DE19831214C2 - Verfahren und Anordnung zur Herstellung dünner Metallchalkogenid-Schichten - Google Patents
Verfahren und Anordnung zur Herstellung dünner Metallchalkogenid-SchichtenInfo
- Publication number
- DE19831214C2 DE19831214C2 DE19831214A DE19831214A DE19831214C2 DE 19831214 C2 DE19831214 C2 DE 19831214C2 DE 19831214 A DE19831214 A DE 19831214A DE 19831214 A DE19831214 A DE 19831214A DE 19831214 C2 DE19831214 C2 DE 19831214C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- metal
- reaction
- metal compound
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 26
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 10
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000007791 dehumidification Methods 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000012432 intermediate storage Methods 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N docosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 chalcogenide ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 3
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 3
- 235000021357 Behenic acid Nutrition 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001074 Langmuir--Blodgett assembly Methods 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940116224 behenate Drugs 0.000 description 2
- UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-M behenate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229940116226 behenic acid Drugs 0.000 description 2
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLWNPPOLRLYUAH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[In+3].[Cu+2] Chemical compound [O-2].[In+3].[Cu+2] RLWNPPOLRLYUAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVNJDKNLESDRQF-UHFFFAOYSA-L copper;docosanoate Chemical class [Cu+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O NVNJDKNLESDRQF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 1
- 239000005295 porous vycor glass Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
- H01L31/1836—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe comprising a growth substrate not being an AIIBVI compound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C10/00—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces
- C23C10/18—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions
- C23C10/20—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions only one element being diffused
- C23C10/22—Metal melt containing the element to be diffused
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Anordnung zur Herstellung
dünner Metallchalkogenid-Schichten beispielsweise für den Einsatz als
Absorber- bzw. Pufferschichten in Solarzellen.
Zur Herstellung von Metallchalkogenidschichten in einem einzigen Verfah
rensdurchlauf mit einem zweistufigen Reaktionsablauf sind aus den Aufsätzen
"Thin-film copper indium diselenide prepared bei selenization of copper
indium oxide formed by spray pyrolysis" (M. E. Beck et al., Thin Solid Films
272 (1996) 71-82) und "Preparation and Optical Properties of CdS-
Microcrystallites Deposited in Porous Vycor Glass" (I. Tanahashi et al., Journ.
of Ceramic Society of Japan 101 [8] 850-854 (1993) sowie aus der
deutschen Patentanmeldung DE 30 15 060 A1 sogenannte "Pyrolyse
verfahren" mit einem hohen Energieeinsatz bei Pyrolysetemperaturen um
450°C bekannt. Bei den in den Veröffentlichungen und beschriebenen
Verfahren wird im ersten Reaktionsschritt eine Metallsalzlösung auf ein
heißes Substrat aufgesprüht, um eine Metalloxidschicht herzustellen
(Pyrolyse = thermische Zersetzung). Dieses wird dann in einem zweiten
Reaktionsschritt wiederum thermisch mit einem Chalkogen oder
Chalkogenwasserstoff in ein anderes Metallchalkogenid umgewandelt. Das
Ausgangsprodukt (Metalloxid) für die Umsetzung zum Endprodukt
(Metallchalkogenid) wird also in einem vorgeschalteten Reaktionsschritt
erzeugt, der die geregelte Zufuhr von thermischer Energie in hohem Umfang
erfordert. In dem Verfahren gemäß Aufsatz wird darüber hinaus toxisches
elementares Selen als chalkogenem Reaktionspartner eingesetzt. Bei dem
aus dem Aufsatz bekannten Verfahren wird poröses Glas in eine
Kupfernitratlösung eingetaucht. Danach erfolgt wiederum eine thermische
Reaktion (Pyrolyse bei 400°C), bei der Kadmiumoxid erzeugt wird. Dies wird
nachfolgend in einem weiteren Heizprozess bei Temperaturen bis 300°C
unter Zugabe von Schwefelwasserstoffgas zu Sulfid thermisch umgesetzt.
Aus dem Aufsatz "Formation of nanoclusters during the interaction of H2S with
cadmium, zinc and copper behenates" von F. N. Dultsev et al., Thin Solid
Films 288 (1996) 103-107 ist die Erzeugung von dünnen Filmen mit der
"Langmuir-Blodgett-Technik" bekannt, die wiederum in zwei Reaktionsstufen
abläuft und nicht zyklisch durchgeführt wird. Zunächst wird in leichtem Hexan
gelöste Behensäure (amphiphile Moleküle mit polaren und unpolaren
Gruppen) auf eine wässrige Lösung eines polaren und daher gut wasser
löslichen Metallsalzes aufgetropft. Es bildet sich ein polarer Oberflächenfilm
aus Metallbehenatmolekülen, der mit Schwefelwasserstoff zu Metallsulfid
chemisch umgesetzt wird und mittels eines Substrats von unten von der
Wasseroberfläche abgehoben wird. Bei diesem Verfahren ist man an
oberflächenaktive, unpolare Salze organischer Säuren - wie das Behenat -
zwingend gebunden. In den Schichten auftretende unpolare Reste im Film
können aber für viele Anwendungen, z. B. in solchen, in denen eine
elektrische Stromleitung erfolgt (Solarzellen), extrem stören. Weiterhin kommt
das zu beschichtende Substrat zwingend mit Wasser in Berührung, was zu
einer Schädigung des Substrats führen kann. Die Zuführung eines weiteren
Reagenz in Form der Behensäure verursacht zusätzliche Materialkosten und
bedeutet einen zusätzlichen Prozessschritt. Mit der Langmuir-Blodgett-
Technik können nur ganz dünne Filme im Bereich von einigen Moleküllagen
erzeugt werden. Dabei handelt es sich um ein sehr diffiziles Verfahren, das
sich nur schwierig in die industrielle Großproduktion übertragen lässt.
Außerdem ist eine porentiefe Beschichtung nicht möglich.
Weiterhin wird zur Erzeugung von Schichten aus schwer löslichen
Metallchalkogeniden bisher häufig das Verfahren der chemischen
Badabscheidung (chemical bath deposition, CBD) eingesetzt. Hiervon sind
zwei unterschiedliche Varianten bekannt.
Im sogenannten SILAR-Verfahren (Successive Ionic Layer Adsorption and
Reaction) wird ein Substrat nacheinander in Lösungen eines Metallsalzes und
eines gut löslichen Chalkogenids getaucht. Zweckmäßigerweise erfolgt nach
jedem Bad eine Spülung des Substrats. Die an der Oberfläche des Substrats
im ersten Bad adsorbierten Metallionen reagieren mit den Chalkogenidionen
im 2. Bad zu einem schwer löslichen Metallchalkogenid. Dieser
Behandlungszyklus wird bis zum Erreichen der gewünschten Schichtdicke
wiederholt (vgl. M. P. Valkonen, T. Kanniainen, S. Lindros, M. Leskelä, E.
Rauhala; Applied Surface Science, 115 (1997) S. 386-392). Nachteilig ist bei
diesem Verfahren die mangelnde Gleichmäßigkeit (Homogenität) der
Metallchalkogenid-Schicht. Insbesondere bei Substraten mit porösen
Oberflächen zeigt sich eine ausgeprägte Krustenbildung der aufgebrachten
Schicht.
Beim Chalkogeno-Harnstoffverfahren wird in einem Bad eines gelösten
Metallsalzes bzw. Metallkomplexes Chalkogeno-Harnstoff thermisch zersetzt.
Dabei werden Chalkogenidionen freigesetzt, die mit dem an der Oberfläche
des eingetauchten Substrats adsorbierten Metallionen reagieren unter Bildung
eines schwer löslichen Metallchalkogenids (s. T. M. Friedelmeier, D. Braunger,
D. Hariskos, M. Kaiser, H. M. Wanka, H. W. Schock; Proceedings 25th PVSC,
May 13.-17, 1996, Washington D. C., USA, S. 845-848). Nachteilig ist hierbei,
dass sich der Prozess der Metallchalkogenidbildung nicht nur auf der
Substratoberfläche sondern in der gesamten Lösung vollzieht. Diese ist daher
schon nach einem Durchlauf nicht mehr verwendbar, obwohl für die
Beschichtung des Substrats nur ein sehr geringer Teil der Lösung genutzt
worden ist. Weiterhin fordert das Verfahren eine sehr genaue
Temperaturführung, und die Qualität der Beschichtung ist sehr stark von der
Qualität des eingesetzten Chalkogeno-Harnstoffes abhängig. So können z. B.
unterschiedliche Chargen von Chalkogeno-Harnstoff des gleichen Herstellers
durchaus zu Schichten sehr unterschiedlicher Qualität führen. Die Ursachen
für diese Qualitätsschwankungen konnten bisher noch nicht geklärt werden.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine
Anordnung anzugeben zur einfachen Herstellung homogener Metall
chalkogenid-Schichten in gleichbleibender Qualität unter Beachtung
ökonomischer und ökologischer Gesichtspunkte.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Angabe eines Verfahrens mit
nachstehend aufgeführten Verfahrensschritten mit einem in Abhängigkeit von
der unterschiedlichem Reaktionsfähigkeit der jeweils für die
Chalkogenidbildung eingesetzten Metallverbindungen unterschiedlich
festgelegten Temperaturregime typischerweise im Bereich der
Raumtemperatur gelöst:
- 1. Aufbringen einer Lösung einer Metallverbindung auf ein Substrat zur Adsorption von Metallionen ohne Eintritt einer chemischen Reaktion,
- 2. Feuchtigkeitsentzug aus dem Substrat mit den an dessen Oberfläche adsorbierten Metallionen,
- 3. Einleitung eines chalkogenwasserstoffhaltigen Gases zur Reaktion mit den adsorbierten Metallionen,
wobei die Verfahrensschritte bis zum Erreichen einer gewünschten
Schichtdicke zyklisch wiederholt werden.
Das Aufbringen der Lösung der Metallverbindung auf das Substrat kann in
vorteilhafter Weise durch Aufsprühen oder auch durch Tauchen des Substrats
in die Lösung erfolgen.
Als Substrat können beispielsweise TiO2, CuInS2, CuGaSe2, Chalkopyrite
allgemein oder Glas eingesetzt werden.
Als Lösung einer Metallverbindung werden gelöste Verbindungen von
Metallen wie Cd, Cu, In, Pb, Ag, Sb oder Bi einzeln oder Mischungen davon
eingesetzt, die in Reaktion mit Chalkogenwasserstoffen schwer lösliche
Metallchalkogenide bilden.
Die Metallverbindungen werden im Regelfalle in einem leicht flüchtigen
Lösungsmittel, wie Methanol, Ethanol, Acetonitril oder Mischungen davon
gelöst. Bei einigen Metallverbindungen, wie z. B. solchen, die Indium
enthalten, kann auch Wasser als Lösungsmittel eingesetzt werden. Die
Verwendung von Wasser als Lösungsmittel ist besonders dann angebracht,
wenn ein Substrat mit einer definierten Restfeuchte für die Chalkogenisierung
der adsorbierten Metallionen eingesetzt werden soll.
Entsprechend der unterschiedlichen Reaktionsfähigkeit der jeweils für die
Chalkogenidbildung eingesetzten Metalle wird das Temperaturregime für den
Verfahrensablauf unterschiedlich festgelegt. Die optimale
Verfahrenstemperatur kann daher auch oberhalb oder unterhalb der üblichen
Raumtemperatur liegen.
Für den Feuchtigkeitsentzug kann eine nachgeschaltete Trocknung in einem
Gasstrom aus Inertgasen wie z. B. Edelgasen oder molekularem Stickstoff
eingesetzt werden.
Der Feuchtigkeitsentzug kann auch durch Verdunstung des Lösungsmittels
bis zu einer definierten Restfeuchte des Substrats erfolgen. Dabei kann die
Verdunstung auch bei einer Zwischenlagerung des mit Metallionen bedeckten
Substrats bzw. beim Transport des Substrats erfolgen.
Das Reaktionsgas für die Reaktion mit den adsorbierten Metallionen enthält
die Wasserstoffverbindungen der Chalkogene S, Se oder Te. Nachfolgend
kann zweckmäßigerweise eine Spülung für das beschichtete Substrat in
einem Lösungsmittel, vorzugsweise Methanol, zur Entfernung überschüssiger
Reaktionsprodukte und u. U. eine Trocknung vorgesehen sein.
Die erreichbaren Schichtdicken liegen in einem Variationsbereich von
monomolekular bis zum µ-Bereich. Je nach gewünschter Schichtdicke wird
der Verfahrenszyklus entsprechend oft wiederholt.
Gegenüber den vorstehend beschriebenen bekannten Verfahren weist das
erfindungsgemäße Verfahren die nachstehend aufgeführten Vorteile auf:
- 1. Es ist generell unempfindlich gegen Variationen der Prozess-Parameter.
- 2. Die eingesetzten Metallsalze können vollständig ausgenutzt werden statt weniger Prozente beim Chalkogeno-Harnstoffverfahren. Damit ist das erfindungsgemäße Verfahren ökonomischer und auch ökologischer (insbesondere bei toxischen Ausgangsstoffen wie z. B. Kadmiumsalzen).
- 3. Es erfolgt kein Einbau von Hydroxiden, wenn die Reaktion in einem sauren Milieu abläuft.
- 4. Bei Beschichtung von porösen Substraten ergibt sich ein homogener Schichtaufbau ohne Krustenbildung.
- 5. Der Verfahrensablauf lässt sich ohne großen Aufwand automatisieren.
- 6. Das erfindungsgemäße Verfahren ist prinzipiell für alle schwer löslichen Chalkogenide einsetzbar.
Die Anordnung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, die
einen in allen drei Ebenen beweglichen Substrathalter, ein Bad einer gelösten
Metallverbindung, ein Trockengefäß, ein Reaktionsgefäß sowie ein Spülbad
aufweist, ist am Substrathalter mit einer Abdeckung versehen, die nach
Einbringen des Substrats in das Reaktionsgefäß durch Absenken des
Substrathalters für einen gasdichten Verschluss des Reaktionsgefäßes sorgt.
Die Erfindung wird nachstehend an Anwendungsbeispielen für das Verfahren
und einer Ausführungsform der Anordnung anhand der zugehörigen
Zeichnung näher erläutert:
Die Zeichnung zeigt in schematischer Darstellung eine Anordnung zur automatischen Abscheidung von Metallchalkogenid-Schichten nach dem erfindungsgemäßen Verfahren.
Die Zeichnung zeigt in schematischer Darstellung eine Anordnung zur automatischen Abscheidung von Metallchalkogenid-Schichten nach dem erfindungsgemäßen Verfahren.
In ein Metallsalzbad von in 90%igem Methanol gelösten CdCl2 wird ein
extrem poröses TiO2-Substrat eingebracht. Die Verweildauer beträgt ca. 20 s.
In dieser Zeit sind genügend Cd-Ionen an der Substratoberfläche adsorbiert
worden. Es folgt eine rasche Trocknung (max. 2 min) in einem Argongasstrom
und anschließend die Reaktion in einem H2S-haltigen Gasstrom. Die
Reaktionszeit beträgt ca. 10 bis 20 s. Während dieser Zeit erfolgt die Bildung
von CdS aus den an der TiO2-Oberfläche adsorbierten Cd-Ionen.
Nachgeschaltet ist eine Spülung in einem Methanolbad zur Entfernung
überschüssiger Reaktionsprodukte. Eine abschließende Trocknung in einem
Argongasstrom bei hoher Gasgeschwindigkeit ist nicht unbedingt erforderlich.
Der gesamte Verfahrensablauf erfolgt bei Raumtemperatur und bei
Normaldruck. Es sind daher keine Temperaturregelung und druckdichten
Gefäße erforderlich. Je nach gewünschter Schichtdicke kann der
Verfahrenszyklus beliebig oft wiederholt werden. SEM-Aufnahmen der
erzielten CdS-Schichten zeigten praktisch keinen Unterschied zur
Reliefstruktur der unbeschichteten Substrate, d. h. die Beschichtung folgt
extrem genau in gleichbleibender Stärke dem feinstrukturierten
Oberflächenrelief der Substrate. Im Gegensatz zum konventionellen SILAR-
Verfahren wurde keine Krustenbildung beobachtet. Analog zum vorstehend
beschriebenen Verfahrensablauf erfolgte die Herstellung einer Cu(I)-
Sulfidschicht auf einem extrem porösen TiO2-Substrat. Diese Schichten sind
als Absorber in einer eta (extremely thin absorber)-Solarzelle vorgesehen.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können auch Einzelschichten aus
CuxS und In2S3 sequentiell auf ein Substrat aufgebracht werden, die durch
einen nachgeschalteten Temperprozess in CuInS2 umgewandelt werden.
In weiterer Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens wurden für
CuInS2-Solarzellen mit den vorstehend genannten Verfahrensparametern
Pufferschichten aus CdS auf die Absorberschicht aufgebracht.
Die automatische Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wurde
mit der nachstehend beschriebenen Anordnung erreicht.
Ein mittels einer Führung 1 in allen drei Ebenen beweglicher Substrathalter 2
mit einem Substrat 3 ist mit einer Abdeckung 4 versehen. Im CdCl2-
Lösungsbad 5 erfolgt die Adsorption von Cd-Ionen an der Substratoberfläche.
Das nachgeschaltete Trocknungsgefäß 6 dient der Trocknung mittels Argon.
Im anschließenden Reaktionsgefäß 7 erfolgt die CdS-Bildung durch Einleitung
von H2S. Hierbei wird nach Einbringen des Substrats 3 das Reaktionsgefäß 7
durch die am Substrathalter 2 angebrachte Abdeckung 4 gasdicht
verschlossen. Hierdurch ist ein Entweichen des stark toxischen H2S-Gases in
die Umgebungsluft nicht mehr möglich. Die Zuführung von H2S-Gas setzt erst
ein, wenn das Reaktionsgefäß 7 gasdicht verschlossen ist und die
Absaugpumpe eingeschaltet ist. Nach dem Reaktionsgefäß 7 folgt das
Spülbad 8. Hier werden mittels Methanol die überschüssigen
Reaktionsprodukte ausgewaschen.
Claims (15)
1. Verfahren zur Herstellung dünner Metallchalkogenid-Schichten
beispielsweise für den Einsatz als Absorber- bzw. Pufferschichten in
Solarzellen in nachstehend aufgeführten Verfahrensschritten mit einem in
Abhängigkeit von der unterschiedlichen Reaktionsfähigkeit der jeweils für die
Chalkogenidbildung eingesetzten Metallverbindungen unterschiedlich
festgelegten Temperaturregime typischerweise im Bereich der
Raumtemperatur:
Aufbringen einer Lösung einer Metallverbindung auf ein Substrat zur Adsorption von Metallionen ohne Eintritt einer chemischen Reaktion,
Feuchtigkeitsentzug aus dem Substrat mit den adsorbierten Metallionen,
Einleitung eines chalkogenwasserstoffhaltigen Gases zur Reaktion mit den adsorbierten Metallionen,
wobei die Verfahrensschritte bis zum Erreichen einer gewünschten Schichtdicke zyklisch wiederholt werden.
Aufbringen einer Lösung einer Metallverbindung auf ein Substrat zur Adsorption von Metallionen ohne Eintritt einer chemischen Reaktion,
Feuchtigkeitsentzug aus dem Substrat mit den adsorbierten Metallionen,
Einleitung eines chalkogenwasserstoffhaltigen Gases zur Reaktion mit den adsorbierten Metallionen,
wobei die Verfahrensschritte bis zum Erreichen einer gewünschten Schichtdicke zyklisch wiederholt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
das Aufbringen der Lösung einer Metallverbindung auf das Substrat durch
Aufsprühen erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
das Aufbringen der Lösung einer Metallverbindung durch Tauchen des
Substrats in diese Lösung erfolgt.
4. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
als Substrat TiO2, CuInS2, CuGaSe2, Chalkopyrite allgemein oder Glas
eingesetzt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
als Lösung einer Metallverbindung gelöste Verbindungen von Metallen wie
Cd, Cu, In, Pb, Ag, Sb oder Bi einzeln oder Mischungen davon eingesetzt
werden, die in Reaktion mit Chalkogenwasserstoffen schwer lösliche
Metallchalkogenide bilden.
6. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Metallverbindung in einem leicht flüchtigen Lösungsmittel gelöst ist.
7. Verfahren nach Anspruch 1 und 6,
dadurch gekennzeichnet, dass
als Lösungsmittel Methanol, Ethanol, Acetonitril oder Mischungen davon
eingesetzt werden.
8. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Metallverbindung in Wasser gelöst ist.
9. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
der Feuchtigkeitsentzug durch Trocknung in einem Gasstrom, vorzugsweise
von Inertgasen wie z. B. Edelgasen oder molekularem Stickstoff erfolgt.
10. Verfahren nach Anspruch 1 und 8,
dadurch gekennzeichnet, dass
der Feuchtigkeitsentzug durch Verdunstung bis zu einer definierten
Restfeuchte des Substrats erfolgt.
11. Verfahren nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Verdunstung bei der Zwischenlagerung des mit Metallionen bedeckten
Substrats bzw. beim Transport desselben erfolgt.
12. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
das Reaktionsgas die Wasserstoffverbindungen der Chalkogene S, Se oder
Te enthält.
13. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
der Reaktionsphase eine Spülung des beschichteten Substrats in einem
Lösungsmittelbad, vorzugsweise Methanol, zur Entfernung überschüssiger
Reaktionsprodukte nachgeordnet ist.
14. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
dem Spülvorgang eine Trocknung nachgeschaltet ist.
15. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 bis 10, die
einen in allen Ebenen beweglichen Substrathalter (2), ein Bad einer gelösten
Metallverbindung (5), ein Trockengefäß (6), ein Reaktionsgefäß (7) und ein
Spülbad (8) aufweist,
dadurch gekennzeichnet, dass
am Substrathalter (2) eine Abdeckung (4) angebracht ist zum gasdichten
Verschließen des Reaktionsgefäßes (7) nach Einbringen des Substrats (3).
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19831214A DE19831214C2 (de) | 1998-03-19 | 1998-07-03 | Verfahren und Anordnung zur Herstellung dünner Metallchalkogenid-Schichten |
| EP99919112A EP1064685B9 (de) | 1998-03-19 | 1999-03-12 | Verfahren und anordnung zur herstellung dünner metallchalkogenid-schichten |
| AU37005/99A AU3700599A (en) | 1998-03-19 | 1999-03-12 | Method and arrangement for producing thin metal chalcogenide layers |
| DE59914444T DE59914444D1 (de) | 1998-03-19 | 1999-03-12 | Verfahren und anordnung zur herstellung dünner metallchalkogenid-schichten |
| JP2000537269A JP4587247B2 (ja) | 1998-03-19 | 1999-03-12 | 金属カルコゲン化物薄層を製造する方法及び装置 |
| AT99919112T ATE369631T1 (de) | 1998-03-19 | 1999-03-12 | Verfahren und anordnung zur herstellung dünner metallchalkogenid-schichten |
| PCT/DE1999/000811 WO1999048158A1 (de) | 1998-03-19 | 1999-03-12 | Verfahren und anordnung zur herstellung dünner metallchalkogenid-schichten |
| ES99919112T ES2292241T3 (es) | 1998-03-19 | 1999-03-12 | Procedimiento y disposicion para la produccion de delgadas capas de calcogenuros metalicos. |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19813154 | 1998-03-19 | ||
| DE19831214A DE19831214C2 (de) | 1998-03-19 | 1998-07-03 | Verfahren und Anordnung zur Herstellung dünner Metallchalkogenid-Schichten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19831214A1 DE19831214A1 (de) | 1999-09-30 |
| DE19831214C2 true DE19831214C2 (de) | 2003-07-03 |
Family
ID=7862287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19831214A Expired - Fee Related DE19831214C2 (de) | 1998-03-19 | 1998-07-03 | Verfahren und Anordnung zur Herstellung dünner Metallchalkogenid-Schichten |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19831214C2 (de) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10339824A1 (de) * | 2003-08-24 | 2005-03-24 | Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh | Beschichtungsverfahren zur Deposition und Fixierung von Partikeln auf einer Substratoberfläche und Solarzellen mit funkionellem Schichtenaufbau |
| DE102008017076B3 (de) * | 2008-04-01 | 2009-09-03 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Chemisches Dampfabscheide-Verfahren unter Atmosphärendruck zur Herstellung einer n-halbleitenden Metallsulfid-Dünnschicht |
| DE102008017077A1 (de) | 2008-04-01 | 2009-10-08 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Herstellung einer n-halbleitenden Indiumsulfid-Dünnschicht |
| DE102009037371B3 (de) * | 2009-08-13 | 2011-03-17 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Beschichtungsvorrichtung mit Ultraschallzerstäuber |
| US8783079B2 (en) | 2008-04-17 | 2014-07-22 | Gottfried Wilhelm Leibniz Universitaet Hannover | Device and non-cutting shaping method for introducing an outside profile into a workpiece |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19916403C1 (de) | 1999-04-06 | 2000-10-12 | Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh | Verfahren zur Herstellung dünner, schwer löslicher Beschichtungen |
| DE10160504C2 (de) * | 2001-11-30 | 2003-11-13 | Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh | Verfahren zur Herstellung dünner, schwer löslicher Beschichtungen |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3015060A1 (de) * | 1979-04-19 | 1980-10-30 | Exxon Research Engineering Co | Verfahren zur herstellung von metall- und mischmetallchalkogenidfilmen und verwendung derselben |
-
1998
- 1998-07-03 DE DE19831214A patent/DE19831214C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3015060A1 (de) * | 1979-04-19 | 1980-10-30 | Exxon Research Engineering Co | Verfahren zur herstellung von metall- und mischmetallchalkogenidfilmen und verwendung derselben |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Journal of the Ceramic Society of JP, 101 [8], 850-854 (1993) * |
| Thin Solid Films 272 (1996) 71-82 * |
| Thin Solid Films 288 (1996) 103-107 * |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10339824A1 (de) * | 2003-08-24 | 2005-03-24 | Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh | Beschichtungsverfahren zur Deposition und Fixierung von Partikeln auf einer Substratoberfläche und Solarzellen mit funkionellem Schichtenaufbau |
| DE10339824B4 (de) * | 2003-08-24 | 2005-07-07 | Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh | Beschichtungsverfahren zur Deposition und Fixierung von Partikeln auf einer Substratoberfläche und Solarzellen mit funkionellem Schichtenaufbau |
| DE102008017076B3 (de) * | 2008-04-01 | 2009-09-03 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Chemisches Dampfabscheide-Verfahren unter Atmosphärendruck zur Herstellung einer n-halbleitenden Metallsulfid-Dünnschicht |
| WO2009121322A1 (de) | 2008-04-01 | 2009-10-08 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Chemisches dampfabscheide-verfahren unter atmosphärendruck zur herstellung einer n-halbleitenden metallsulfid-dünnschicht |
| DE102008017077A1 (de) | 2008-04-01 | 2009-10-08 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Herstellung einer n-halbleitenden Indiumsulfid-Dünnschicht |
| US8609516B2 (en) | 2008-04-01 | 2013-12-17 | Helmholtz-Zentrum Berlin Fuer Materialien Und Energie Gmbh | Atmospheric pressure chemical vapor deposition method for producing an-N-semiconductive metal sulfide thin layer |
| US8783079B2 (en) | 2008-04-17 | 2014-07-22 | Gottfried Wilhelm Leibniz Universitaet Hannover | Device and non-cutting shaping method for introducing an outside profile into a workpiece |
| DE102009037371B3 (de) * | 2009-08-13 | 2011-03-17 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Beschichtungsvorrichtung mit Ultraschallzerstäuber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19831214A1 (de) | 1999-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2553048C3 (de) | Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Verbindungs-DünnschJchten auf einem Substrat | |
| DE102004040546B3 (de) | Verfahren zum Aufbringen einer Zinksulfid-Pufferschicht auf ein Halbleitersubstrat mittels chemischer Badabscheidung, insbesondere auf die Absorberschicht einer Chalkopyrit-Dünnschicht-Solarzelle | |
| DE19634580C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer CIS-Bandsolarzelle und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
| EP2539486B1 (de) | Badabscheidungslösung zur nasschemischen abscheidung einer metallsulfidschicht und zugehörige herstellungsverfahren | |
| DE102011004652A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer lichtabsorbierenden Dünnfilmschicht und ein dieses verwendendes Verfahren zur Herstellung einer Dünnfilm-Solarzelle | |
| CH618046A5 (de) | ||
| DE19831214C2 (de) | Verfahren und Anordnung zur Herstellung dünner Metallchalkogenid-Schichten | |
| DE102008017077B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer n-halbleitenden Indiumsulfid-Dünnschicht | |
| WO2008064632A1 (de) | Reaktives magnetron-sputtern zur grossflächigen abscheidung von chalkopyrit-absorberschichten für dünnschichtsolarzellen | |
| EP1064685B9 (de) | Verfahren und anordnung zur herstellung dünner metallchalkogenid-schichten | |
| DE102005025123B4 (de) | Verfahren und Einrichtung zur nasschemischen Behandlung von großflächigen Substraten, insbesondere zur Herstellung von Solarzellen | |
| DE19916403C1 (de) | Verfahren zur Herstellung dünner, schwer löslicher Beschichtungen | |
| DE102014225862A1 (de) | Verfahren zur Bildung einer Dünnschicht mit Gradient mittels Spraypyrolyse | |
| EP2411558B1 (de) | VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN EINER Zn(S, O)-PUFFERSCHICHT AUF EIN HALBLEITERSUBSTRAT MITTELS CHEMISCHER BADABSCHEIDUNG | |
| DE102016101856B4 (de) | Verfahren zum Abscheiden einer CdTe-Schicht auf einem Substrat | |
| DE102007052237A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung eines Trägers für Dünnschichtsolarzellen | |
| EP1448808B1 (de) | Verfahren zur herstellung dünner, schwer löslicher beschichtungen | |
| WO2007088146A1 (de) | Verfahren zum aufbringen von alkaliionen auf die oberfläche der cigsse-absorberschicht einer chalkopyrit-solarzelle | |
| DE10339824B4 (de) | Beschichtungsverfahren zur Deposition und Fixierung von Partikeln auf einer Substratoberfläche und Solarzellen mit funkionellem Schichtenaufbau | |
| DE102010028277B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer mit einem Halbleitermaterial beschichteten Glasscheibe und nach dem Verfahren erhältliche Solarzelle oder Solarmodul | |
| DE102007062195A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer auf ein Substrat aufgebrachten Schicht | |
| DE1421903C (de) | Verfahren zur Herstellung einer photoempfindlichen Halbleiterschicht auf einem wärmebeständigen, nicht leitenden Träger | |
| DE3110931A1 (de) | Recyclingverfahren fuer mit cu(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)s beschichtete cds-schichten | |
| DE102009047483A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Chalkopyrit-Absorberschichten in Solarzellen | |
| DE102004020879A1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur reduktiven Abscheidung einer Pufferschicht bei Chalkopyrit-Solarzellen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8122 | Nonbinding interest in granting licences declared | ||
| 8304 | Grant after examination procedure | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUER MATERIALIEN UND , DE |
|
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |