DE19956472A1 - Flüssigkeits-Abgabesystem - Google Patents

Flüssigkeits-Abgabesystem

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Abstract

Es wird ein Flüssigkeits-Abgabesystem (LDS) beschrieben, das bei der Ablagerung eines Kupferdrahtes mittels eines chemischen Gasphasen-Abscheidungsverfahrens bei dem Herstellungsvorgang für eine Halbleitervorrichtung verwendet wird. Das LDS-System enthält eine Flüssig-Kupfermaterial-Versorgungseinrichtung zur Abgabe von Flüssig-Kupfermaterialien bei Raumtemperatur an eine Verdampfungseinrichtung über eine Öffnung, die mit einer konstanten Geschwindigkeit gedreht wird, eine Trägergas-Versorgungseinrichtung zum Ausstoßen eines Trägergases, das bei einer Temperatur gehalten wird, bei welcher Kupfer durch Ausstoß-Düsen verdampft wird, und zur Bildung der Flüssig-Kupfermaterialien, die der Verdampfungseinrichtung über die Öffnung zugeführt werden, in Form von Mikro-Tropfen, und eine Ausstoß-Einrichtung zum Ausstoßen des verdampften Kupferdampfes in eine Reaktionskammer, wobei die Mikro-Tropfen in der Verdampfungseinrichtung verdampft werden. Mit der vorliegenden Erfindung können die Probleme wie das Verstopfen eines Verdampfers, eine niedrige Reproduzierbarkeit und eine niedrige Ablagerungsgeschwindigkeit gelöst werden, die bei herkömmlichen Blasen-Misch-Einrichtungen und Direkt-Flüssigkeitseinspritzeinrichtungen (DLI) bestehen.

Description

Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft allgemein ein Flüssigkeits-Abgabesystem (LDS). Die Erfindung betrifft insbesondere ein Flüssigkeits-Abgabesystem, das nicht nur in der Lage ist die Ablagerungsge­ schwindigkeit von Kupfer zu verbessern, sondern auch eine hohe Reproduzierbarkeit implemen­ tiert, wenn ein Kupferdraht unter Verwendung des chemischen Gasphasen- Abscheidungsverfahrens während des Herstellungsvorgangs für eine Halbleitervorrichtung ge­ bildet wird.
Beschreibung des Standes der Technik
Wenn eine Halbleitervorrichtung höher integriert ist und eine höhere Leistungsfähigkeit auf­ weist, besteht ein Trend dahingehend, dass ein Kupfermetalldraht weitverbreitet als ein Metall­ draht zum Einsatz in der Halbleitervorrichtung verwendet wird. In dem Kupfermetalldraht wird die Metallschicht durch physikalische Dampfphasenabscheidung bzw. ein PVD-Verfahren, durch ein metall-organisches chemisches Dampfphasenabscheidungsverfahren bzw. MOCVD- Verfahren, oder durch ein Galvanisierungsverfahren bzw. ein elektrisches Beschichtungsverfah­ ren usw. abgelagert. Eine herkömmliche Flüssigkeits-Abgabevorrichtung, die zur Ablagerung von Kupfer durch ein chemisches Dampfphasenabscheidungsverfahren verwendet wird, kann eine Blasen-Misch-Einrichtung und eine Direkt-Flüssigkeitseinspritzeinrichtung (DLI: Direct Liquid Injection) enthalten.
Wie man aus Fig. 1 erkennen kann, wird ein Trägergas über eine Einlass-Leitung 11 in eine herkömmliche Blasen-Misch-Einrichtung 10 eingeführt. Es wird dann mit einem vorgegebenen Verhältnis mit metallischen flüssigen Materialien 13, das in einem Behälter 12 der Blasen- Misch-Einrichtung enthalten ist, gemischt und tritt aus dem Behälter 12 über die Leitung 14 aus. Das Mischverhältnis des Trägergases mit den metallischen flüssigen Materialien bzw. Stoffen hängt von der Masseströmung bzw. dem Mengenfluss des Trägergases, von der Temperatur und dem Druck der Blasen-Misch-Einrichtung ab. Dieser herkömmliche Typ der Blasen-Misch- Einrichtung 10 eignet sich nicht für flüssige Materialien, wie beispielsweise flüssige Kupferma­ terialien mit einem sehr niedrigen Dampfdruck. Genauer gesagt ist es erforderlich, dass die Temperatur der Blasen-Misch-Einrichtung 10 konstant gehalten wird. Dies bewirkt, dass die flüssigen Kupfermaterialien sich wahrscheinlich zersetzen bzw. zerlegt werden, so dass Teilchen gebildet werden. Dementsprechend entsteht bei der herkömmlichen Blasen-Misch-Einrichtung nicht nur das Problem, dass sie den Halbleiterablagerungsfilm nachteilig beeinflusst, sondern auch dass sie die Reproduzierbarkeit verschlechtert und eine sehr niedrige Ablagerungsge­ schwindigkeit aufweist.
Fig. 2 ist eine schematische Ansicht einer Direkt-Flüssigkeitseinspritzvorrichtung 230 (DLI), die derzeit bei der Ablagerung von Kupfer durch das metall-organische chemische Dampfpha­ senabscheidungsverfahren am weitesten verbreitetet ist, wobei die Betriebsweise der Vorrich­ tung im Weiteren in Detail beschrieben wird.
Die DLI-Vorrichtung 230 besteht hauptsächlich aus einer Mikropumpe 20 und einer Verdamp­ fungseinrichtung 30. Die DLI-Vorrichtung setzt die von der Ampulle 19 stammenden metalli­ schen flüssigen Materialien auf einen Druck von ungefähr 20 psi (pounds per square inch) und befördert sie dann über das erste Ventil 21 zu der Mikropumpe 20. Zu diesem Zeitpunkt, wenn ein erster Kolben 23 durch einen ersten Schrittmotor 22 nach oben bewegt wird, füllen die me­ tallischen flüssigen Materialien einen ersten Zylinder 24. Anschliessend wird das erste Ventil 21 geschlossen und ein zweites Ventil 25 wird geöffnet. Wenn ein zweiter Kolben 27 aufgrund der Absenkung des ersten Kolbens 23 und angetrieben durch einen zweiten Schrittmotor 26 sich nach oben bewegt, strömen daher die metallischen flüssigen Materialien über das zweite Ventil 25 in den ersten Zylinder 24 füllen, in einen zweiten Zylinder 28. Falls der zweite Zylinder 28 völlig mit den metallischen flüssigen Materialien gefüllt ist, wird als nächstes das zweite Ventil 25 geschlossen und ein drittes Ventil 29 geöffnet. Aufgrund der Absenkung des zweiten Kolbens 27 werden folglich die metallischen flüssigen Materialien an die Verdampfungseinrichtung 30 über das dritte Ventil 29 übertragen. Zu diesem Zeitpunkt, wenn das erste Ventil 21 geöffnet wird und der erste Kolben 23 ansteigt, wird der erste Zylinder 24 erneut mit metallischen flüssi­ gen Materialien gefüllt. Wenn diese Vorgänge wiederholt werden, werden die metallischen flüs­ sigen Materialien von der Mikropumpe 20 an die Verdampfungseinrichtung 30 abgegeben. Die Steuerung des Mengendurchflusses wird durch die Zyklusanzahl bzw. Umlaufzahl der Schritt­ motoren 22 und 26 bestimmt.
Die von der Mikropumpe 20 abgegebenen metallischen flüssigen Materialien strömen in 99 Metallscheiben 32 über das Abgabeventil 31, werden durch Erwärmungszonen 33 in den Metall­ scheiben 32 verdampft und treten anschliessend zusammen mit dem Trägergas aus.
Der Antrieb der Metallscheiben 32 in der Verdampfungseinrichtung 30 hängt von den darin ein­ geführten metallischen flüssigen Materialien ab. Die Verdampfungseinrichtung 30 weist auch einen Aufbau auf, bei dem die Mikropumpe 20 einen Druck aufbauen kann. Demzufolge beste­ hen Probleme dahingehend, dass es extrem schwierig ist den Druck auf den metallischen flüssi­ gen Materialien konstant zu halten und man benötigt viel Zeit (mehrere 10 Minuten) damit der Druck auf die metallischen flüssigen Materialien einen Gleichgewichtszustand erreicht. Zusätz­ lich wird in einem Anfangszustand, falls ein Ansaugen der metallischen flüssigen Materialien auftritt, eine grosse Menge der metallischen flüssigen Materialien in die Metallscheiben 32 ein­ geführt. Es treten daher Probleme dahingehend auf, dass die Verdampfung der metallischen flüs­ sigen Materialien schwierig wird und ein grosser Anteil der Materialien unverdampft zurück­ bleibt, wodurch ein Verstopfen der Verdampfungseinrichtung 30 hervorgerufen wird.
Dementsprechend weisen Materialien wie flüssige Kupfermaterialien Probleme dahingehend auf, dass es schwierig ist sie gleichmässig auf einem Wafer abzulagern, da sie einen sehr niedrigen Dampfdruck besitzen und sich leicht zersetzen. Es kann daher vorkommen, dass sie eine Ver­ stopfung verursachen, da die Materialien sich in den Metallscheiben zersetzen bzw. zerlegen. Es besteht ferner ein Problem dahingehend, dass sie die Reproduzierbarkeit verschlechtern und so­ mit nicht für eine Massenproduktion bei dem Herstellungsvorgang für eine Halbleitervorrichtung eingesetzt werden können, aufgrund der extrem kurzen aufeinander folgenden Ablagerungsperi­ oden.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Flüssigkeits-Abgabesystem zu schaffen, das nicht nur in der Lage ist, die Ablagerungsgeschwindigkeit von Kupfer zu verbessern, son­ dern auch die Reproduzierbarkeit desselben zu implementieren, wenn eine Kupferschicht unter Verwendung von flüssigen Kupfermaterialien mittels eines metall-organischen chemischen Dampfphasenabscheidungsverfahrens während des Herstellungsvorganges für eine Halbleiter­ vorrichtung abgelagert wird.
Die Lösung der dieser Aufgabe bei einem Flüssigkeits-Abgabesystem (LDS) gemäss der vorlie­ genden Erfindung ist kennzeichnet durch eine Flüssig-Kupfermaterial-Versorgungseinrichtung zur Abgabe von flüssigen Kupfermaterialien mit Raumtemperatur an eine Verdampfungsein­ richtung über eine Öffnung, die sich bei einer konstanten Geschwindigkeit dreht, eine Trägergas- Versorgungseinrichtung zum Ausstossen eines Trägergases, das bei einer Temperatur gehalten wird, bei der Kupfer durch die Ausstoss-Düsen verdampft wird, und zur Bildung der flüssigen Kupfermaterialien derart, dass sie an die Verdampfungseinrichtung über die Öffnung in Mikro- Tropfen abgegeben wird, und eine Ausstoss-Einrichtung zum Ausstossen des verdampften Kup­ ferstromes an eine Reaktionskammer, wobei die Mikro-Tropfen in der Verdampfungseinrichtung verdampft werden.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung und Ausführungsformen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 in schematischer Ansicht eine herkömmliche Blasen-Misch-Einrichtung, die bei dem chemischen Gasphasen-Abscheidungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung eingesetzt wird;
Fig. 2 in schematischer Ansicht eine herkömmliche Direkt-Flüssigkeitseinspritzeinrichtung (DLI), die bei einem chemischen Gasphasen-Abscheidungsverfahren für eine Halbleitervorrich­ bung verwendet wird;
Fig. 3 in schematischer Ansicht ein Flüssigkeits-Abgabesystem (LDS), das bei dem chemi­ schen Gasphasen-Abscheidungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung gemäss der vorliegen­ den Erfindung verwendet wird.
Die vorliegende Erfindung wird im weiteren im Detail anhand bevorzugter Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, wobei gleiche Bezugszeichen zur Kennzeichnung der gleichen oder ähnlicher Teile verwendet werden.
Fig. 3 ist eine schematische Ansicht eines Flüssigkeits-Abgabesystem (LDS) zur Ablagerung einer Kupferschicht unter Verwendung des metall-organischen chemischen Gasphasen-Abschei­ dungsverfahrens gemäss der vorliegenden Erfindung.
Das Flüssigkeits-Abgabesystem 100 gemäss der vorliegenden Erfindung enthält eine Flüssig- Kupfermaterial-Versorgungseinrichtung 40, eine Trägergas-Versorgungseinrichtung 50, eine Verdampfungseinrichtung 60 und eine Ausstoss-Einrichtung 70.
Die Flüssig-Kupfermaterial-Versorgungseinrichtung 40 enthält eine unter Druck gesetzte Gas- Einlass-Leitung 41, die mit einem ersten Ventil 42 zum Einführen des unter Druck gesetzten Gases in einen Behälter 43 versehen ist, der mit flüssigen Kupfermaterialien 44 gefüllt ist; und eine Flüssig-Kupfermaterial-Auslass-Leitung 46, die mit einem zweiten Ventil 45 zur Übertra­ gung des Flüssig-Kupfermaterials 44 zu einer Öffnung 47 versehen ist, wobei der von der Ein­ lass-Leitung 41 ausgehende Druck eingesetzt wird.
Gase, wie beispielsweise Argon (Ar) oder Helium (He) können als Druckgase verwendet wer­ den. An der Oberseite der Öffnung 47 ist eine durch einen Motor 49 gedrehte Dreheinrichtung 48 vorgesehen, die ihrerseits die Öffnung 47 beim Antrieb des Systems dreht. Zu diesem Zeit­ punkt muss die Temperatur der Versorgungseinrichtung 40 in jeder Hinsicht bei Raumtempera­ tur gehalten werden.
Die Trägergas-Versorgungseinrichtung 50 enthält eine erste Mengendurchfluss- Steuereinrichtung (MFC) 52 zur Steuerung des Mengendurchflusses des Trägergases, das von der Trägergas-Einlass-Leitung 51 eingeführt wird, eine Trägergas-Auslass-Leitung 53 zur Wei­ terleitung des Trägergases ausgehend von der ersten MFC-Steuereinrichtung 52 zu einer Aus­ stoss-Düse 55, die mit einer ersten Erwärmungs- bzw. Erhitzungsummantelung 54 umgeben ist, wobei die Ummantelung 54 dazu dient, die Temperatur so hoch zu halten, dass die flüssigen Kupfermaterialien 44 verdampft werden, einen Isolierblock 56 zur Verhinderung, dass die Wärme bzw. Hitze der ersten Erwärmungsummantelung 54 zwischen der Öffnung 47 und der Trä­ gergas-Auslass-Leitung 53 zu dem Abschnitt der Öffnung 47 übertragen wird, und der Abschnitt der Öffnung 47 stets bei Raumtemperatur gehalten wird, und eine Dichteinrichtung 57, die an dem Ausstoss-Düsenabschnitt 55 vorgesehen ist, die dazu dient, zu verhindern dass der Unter­ druck bzw. das Vakuum von dem Verdampfer der Verdampfungseinrichtung 60 durch die Trä­ gergas-Auslass-Leitung 53 ausleckt bzw. abgebaut wird.
Die Verdampfungseinrichtung 60 enthält einen Verdampfer 61 zur Verdampfung von ultra­ mikrogrossen Flüssigkeitstropfen des flüssigen Kupfermaterials, die durch das Ausstossen des flüssigen Kupfermaterials erzeugt werden, wenn dieses durch die Öffnung 47 durch die Aus­ stoss-Düse 55 der Auslass-Leitung 53 hindurch tritt, eine zweite Erwärmungsummantelung 62, die sich an der Seite des Verdampfers 61 befindet, und die dazu dient das Innere des Verdamp­ fers 61 bei einer Temperatur zu halten, bei der Kupfer verdampft wird, eine Erwärmungsein­ richtung 63, die an dem Boden des Verdampfers 61 vorgesehen ist, und die dazu dient einige nicht verdampfte ultra-mikrogrosse Flüssigkeitstropfen mittels des Verdampfers 61 zu verdamp­ fen, eine Druckmess-Einrichtung 64, die dazu dient das Innere des Verdampfers 61 bei einem konstanten Druck zu halten, sowie eine Druckpumpe 65 mit einem Drosselventil 66.
Die Ausstoss-Einrichtung 70 enthält eine Kupferdampf-Einlass-Leitung 71 zum Übertragen bzw. Leiten von Kupfer, das in der Verdampfungseinrichtung 60 verdampft wird, zu einer zweiten MFC-Steuereinrichtung 72 zusammen mit dem Trägergas und eine Kupferdampf-Ausstoss- Einrichtung bzw. Düse 74 zur Aufnahme des Kupferdampfes, dessen Mengenstrom durch die zweite MFC-Steuereinrichtung 72 gesteuert wird, von der Kupferdampf-Auslass-Leitung 73, wobei der Kupferdampf in die Reaktionskammer 80 ausgestossen wird. Um die Kupferdampf- Einlass-Leitung 71 herum ist eine dritte Erwärmungsummantelung 75 vorgesehen.
Als nächstes wird die Betriebsweise des Flüssigkeits-Abgabesystems 100 gemäss der vorliegen­ den Erfindung beschrieben, das zur Ablagerung einer Kupferschicht auf einem Wafer durch ein metall-organisches chemisches Dampfphasenabscheidungsverfahren unter Verwendung von flüssigen Kupfermaterialien beim Herstellungsvorgang für eine Halbleitervorrichtung konstruiert bzw. aufgebaut ist.
Wenn der Behälter 43, in dem sich die flüssigen Kupfermaterialien 44 befinden, auf einen Druck von 10-200 psi (pounds per square inch) mittels eines Argon-(Ar) oder Helium-(He)gases ge­ bracht wird, werden die darin enthaltenen flüssigen Kupfermaterialien zu der Flüssig- Kupfermaterial-Auslass-Leitung 46 angehoben, während sie durch die unter Druck gesetzte Gas- Einlass-Leitung 41 unter Druck stehen. Anschliessend werden sie zu der Öffnung 47 geleitet bzw. übertragen, die durch die Dreheinrichtung 48 mit einer Dreh- bzw. Umlaufgeschwindigkeit von 10-1000 min-1 gedreht wird. Hierbei muss die Flüssig-Kupfermaterial-Auslass-Leitung 46 auf Raumtemperatur gehalten werden. Trägergase, wie beispielsweise Argon (Ar), Helium (He), Wasserstoff (H) treten durch die Trägergas-Einlass-Leitung 51 hindurch zu der ersten MFC- Steuereinrichtung 52, die ihrerseits den Mengendurchfluss der Gase auf 20-1000 cm3/min regelt. Anschliessend werden die geregelten Trägergase zu der Ausstoss-Düse 55, die konusförmig ist, über die Trägergas-Auslass-Leitung 53 übertragen. Hierbei hält die Trägergas-Auslass-Leitung 53 die flüssigen Kupfermaterialien mittels der ersten Erwärmungsummantelung 54 bei einer Temperatur, bei der sie verdampft werden, wodurch die Trägergase, die an den Verdampfer 61 ausgestossen werden, stets bei dieser Temperatur gehalten werden. Diese Trägergase werden in den Verdampfer 61 des Zyklontyps bei einem hohen Druck zusammen mit den Flüssig- Kupfermaterialien ausgestossen, die von der Ausstoss-Düse 55 zu der Öffnung 47 abgegeben werden. Zu diesem Zeitpunkt wird der Abschnitt der sich drehenden Öffnung 47 durch den Iso­ lierblock 56 bei Raumtemperatur gehalten. Die ausgestossenen Flüssig-Kupfermaterialien ver­ bleiben in dem Verdampfer 61 in Form von ultra-mikrogrossen Tropfen in einem flüssigen oder gasförmigen Zustand. Da die zweite Erwärmungsummantelung 62 in dem Verdampfer 61 die Temperatur so hoch hält, dass Kupfer verdampft wird, werden jedoch die meisten der ultra­ mikrogrossen Tropfen durch den Verdampfer 61 verdampft. Jedoch werden einige ultra­ mikrogrosse Tropfen, die nicht verdampft werden, durch die Erwärmungseinrichtung 63 ver­ dampft, die an dem Boden des Verdampfers 61 vorgesehen ist. Der Druck in dem Verdampfer 61 wird stets durch die Druckmess-Einrichtung 64 überwacht. Das Drosselventil 66, das an die Druckpumpe 65 angeschlossen ist, hält so den Druck in dem Verdampfer 61 konstant. Der Kup­ ferdampf, der durch die zweite Erwärmungsummantelung 62 und die Erhitzungseinrichtung 63 verdampft worden ist, wird anschliessend über die Kupferdampf-Einlass-Leitung 71, die zweite MFC-Steuereinrichtung 72 und die Kupferdampf-Auslass-Leitung 73 an die Kupferdampf- Ausstoss-Einrichtung bzw. Kupferdampf-Ausstoss-Düse 74 abgeleitet bzw. übertragen. Der übertragene Kupferdampf wird durch die Kupferdampf-Ausstoss-Einrichtung 74 in die Reakti­ onskammer 80 ausgestossen, in der der Wafer montiert ist.
Die Kupferdampf-Einlass-Leitung 71 ist mit einer dritten Erwärmungsummantelung 75 verse­ hen, die dazu dient, die Temperatur so hoch zu halten, dass Kupfer verdampft wird, so dass der Kupferdampf, der sich in der Einlass-Leitung befindet sich nicht erneut verflüssigt. Die Einlass- Leitung 71 ist nach oben geneigt mit einem Neigungswinkel von mehr als 30°, vorzugsweise zwischen 40° und 70° derart montiert bzw. installiert, dass irgendwelche nicht vollständig ver­ dampften Kupfer-Nebenprodukte nicht in die Reaktionskammer 80 strömen. Zusätzlich ist die Kupferdampf-Auslass-Leitung 73 vorzugsweise kurz genug, so dass ihre Leitfähigkeit gesteigert wird, wobei sie eine Länge von 5-20 cm und einen Durchmesser von ¼" aufweist.
Nach Vollendung des Ablagerungsvorgangs wird der Verdampfer 61 in einem Vakuum bzw. Unterdruckzustand durch die Druckpumpe 65 gehalten und dann mit einem atmosphärischen Gas gefüllt.
Das oben erwähnte Flüssigkeits-Abgabesystem 100 kann in der Zwischenzeit eingesetzt werden, um schwierig zu verdampfende Flüssigmaterialien zu verdampfen, wie beispielsweise Alumini­ um (Al), das in grossem Umfang bei dem Herstellungsvorgang für eine Halbleitervorrichtung eingesetzt wird, Tantal (Ta), Oxide wie TEOS usw., Materialien wie BST usw. und Kupfer.
Wie aus der obigen Beschreibung der vorliegenden Erfindung hervorgeht, kann das Flüssigkeits- Abgabesystem 100 das Trägergas über die sich drehenden Öffnung zu der konusförmigen Aus­ stoss-Düse abgeben, so dass die Flüssig-Kupfermaterialien als ultra-mikrogrossen Teilchen aus­ gebildet werden können. Auf diese Weise kann die vorliegende Erfindung das Phänomen bzw. die Erscheinung des Verstopfens bei einem herkömmlichen Verdampfer beseitigen, eine hohe Reproduzierbarkeit implementieren und so die Ablagerungsgeschwindigkeit im Vergleich zu einer herkömmlichen Flüssigkeits-Abgabevorrichtung (Blasen-Misch-Einrichtung und DLI- Vorrichtung) erhöhen. Demzufolge weist die Erfindung grosse Vorteile auf, die darin bestehen, dass sie einen Kupferfilm unter Verwendung eines chemischen Dampfphasenabscheidungsver­ fahrens für eine Halbleitervorrichtung anwendbar macht und ferner den Umgang und das Reini­ gen der Ausrüstung aufgrund einer vereinfachten Verdampfungseinrichtung erleichtert.
Die vorliegende Erfindung wurde unter Bezugnahme auf eine bestimmte Ausführungsform im Zusammenhang mit einer besonderen Anwendung beschrieben. Der Fachmann, der Zugang zu der technischen Lehre der vorliegenden Erfindung hat, wird zusätzliche Abwandlungen und An­ wendungen innerhalb dessen Schutzumfangs erkennen.

Claims (12)

1. Flüssigkeits-Abgabesystem, gekennzeichnet durch:
eine Flüssig-Kupfermaterial-Versorgungseinrichtung zur Versorgung einer Verdampfungs­ einrichtung mit Kupfer-Flüssigkeitsmaterialien bei Raumtemperatur über eine Öffnung, die sich mit einer konstanten Geschwindigkeit dreht;
eine Trägergas-Versorgungseinrichtung zum Ausstossen eines Trägergases, das bei einer Temperatur gehalten wird, bei der Kupfer über Ausstoss-Düsen verdampft wird, und zum Ausbilden des an die Verdampfungseinrichtung über die Öffnung abgegebene flüssigen Kup­ fermaterials als Mikro-Tropfen; und
eine Ausstoss-Einrichtung zum Ausstossen des verdampften Kupferdampfes in einer Reakti­ onskammer, wobei die Mikro-Tropfen in der Verdampfungseinrichtung verdampft werden.
2. Flüssigkeits-Abgabesystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Flüssig- Kupfermaterial-Versorgungseinrichtung einen mit flüssigen Kupfermaterialien gefüllten Be­ hälter, eine Druckgas-Einlass-Leitung zum Einleiten des unter Druck gesetzten Gases in den Behälter, sowie eine Flüssig-Kupfermaterial-Auslass-Leitung zur Übertragung der Flüssig- Kupfermaterialien zu der Öffnung unter Verwendung des von der Einlass-Leitung stammen­ den Drucks aufweist.
3. Flüssigkeits-Abgabesystem nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Druckgas Argon (Ar) oder Helium (He) ist und auf einen Druck von 10-200 psi (0,7-14,1 kp/cm2) ge­ bracht wird.
4. Flüssigkeits-Abgabesystem nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnung an ihrer Oberseite eine Einrichtung aufweist, die durch einen Motor gedreht wird, wobei diese mit einer Drehgeschwindigkeit von 10-1000 min-1 gedreht wird.
5. Flüssigkeits-Abgabesystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägergas- Versorgungseinrichtung eine erste Massendurchfluss-Steuereinrichtung (MFC) zur Steue­ rung des Massenstroms des Trägergases, eine Trägergas-Auslass-Leitung mit einer ersten Erwärmungsummantelung zum Halten des von der ersten MFC-Steuereinrichtung abstam­ menden Trägergases auf einer Temperatur, bei der Kupfer verdampft wird, einen Isolier­ block, der verhindert, dass Wärme von der ersten Erwärmungsummantelung zu der Öffnung übertragen wird, sowie eine Dichtungseinrichtung aufweist, die ein Auslecken des Unter­ druckes der Verdampfungseinrichtung zu der Ausstoss-Düse verhindert.
6. Flüssigkeits-Abgabesystem nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägergas Argon, Helium oder Wasserstoff ist.
7. Flüssigkeits-Abgabesystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdamp­ fungseinrichtung einen Verdampfer mit einer zweiten Erwärmungsummantelung zum Ver­ dampfen der Mikro-Tropfen und mit einer Erwärmungseinrichtung, sowie eine Druckpumpe enthält, welche eine Druckmess-Einrichtung zum Konstanthalten des Druckes in dem Ver­ dampfer und ein Drosselventil besitzt.
8. Flüssigkeits-Abgabesystem nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Erwär­ mungsummantelung an der Seite des Verdampfers montiert ist, um den Verdampfer auf einer Temperatur zu halten, bei der Kupfer verdampft wird, und wobei die Erhitzungseinrichtung an dem Boden des Verdampfers angebracht ist, um noch nicht verdampfte Mikro-Tropfen zu verdampfen.
9. Flüssigkeits-Abgabesystem nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Druck­ mess-Einrichtung den Druck des Verdampfers überwacht und das an die Druckpumpe ange­ schlossene Drosselventil den Druck des Verdampfers konstant hält.
10. Flüssigkeits-Abgabesystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausstoss- Einrichtung eine Kupferdampf-Einlass-Leitung mit einer dritten Erwärmungsummantelung aufweist, um den Kupferdampf im gleichen Zustand zu halten, eine zweite MFC- Steuereinrichtung zum Steuern des Mengendurchflusses des Kupferdampfes und des Träger­ gases, die beide ausgehend von der Kupferdampf-Einlass-Leitung eingeführt werden, und ei­ ne Kupferdampf-Auslass-Leitung zur Übertragung des Kupferdampfes und des Trägergases ausgehend von der zweiten MFC-Steuereinrichtung zu der Kupferdampf-Ausstoss- Einrichtung zum Ausstossen der Trägergase in die Reaktionskammer.
11. Flüssigkeits-Abgabesystem nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Kupfer­ dampf-Einlass-Leitung nach oben geneigt mit einem Neigungswinkel von 40° bis 70° ange­ bracht ist, so dass Kupfer-Nebenprodukte, die nicht vollständig verdampft sind, nicht an die Reaktionskammer abgegeben werden.
12. Flüssigkeits-Abgabesystem nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Kupfer­ dampf-Auslass-Leitung eine Länge von 5-20 cm aufweist und einen Durchmesser von ¼" besitzt.
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