eingangsanschlüssen und/oder dem Paar von Ausgangsanschlüssen vorgesehen. Der Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt umfasst zwei Reihenschaltungen, die jeweils von einem Inverter und einem kurzgeschlossenen Inverter gebildet werden, die antiparallel zwischen den Eingangsanschlüssen oder den Ausgangsanschlüssen geschaltet sind. Die Inverter können von einem MOS, CMOs oder BoCMOS oder einem Bipolar-Transistor gebildet sein. Gemäß der Erfindung werden die Kanalbereichs-Abmessungen der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts und/oder des Common-Mode-Rückkopplungsabschnitts so gewählt, dass der Zusammenhang g*C >= g¶m¶*c¶m¶ erfüllt ist, wobei g die effektive leitende Last der Gyratorkern-Abschnittsanschlüsse ist, C die effektive kapazitive Last der Gyratorkern-Abschnittsanschlüsse ist, g¶m¶ die effektive Gyrationskonstante des Gyratorkern-Abschnitts ist und c¶m¶ die effektive Transkapazität des Gyratorkern-Abschnitts ist.

Description

GEBIET DER ERFINDUNG
Diese Erfindung betrifft eine Filterschaltung, die aus wenigstens einer Filterstufe besteht, in der verstärkerähnliche Schaltungen, wie Integratoren und/oder Gyratoren, verwendet werden, um die Impedanz von Induktoren zu emulieren. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Herstellen (Entwerfen) einer derartigen Filterschaltung.
Die Erfindung richtet sich insbesondere auf das Problem, wie komplexe Filter (höherer Ordnung) so ausgelegt werden können, daß die tatsächlichen Filtercharakteristiken, die in der praktisch realisierten Filterschaltung erhalten werden, mit den theoretisch entworfenen Filtercharakteristiken übereinstimmen. Die Erfindung betrifft auch das Problem, wie derartige komplexe Filter (z. B. höherer Ordnung) so ausgelegt werden können, daß sie stabil sind.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Wie in Fig. 1 gezeigt, besteht eine Filterschaltung typischerweise aus einer Vielzahl von Filterstufen FST1 . . . FSTi, wobei die erste Filterstufe FST1 von einer Quelle, z. B. einer Stromquelle CS, und einer Quellenimpedanz SI angesteuert wird, und der Ausgang der letzten Filterstufe FSTi mit einer Ausgangsimpedanz OI abgeschlossen ist. Wie dem Durchschnittsfachmann altbekannt ist, ist eine Filterübertragungsfunktion im wesentlichen ein Polynom, das aus einer Vielzahl von Polstellen und Nullstellen in der komplexen Ebene besteht. In Abhängigkeit davon, ob die einzelnen Filterstufen FSTi eine Filterstufe erster Ordnung oder höherer Ordnung sind, kann somit eine gewünschte Filterfunktion und somit eine gewünschte Filtercharakteristik erhalten werden.
Nachstehend wird angenommen, daß jede Filterstufe FSTi aus einem einzelnen Transistor oder Gyrator besteht. Jedoch ist die Erfindung natürlich nicht darauf beschränkt, daß jede Filterstufe von den besagten Typen ist, sondern auch Filterstufen höherer Ordnung können verwendet werden.
In Abhängigkeit von der gewünschten Filterübertragungsfunktion wird jede Filterstufe durch Spulen, Widerstände und Kondensatoren realisiert. Beispielsweise sind on-chip Filter normalerweise auf Widerstand/Kondensator-Filterstufen beschränkt, außer bei sehr hohen Frequenzen, bei denen on-chip Spulen mit wenigen nH verwendet werden können. In derartigen passiven Filterrealisationen (d. h. keine aktive Schaltungsanordnung wird in den Filterstufen FSTi verwendet) hängt es deshalb davon ab, wie genau oder ob überhaupt Spulen (insbesondere die Spulenimpedanz) durch eine passive Spulenkonstruktion realisiert werden kann.
Wie Durchschnittsfachleuten im Gebiet des Filterdesigns bekannt, werden aktive on-chip Filter oft verwendet, um die Spulenbeschränkungen in passiven Filterschaltungen zu umgehen. In derartigen aktiven Filtern wird eine verstärkerartige Schaltungsanordnung verwendet, um die Impedanz der Induktoren zu emulieren. Das heißt, die Spulen werden durch eine aktive Schaltung ersetzt. Für zeitkontinuierliche Filter bestehen derartige verstärkerartige Schaltungen typischerweise aus Integratoren oder Gyratoren, und für zeitdiskrete Schaltungen (digitale Filter) werden Integratoren zum Emulieren der Spulenimpedanz verwendet.
Zeitkontinuierliche Filter, die mit Integratoren implementiert sind, verwenden typischerweise derartige Elemente in Schleifen und diesen Schleifen. Zwei Integratoren in einer Schleife bilden tatsächlich einen Gyrator. Wenn die Vorwärts- und Rückwärts-Integratoren die gleichen Verstärkungscharakteristiken aufweisen, bilden sie einen passiven Gyrator, und wenn sie nicht die gleichen Verstärkungscharakteristiken aufweisen, dann bilden sie einen aktiven (oder asymmetrischen) Gyrator.
Fig. 2 zeigt ein typisches Blockschaltbild eines Gyrators und seines Ersatzschaltbildes. Die Eingangsspannung V1 und die Ausgangsspannung V2 sind über die Gyrations-Konstante gm * über I1 = -gm*V2 und I2 = gm*V1 verbunden. Somit besteht der in Fig. 2 gezeigte Gyrator aus einer positiven Transkonduktanz gm * und einer negativen Transkonduktanz -gm *.
Fig. 3 zeigt eine typische Realisation des Gyrators in Fig. 2, wobei wenigstens ein Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt CMIi, CMOi und ein Gyratorkern-Abschnitt GCi verwendet werden. Wie in Fig. 3 gezeigt, wird die negative Transkonduktanz -gm * in typischer Weise durch Verwenden von differenziellen Signalen und Überkreuzen eines Paars von Drähten gebildet. Das heißt, der Gyratorkern-Abschnitt GCi umfaßt vier Inverter GI1i-GI4i, die untereinander in einer Schleifenkonfiguration zwischen einem Paar von Eingangsanschlüssen i_1; i_2 und einem Paar von Ausgangsanschlüssen o_1; o_2 verbunden sind. Der Common-Mode- Rückkopplungsabschnitt CMIi, CMOi ist zwischen das Paar von Eingangsanschlüssen und/oder das Paar von Ausgangsanschlüssen geschaltet und umfaßt zwei Reihenschaltungen, die jeweils aus einem Inverter CMI1, CMO1 und einem kurzgeschlossenen Inverter CMI2, CMO2 gebildet sind, die antiparallel zwischen die Eingangsanschlüsse oder die Ausgangsanschlüsse geschaltet sind. Es sei darauf hingewiesen, daß einer der Eingangs- oder Ausgangs-Common-Mode-Rückkopplungsabschnitte CMIi, CMOi zum Realisieren der positiven Transkonduktanz gm * ausreicht und daß ein Gyratorkern-Abschnitt GCi zum Realisieren der negativen Transkonduktanz -gm * ausreicht.
Unabhängig davon, wie die tatsächlichen Inverter realisiert werden (durch MOS, CMOS, BiCMOS oder Bipolar-Transistoren), führt das Überkreuzen der Drähte jedoch zu eine Schleife durch die vier Inverter GI1i, GI2i, GI3i, GI4i. Fig. 4 zeigt die Realisation der Inverter in Fig. 3 unter Verwendung von zwei CMOS Transistoren T1 (z. B. NMOS) und T2 (z. B. PMOS), deren Drains D und Gates G verbunden sind, wobei die jeweiligen Sourcen mit Masse verbunden sind. In ähnlicher Weise würden die kurzgeschlossenen Inverter der in Fig. 4 gezeigten Schaltungskonfiguration entsprechen, wobei der Eingang In und der Ausgang Out zusammengeschaltet sind.
Ferner sind Gyratoren möglich, die von einer differenziellen Verstärkerschaltungsanordnung realisiert werden, wie in Fig. 5a, 5b gezeigt. Fig. 5a zeigt auf der linken Seite das Symbol für einen Transkonduktor, der von einem differenziellen Verstärker realisiert wird, und auf der rechten Seite ist die Inverterlösung für einen derartigen Verstärker des differenziellen Typs in CMOS-Technologie gezeigt. Zwei Inverter I1, I2 (z. B. mit einer Schaltungskonfiguration wie in Fig. 4 gezeigt) sind jeweils mit der ersten und zweiten Stromquelle CS1, CS2 verbunden, die durch Vorspannungen bias1, bias2 vorgespannt sind.
Fig. 5b zeigt den Gyratorkern-Abschnitt GCi der Fig. 3 unter Verwendung einer differenziellen Transkonduktor- Konfiguration, wie in Fig. 5a. Wie auf der linken Seite in Fig. 5b gezeigt, sind zwei differenzielle Transkonduktoren DA1, DA2 in einer Rückkopplungsschleife angeordnet, und deshalb führt dies unter Verwendung der Schaltungskonfiguration der Fig. 5a zu einem Aufbau, der ähnlich zu dem in Fig. 3 gezeigten ist, nämlich zu schleifenartigen Schaltungen in dem Gyratorkern-Abschnitt GCi.
In Fig. 5b ist die Schaltungskonfiguration der Fig. 5a zweimal enthalten, was zu zwei ersten Stromquellen CS1, CS12 und zu zwei zweiten Stromquellen CS21, CS22, zu ersten Invertern I11, I12 und zu zweiten Invertern I21, I22 führt.
Es sei darauf hingewiesen, daß jede Gyratorkonfiguration, wie in den Fig. 3, 4, 5 gezeigt, für die Filterschaltung gemäß der Erfindung, wie nachstehend noch beschrieben wird, verwendet werden kann. Das heißt, die vorliegende Erfindung ist nicht auf irgendwelche bestimmten Gyratorkonstruktionen beschränkt. Jedoch würde jede Gyratorkonstruktion zu der schleifenartigen Schaltung des Gyratorkern-Abschnitts GCi führen, wie in Fig. 3 gezeigt. Der einzige Unterschied besteht darin, daß der Gyrator mit dem differenziellen Verstärker, der in Fig. 5b gezeigt ist, keine Common-Mode- Rückkopplung benötigt, weil in dem differenziellen Transkonduktor ein hohes CMRR (Common-Mode- Zurückweisungsverhältnis oder Common Mode Rejection Ratio) existiert.
Wie voranstehend erläutert, führt die schleifenartige Konfiguration des Gyrators zu einem Stabilitätsproblem, und die Stabilitätsanalyse der Gyrator- und Integrator-gestützten Filter ist die gleiche, da die Integratoren Teile der Gyratorschleifen sind. Eine Analyse der Gyratoren ist somit für die Integrator-Konfiguration genauso gültig.
BESCHREIBUNG DES STANDES DER TECHNIK
Die Stabilität von Filterschaltungen, die eine Gyratorkonstruktion wie in Fig. 3 gezeigt umfassen, ist von B. Nauta: "A CMOS transconductance-C filter technique for very high frequencies in IEEE Journal of Solid-State Circuits, SC-27, Seiten 142-153, Februar 1992" studiert worden. In diesem Dokument des Standes der Technik wurde die Stabilität der Schaltung in Fig. 3 (nachstehend als die Nauta-Zelle bezeichnet) unter der Annahme einer MOS oder CMOS Transistor-Realisation der Integratoren in Fig. 3 ausgeführt. Wie dem Durchschnittsfachmann in dem Gebiet der Transistortechnologie altbekannt ist, weist jeder MOS oder CMOS Transistor einen Kanalbereich mit einer bestimmten Abmessung auf, und die Zeit, die zum Transportieren von Trägern durch diesen Kanal (zwischen der Source und Drain) benötigt wird, wird die Schalteigenschaften des CMOS oder MOS Transistors beeinflussen.
In einer Doktorarbeit, die die Grundlage für die voranstehend erwähnte IEEE-Veröffentlichung ist, präsentierte Nauta eine Anzahl von einfachen Filtern und komplexen Zwischenfrequenz- (IF)-Filtern. Die Filterstrukturen mit niedriger Ordnung arbeiteten gut, aber die komplexeren (Filter mit höherer Ordnung) wiesen eine sehr schlechte Frequenzantwort auf. Insbesondere bestand eine Abweichung der gemessenen Filtercharakteristiken von der theoretisch erwarteten Filtercharakteristik, um mehr als 10 dB. Ferner traten Stabilitätsprobleme auf, und zum Erreichen eine Stabilität der Filterschaltungen wurde eine getrennte Q-Abstimmschaltung (getrennte Versorgungsspannung für die Ballast-Inverter in dem Common-Mode-Rückkopplungsnetz) verwendet, um eine externe Einstellung zu ermöglichen. Grundlegend verringert die Hinzufügung von Ballast-Einrichtungen oder die Einstellung der Größe der Inverter in den Common-Mode- Rückkopplungsabschnitten die Abhängigkeit der Filterschaltung von der Ausgangs-Leitfähigkeit des Filters und führt somit zu stabileren Filtercharakteristiken. Während Nauta das Ziel erreichte, durch die Hinzufügung der Q-Abstimmschaltungen ein stabiles Filter zu erhalten, bestand eine beträchtliche Abweichung der Filtercharakteristiken von dem erwarteten Betriebsverhalten. Offensichtlich ist lediglich das Hinzufügen von Ballast-Invertern in dem Common-Mode- Rückkopplungsnetz nicht ausreichend, um die Stabilität aufrechtzuerhalten und die gewünschte Filtercharakteristik zu erzielen. Ferner würde jeder einzelne Gyrator eine getrennte Q-Abstimmschleife benötigen.
Filter mit niedrigerer Ordnung, die Nauta-Zellen umfassen, funktionieren in der Tat, weil die externen Abschlüsse eine ausreichende Belastung des Gyrators bereitstellen, um diesen stabil zu machen. Andererseits neigen Filter höherer Ordnung dazu, interne Knoten aufzuweisen, die keine ausreichende Ladung (Belastung) erfahren, um das Filter stabil zu machen.
Somit ist kein aktives zeitkontinuierliches on-chip MOS Filter erfolgreich in Produkten hergestellt worden, und zwar wegen der Unzuverlässigkeit der Gyratorzelle im Hinblick auf die Stabilität, und die einzig funktionierenden Beispiele sind auf Filter niedriger Ordnung oder Kaskaden von Filtern niedriger Ordnung (mit schlechteren Empfindlichkeitscharakteristiken) beschränkt.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Deshalb besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, wie voranstehend erläutert, darin, eine Filterschaltung, die wenigstens eine Filterstufe mit wenigstens einem Gyrator umfaßt, und ein Verfahren zum Herstellen eine derartigen Filterschaltung bereitzustellen, so daß die Filterschaltung auch dann stabil ist, wenn Filterstufen höherer Ordnung verwendet werden, und so, daß die praktisch erhaltene Filtercharakteristik mit der theoretisch erwarteten Filtercharakteristik übereinstimmt.
Diese Aufgabe wird durch die Filterschaltung (Anspruch 11) gelöst, die aus wenigstens einer Filterstufe besteht, die umfaßt: einen Gyratorkern-Abschnitt mit vier Invertern, die untereinander in einer Schleifenkonfiguration zwischen einem Paar von Eingangsanschlüssen und einem Paar von Ausgangsanschlüssen verschaltet sind; wenigstens einen Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt, der zwischen das Paar von Eingangsanschlüssen und/oder das Paar von Ausgangsanschlüssen geschaltet ist und zwei Reihenschaltungen umfasst, die aus jeweils einen Inverter und einen kurgeschlossenen Inverter gebildet sind, die antiparallel zwischen die Eingangsanschlüsse und die Ausgangsanschlüsse geschaltet sind; wobei jeder der Inverter von wenigstens einem MOS, CMOS oder BiCMOS Transistor mit einem Gate, einem Drain, einer Source und einem Kanalbereich zwischen der Drain und Source gebildet; wobei die Kanalbereich-Abmessungen (Dimensionen) der Transistoren des Generatorkern-Abschnitts und/oder des Common-Mode-Rückkopplungsabschnitts so gewählt sind, dass die folgende Beziehung erfüllt ist: g*C ≧ gm*cm mit: g: effektive leitende (konduktive) Last (Belastung) der Gyratorkern- Abschnittsanschlüsse; C: effektive kapazitive Last der Gyratorkern-Abschnittsanschlüsse; gm: effektive Gyrationskonstante des Gyratorkern-Abschnitts; und cm: effektive Transkapazität des Gyratorkern-Abschnitts.
Ferner wird diese Aufgabe auch durch eine Verfahren (Anspruch 1) zum Herstellen einer Filterschaltung, die aus wenigstens einer Filterstufe besteht, gelöst, das die folgenden Schritte umfasst: Herstellen der wenigstens einen Filterstufe mit einem Gyratorkern-Abschnitt mit vier Invertern, die untereinander in einer Schleifenkonfiguration zwischen einem Paar von Eingangsanschlüssen und einem Paar von Ausgangsanschlüssen verschaltet sind; und Bereitstellen wenigstens eines Common-Mode-Rückkopplungsabschnitts, der zwischen das Paar von Eingangsanschlüssen und/oder das Paar von Ausgangsanschlüssen geschaltet ist und zwei Reihenschaltungen umfasst, die jeweils durch einen Inverter und einen kurgeschlossenen Inverter gebildet sind, die antiparallel zwischen den Eingangsanschlüssen oder den Ausgangsanschlüssen geschaltet sind; wobei jeder der Inverter von wenigstens einem MOS, CMOS oder BiCMOS Transistor mit einem Gate, einem Drain, einem Source und einem Kanalbereich zwischen der Drain und Source gebildet ist; umfassend den folgenden Schritt: Wählen der Kanalbereichs-Abmessungen der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts und/oder des Common- Mode-Rückkopplungsabschnitts so, dass der folgende Zusammenhang erfüllt ist: g*C ≧ gm*cm mit: g: effektive leitende (konduktive) Last der Gyratorkern- Abschnittsanschlüsse; C: effektive kapazitive Last der Gyratorkern-Abschnittsanschlüsse; gm: effektive Gyrationskonstante des Gyratorkern-Abschnitts; und cm: effektive Transkapazität des Gyratorkern-Abschnitts.
Ferner wird die Aufgabe auch durch eine Verfahren zum Herstellen einer Filterschaltung, die aus wenigstens einer Filterstufe FSTi besteht, gelöst, die die folgenden Schritte umfasst: Versehen S1 der wenigstens einen Filterstufe FSTi mit einem Gyratorkern-Abschnitt GCi mit vier Invertern, I11, I12, I22, I21, die untereinander in einer Rückkoppelungsschleife zwischen einem Paar von Eingangsanschlüssen i_1, i_2 und einem Paar von Ausgangsanschlüssen o_1, o_2 untereinander verschaltet sind, wobei die Inverter als eine differentielle Transkonduktorkonfiguration so angeordnet sind, dass ein erster bzw. zweiter Inverter I11, I21 zwischen dem ersten Eingangs- und dem ersten Ausgangsanschluss i_1; o_2 und dem zweiten Eingangsanschluss und dem zweiten Ausgangsanschluss i_2; o_2 vorgesehen sind; wobei jeder der Inverter von wenigsten einem einem MOS, CMOS oder BiCMOS Transistor mit einem Gate G, einer Drain D, einer Source S und einem Kanalbereich CH zwischen der Drain D und der Source S gebildet ist; Wählen S4 der allgemeinen Bereichsabmessungen CL, CB der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts so, dass der folgende Zusammenhang erfüllt ist: g*C ≧ gm*cm mit: g: effektive leitende (konduktive) Last der Gyratorkern- Abschnittsanschlüsse; C: effektive kapazitive Last der Gyratorkern-Abschnittsanschlüsse; gm: effektive Gyrationskonstante des Gyratorkern-Abschnitts; und cm: effektive Transkapazität des Gyratorkern-Abschnitts.
Ferner wird diese Aufgabe durch eine Filterschaltung gelöst, die aus wenigstens einer Filterstufe FSTi besteht, die umfasst: wenigstens eine Filterstufe FSTi mit einem Gyratorkern-Abschnitt GCi mit vier Invertern I11, I12, I22, I21, die untereinander in einer Schleifenkonfiguration zwischen einem Paar von Eingangsanschlüssen i_1; i_2 und einem Paar von Ausgangsanschlüssen o_1; o_2 untereinander verschaltet sind; wobei die Inverter als eine differentielle Transkonduktorkonfiguration so angeordnet sind, dass der erste und der zweite Inverter I11, I21 jeweils zischen dem ersten Eingangs- und ersten Ausgangsanschluss i_1; o_1 und dem zweiten Eingangsanschluss und dem zweiten Ausgangsanschluss i_2; o_2 vorgesehen sind; wobei der Inverter von wenigstens einem MOS, CMOS oder BiCMOS Transistor mit einem Gate G, einer Drain D, einer Source S und einem Kanalbereich CH zwischen der Drain D und der Source S gebildet ist; wobei die Dimensionen CL, CB des allgemeinen Bereichs der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts so gewählt sind, dass der folgende Zusammenhang erfüllt ist: g*C ≧ gm*cm mit: g: effektive leitende Last der Gyratorkern- Abschnittsanschlüsse; C: effektive kapazitive Last der Gyratorkern-Abschnittsanschlüsse; gm: effektive Gyrationskonstante des Gyratorkern-Abschnitts; und cm: effektive Transkapazität des Gyratorkern-Abschnitts.
Gemäss der Erfindung wurde das Problem erkannt, dass die Kanalverzögerung der Transistorstrukturen, die in den Gyratorschaltungen verwendet werden, die Schaltung tatsächlich instabil macht und die Abweichung der tatsächlichen Filtercharakteristik von der erwarteten theoretischen Filtercharakteristik verursacht. Gemäss der Erfindung wurde erkannt, dass das nicht-quasi-statische Verhalten der Kanalladung eine parasitäre Polstelle in der Transkonduktanz der Einrichtung in der Tat hinzufügt. Diese zusätzliche Polstelle oder Verzögerung macht den Gyrator instabil und dieser muss deshalb in geeigneter Weise entworfen werden. Immer dann, wenn die Kanalverzögerung signifikant wird, ist es deshalb erforderlich, die Kanalbereichs-Dimension so zu entwerfen, dass g*C ≧ gm*cm erfüllt ist. Es ist auch nicht erforderlich, zu dem Ballast- Invertern in dem Common-Mode-Kopplungsnetz eine Q-Abstimmung hinzuzufügen. Wenn die Kanalbereichs-Abmessungen der MOS- Transistoren so ausgelegt werden, dass diese Bedingung erfüllt ist, können auch Filter höherer Ordnung mit hervorragenden Filtercharakteristiken bereitgestellt werden.
Gemäss einem ersten Aspekt der Erfindung werden die Abmessungen des Kanalbereichs in unterschiedlicher Weise in dem Gyratorkern-Abschnitt und dem Common-Mode-Rückkopplungs- Abschnitt geändert. Die Kanalbereichs-Abmessungen der Transistoren des Common-Mode-Rückkopplungsabschnitts können konstant gehalten werden und die Länge des Kanalbereichs des Gyratorkern-Abschnitts kann verringert werden, wodurch die Transadmittanz (Transleitwert) des jeweiligen Transistors geändert wird. Somit werden die Einrichtungen verkürzt, was die Spannungsverstärkung für die offene Schaltung (Open- Circuit-Spannungsverstärkung) der Einrichtungen niedrig genug ist, so dass keine Instabilität verursacht wird.
Gemäss einem zweiten Aspekt der Erfindung werden die Abmessungen des Kanalbereichs der Transistoren des Common- Mode-Rückkopplungsabschnitts konstant gehalten und die Länge des Kanalbereichs und Breite des Kanalbereichs des Gyratorkern-Abschnitts wird verringert, wodurch die Transadmittanz des jeweiligen Transistors konstant gehalten wird, so dass die Resonanzfrequenz des Kernabschnitts ωTcore grösser als die Resonanzfrequenz der Filterschaltung ω0filter ist. Deshalb können die Gyratorkern-Einrichtungen herunterskaliert werden, so dass deren Verzögerung insignifikant wird.
Wenn die Kanalbereichsabmessungen so ausgelegt worden sind, dass das Gesamtfilter g*C ≧ gm*cm erfüllt, können gemäss einem dritten Aspekt der Erfindung zusätzliche Ballast- Inverter zu dem Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt hinzugefügt werden. Im wesentlichen wird die Breite des Kanalbereichs der Transistoren der Common-Mode- Ballastinverter in dem Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt erhöht. Das heisst, der cm Ballastinverter-Kanalbereich wird verbreitert und man muss hier zwischen dem cm Ballastinverter, der mit einem Anschluss (CMI1 und CMO2) verbunden ist, dessen Breite tatsächlich erhöht wird und den CM-Invertern, die zwischen Anschlüsse CMI1, CMO1) geschaltet sind, deren Breite konstant gehalten werden kann, unterscheiden.
Vorzugsweise kann die Kanallänge der cm Inverter (CMI1 und/oder CMO1) länger gemacht werden (obwohl dies zu einer Verbreiterung von CMx2 schlechter sein kann), da dies ein ähnliches Verstärkungsungleichgewicht erzeugen wird.
Gemäss einem vierten Aspekt der Erfindung können die voranstehend erwähnten Stabilitätskriterien und weitere Stabilitätskriterien, die nachstehend diskutiert werden, für eine Filterschaltung verwendet werden, die von einer differentiellen Transkonduktor-Konfiguration in einer Rückkoppelungsschleife ohne zusätzliche Common-Mode- Rückkopplungsabschnitte gebildet ist. Die voranstehend erwähnten Vorgehensweisen sind auf eine symmetrische und asymmetrische Realisationen der Inverter anwendbar.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Verbesserungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen. Ferner sei darauf hingewiesen, dass die Erfindung nicht auf die Ausführungsformen und Beispiele, die nachstehend beschrieben werden, beschränkt ist und dass weitere Ausführungsformen der Erfindung Merkmale umfassen, die in den Ansprüchen und in der Beschreibung getrennt beschrieben worden sind. Nachstehend werden Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 eine typische Filterschaltung, die eine Anzahl von Filterstufen FST1 . . . FSTi gemäss dem Stand der Technik umfasst;
Fig. 2 ein Ersatzschaltbild eines Gyrators;
Fig. 3 eine Gyratorschaltung des differentiellen Signaltyps, umfassend einen Kernabschnitt GCi und Common-Mode-Rückkopplungsabschnitte CMIi, CMOi gemäss dem Stand der Technik;
Fig. 4 eine CMOS Transistorkonstruktion eines Inverters, der in Fig. 3 verwendet wird;
Fig. 5a ein Ersatzschaltbild eines differentiellen Transkonduktors;
Fig. 5b eine differentielle Transkonduktorrealisation des in Fig. 3 gezeigten Gyratorkern-Abschnitts GCi; und
Fig. 6 ein Flussdiagramm des Entwurfsverfahrens gemäss der Erfindung.
Es sei darauf hingewiesen, dass in den Zeichnungen gleiche oder ähnliche Bezugszeichen verwendet werden und dass die Filterschaltung gemäss der Erfindung irgendeine Gyratorkern- Ausbildung realisiert von MOS, CMOS, BiCMOS oder Bipolar- Transistoren verwenden kann. Die Erfindung ist auch nicht auf die differentielle Transkonduktorstruktur der Fig. 5b oder die Konstruktion der Fig. 3 beschränkt.
PRINZIP DER ERFINDUNG
Nachstehend wird das Prinzip der Erfindung unter Bezugnahme auf eine Stabilitätsanalyse der Nauta-Zelle, die in Fig. 3 gezeigt ist, beschrieben. Jedoch, wie voranstehend erläutert, trifft eine ähnliche Stabilitätsanalyse für Fig. 5b zu. Ferner ist die Stabilitätsanalyse auch nicht auf eine MOS, CMOS oder BiCMOS Gyratorkonstruktion beschränkt und auch eine Bipolar-Transistor-Konstruktion des Gyrators kann der Stabilitätsanalyse ausgesetzt werden. An sich umfasst der Bipolar-Transistor nicht einen Kanal, jedoch gibt es eine Verzögerung im Zusammenhang mit dem Basistransport. Somit gibt es in beiden Technologien eine Basis- oder Gate- Verzögerung, d. h. der Drain/Kollektor-Strom reagiert nicht unmittelbar auf eine Gate/Basis-Anschlussspannungsänderung aufgrund dieser Verzögerung. Eine zusätzliche Verzögerung hängt dann von der MOS-Kanallänge oder dem Spreizwiderstand (spreading resistance) der bipolaren Basis und der Transitzeit ab.
Die Erfinder berücksichtigten mehrere Aspekte beim Entwerfen von Filtergyratoren auf Grundlage der Nauta-Zelle. Insbesondere wurde der Gyratorstabilitäts-Q-Wert und die Anpassungseigenschaften und das Rauschen untersucht. Eine Anpassung ist nicht so ein wichtiger Aspekt, wird aber allgemein verbessert, wenn die Abmessungen der Einrichtung zunehmen. Rauschen ist bereits in dem voranstehend erwähnten IEEE Artikel beschrieben worden.
Im Grunde genommen basiert das Prinzip der vorliegenden Erfindung auf der Idee, dass eine Stabilitätsanalyse für die Nauta-Zellen-Gyratorstruktur der Fig. 3 einschliesslich der Kanalverzögerung, d. h. den Kanalabmessungen der Transistoren, die zum Realisieren der Inverter und kurzgeschlossenen Inverter verwendet werden, ausgeführt wird. Die Admittanzmatrix der Konfiguration in Fig. 3 kann folgendermassen abgeleitet werden.
Dabei ist yi die Eingangsadmittanz, yo ist die Ausgangsadmittanz, yf ist die Transadmittanz vom Ausgang zum Eingang und ym ist die Transadmittanz vom Eingang zum Ausgang. Das heisst, die komplette Admittanz yshort = (yi + yo + ym). Die Admittanzmatrix ycore des Gyratorkern- Abschnitts kann wie folgt abgeleitet werden:
Die Admittanzmatrix des Common-Mode-Rückkopplungsblocks kann als YCM definiert werden:
In beiden Gleichungen gilt yl = yi+yf+yo. Somit wird eine komplette Gyratoradmittanzmatrix ygyr durch Addieren der zwei Admittanzmatrizen Ycore, YCM wie folgt abgeleitet:
Zwei Arten von Stabilitätsproblemen können in der Nauta-Zelle auftreten. Bei einer Oszillation im Common Mode sind zunächst die Eingänge und Ausgänge in Phase und z. B. ist vi1 = vi2 (wobei vi1 und vi2 die Spannungen zwischen den Eingängen i_1, i_2 gegenüber Masse bezeichnen). Das Common-Mode- Rückkopplungsnetz CNIi von Nauta stellt sicher, dass dies nicht passieren kann, da die Schleifenverstärkung auf 1/2 für Common-Mode-Signale begrenzt ist. Deshalb ist das einzige Stabilitätsproblem, welches analysiert werden muss, für den differentiellen Fall, bei dem die folgenden Beziehungen für die differentiellen Signale erfüllt sind:
vi1 = -vi2
vo1 = -vo2
ii1 = -ii2
io1 = -io2 (5)
wobei vi1, vi2 und vo1 und vo2 die jeweiligen Spannung an den Eingangs- und Ausgangsanschlüssen i_1; i_2 und o_1; o_2 und ii1, ii2 und io1 und io2 die jeweiligen Ströme an den Eingangs- und Ausgangsanschlüssen sind.
Die Gleichungen (4), (5) können verwendet werden, um eine Stabilitätsanalyse für den allgemeinen Fall auszuführen, bei dem nicht notwendigerweise angenommen wird, dass sämtliche Inverter (Transistoren) identisch sind. Das heisst, die Matrixelemente von Ygyr enthalten die jeweiligen Werte der einzelnen Realisationen der Inverter.
Wenn die Annahme von differentiellen Signalen in der Gleichung (5) verwendet wird, dann ist es möglich, das Problem zu vereinfachen, indem die letzten zwei Zeilen gestrichen werden und die letzten zwei Spalten von den ersten zwei der Gleichung (4) subtrahiert werden. Dies führt zu einer reduzierten Admittanzmatrix für den differentiellen Betrieb der Nauta-Gyratorzelle, die einfacher zu analysieren ist. Somit reduziert sich die Gleichung (4) zu:
Diese Gleichung kann weiter vereinfacht werden, wenn Yl = 3(Yi+2Yf = Y0) definiert wird. Dies führt zu der folgenden Gleichung:
Δym bezeichnet die Differenz zwischen den Transadmittanzen und stellt das Verstärkungsungleichgewicht in den Common- Mode-Rückkopplungsinvertern (typischerweise einige 1-10% von ym) dar.
In Gleichung (7) für die Gyrator-Admittanzmatrix Ygyr tritt die wichtige Transmittanz ym auf. In Abhängigkeit von der Realisation von der jeweiligen Inverter (CMOS, MOS, BiMOS oder bipolar) bildet ym eine spezifische Verzögerung des Transistors. Wie voranstehend erläutert ist in dem MOS Fall ym mit den Kanalbereichs-Abmessungen oder der Kanalverzögerung verbunden und in der bipolaren Realisation entspricht ym der Basisverzögerung. Somit lässt sich sagen, dass ym einen Beitrag darstellt, der von der Verzögerung des Kollektor/Emitter-Stroms bezüglich des Gate/Basis-Stroms herrührt. Nachstehend wird ein spezieller Fall eines MOS Transistors betrachtet, jedoch gelten ähnliche Betrachtungen für die Ableitung im Fall von bipolaren Transistoren.
Wenn die Nauta-Gyratorschaltung von MOS Transistoren implementiert wird, kann angenommen werden, dass yi = Cgs, Yf=Cgd und Y0=gd ist. Hier bezeichnet Cgs die Gain/Source Kapazitäten Cgs, Cgd bezeichnet die Gain/Drain-Kapazitäten und gd bezeichnet die Ausgangsleitfähigkeit (Ausgangs- Konduktanz) des Transistors. Wenn die Last von externen Kondensatoren C0 mit hohem Q dominiert wird (d. h. die gesamte effektive Kapazität zwischen den Gyratorkern-Anschlüssen aufgrund des Common-Mode-Rückkopplungsabschnitts und/oder zusätzlicher externer Kapazitäten), muss diese Kapazität zu den Diagonalelementen der Gleichung (7) hinzugefügt werden. Wenn Yl als Yl=s*C+g entwickelt wird, dann werden die folgenden Werte für Yl erhalten:
C = C0+3Cgs+6Cgd (8.1);
g=3gD (8.2).
Wenn die gesamte effektive Kapazität von der externen Last dominiert wird, dann wird C ≈ C0 erfüllt.
An dieser Stelle sei darauf hingewiesen, dass auch andere Approximationen für yi verwendet werden können, z. B. für eine CMOS Realisation muss man yi=CgsN+CgsP nehmen. Ein Durchschnittsfachmann kann Ableitungen für verschiedene Typen von Transistoren auf Grundlage der hier enthaltenen Lehren vornehmen.
Der einzige fehlende Parameter für die Stabilitätsanalyse ist die MOS Transadmittanz ym. Im voranstehend erwähnten IEEE Artikel wird angenommen, dass die MOS Transadmittanz ym rein leitend (leitfähig) ist und es wurde angenommen, dass ein stabiles System immer erhalten werden kann. Das heisst, in den herkömmlichen Filtern wurde die Kanalverzögerung, die in der Tat eine parasitäre Polstelle in der Transkonduktanz der Einrichtung hinzufügt, nicht berücksichtigt. Wie sich nachstehend noch ergibt, macht diese zusätzliche Polstelle oder Verzögerung den Gyrator instabil, wenn sie nicht in richtiger Weise entworfen wird. Nur unter speziellen Umständen, wenn der Gyrator z. B. mit widerstandsbehafteten Filterabschlüssen belastet wird, kann die gesamte Schaltung stabil sein, obwohl der Gyratorkern selbst instabil ist. Dies ist ein Grund, warum einfachere Filter, wie in dem IEEE Artikel angeführt, tatsächlich keinerlei Stabilitätsprobleme aufweisen, während komplexere (mit höherer Ordnung) nicht funktionieren.
Gemäß der Erfindung ist realisiert worden, dass ym ein einflussreicher Parameter bei der Stabilitätsanalyse ist und dass es nicht gerechtfertigt ist, anzunehmen, dass er rein leitend ist. Deshalb wird gemäss dem Prinzip der Erfindung die nicht-quasi-statische Kanalverzögerung für die nicht- quasi-statische MOS Transadmittanz ym (oder ein entsprechendes Merkmal in der Bipolar-Tranisistor- Realisation) wie folgt modelliert.
mit τgm=2/EωT und cm=2Cgs/E mit E ≈ 5. Die Werte von ym, τgm und E sind aus stamdardmässigen MOS Transistortechnologie- Handbüchern (siehe z. B: Y.P. Tsvidis "Operation and modeling of the MOS transistor, MCGraw-Hill New York, 1988" bekannt.
Wie sich der Gleichung (9) entnehmen lässt, ist die MOS Transadmittanz ym tatsächlich eine reine Verzögerung (ein Kreis in der S-Ebene) und dies kann entweder durch Verwendung einer Polstellen-Approximation oder durch eine Nullstelle in der rechten Halbebene approximiert werden. Da die exakte Verzögerungsgleichung (der erste Term in Gleichung (9)) zu transzendenten Gleichungen führt, wenn die charakteristischen Gleichungen gelöst werden, wird nachstehend die Polstellen- und Nullstellen-Approximationen verwendet. Es kann gezeigt werden, dass die Polstellen- und Nullstellen-Approximationen der MOS Transadmittanz y0 zu dem gleichen Phasen-Nachhinken (Phasenverzögerung) führt, was für die Stabilitätsanalyse wichtig ist. Die Nullstellen-Approximation versieht /ym/ mit einer Hochpass-Charakteristik und eine Polstellen- Approximation führt zu einer Tiefpass-Charakteristik. Die Polstellen-Approximation ist realistischer aber komplexer zu analysieren. Deshalb wird nachstehend zur Ableitung des Stabilitätskriteriums gemäss der Erfindung die Nullstellen- Approximation verwendet.
Unter Verwendung der Nullstellen-Approximation ym=gm-s*cm kann die charakteristische Gleichung der Gleichung (7) wie folgt abgeleitet werden:
Δ=(Yl+Δym)22m=s2.(C2+c2m)+2s.(g.C-gm.cm)+g2+g2m, (10)
wobei angenommen worden ist, dass Δym vernachlässigbar ist, d. h. die Differenz zwischen den Transferadmittanzen in den Common-Mode-Rückkopplungsinvertern ist zu Null angenommen worden, d. h. die voranstehend erwähnte Gleichung (10) ist auf Grundlage der Verwendung von differentiellen Signalen, unter Verwendung einer Nullstellen-Approximation und unter Verwendung von identischen Transistoren in der Common-Mode- Rückkopplungsschaltung in dem Gyratorkern-Abschnitt abgeleitet worden.
Eine ausreichende und hinreichende Bedingung dafür, dass die Gleichung (10) stabil ist, ist dass sämtliche Koeffizienten in dem s-Polynom positiv sind. Dann kann das Stabilitätskriterium
g.C < gm.cm, (11)
abgeleitet werden. Es sei darauf hingewiesen, dass dieses Stabilitätskriterium gegenüber dem IEEE Dokument neu ist, da Gleichung (10) abgeleitet worden ist, indem angenommen wird, dass die Kanalverzögerung (Basisverzögerung in einem Bipolar- Transistor) als eine zusätzliche Verzögerung nicht vernachlässigt werden darf.
In dieser Gleichung entsprechen g und c sowie gm und cm den Werten, die in der Gleichung (8.1.), (8.2) und (9) erhalten werden. Insbesondere ist eine Nullstellen-Approximation für ym verwendet worden.
Es sei darauf hingewiesen, dass die Polstellen-Approximation ym = gm/(1+S*τgm) zu dem gleichen Stabilitätskriterium führt, wenn eine charakteristische Gleichung für die charakteristische Gleichung (7) abgeleitet wird. Deshalb besteht keine Notwendigkeit, die Polstellen-Approximation hier explizit zu erläutern.
Die wichtige Schlussfolgerung ist, dass Gleichung (11) einen spezifischen Zusammenhang angibt, der erfüllt sein muss, damit der Gyratorkern-Abschnitt stabil ist, und zwar unabhängig von der Frequenz und unabhängig von der Komplexität der Inverter-Realisationen.
Obwohl das Prinzip der Erfindung voranstehend unter Bezugnahme auf den symmetrischen Fall beschrieben worden ist, bei dem g, C, gm und cm mit den obigen Gleichungen (8.1), (8.2) und (9) beschrieben werden, sei darauf hingewiesen, dass ein ähnlicher Zusammenhang sogar für den asymmetrischen Fall erfüllt ist. Deshalb wird ein allgemeiner Zusammenhang wie Gleichung (11) unabhängig davon erfüllt, ob sämtliche Transistoren identisch sind oder nicht.
Somit wird in dem allgemeinen Fall g eine effektive leitende Last des Gyratorkern-Abschnittsanschlusses sein, C wird die effektive kapazitive Last der Gyratorkern- Abschnittsanschlüsse bezeichnen, gm wird die effektive Gyrationskonstante des Gyratorkern-Abschnitts sein und cm wird die effektive Transkapazität des Gyratorkern-Abschnitts sein. Deshalb ist der obige Zusammenhang (11) nicht auf den speziellen symmetrischen Fall beschränkt.
Für den symmetrischen und für den asymmetrischen Fall ist aber die wichtige Erkenntnis der Erfindung die gleiche, nämlich dass die nicht-quasi-statische Kanalverzögerung der Gleichung (9) für die Stabilitätsanalyse nicht vernachlässigt werden sollte und deshalb so gewählt werden sollte, dass die Gleichung (11) erfüllt ist. Wie in Gleichung (9) gezeigt, beschreiben gm bzw. cm die effektive Gyrationskonstante oder den widerstandsbehafteten Teil der MOS Transadmittanz ym bzw. die effektive Transkapazität des Gyratorkern-Abschnitts oder den kapazitiven Teil der MOS Transadmittanz ym.
Gemäss der Erfindung müssen deshalb die Abmessungen des Kanalbereichs der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts und/oder des Common-Mode-Rückkopplungsabschnitts deshalb so gewählt werden, dass g, C und gm, cm die Gleichungen (11) erfüllen.
Verschiedene Ausführungsformen der Erfindung können auf Grundlage dieser Erkenntnis entworfen werden.
VERGLEICH MIT EINEM DESIGN GEMÄSS NAUTA
Wie voranstehend erläutert wurde in dem Dokument für den Stand der Technik der IEEE Zeitschrift und der entsprechenden Doktorarbeit die Kanalverzögerung (z. B. die Gleichung (9)) nicht berücksichtigt und das Stabilitätskriterium (11) wurde nicht verwendet.
Im Grunde genommen hat Nauta vorgeschlagen, zusätzliche Q- Abstimmschleifen in dem Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt hinzuzufügen, wobei gleichzeitig die Einrichtungen so klein wie möglich gehalten werden. Das heisst, Nauta hat vorgeschlagen, sämtliche Einrichtungen in der Common-Mode- Rückkopplungsschaltung und dem Gyratorkern-Abschnitt zu verkürzen und eine externe Kapazität hinzuzufügen. Im Hinblick auf die Gleichung (11) würde dies zu einem Anstieg von g und einer Verringerung von cm führen. Wenn man die Design-Regel von Nauta verfolgt, dann war deshalb die Bedingung (11) erfüllt, erforderte aber externe Kapazitäten und verursachte eine grössere Fehlanpassung (d. h. eine Koeffizientenspreizung) und funktioniert nur, wenn die ω0 des Filters viel kleiner als ωT ist. Ferner nehmen auch kleinere Filter mit Abschlüssen (zusätzliche Kapazitäten) eine hohes g aufgrund der Abschlüsse an. Jedoch funktioniert dies nicht für komplexe Filter.
Nauta berücksichtigte nicht, dass die Abmessungen des Kanalbereichs bezüglich einer Fehlanpassung und einer Stabilität gleichzeitig optimiert werden müssen und seine Design-Regel zeigt nicht an, dass die Abmessungen des Kanalbereichs so gewählt werden sollten, dass Gleichung (11) erfüllt wird.
Das heisst, Nauta führte eine schnelle Analyse der Kanalverzögerung durch und folgerte, dass diese nicht ein Problem ist, da man kurze Kanäle sowieso verwenden würde. Das heisst, Nauta berücksichtigte nur kurze Kanäle (d. h. nahezu der minimalen Merkmalsgrösse der Technologie, was zu einer Verzögerung führen wird, die kleiner als 1/fT ist). Die Verwendung von derartigen kurzen Kanälen wird eine Einrichtungsfehlanpassung für komplexere Filter Filter mit derartigen kurzen Kanälen veranlassen, eine grosse Variation in den Transfercharakteristiken aufzuweisen (d. h. sie werden allgemein nicht nützlich sein).
Die folgenden Ausführungsformen können auf Grundlage der Gleichung (11) vorgeschlagen werden, wenn realisiert worden ist, dass die Kanalverzögerung (oder die Abmessungen des Kanalbereichs wie Breite und Länge) berücksichtigt werden sollte.
ERSTE AUSFÜHRUNGSFORM
Die erste Ausführungsform der Erfindung betrifft die in Fig. 3 gezeigten Filterschaltungen, die aus wenigstens einer Filterstufe FSTi bestehen, die eine Filterschaltung umfasst, die aus wenigstens einer Filterstufe FSTi besteht, die umfasst: eine Gyratorkern-Abschnitt GCi mit vier Invertern GI1i-GI4i, die zwischen einem Paar von Eingangsanschlüssen i_1; i_2 und einem Paar von Ausgangsanschlüssen o_1; o_2 untereinander in einer Schleifenkonfiguration verschaltet sind; wenigstens einen Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt CMIi, CMI, der zwischen das Paar von Eingangsabschlüssen und/oder das Paar von Ausgangsanschlüssen geschaltet ist und zwei Reihenschaltungen umfasst, die jeweils durch einen Inverter CMI1, CMO1 und einen kurzgeschlossenen Inverter CMI2, CMO2 gebildet sind, die antiparallel zwischen die Eingangsanschlüsse oder die Ausgangsanschlüsse geschaltet sind; wobei jeder der Inverter von wenigstens einem MOS, CMOS oder BiCMOS Transistor mit einem Gate G, einer Drain D, einer Source S und einem Kanalbereich C zwischen der Drain D und Source S gebildet ist; wobei die Kanalbereichs-Abmessungen CL, CW der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts und/oder des Common-Mode-Abschnitts so gewählt sind, dass der folgende Zusammenhang erfüllt ist:
g*C < gm*cm (16.1)
mit:
g: effektive leitende Last der Anschlüsse des Gyratorkern- Abschnitts;
C: effektive kapazitive last der Anschlüsse des Gyratorkern-Abschnitts;
gm: effektive Gyrationskonstante des Gyratorkern-Abschnitts,
cm: effektive Transkapazität des Gyratorkern-Abschnitts.
Die erste Ausführungsform basiert auf der Verkürzung der Kern-Einrichtungen bezüglich der Common-Mode- Rückkopplungseinrichtungen. Deshalb ist die Spannungsverstärkung für die offene Schaltung (Open-Circuit- Voltage-Gain) der Einrichtungen niedrig genug, um keine Instabilität zu verursachen. Das heisst, gemäss dem ersten Aspekt werden die Abmessungen des Kanalbereichs so gewählt, dass sie in dem Gyratorkern-Abschnitt und dem Common-Mode- Rückkopplungsabschnitt unterschiedlich sind (während Nauta vorgeschlagen hat, die gleiche Grösse für sämtliche Einrichtungen zu verwenden).
Die Verkürzung der Kerneinrichtungen führt zu einem Anstieg von g und zu einer wesentlichen Verringerung von cm. Deshalb werden die Kanalbereichs-Abmessungen der Transistoren des Common-Mode-Rückkopplungsabschnitts konstant gehalten und die Kanalbereichslänge der Einrichtungen des Gyratorkern- Abschnitts wird verringert, wobei die Transadmittanz ym der jeweiligen Transistoren verändert wird. Dies stabilisiert den Filter/Gyrator-Kern, weist aber einige Fehlanpassungsprobleme auf. Andererseits entfernt die Designstrategie bereits die Notwendigkeit einer Q-Abstimmschleife wie in dem Stand der Technik der IEEE Zeitschrift. Dies ist insbesondere wichtig, da eine Q-Abstimmung nicht in der ursprünglich vorgeschlagenen Weise funktioniert, zumindest nicht für komplexe Filter. Mit der vorgeschlagenen Designstrategie gemäss der ersten Ausführungsform wird eine Q-Abstimmschleife besser arbeiten, wird aber mehr oder weniger redundant sein.
ZWEITE AUSFÜHRUNGSFORM
Gemäss einer zweiten Ausführungsform der Erfindung wird die Gleichung (11) dadurch erfüllt, dass die Abmessungen des Kanalbereichs der Transistoren des Common-Mode- Rückkopplungsabschnitts konstant gehalten werden und indem die Länge des Kanalbereichs sowie die Breite des Kanalbereichs der Transistoren des Gyratokern-Abschnitts verringert werden, wobei die Transadmittanz des jeweiligen Transistors konstant gehalten wird, so dass die Resonanzfrequenz des Kernabschnitts ωTcore kleiner als die Resonanzfrequenz der Filterschaltung ω0filter ist. Die zweite Ausführungsform führt zu einer Filterschaltung, die noch bezüglich der Transistorausgangsleitfähigkeit gd empfindlich ist, so wie eine Filterschaltung gemäss der ersten Ausführungsform.
Da jedoch gemäss der zweiten Ausführungsform die Gyratorkern- Einrichtung (Transistoren) herunterskaliert werden, wird die Anpassung bezüglich der externen Kapazität aufrechterhalten. In der zweiten Ausführungsform wird deshalb cm auch wesentlich verringert, da die Länge sowie die Breite des Kanalbereichs reduziert wird, um die Gleichung (11) zu erfüllen.
DRITTE AUSFÜHRUNGSFORM
Gemäss einer dritten Ausführungsform der Erfindung werden die Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts bezüglich ihrer Kanalbereichs-Länge konstant gehalten und der Kanalbereichs- Breite der Common-Mode-Ballastinverter CMI2, CMO2 der Transistoren des Common-Mode-Rückkopplungsabschnitts wird erhöht. Wenn die Kerntransistoren konstant gehalten werden und die Kanalbreite der Common-Mode-Rückkopplungstransistoren erhöht werden, führt dies zu einem wesentlichen Anstieg von g. Das Erhöhen der Breite der Transistoren des Common-Mode- Rückkopplungsabschnitts kann erzielt werden, indem zu den Invertern, z. B. den Ballast-Invertern CMI2, CMO2, in dem Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt Ballastinverter parallel hinzugefügt werden.
Das Kriterium gemäss der dritten Ausführungsform ist das attraktivste, da es nur gegenüber den grundlegenden Einrichtungscharakteristiken (Vorwärtsverstärkung, Transitfrequenz und Kanalverzögerung bezüglich der Transitfrequenz) empfindlich ist, die besser charakterisiert, kontrolliert und modelliert als z. B. die Transkonduktanz gd, die von g abhängt, ist.
Die Designlösung besteht dann darin, eine der obigen Vorgehensweisen zu wählen und individuell jeden Filtergyrator oder jede Integratorschleife mit sämtlichen hinzugefügten Kondensatoren für eine maximale stabile Q abzustimmen. Die sich ergebende Schaltung wird fast ideale Übertragungscharakteristiken und eine geringe Empfindlichkeit gegenüber Einrichtungs-Veränderungen aufweisen, da eine zusätzliche Kanalverzögerung in der Designgleichung (10) berücksichtigt worden ist.
Vorzugsweise kann die Kanallänge der CM-Inverter (CM1 und/oder CMO1) länger gemacht werden, obwohl dies gegenüber einer Verbreiterung CMx2 schlechter sein kann), da dies ein ähnliches Verstärkungs-Ungleichgewicht erzeugen wird.
VIERTE AUSFÜHRUNGSFORM
Wie voranstehend erläutert besteht die Kernidee der vorliegenden Erfindung darin, die Kanalverzögerung in der Stabilitätsanalyse der Gleichung (10) einzubauen. Deshalb kann man sagen, dass das Kernprinzip der Erfindung darin besteht, individuell den Kanal der Gyrator-MOS-Transistoren und/oder Integratoren zu dimensionieren, um die Effekte der Kanalverzögerung und die begrenzte Open-Circuit- Spannungsverstärkung herauszulöschen, was dazu führt, dass die Gleichung (11) nicht erfüllt wird.
Wie in Fig. 6 gezeigt, umfasst ein Flussdiagramm zum Entwerfen einer stabilen Filterschaltung gemäss der Erfindung die Schritte S1-S4. In Schritt S1 wird die Filterschaltung, genauer die einzelne Filterstufe FSTi, mit den Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts versehen. Im Schritt S2 wird wenigstens ein Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt an den Eingangs- oder den Ausgangsanschlüssen hinzugefügt. Im Gegensatz zu dem Design von Nauta kann an dieser Stelle angenommen werden, dass Gleichung (11) im Schritt S3 nicht erfüllt ist.
Die Idee der Erfindung besteht nun darin, im Schritt S4 die Abmessungen des Kanalbereichs der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts und/oder des Common-Mode- Rückkopplungsabschnitts so zu wählen, dass die Gleichung (11) erfüllt ist.
Die Auswahl der Kanalabmessungen kann dann im Schritt S4 gemäss der ersten, zweiten und dritten Ausführungsform individuell ausgeführt werden.
FÜNFTE AUSFÜHRUNGSFORM
Es ist auch möglich, die erste und dritte Ausführungsform zu kombinieren. Das heisst, die Länge des Kanalbereichs des Gyratorkern-Abschnitts kann verringert werden, wobei die Transadmittanz des jeweiligen Transistors geändert wird, und gleichzeitig wird die Breite des Kanalbereichs des Common- Mode-Rückkopplungsabschnitts gemäss der dritten Ausführungsform erhöht, bis die Gleichung (11) erfüllt ist.
Es ist auch möglich, die zweite und die dritte Ausführungsform zu kombinieren. Das heisst, die Länge des Kanalbereichs und die Breite des Kanalbereichs der Gyratorkernabschnitts-Transistoren wird verringert, wobei die Transadmittanz des jeweiligen Transistors konstant gehalten wird, während die Breite des Kanalbereichs des Common-Mode- Rückkopplungsabschnitts erhöht wird.
Ferner ist es auch möglich, dass alle Transistoren in dem Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt und dem Gyratorkern- Abschnitt identisch sind oder es ist möglich, dass sämtliche Transistoren in dem Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt und dem Gyratorkern-Abschnitt unterschiedlich sind. Wenn angenommen wird, dass sämtliche Transistoren in dem Common- Mode-Rückkopplungsabschnitt und dem Gyratorkern-Abschnitt identisch sind, dann umfassen die Transistoren von jedem Inverter eine Transistorstruktur mit einer Gate/Source- Kapazität Cgs, eine Gate/Drain-Kapazität Cgd, einem Ausgangsleitwert gd und einer Transadmittanz ym, die aus einem widerstandsbehafteten Teil gm und einem kapazitiven Teil cm, wobei die Werte in Gleichung (11) folgendermassen definiert sind:
C=C0+3Cgs+6Cgd (8.1)
g=3gD (8.2).
wobei C0 die gesamte effektive Kapazität zwischen den Gyratorkern-Anschlüssen aufgrund des Common-Mode- Rückkopplungsabschnitts und/oder zusätzlichen externen Kapazitäten ist. Wenn symmetrische Signale verwendet werden, entspricht C0 der gesamten effektiven Kapazität zwischen den Eingangs- oder Ausgangsanschlüssen.
Ferner sei darauf hingewiesen, dass sämtliche Transistoren in Sättigung betrieben werden können und dass die Filterschaltung eine Filterschaltung des differentiellen Signaltyps sein kann. Ferner sei darauf hingewiesen, dass irgendeine der Schaltungskonfigurationen, die in Fig. 5a und 5b beschrieben sind, d. h. eine differentielle Transkonduktor- Realisation der Gyratoren möglich ist, was für das Design der Nauta-Zellenstruktur in Fig. 3 erläutert wurde, trifft deshalb genauso auf die Struktur in Fig. 5b zu.
SECHSTE AUSFÜHRUNGSFORM
Ferner ist eine spezielle Ausführungsform der Erfindung, wenn eine Kanalverzögerung und die Open-Circuit-Voltage- Verstärkung des Gyrators sich gegenseitig auslöschen, d. h.:
g*C = gm*cm (12)
In diesem Fall ist dies sich ergebende Güte Q sehr hoch (in dem nominellen Fall unendlich), was Schaltungen mit einem hohen Q mit aktiven Einrichtungen mit geringem Q ermöglicht für die spezielle Beziehung (12) maximieren weniger externe Abschlüsse die Filtergüte Q, während eine Einstellung von g*C << gm*cm zu einem sehr geringen Q führt.
SIEBTE AUSFÜHRUNGSFORM
Wie voranstehend erläutert kann die Bedingung zum Erfüllen der Gleichung (11) dazu führen, dass cm ausreichend klein gemacht wird, indem die Gyratorkern-Invertertransistoren kürzer als diejenigen der Common-Mode-Rückkopplung gemacht werden, (d. h. ωt << ω0 oder indem die Zelle widerstandsmässig belastet wird (d. h. g erhöht wird), indem Ballastinverter hinzugefügt werden (etwas, was Nauta mit der Q-Steuerung vornahm).
Unter Verwendung der Gleichung (11) und unter der Annahme von typischen Einrichtungsparametern mit langem Kanal
ist die folgende spezielle Beziehung für cm erfüllt:
Indem die Gyratorkern-Einrichtungen kürzer gemacht werden, wird die ωt (Resonanzfrequenz) der Kerneinrichtungen erhöht und deshalb wird die cm in der gleichen Grösse verringert, wie ωt erhöht wird. Da typischerweise cm = 2,5*Cgs ist, kann der folgende Zusammenhang erhalten werden:
Wenn die Gyratorkern-Einrichtungen verkürzt werden, muss deren Breite um einen ähnlichen Betrag verschmälert werden, um gm so zu erhalten, dass es konstant ist.
Die Skalierung oder Verkürzung der Einrichtungen wird gd proportional vergrössern und die resistiven Verluste in dem Gyrator steigen an, was die Gleichung (15) übermässig konservativ macht. Jedoch können die Gleichungen (14) und (15) verwendet werden, wenn typische Einrichtungsparameter für einen langen Kanal der Gleichung (13) angenommen werden. C0 in den obigen Gleichungen (13)-(15) ist die gesamte effektive Kapazität zwischen den Gyratorkernanschlüssen.
ACHTE AUSFÜHRUNGSFORM
Die obigen Beziehungen (13)-(15) wurde auf Grundlage der Nullstellenmodell-Approximation für die Stabilitätsgleichung (11) abgeleitet. Wie voranstehend erläutert ergibt die Polstellenmodell-Approximation das gleiche Ergebnis. Diese Ergebnisse für MOS-Transistoren anwendbar und modellieren die Kanalverzögerung durch eine Nullstellen- oder eine Polstellenapproximation für den Fall einer Auswahl von identischen Transistoren in dem Common-Mode- Rückkopplungsabschnitt und dem Kernabschnitt.
Jedoch weist auch die MOS Transistor-Eingangsadmittanz einen Einfluss auf die Stabilitätskriterien auf. Aufgrund von Anpassungsbetrachtungen können die MOS Einrichtungen länger als ihre minimale Länge sein und somit kann sich ωt ω0 des Filters annähern, und dies ist der Grund, warum nicht-quasi­ statische Effekte in diesem Fall signifikant werden. Wenn der Gyrator durch Cgs und gm (d. h. die reaktive Last rührt von yi und anderen wie in Gleichung (6) her) abgestimmt wird, dann wird der MOS Transistor nahe bei ωt arbeiten und es ist erforderlich, nicht-quasi-statische Ladungseffekte nicht nur in den Transmittanz-Ausdruck, sondern auch in der Eingangs- Admittanz yi einzubauen. Für Einrichtungen mit einer minimalen Länge wird auch der Gate-Widerstand ein Faktor, aber in einem Design mit einem Gyrator mit einer geringen Frequenz ist dies nicht ein Problem.
Die Ausgangs-Admittanz wird oft als eine Leitfähigkeit gd mit einer ausreichenden Genauigkeit modelliert, sollte aber ansonsten gd/(1+s*τgm) gemäss dem voranstehend erwähnten MOS Transistor-Handbuch von Y. P. Tsvidis von 1988 sein.
Die verteilte und verlustbehaftete Art des Kanals fügt eine effektive Leitfähigkeit gch = εgm ≈ 5gm in Reihe zu Cgs hinzu. Die Kanalladung weist dann einen Tiefpasscharakter über der Zeitkonstanten τgs = Cgs/gch ≈ 1/5ωt auf. Die Transkonduktanz-Zeitkonstante ist zweimal τgs, so dass τgm ~2/(5ωt) ist. Oft werden die Effekte von τgs und τgm jedoch in Simulationsmodellen vernachlässigt und man muss sehr vorsichtig sein, wenn Simulationsergebnisse interpretiert werden.
Durch Hinzufügen der resistiven Komponente in die Eingangs- Admittanz und durch Einfügen von typischen MOS Parametern wie oben wird Gleichung (6) folgendermassen umformuliert:
wobei angenommen wird, dass Δgm vernachlässigt werden kann. Ferner ist Cgd im Vergleich mit Cgs typischerweise unsignifikant. Somit kann die Gleichung (16) vereinfacht werden und unter Verwendung der Tatsache, dass τgm = 2τgs ist, kann die charakteristische Gleichung der Gleichung (16) wie folgt abgeleitet werden.
Die Stabilitätsbedingung - wenn die letzte Determinante der Gleichung (17.1) entwickelt wird, da nur die Polstellen in der rechten Ebene untersucht werden müssen - ist dann:
mit der Lösung (unter der Annahme von A0 << 1):
A0 < 9ε ≈ 45. (18)
Um das obige Kriterium zu erfüllen, können die Gyrator- Einrichtungen in der Grösse herunterskaliert werden, wie bereits unter Bezugnahme auf die zweite Ausführungsform erläutert wurde. Wenn nur die Kern-Transistoren neu bemessen werden, müssen sie mehr als Gleichung (18) skaliert werden, da der gd Term der Summe von allen Ausgangs-Leitfähigkeiten entspricht.
Wie voranstehend bezüglich der achten Ausführungsform erläutert, die die MOS Transistor-Eingangsadmittanz in die charakteristische Gleichung einbaut, ist eine spezielle Beziehung (18) zum Entwerfen der Kanallänge für den Fall erfüllt, wenn die Eingangsadmittanzeffekte in die Stabilitätsanalyse eingebaut werden.
NEUNTE AUSFÜHRUNGSFORM
Wie voranstehend unter Bezugnahme auf die Gleichungen (13), (14) erläutert wurde, kann die Stabilität des Gyrators mit ausreichender Genauigkeit studiert werden, wenn ym = gm - s* cm mit cm ≈ εgm/(2ωT) ≈ Cgs/2,5 angenommen wird.
Wenn die Lastkapazität (C0 der Gleichung 13) von einem externen Kondensator mit vernachlässigbaren Verlusten dominiert wird, wird die Stabilitätsbedingung der Gleichung (18) oder
verwendet. Wenn die Last von Kapazitäten eines verlustbehafteten Gates dominiert wird, kann Gleichung (18) oder
als ein Stabilitätskriterium verwendet werden. Die zwei Stabilitätsbedingungen (18, 20) können verglichen werden, indem C0 = 3Cgs gyr, A0 = gd/gm = g/3/gm, cm = 2Cgs/ε in Gleichung (14) eingefügt wird, was zu
führt, was das gleiche wie Gleichung (18) weniger einem Faktor von 2 ist. Durch Hinzufügen von C0 zu der Diagonalen der Gleichung (18) lässt sich ersehen, dass in (17.1.) Cgs* τgs multipliziert wird, während C0 mit s*τgm multipliziert wird. Da τgm ≈ 2τgs ist, wird der Unterschied zwischen (21) und (18) erläutert. Ein zusätzlicher Phasenspielraum wird somit durch gch in Reihe zu Cgs eingeführt, was den Gyrator mit einer internen Last stabil macht. Diese Änderung im Phasenspielraum wurde von Nauta niemals erwähnt.
Eine Hinzufügung eines externen Kondensators scheint den Stabilitätsspielraum um einen Faktor 2 zu verringern. Gleichzeitig müssen jedoch die Einrichtungen in der Grösse skaliert werden, oder die Resonanzfrequenz wird nicht beibehalten und eine erhöhte Last aufgrund eines höheren gd (d. g. einem niedrigeren A0) stabilisiert die Schleife.
Damit die Schleife stabil ist, muss g*C < gm*cm erfüllt werden. Wie voranstehend erläutert kann diese Randbedingung entweder dadurch erfüllt werden, dass cm durch Skalieren der Gyratoreinrichtungen (d. h. durch Verkürzen von ihrer Länge und Breite) verringert wird oder indem g durch Erzeugung eines Ungleichgewichts Δym erhöht wird. Beide Vorgehensweisen sind gute Kandidaten, aber eine Fehlanpassung der cm Rückkopplung (cm Common Mode oder gemeinsamer Mode), so dass g = 3gd + αgm ist, wobei α einige 1-10% ist, begrenzt die Abhängigkeit von dem unzuverlässig und schlecht modellierten gd. Dann hängt die Stabilität des Designs vorwiegend von gm und y ab, die über Prozessänderungen relativ stabil sind.
Wenn eine Ungleichgewicht in der cm Rückkopplung erzeugt wird, ist es vorteilhaft, dies über die Lasteinrichtungen (verkürzte Inverter) zu tun oder die yf Terme von (2) und (4) werden nicht identisch sein und eine Löschung wird nicht auftreten.
ZEHNTE AUSFÜHRUNGSFORM
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung besteht darin, die Effekte von N- und P-Kanaleinrichtungs-Unterschieden einzubauen. Wenn dabei angenommen wird, dass die N- und P- Kanaleinrichtungen in der Common-Mode-Rückkopplungsschaltung und der Kernschaltung mit Ausnahme der Mobilität ähnlich sind, dann ist der einzige Hauptunterschied zwischen Einrichtungstypen in deren fT Grenzfrequenz. In diesem Fall wird die Eingangsadmittanz wie folgt formuliert:
wobei β das Verhältnis der N- und P-Einrichtungs-fT ist. Die obigen Approximationen zeigen, dass die Kapazität die Summe der Kondensatoren sein wird, dass aber die Zeitkonstante von den P-Einrichtungen dominiert wird (β ≈ 3) ist.
In einer ähnlichen Weise kann die Gyrations- (Trans)Leitfähigkeit folgendermassen definiert werden:
wobei angenommen wird, dass die Transkonduktanzen die gleichen sind und die Zeitkonstanten sich um einen Faktor β unterscheiden.
Um die N- und P-Einrichtungs-Unterschiede zu berücksichtigen, reicht es somit in erster Ordnung aus, die Summe der Cgs und gm Beiträge in den Formeln einzufügen. Die Zeitkonstanten können auf τgs ≈ τgsP und τgm ≈ (τgmN + τgmP)/2 oder mit der längsten Zeitkonstante bzw. der durchschnittlichen Zeitkonstante approximiert werden. Wenn diese Näherungswerte in die Gleichungen (15) und (18) eingesetzt werden, werden die folgenden Bedingungen für eine Stabilität abgeleitet:
ELFTE AUSFÜHRUNGSFORM
Die voranstehend beschriebenen Ausführungsformen geben eine Anzahl von Stabilitätskriterien an, die für eine Filterschaltung mit einem Gyratorkern-Abschnitt GCi und wenigstens einem Common-Mode- Rückkopplungsabschnitt CMIi, CMOi, wie z. B. in Fig. 3 gezeigt, verwendet werden können. Jedoch ist eine ähnliche Stabilitätsanalyse auch für eine Filterschaltung ohne einen Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt und mit einem Gyratorkern-Abschnitt GCi mit einer differentiellen Transkonduktor-Konfiguration, wie in Fig. 5a, Fig. 5b gezeigt, erfüllt.
Wie in Fig. 5b gezeigt sind zwei differentielle Transkonduktoren DA1, DA2 in einer Rückkopplungsstufe vorgesehen, um den Gyratorkern GCi zu bilden. Wenn jeder Transkonduktor DA1, DA2 wie in Fig. 5a gezeigt ausgeführt wird, dann wird die Schaltung in Fig. 5b mit vier Invertern I11, I12, I22, I21 gebildet. Wie in Fig. 5a gezeigt wird an jeden Transkonduktor DA ein Vorspannstrom(Bias-Strom)Ibias von zwei Stromquellen CS1, CS2 geliefert, die von FET- Transistoren gebildet werden. Somit sind die Eingangsanschlüsse i_1, i_2 die Eingänge der zwei Inverter I1, I2 und die Ausgangsanschlüsse o_1, o_2 sind die Ausgangsanschlüsse der Inverter I1, I2. Wenn die Schaltung in Fig. 5a zweimal verwendet wird, um die Rückkopplungsschleife zu bilden, dann werden vier Stromquellen CS11, CS12, CS21, CS22 und vier Inverter I11, I12, I22, I21 zum Bilden eines Gyratorkern-Abschnitts GCi der Filterstufe verwendet. Wiederum kann jeder Inverter durch Transistoren wie in Fig. 4 bezüglich der Beschreibung der in Fig. 3 verwendeten Inverter gebildet werden.
Es sei darauf hingewiesen, dass in der Filterstufe in Fig. 5b nur ein Gyratorkern-Abschnitt mit vier Invertern, die zwischen einem Paar von Eingangsanschlüssen i_1, i_2 und einem Paar von Ausgangsanschlüssen o_1, o_2 untereinander verschaltet sind, in der differentiellen Transkonduktor- Konfiguration ohne irgendwelche zusätzlichen Common-Mode- Rückkopplungsabschnitte wie in Fig. 3 verwendet werden. Jedoch weist natürlich die Schaltung in Fig. 5b eine effektive konduktive (leitende) Last der Gyratorkern- Abschnittsanschlüsse g, eine effektive kapazitive Last der Gyratorkern-Abschnittsanschlüsse C, eine effektive Gyrationskonstante des Gyratorkern-Abschnitts gm und eine effektive Transkapazität des Gyratorkern-Abschnitts cm auf. Jedoch können die Stabilitätskriterien wenigstens bezüglich der Auswahl der Abmessungen des Kanalbereichs der Transistoren der Gyratorkern-Abschnitts-Inverter I11, I12, I22, I21 wie in der Stabilitätsanalyse der Fig. 3 verwendet werden. Das heisst, die Abmessung des Kanalbereichs der Transistoren des Gyratorkernabschnitts wird so gewählt, dass die Beziehung g*C ≧ gm*cm erfüllt ist.
Zum Beispiel wird die Länge des Kanalbereichs der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts verringert, wodurch die Transadmittanz des jeweiligen Transistors verändert wird. Sämtliche Transistoren in den Invertern des Gyratorkern- Abschnitts können so gewählt werden, dass sie identisch sind. Ferner kann die Länge des Kanalbereichs und die Breite des Kanalbereichs der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts verringert werden, wobei die Transadmittanz des jeweiligen Transistors konstant gehalten wird. Sämtliche andere Erläuterungen bezüglich der Stabilitätsanalyse bezüglich er Erfüllung der voranstehend erwähnten Bedingung durch Ändern der Abmessungen des Kanalbereichs, insbesondere durch eine Verkürzung der Kanallänge, wie voranstehend erläutert, kann auch in Fig. 5b verwendet werden.
Nachstehend wird eine beispielhafte Schaltung der Fig. 5b mit näheren Einzelheiten erläutert. Die Gates der Stromquellen- Transistoren C11, CS12 sind zusammengeschaltet und ihre Source-Anschlüsse sind mit einer positiven Energieversorgung V+ verbunden. Genauso sind die Gates der Stromquellentransistoren CS22, CS12 zusammengeschaltet und ihre Drains sind mit Masse verbunden. Der Strom von der Stromquelle CS11 versorgt die Inverter I12, I22 und der Strom von der Stromquelle CS12 versorgt die Inverter I11, I21. Die Stromquelle CS22 versorgt die Inverter I12, I22 und die Stromquelle CS21 versorgt die Inverter I11, I21. Die Eingangsanschlüsse i_1, i_2 des Gyratorkern-Abschnitts GCi sind die Eingangsanschlüsse zu den Invertern I11, I21. Der Ausgangsanschluss o_1, o_2 der Gyratorkern-Abschnitte GCi sind die Ausgangsanschlüsse der Inverter I11, I21. Der Ausgang des Inverters I11 ist mit dem Eingang des Inverters I22 verbunden, dessen Ausgang mit dem Eingang des Inverters I21 verbunden ist. Der Ausgang des Inverters I21 ist mit dem Eingang des Inverters I12 verbunden, dessen Ausgang mit dem Eingang des Inverters I11 verbunden ist. Somit ist ein Inverter jeweils in dem Vorwärtspfad zwischen einem Eingangsanschluss i_1, i_2 und dem jeweiligen Ausgangsanschluss o_1, o_2 vorhanden. Der jeweilige Ausgangsanschluss o1 ist an den zweiten Eingangsanschluss i_2 über einen Inverter zurückgekoppelt und der Ausgangseinschluss o2 ist über einen anderen Inverter an den ersten Eingangsanschluss i_1 zurückgekoppelt.
Wie voranstehend erläutert kann das Stabilitätskriterium in einer Gleichung (11) auch für diesen Typ von Schaltung angewendet werden, wenn die Abmessungen des Kanalbereichs, insbesondere die Kanallänge der Inverter-Transistoren verringert wird.
GEWERBLICHE ANWENDBARKEIT
Die obigen Ausführungen basieren alle auf der zentralen Stabilitätsgleichung (11), die auf Grundlage einer Nullstellen-Approximation oder einer Polstellenmodell- Approximation für die MOS Transadmittanz ym erhalten werden kann.
Ferner kann die Eingangsadmittanz in die charakteristische Gleichung gemäss Gleichung (17.1) eingebaut werden, was zu dem Stabilitätskriterium (18) führt.
Es ist auch gezeigt worden, dass die Stabilitätskriterien dieselben sind, wenn die Lastkapazität von einem externen Kondensator dominiert wird und wenn sie nicht dominiert wird. Ferner sind die Effekte von Unterschieden zwischen N- und P- Kanaleinrichtungen in einem Stabilitätskriterium gemäss der Gleichung (24), (25) enthalten.
Wie voranstehend erläutert können durch Verwendung der zentralen Stabilitätsgleichung (11) und durch Wählen der Kanalbereichs-Abmessungen in dem Kern und in der Common-Mode- Rückkopplung Filter erhalten werden, die bei hohen Frequenzen stabil sind, selbst beim Realisieren von Filtern höherer Ordnung.
Ferner ist die Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt und weitere Ausführungsformen der Erfindung können auf Grundlage der darin enthaltenen Lehren erdacht werden. Insbesondere kann die Erfindung Ausführungsformen umfassen, die aus Merkmalen bestehen, die getrennt in der Beschreibung und/oder in den folgenden Ansprüchen beansprucht sind.
In den Ansprüchen werden Bezugszeichen nur für Illustrationszwecke verwendet und begrenzen den Umfang der Erfindung nicht.

Claims (30)

1. Verfahren zum Herstellen einer Filterschaltung, die aus wenigstens einer Filterstufe (FSTi) besteht, welches die folgenden Schritte umfasst:
  • a) Versehen (S1) der wenigstens einen Filterstufe (FSTi) mit einem Gyratorkern-Abschnitt (GCi) mit vier Invertern (GI1i-GI4i), die zwischen einem Paar von Eingangsanschlüssen (i-1; i_2) und einem Paar von Ausgangsanschlüssen (o_1; o_2) in einer Schleifenkonfiguration untereinander verschaltet sind;
  • b) Bereitstellen (S2) wenigstens eines Common-Mode- Rückkopplungsabschnitts (CMIi, CMOi), der zwischen das Paar von Eingangsanschlüssen und/oder das Paar von Ausgangsanschlüssen geschaltet ist und wenigstens zwei Reihenschaltungen umfasst, die jeweils durch einen Inverter (CMI1, CMO1) und eine kurgeschlossenen Inverter (CMI2, CMO2) gebildet sind, die antiparallel zwischen die Eingangsanschlüsse oder die Ausgangsanschlüsse geschaltet sind; und
  • c) wobei jeder Inverter durch wenigstens einen MOS, CMOS oder BiCMOS Transistor mit einem Gate (G), einer Drain (D), einer Source (S) und einem Kanalbereich (CH) zwischen der Drain (D) und Source (S) gebildet ist;
gekennzeichnet durch den folgenden Schritt:
  • a) Wählen (S4) der Kanalbereichs-Abmessungen (CL, CW) der Transistoren des Gyratorkern- Abschnitts und/oder des Common-Mode- Rückkopplungsabschnitts, so dass die folgende Beziehung erfüllt ist:
    g*C ≧ gm*cm (11)
mit:
g: effektive leitende Last der Gyratorkern- Abschnittsanschlüsse;
C: effektive kapazitive Last der Gyratorkern-Abschnittsanschlüsse;
gm: effektive Gyrationskonstante des Gyratorkern-Abschnitts,
cm: effektive Transkapazität des Gyratorkern- Abschnitts.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbereichsabmessungen in dem Gyratorkern- Abschnitt und dem Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt unterschiedlich geändert werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbereichs-Abmessungen der Common-Mode- Rückkopplungsabschnitts-Transistoren konstant gehalten werden und die Kanalbereichslänge der Gyratorkern- Abschnitts-Transistoren verringert werden, wobei die Transadmittanz des jeweiligen Transistors verändert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbereichs-Abmessungen der Common-Mode- Rückkopplungsabschnitts-Transistoren konstant gehalten werden und die Kanalbereichslänge (CL) und die Kanalbereichsbreite (CW) der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts verringert wird, wobei die Transadmittanz des jeweiligen Tansistors konstant gehalten wird, so dass die Resonanzfrequenz des Kernabschnitts ωTcore grösser als die Resonanzfrequenz des Filters ω0filter ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbereichs-Abmessungen des Gyratorkern-Abschnitts konstant gehalten werden und die Kanalbereichsbreite (CW) der Common-Mode-Ballastinverter (CMI2, CMO2) der Transistoren des Common-Mode-Rückkopplungsabschnitts erhöht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbereichslänge der Transistoren des Gyratorkern- Abschnitts verringert wird, wobei die Transadmittanz des jeweiligen Transistors geändert wird und die Kanalbereichsbreite der Transistoren des Common-Mode- Rückkopplungsabschnitts erhöht wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbereichslänge und die Kanalbereichsbreite der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts verringert wird, wobei die Transadmittanz des jeweiligen Transistors konstant gehalten wird und die Kanalbereichsbreite der Transistoren des Common-Mode-Rückkopplungsabschnitts erhöht wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein Auswählen von sämtlichen Transistoren in dem Common- Mode-Rückkopplungsabschnitt und dem Gyratorkern- Abschnitts so, dass sie identisch sind.
9. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein Auswählen von sämtlichen Transistoren in dem Common- Mode-Rückkopplungsabschnitt und dem Gyratorkern- Abschnitts so, dass sie unterschiedlich sind.
10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Transistoren von jedem der Inverter eine Transistorstruktur umfassen, die eine Gate/Source- Kapazität Cgs, eine Gate/Drain-Kapazität Cgd, eine Ausgangsleitfähigkeit gd und eine Transadmittanz ym bestehend aus einem widerstandsbehafteten Teil gm und einem kapazitiven Teil gm umfasst, wobei die Werte in der Gleichung (11) folgendermassen definiert sind:
g = 3gd (8.1)
C = Co + 3Cgs + 6 Cgd (8.2)
wobei Co die gesamte effektive Kapazität zwischen Gyratorkern-Anschlüssen aufgrund des Common-Mode- Rückkopplungsabschnitts und/oder zusätzlicher externer Kapazitäten ist.
11. Filterschaltung bestehend aus wenigstens einer Filterstufe (FSTi), die umfasst:
  • a) einen Gyratorkern-Abschnitt (GCi) mit vier Invertern (GI1i-GI4i), die zwischen einem Paar von Eingangsanschlüssen (i_1; i_2) und einem Paar von Ausgangsanschlüssen (o_1; o_2) untereinander in einer Schleifenkonfiguration verschaltet sind;
  • b) wenigstens einen Common-Mode-Rückkopplungs­ abschnitt (CMIi, CMOi), der zwischen das Paar von Eingangsanschlüssen und/oder das Paar von Ausgangsanschlüssen geschaltet ist und zwei Reihenschaltungen umfasst, die jeweils von einem Inverter (CMI1, CMO1) und einem kurzgeschlossenen Inverter (CMO1, CMO2) gebildet sind, die antiparallel zwischen die Eingangsanschlüsse und die Ausgangsanschlüsse geschaltet sind;
  • c) wobei jeder der Inverter von wenigstens einem MOS, CMOS oder BiCMOS Transistor mit einem Gate (G), einer Drain (D), einer Source (S) und einem Kanalbereich (CH) zwischen der Drain (D) und der Source (S) gebildet ist;
dadurch gekennzeichnet, dass
  • a) die Kanalbereichs-Abmessungen (CL, CW) der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts und/oder des Common-Mode-Rückkopplungsabschnitts so gewählt sind, dass der folgende Zusammenhang erfüllt ist:
    g*C ≧ gm*cm (11)
    mit:
    g: effektive leitende Last der Gyratorkern- Abschnittsanschlüsse;
    C: effektive kapazitive Last der Gyratorkern-Abschnittsanschlüsse;
    gm: effektive Gyrationskonstante des Gyratorkern-Abschnitts,
    cm: effektive Transkapazität des Gyratorkern- Abschnitts.
12. Filterschaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbereichs-Abmessungen so gewählt sind, dass sie in dem Gyratorkern-Abschnitt und dem Common-Mode- Rückkopplungsabschnitt unterschiedlich sind.
13. Filterschaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbereichs-Abmessungen der Transistoren des Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt konstant gehalten werden und die Kanalbereichslänge der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts verringert wird, wobei die Transadmittanz des jeweiligen Transistors verändert wird.
14. Filterschaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet dass die Kanalbereichs-Abmessungen der Transistoren des Common-Mode-Rückkopplungsabschnitt konstant gehalten werden und die Kanalbereichslänge (CL) und die Kanalbereichsbreite (CW) der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts verringert wird, wobei die Transadmittanz des jeweiligen Transistors konstant gehalten wird, so dass die Resonanzfrequenz des Kernabschnitts ωTcore grösser als die Resonanzfrequenz der Filterschaltung ω0filter ist.
15. Filterschaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbereichs-Abmessungen der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts konstant gehalten werden und die Kanalbereichsbreite (CW) der Common-Mode-Ballastinverter (CMI2, CMO2) der Transistoren des Common-Mode- Rückkopplungsabschnitts erhöht wird.
16. Filterschaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbereichslänge der Transistoren des Gyratorkern- Abschnitts verringert wird, wobei die Transadmittanz des jeweiligen Transistors geändert wird und die Kanalbereichsbreite der Transistoren des Common-Mode- Rückkopplungsabschnitts erhöht wird.
17. Filterschaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet dass die Kanalbereichslänge und die Kanalbereichsbreite der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts verringert wird, wobei die Transadmittanz des jeweiligen Transistors konstant gehalten wird und die Kanalbereichsbreite der Transistoren des Common-Mode-Rückkopplungsabschnitts erhöht wird.
18. Filterschaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass sämtliche Transistoren in dem Common-Mode- Rückkopplungsabschnitt und dem Gyratorkern-Abschnitt identisch sind.
19. Filterschaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass sämtliche Transistoren in dem Common-Mode- Rückkopplungsabschnitt und dem Gyratorkern-Abschnitt unterschiedlich sind.
20. Filterschaltung nach Anspruch 18 dadurch gekennzeichnet, dass die Transistoren von jedem der Inverter eine Transistorstruktur umfassen, die eine Gate/Source- Kapazität Cgs, eine Gate/Drain-Kapazität Cgd, eine Ausgangsleitfähigkeit gd und eine Transadmittanz ym bestehend aus einem widerstandsbehafteten Teil gm und einem kapazitiven Teil gm umfasst, wobei die Werte in der Gleichung (11) folgendermassen definiert sind:
g = 3gd (8.1)
C = Co + 3Cgs + 6 Cgd (8.2)
wobei Co die gesamte effektive Kapazität zwischen Gyratorkern-Anschlüssen aufgrund des Common-Mode- Rückkopplungsabschnitts und/oder zusätzlicher externer Kapazitäten ist.
21. Filterschaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Transistoren in Sättigung betrieben sind.
22. Filterschaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Filterschaltung eine Filterschaltung des differentiellen Signaltyps ist.
23. Filterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dass die Kanallänge der Common-Mode-Inverter (CMI1, CMO1) erhöht wird.
24. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dass die Kanallänge der Common-Mode-Inverter (CMI1, CMO1) erhöht wird.
25. Verfahren zum Herstellen einer Filterschaltung bestehend aus einer Filterstufe (FSTi), das die folgenden Schritte umfasst:
  • a) Versehen (S1) der wenigstens einen Filterstufe (FSTi) mit einem Gyratorkern-Abschnitt (GCi) mit vier Invertern (I1, I12, I22, I21), die zwischen einem Paar von Eingangsanschlüssen (i-1; i_2) und einem Paar von Ausgangsanschlüssen (o_1; o_2) in einer Schleifenkonfiguration untereinander verschaltet sind;
  • b) wobei die Inverter als eine differentielle Transkonduktor-Knfiguration angeordnet sind, so dass ein erster und ein zweiter Inverter (I11, I21) jeweils zwischen dem ersten Eingangs- und dem ersten Ausgangsanschluss (i_1; o_2) und dem zweiten Eingans- und dem zweiten Ausgangsanschluss (i_2; o_2) vorgesehen sind;
  • c) wobei jeder Inverter durch wenigstens einen MOS, CMOS oder BiCMOS Transistor mit einem Gate (G), einer Drain (D), einer Source (S) und einem Kanalbereich (CH) zwischen der Drain (D) und Source (S) gebildet ist;
    gekennzeichnet durch den folgenden Schritt:
  • d) Wählen (S4) der Kanalbereichs-Abmessungen (CL, CW) der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts und/oder des Common-Mode-Rückkopplungsabschnitts, so dass die folgende Beziehung erfüllt ist:
    g*C ≧ gm*cm (11)
    mit: g: effektive leitende Last der Gyratorkern- Abschnittsanschlüsse; C: effektive kapazitive Last der Gyratorkern-Abschnittsanschlüsse; gm: effektive Gyrationskonstante des Gyratorkern-Abschnitts, cm: effektive Transkapazität des Gyratorkern- Abschnitts.
26. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbereichslänge der Transistoren des Gyratorkern- Abschnitts verringert wird, wobei die Transadmittanz des jeweiligen des Transistors verändert wird.
27. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbereichslänge und die Kanalbereichsbreite der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts verringert wird, wobei die Transadmittanz des jeweiligen Transistors konstant gehalten wird.
28. Filterschaltung bestehend aus wenigstens einer Filterstufe (FSTi), die umfasst:
  • a) wenigstens ein Filter (FTSi) mit einem Gyratorkern- Abschnitt (GCi) mit vier Invertern (I1, I12, I22, I21), die zwischen einem Paar von Eingangsanschlüssen (i_1; i_2) und einem Paar von Ausgangsanschlüssen (o_1; o_2) untereinander in einer Schleifenkonfiguration verschaltet sind;
  • b) wobei die Inverter als eine differentielle Transkonduktor-Konfiguration angeordnet sind, so das ein erster und ein zweiter Inverter (I11, I12) jeweils zwischen dem ersten Eingangsanschluss und dem ersten Ausgangsanschluss (i_1; o_1) und dem zweiten Eingangsanschluss und dem zweiten Ausgangsanschluss i_2; o_2) vorgesehen sind;
  • c) wobei jeder der Inverter von wenigstens einem MOS, CMOS oder BiCMOS Transistor mit einem Gate (G), einer Drain (D), einer Source (S) und einem Kanalbereich (CH) zwischen der Drain (D) und der Source (S) gebildet ist;
dadurch gekennzeichnet, dass
  • a) die Kanalbereichs-Abmessungen (CL, CW) der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts so gewählt sind, dass der folgende Zusammenhang erfüllt ist:
    g*C ≧ gm*cm (11)
    mit:
    g: effektive leitende Last der Gyratorkern- Abschnittsanschlüsse;
    C: effektive kapazitive Last der Gyratorkern-Abschnittsanschlüsse;
    gm: effektive Gyrationskonstante des Gyratorkern-Abschnitts,
    cm: effektive Transkapazität des Gyratorkern- Abschnitts.
29. Filterschaltung nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbereichslänge des Gyratorkern-Abschnitts verringert wird, wobei die Transadmittanz des jeweiligen Transistors verändert wird.
30. Filterschaltung nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbereichslänge und die Kanalbereichsbreite der Transistoren des Gyratorkern-Abschnitts verringert wird, wobei die Transadmittanz des jeweiligen Transistors konstant gehalten wird.
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