DE19742691C1 - Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von SubstratenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Beschichtung
von Substraten nach der Methode der Plasmastrahlverdampfung,
wobei Feststoffe in ein Aerosol überführt und das Aerosol in
ein induktiv gekoppeltes Plasma eingebracht werden und wobei
durch Verdampfung aus dem Plasma ein Substrat beschichtet
wird. Daneben bezieht sich die Erfindung auch auf die zuge
hörige Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens mit einem
Plasmabrenner und einem demgegenüber beweglich angeordneten
Substrathalter zur Beschichtung eines auf einem Substrat
halter als Substrat angeordneten Gegenstandes.
In induktiv angeregten Hochfrequenzplasmen hoher Leistungs
dichte werden Temperaturen um 10.000 K bei Strömungsgeschwin
digkeiten im Bereich von 10 m/s erreicht. Diese Eigenschaften
erlauben es im Idealfall, praktisch beliebige Substanzen
vollständig zu verdampfen, wenn sie passend aufbereitet und
mit hinreichend kleiner Rate in das Plasma eingebracht wer
den. Bei geeigneter Prozeßführung können aus der im Plasma
enthaltenen Dampfphase dünne Schichten vorgegebener Zusammen
setzung mit hoher Aufwachsrate auf Substraten abgeschieden
werden, was beispielsweise aus der GB 22 64 718 bekannt ist.
Anwendungen dieses als sog. Plasma-Kurzzeitverdampfung
(Plasma Flash Evaporation ≘ PFE) oder aber auch im deutschen
Sprachgebrauch als Plasmastrahlverdampfung bekannten Verfah
rens sind beispielsweise die Herstellung hochtemperatur
supraleitender (HTSL-)Schichten aus Yttrium-Barium-Kupferoxid
und die Deposition wärmedämmender Schichten aus Zirkonoxid
auf thermisch hoch belasteten Maschinenteilen, wie z. B. Tur
binenschaufeln.
Die zu verdampfenden Ausgangsstoffe werden, dem Stand der
Technik entsprechend, zu Aerosolen aufbereitet, welche die zu
verdampfenden Substanzen als Feinstpulver oder Flüssigkeits
tröpfchen enthalten, und durch eine Sonde in das Plasma ein
gebracht. Im Falle der Erzeugung von Schichten aus Zirkonoxid
(ZrO2) kann die Ausgangssubstanz beispielsweise als Zirkon
xidpulver vorliegen.
Wird ein Pulver mit hoher Schmelz- und Verdampfungstempera
tur, wie z. B. ZrO2, verwendet, kommt es vor, daß nicht alle
Partikel vollständig verdampfen. Ferner ist es sowohl bei
festen als auch bei flüssigen Ausgangsstoffen möglich, daß
der im Plasma erzeugte Dampf vor Erreichen des Substrates zu
festen oder schmelzflüssigen Partikeln kondensiert. In beiden
Fällen wird der Schichtaufbau auf dem Substrat durch Auf
lagerungen unerwünschter Partikel gestört.
Dem Stand der Technik entsprechend ist der Substrathalter bei
der Beschichtung mit Induktionsplasmen im allgemeinen eine im
rechten Winkel zum anströmenden Plasma angeordnete wasser
gekühlte ebene Platte. Aus J. Mater. Res. 9 (1994), Seiten
1089 bis 1097 ist darüber hinaus ein Substrathalter bekannt,
der aus einem rotierenden Zylinder mit senkrecht zur Plasma
flamme gelagerten Drehachse besteht. Allen dem Stand der
Technik entsprechenden Substrathaltern ist gemeinsam, daß sie
unmittelbar, d. h. im rechten Winkel, vom Plasma beaufschlagt
werden, so daß auch das Substrat in der Regel vom senkrecht
anströmenden Plasma getroffen wird.
Im einzelnen ist aus der US 5 453 306 A ein Plasmastrahlver
dampfungsverfahren der eingangs genannten Art zur Herstellung
von Oxidschichten bekannt, bei dem das Plasma senkrecht auf
das Substrat auftrifft. Ein ganz entsprechendes Verfahren ist
aus der EP 0 452 006 A2 bekannt, bei dem das zu verdampfende
Material als Pulver- oder Flüssigkeitsaerosol vorliegen kann.
Aufgabe der Erfindung ist es, die Beschichtung mit einem
Verfahren zur Plasmastrahlverdampfung zu verbessern und die
zugehörige Vorrichtung zu schaffen.
Die Aufgabe ist erfindungsgemäß bei einem Verfahren der
eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß die Beschichtung
weitgehend allein aus der Dampfphase erfolgt und daß keine
festen und/oder flüssigen Partikel auf das Substrat gelangen,
wozu das Substrat parallel zur Strömungsrichtung des Plasmas
angeordnet ist. Vorzugsweise wird mit letzterem bewirkt, daß
die festen und/oder flüssigen Partikel am Substrat vorbei
fliegen.
Bei der zugehörigen Vorrichtung ist der Substrathalter
gegenüber dem Plasmabrenner derart orientiert, daß die Sub
stratoberfläche weitgehend parallel zur Strömungsrichtung des
Plasmas verläuft. Insbesondere kann der Substrathalter aus
koaxial zueinander angeordneten Rohren bestehen, zwischen
denen ein Kühlmittel strömt. Dabei hat das ringartige Rohr
die gleiche Orientierung wie die Plasmaquelle, wobei das
Substrat auf der Innenfläche des inneren Rohres angeordnet
ist.
Mit der Erfindung ist gewährleistet, daß die Schichtabschei
dung bevorzugt aus der Dampfphase erfolgt. Der angestrebte
Vorteil einer Schichtabscheidung vorzugsweise aus der Dampf
phase ergibt sich daraus, daß feste oder flüssige, also nicht
verdampfte Partikel vermöge ihrer Trägheit ihre im Plasma
erlangte, parallel zur Strömung gerichtete Bewegung beibehal
ten. Atome und Moleküle dagegen besitzen eine der Strömungs
geschwindigkeit überlagerte Maxwellsche Geschwindigkeits
verteilung mit Geschwindigkeitskomponenten, die auf alle
Richtungen, insbesondere auch senkrecht zur Strömungsrich
tung, gleichmäßig verteilt sind. Dies hat zur Folge, daß
nicht verdampfte Partikel am Substrat vorbeifliegen, während
der Dampf, soweit er eine hinreichende Geschwindigkeits
komponente senkrecht zum Substrat besitzt, dort kondensiert.
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich
aus der nachfolgenden Figurenbeschreibung eines Ausführungs
beispiels anhand der Zeichnung. Die einzige Figur zeigt als
Längsschnitt eine solche Anordnung, mit der das neue Ver
fahren realisiert wird.
In der Figur ist ein induktiv angeregter Plasmabrenner 1 nur
schematisch dargestellt. Eine solche Plasmaquelle ist vom
Stand der Technik bekannt: Eine Induktionsspule 2, die von
einem Hochfrequenzgenerator gespeist wird, umschließt koaxial
ein zylindrisches äußeres Rohr 3 aus einem hochtemperatur
festen Isolierstoff. Zwischen dem äußeren Rohr 3 und einem
koaxial dazu angeordneten inneren Rohr 4 fließt ein Hüllgas
strom 5, der die für den gewünschten Prozeß benötigten Gase
enthalten kann. Durch das innere Rohr 4 strömt ein weiteres
Gas 6. Im Bereich der Induktionsspule 2 vermischen sich die
Gasströme 5 und 6 und bilden unter dem Einfluß der durch die
Induktionsspule 2 eingekoppelten Energie ein induktiv an
geregtes thermisches Plasma 7, das als Flamme in eine hier
nicht dargestellte Reaktionskammer einströmt.
Mittels einer solchen "Sonde" kann aus dem Plasma auf ein
Substrat, das sich auf einem Substrathalter befindet, eine
Schicht abgeschieden werden. Der Substrathalter 30 besteht in
diesem Fall aus zwei gleich langen, koaxial zueinander an
geordneten zylindrischen Rohren 34 (innen) und 35 (außen),
deren Zwischenraum 36 eine Zylinderschale bildet, die an
beiden Längsseiten durch kreisringförmige Scheiben 37 und 38
abgeschlossen ist. Der Zwischenraum zwischen den Rohren 34
und 35 wird von einer Kühlflüssigkeit K durchströmt, die
durch Rohrstutzen 39 ein- und ausströmt. Der so gebildete
Substrathalter ist vorzugsweise koaxial bezüglich der Längs
achse 1 des Plasmabrenners angeordnet und wird von der
langgezogenen Plasmaflamme 7 durchströmt.
Das zu beschichtende Substrat kann mit dem Innenrohr 34
identisch sein. Es kann aber auch in geeigneter Weise, z. B.
durch Schweißen, Löten, Klammern, Verschrauben, an der Wan
dung des inneren Zylinders 34 befestigt sein. Durch axiale
Bewegung kann der Substrathalter in Positionen mit für die
jeweilige Schicht günstigen Plasmabedingungen gebracht
werden.
Bei der Beschichtung gewölbter Flächen auf ihrer konvexen
Seite kann der Erfindungsgedanke dadurch verwirklicht werden,
daß der zu beschichtende Körper mit der zu beschichtenden
Fläche parallel zur Strömungsrichtung der Flamme angeordnet
wird. Handelt es sich um einen Hohlkörper, ist es vorteil
haft, wenn dieser von einer Kühlflüssigkeit durchströmt wird.
Ferner kann es vorteilhaft sein, den zu beschichtenden Körper
in radialer oder axialer Richtung bezüglich der Plasmaflamme
zu bewegen.
Claims (7)
1. Verfahren zur Beschichtung von Substraten nach der Methode
der Plasmastrahlverdampfung, wobei Feststoffe in ein Aerosol
überführt und das Aerosol in ein induktiv gekoppeltes Plasma
eingebracht werden und wobei durch Verdampfung aus dem Plasma
ein Substrat beschichtet wird, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Beschichtung weitgehend
allein aus der Dampfphase erfolgt und keine feste und/oder
flüssige Partikel auf das Substrat gelangen, wozu das Sub
strat parallel zur Strömungsrichtung des Plasmas angeordnet
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die festen und/oder flüssigen Parti
kel am Substrat vorbeifliegen.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Substrat während der Beschichtung
gekühlt wird.
4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch
1 oder einem der Ansprüche 2 bis 3, mit einem Plasmabrenner
und einem demgegenüber beweglich angeordneten Substrathalter
zur Beschichtung eines auf dem Substrathalter als Substrat
angeordneten Gegenstandes, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Substrathalter (30) gegenüber dem
Plasmabrenner (1) derart orientiert ist, daß die Substrat
oberfläche (34) parallel zur Strömungsrichtung (1) des Plas
mas (7) verläuft.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Substrathalter (30) aus koaxial
zueinander angeordneten Rohren (34, 35) besteht, zwischen
denen ein Kühlmittel (K) strömt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß die koaxialen Rohre (34, 35) eine
gemeinsame Achse (1) mit der Plasmaquelle (7) haben.
7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Substrat auf der inneren Ober
fläche des inneren Rohres (34) angeordnet ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1997142691 DE19742691C1 (de) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten |
PCT/DE1998/002667 WO1999016923A1 (de) | 1997-09-26 | 1998-09-09 | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von substraten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1997142691 DE19742691C1 (de) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19742691C1 true DE19742691C1 (de) | 1999-01-28 |
Family
ID=7843819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1997142691 Expired - Fee Related DE19742691C1 (de) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19742691C1 (de) |
WO (1) | WO1999016923A1 (de) |
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