DE19726696A1 - Verfahren zur Fokussierung bei der Abbildung strukturierter Oberflächen von scheibenförmigen Objekten - Google Patents
Verfahren zur Fokussierung bei der Abbildung strukturierter Oberflächen von scheibenförmigen ObjektenInfo
- Publication number
- DE19726696A1 DE19726696A1 DE19726696A DE19726696A DE19726696A1 DE 19726696 A1 DE19726696 A1 DE 19726696A1 DE 19726696 A DE19726696 A DE 19726696A DE 19726696 A DE19726696 A DE 19726696A DE 19726696 A1 DE19726696 A1 DE 19726696A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- image
- focus
- distance
- preset value
- error
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/24—Base structure
- G02B21/241—Devices for focusing
- G02B21/244—Devices for focusing using image analysis techniques
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9506—Optical discs
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Fokussierung bei der Abbildung strukturierter
Oberflächen von scheibenförmigen Objekten durch geregelte Verstellung des
meßbaren Abstandes einer zur Auflage für die Objekte dienenden Trägerebene zu
einer Bezugsebene.
Das Verfahren ist vorwiegend anwendbar in der Prozeßkontrolle von Halbleiterwafern
im Herstellungsprozeß.
Aufgabe einer Inspektion bei der Herstellung integrierter Schaltkreise ist es, sowohl
unstrukturierte als auch auf strukturierte Halbleiterwafer bildfeldweise abzutasten,
vorhandene Defekte zu detektieren und diese schließlich durch Klassifikation
Fehlergruppen zuzuordnen.
Nach der DE 44 10 603 C1 ist ein Verfahren bekannt, das der Erkennung von Fehlern
spezifische Bildpunktmerkmale eines von der Oberfläche des Halbleiterwafers
aufgenommenen Bildes zugrundelegt. Eine derartige direkte Fehlerdetektion auf der
Grundlage natürlicher Unterscheidungsmerkmale zwischen Untergrund und Defekt
und der typischen Eigenschaften verschiedener Defektarten kommt im Gegensatz
zum Soll-Ist-Vergleich weitgehend ohne umfangreiche Informationen zur Sollstruktur
aus, da sie von bestimmten Grundregeln bzw. Regelabweichungen bei der
Bilderkennung ausgeht. Solche Regeln bzw. Regelabweichungen sind im
wesentlichen durch Farb- und Formmerkmale der Sollstruktur oder der Sollschicht
bzw. des Fehlers gegeben.
Charakteristisch für das Verfahren ist, daß ein durch Bildpunktklassifikation erzeugtes
Zwischenbild Bildpunktmerkmale als in Grauwerte umgewandelte Zugehö
rigkeitswahrscheinlichkeiten zu Gebieten, die durch Anlernen bekannt gemacht sind,
enthält, einschließlich der Grauwertstufungen von Übergängen zwischen aneinander
angrenzenden Gebieten.
Für die Auswertung der Bildinhalte nach der Grundidee der Prozeß- und
Qualitätskontrolle ist es von besonderem Interesse, wie und in welcher Qualität die
Strukturen und Fehler als dreidimensionale Gebilde mit Hilfe von Optiken abgebildet
werden.
Da im Bild dargestellte Strukturen und Fehler der Oberfläche des Halbleiterwafers ihr
tatsächliches Aussehen in Abhängigkeit vom Fokuszustand verändern, ist dessen
Einstellung von außerordentlicher Bedeutung.
Bekannte optische Verfahren zur Bewertung eines Fokuszustandes besitzen den
Nachteil, große Reflexionsgradschwankungen über kleinere und größere Bereiche des
Halbleiterwafers und weitere Einflußfaktoren, wie z. B. Keilfehler, Rauigkeit,
Welligkeit sowie Strukturhöhenschwankungen im Bildfeld, die zum Teil größer sind
als die Schärfentiefe, nicht zufriedenstellend zu bewältigen. So simulieren
Reflexionsgradschwankungen im Ergebnis der Bewertung nicht vorhandene
Höhenschwankungen oder Tischablauffehler, die es auszuregeln gilt.
Bei der nach dem Verfahren gemäß der DE 44 10 603 C1 durchzuführenden
Bildpunktklassifikation in Form einer Farbklassifikation, die davon ausgeht, daß sich
die zu ungestörten Strukturkomponenten gehörenden, durch Stichprobenanalyse
schätzbaren Farbvalenzen in ihrer Statistik durch ellipsoide Cluster im Farbraum
beschreiben lassen und fehlerverdächtige Bildpunkte außerhalb der Cluster liegende
Fehlercluster liefern, ist eine Trennung der Fehlercluster von den Clustern der
ungestörten Strukturen erheblich gestört.
Die Folge ist eine Erhöhung der Pseudofehlerrate sowie eine Verringerung der
Erkennungssicherheit. Pseudofehler sind Erscheinungen in der Ergebnisdarstellung
der Inspektion, die auf Grund ihrer Eigenschaften vom Inspektionssystem als Fehler
erkannt werden, obwohl sie keine sind.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, der Bildverarbeitung Bilder zur Verfügung
zu stellen, die zu einer Erhöhung der Erkennungssicherheit von Fehlern und einer
Senkung der Pseudofehlerrate führen.
Die Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Fokussierung bei der Abbildung
strukturierter Oberflächen von scheibenförmigen Objekten durch geregelte
Verstellung des meßbaren Abstandes einer zur Auflage für die Objekte dienenden
Trägerebene zu einer Bezugsebene erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß
der durch geregelte Verstellung hergestellte Abstand durch einen ungeregelten,
mindestens für ein Teilgebiet der Oberfläche anzuwendenden Voreinstellwert
korrigiert wird.
Die Ermittlung des für ein Teilgebiet gültigen Voreinstellwertes erfolgt anhand einer
Bildfolge an mindestens einer Position in einem, im wesentlichen ebenen
Referenzgebiet der Oberfläche, zu deren Aufnahme unterschiedliche Voreinstellwerte
der Fokusregelung dienen, wobei die Qualität des Fokuszustandes nach mindestens
einer Regel bewertet wird.
In einer ersten Variante dient der zum kontrastreichsten, durch Bildverarbeitung
bestimmten Bild gehörige Voreinstellwert zur Einstellung eines korrigierten
Abstandes.
In einer zweiten Variante dient der zum Bild mit minimaler Anzahl der Fehler
gehörige Voreinstellwert zur Einstellung eines korrigierten Abstandes.
In einer dritten Variante dient der zum Bild mit minimaler Anzahl der Fehlerpixel im
Verhältnis zur Gesamtfehlerfläche gehörige Voreinstellwert zur Einstellung eines
korrigierten Abstandes.
Schließlich dient in einer vierten Variante der zum Bild mit minimaler Anzahl der
Pseudofehlerpixel gehörige Voreinstellwert zur Einstellung eines korrigierten
Abstandes.
Eine Auswahl des Referenzgebietes erfolgt nach dem geringsten Gradienten des
Höhenprofils der Oberfläche, zu dessen Bestimmung die Werte des Abstandes der
Trägerebene zur Bezugsebene an Orten sich wiederholender Höhenmarken für den
Voreinstellwert der Fokusregelung zu ermitteln sind, bei dem mindestens eine Regel
erfüllt ist.
Bei der Inspektion in Form einer bildfeldweisen Fehlersuche wird zur Fokussierung der
für die Bildfeldposition ermittelte Voreinstellwert der Fokusregelung verwendet.
Zur Defektklassifikation, bei der ein Bild, das einen zu klassifizierenden Fehler enthält
mit einem Referenzbild verglichen wird, erfolgt die Aufnahme des Referenzbildes mit
dem für die Referenzbildposition ermittelten korrigierten Abstand der Trägerebene
zur Bezugsebene.
Zur Aufnahme des Bildes mit dem zu klassifizierenden Fehler wird der Wert des
Abstandes der Trägerebene zur Bezugsebene für die Fokuseinstellung verwendet, der
zum kontrastreichsten Bild einer Serie von Bildern mit dem zu klassifizierenden Fehler
gehört, für die der für die zugehörige Bildposition ermittelte Voreinstellwert der
Fokusregelung in Stufen variiert wird.
Durch die Erfindung wird der Fokuseinstellung somit mindestens ein Voreinstellwert
zugrundegelegt, dessen Bestimmung durch Anlernen anhand von Referenzgebieten
und auf das Ergebnis gerichteten Regeln erfolgt.
Durch eine adaptive Regelung wird erreicht, daß vor allem spezifische Eigenschaften
des Objektes bei der Fokussierung zum Zwecke der Fehlererkennung und -
klassifizierung berücksichtigt werden. Außerdem werden störend auf die
Fokussierung wirkende gerätetechnische Einflüsse eliminiert.
Die Erfindung soll nachstehend anhand der schematischen Zeichnung näher erläutert
werden. Es zeigen:
Fig. 1 eine Einrichtung zur Fokussierung bei der Abbildung strukturierter
Oberflächen
Fig. 2a-2c Binärbilder von Bildfeldern eines Fehlergebietes, die mit
verschiedenen Fokuseinstellungen aufgenommen sind
Fig. 3 die Bildverarbeitungseinheit und Kameraansteuerung in einem
Blockschaltbild
Fig. 4a-4c Binärbilder von Bildfeldern eines Fehlergebietes, die mit
verschiedenen Fokuseinstellungen aufgenommen sind zur
Ermittlung der Anzahl der Pseudofehlerpixel.
Bei der in Fig. 1 dargestellten Einrichtung zur Fokussierung bei der Abbildung
strukturierter Oberflächen trägt ein als x-y-Tisch ausgelegter Wafertisch 1, von dem
nur der in x-Richtung verstellbare Teil dargestellt ist, ein Fokusstellsystem 2. Mittels
Piezoelemente 3 ist ein Träger 4 zur Aufnahme eines scheibenförmigen Objektes 5,
wie z. B. eines Wafers in vertikaler Richtung zu Fokussierzwecken gegenüber der
Fokusebene F-F eines Mikroskopobjektivs 6 verstellbar.
Die relative Verstellung der Trägerebene E-E gegenüber der Fokusebene F-F ist mit
einem induktiven Meßsystem 7 ermittelbar, indem der Abstand zu der als
Bezugsebene B-B dienenden Tischoberfläche gemessen wird.
Das induktive Meßsystem 7 ist als Feinzeigerregelung auch dazu geeignet, die
Höhenposition der Trägerebene E-E als Sollwert einzuregeln, wobei der Sollwert
durch eine Gerätesteuerung und -regelung 8 bei dem noch zu beschreibenden
erfindungsgemäßen Fokussierverfahren vorgegeben wird.
In den Strahlengang des Mikroskopobjektivs 6 sind mittels teildurchlässiger
Umlenkspiegel 9, 10 eine Lichtquelle 11 über eine Beleuchtungsoptik 12, ein
Fokusmeßsystem 13 und ein CCD-Meßsystem 14 eingekoppelt. Letzteres verfügt in
seinem Strahlengang zusätzlich über ein abbildendes Tubussystem 15 und einen
Umlenkspiegel 16.
Mit der zentralen Gerätesteuerung und -regelung 8 sind eine Tischansteuerung 17,
eine Bildverarbeitung und Kameraansteuerung 18 und eine Fokusregelung 19
verbunden.
Nicht dargestellte x- und y-Meßsysteme sind an die Eingänge der Tischansteuerung
17 angeschlossen. Die Ausgänge der Tischansteuerung 17 führen zu ebenfalls nicht
dargestellten x- bzw. y-Antrieben für den Wafertisch 1.
Ein- und Ausgänge der Bildverarbeitung und Kameraansteuerung 18 sind mit dem
CCD-Meßsystem 14 verbunden.
Während an die Eingänge der Fokusregelung 19 das Fokusmeßsystem 13 und das
induktive Meßsystem 7 geführt sind, ist das Fokusstellsystem 2 mit den Ausgängen
gekoppelt.
Durch die Gerätesteuerung und -regelung 8 wird ein zur Waferinspektion
gehörendes Fahr- und Betriebsregime vorgegeben.
Über die Tischansteuerung 17 und die x- bzw. y-Antriebe wird der Wafertisch 1 im
Schrittbetrieb in die erforderlichen Positionen gefahren, wobei die x- und y-
Meßsysteme das Erreichen der beabsichtigten Position signalisieren. Das
Mikroskopobjektiv 6 und das Tubussystem 15 bilden die Waferoberfläche auf das
CCD-Meßsystem 14 ab. Über die Bildverarbeitungseinheit und Kameraansteuerung
18 erfolgt eine Bildaufnahme.
Zur Herstellung eines Fokuszustandes, der auswertbare Bilder garantiert, dient ein
Fokussiersystem, das aus dem Fokusmeßsystem 13, dem Fokusstellsystem 2 und der
Fokusregelung 19 besteht.
Die als LED ausgebildete Lichtquelle 11 strahlt im nahen Infrarotbereich, bei ca. 870
nm zur sauberen Trennung vom "Meßlicht" der Defektkontrolle (nicht dargestellt).
Außerdem wird die LED zur Vermeidung von Fremdlichteinflüssen mit ca. 3,3 kHz
getaktet.
Das Fokussiersystem arbeitet nach einem Meßprinzip, bei dem ein Testobjektbild
durch das Mikroskopobjektiv 6 auf die zu fokussierende Oberfläche abgebildet wird.
Intensitätsdifferenzen, die durch eine im allgemeinen versetzte telezentrische
Rückabbildung gegenüber einem identischen Referenztestobjekt entstehen, werden
in zwei getrennten Kanälen durch zwei Fotodioden erfaßt und anschließend
ausgewertet. Der fokussierte Zustand ist erreicht, wenn die Intensitätsdifferenz Null
ist.
Damit dieser Zustand erreicht wird, werden die den Intensitäten entsprechenden
Fotodiodenströme in Spannungssignale gewandelt, verstärkt der Fokusregelung 19
zugeführt und digitalisiert. Ein Regelalgorithmus berechnet einen auszugebenden
Hochspannungsstellwert, der als Analogsignal dem Fokusstellsystem 2 zur
Vertikalverstellung des Trägers 4 übergeben wird.
Entscheidend für eine variable Nutzung des Fokussiersystems ist die Maßnahme, der
gemessenen Intensitätsdifferenz additiv einen in bestimmter Art und Weise
festgelegten Digitalwert in Form eines Offsets oder Voreinstellwertes zu überlagern.
Damit der Regelalgorithmus trotzdem als Null-Regelung arbeitet, muß der Träger 4
mit dem Objekt 5 soweit vertikal verstellt werden, daß die mit dem Fokusmeßsystem
13 gemessene und digitalisierte Intensitätsdifferenz gerade genauso groß ist wie der
definierte Offset, jedoch mit entgegengesetztem Vorzeichen.
Gemäß der Erfindung kann somit über den Offset einerseits die Anpassung der
Regelungsebene an die tatsächliche Fokusebene F-F erfolgen, andererseits können
gezielte Ablagen von dieser Ebene eingestellt werden.
Wesentlich ist, daß die über den Offset eingestellte z-Position des Objektes 5
weiterhin eine geregelte Position ist, indem Wafertopologien weiterhin ausgeregelt
werden. Im wesentlichen erfolgt eine Parallelverschiebung der realen
Objektoberfläche.
Ein bestimmter Wert des Offsets kann somit, abhängig von der Position des x-y-
Tisches, unterschiedliche Werte des induktiven Meßsystems 7 zur Folge haben, weil
diesem die Tischoberfläche als Bezugsebene B-B dient.
Das Fokussiersystem arbeitet auch beim Verfahren des Objektes 5 von einer Position
zur nächsten. Es werden Meßsignale in hoher Folge (mindestens 40 ms) generiert,
auf die die Fokusregelung 19 und das Fokusstellsystem 2 ständig reagieren.
Von besonderer Bedeutung für die vorliegende Erfindung ist die Verwendung des
CCD-Meßsystems 14 in Verbindung mit der Bildverarbeitung und
Kameraansteuerung 18 zur Feststellung des mit dem Fokussiersystem eingestellten
Fokussierzustandes, indem mit Hilfe einer Kontrastfunktion eines an sich bekannten
Kontrastprogramms aus einer Bildfolge das kontrastreichste und damit schärfste Bild
errechnet wird.
Einer für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wesentlichen
Anpassung der Fokussierung dient eine Arbeitsweise, nach der Voreinstellwerte für
die Fokusregelung bestimmt werden, bei denen die Pseudofehlerrate gemäß der
Aufgabenstellung minimiert ist. Es werden Regeln angewendet, denen die
Auswirkungen verschieden starker Defokussierungen zugrundegelegt sind.
Optimale Fokussierung, Fig. 2a, bei einer Fokuslage fn0 bedeutet, daß Fehler optimal
detektiert werden.
Im dargestellten Bildfeld, das sich in einzelne Pixel Pi unterteilt, ist ein Fehler F0(Anzahl
n0) mit einer Gesamtfehlerfläche A0 vorhanden. Pseudofehler PF0 sind im vorliegenden
Idealfall nicht vorhanden.
Bei einer geringen Defokussierung fn1, Fig. 2b, steigt die Fehleranzahl auf n1 < n0 im
Vergleich zu Fig. 2a durch das Auftreten erster Pseudofehler PF1. Der tatsächliche
Fehler F1 wird kleiner, die Gesamtfehlerfläche A1 < A0 wächst aber wegen der
höheren Anzahl der Pseudofehler. Die Anzahl der Fehlerpixel P1 < P0steigt.
Bei einer starken Defokussierung fn2, Fig. 2c, steigen Anzahl und Größe der
Pseudofehler PF2 und damit die Gesamtfehlerfläche A2 < A1 deutlich an.
Die Fehleranzahl steigt auf n2 < n1, die Anzahl der Fehlerpixel auf P2 < P1.
Zur Regelanwendung wird in Ruhestellung des x-y-Tisches eine Bildserie von "n"
Bildern mit jeweils um einen Wert "m" modifizierten Voreinstellwerten für die
Fokusregelung von der Waferoberfläche eingezogen, binarisiert, abgespeichert und
mit entsprechenden Bildverarbeitungsalgorithmen bearbeitet. Das Binärbild beinhaltet
den entsprechenden Defekt und die Pseudodefekte. Diese Bilder der Bildserie werden
zur Ermittlung des Optimalfokus und damit des optimalen Voreinstellwertes
verwendet.
Das ausgewählte Bild wird zur Detektion und Klassifizierung des Defektes verwendet.
Der Verfahrensdurchführung dieser Verfahrensweise dient ein Aufbau für die
Bildverarbeitung und Kameraansteuerung 18 gemäß Fig. 3.
In analoger Weise zu Fig. 1 ist die Bildverarbeitung und Kameraansteuerung 18 ein-
und ausgangsseitig mit der Gerätesteuerung und -regelung 8 verbunden, von der
außerdem eine ein- und ausgangsseitige Verbindung zur Fokusregelung 19 besteht.
In die Fokusregelung 19 werden Daten des Fokusmeßsystems 13 eingespeist, durch
die das Fokusstellsystem 2 regelbar angesteuert werden kann.
In der Bildverarbeitung und Kameraansteuerung 18 ist eine Ansteuereinheit 20 ein-
und ausgangsseitig mit dem CCD-Meßsystem 14, einem Framegrabber 21, einer
Binarisierung 22, einem Bildspeicher 23 und einer Arithmetikeinheit 24 verbunden.
Mit einem weiteren Ausgang ist die Ansteuereinheit 20 an eine Einheit zur
Bildverarbeitung und Klassifizierung 21 gekoppelt, die ebenfalls einen Zugriff auf den
Bildspeicher 23 besitzt. Eine Verbindungskette ist außerdem vom CCD-Meßsystem 14
über den Framegrabber 21 und die Binarisierung 22 zum Bildspeicher 23 hergestellt.
Vorteilhaft ist es, zwischen dem Framegrabber 21 und der Binarisierung 22 weitere
Komponenten zur Bildbearbeitung 25 anzuordnen, die der Bildverbesserung, der
Rauschunterdrückung und der Defekterkennung dienen.
Nach einer ersten, von den zur Anwendung kommenden Regeln soll die Anzahl der
Fehler im Bildfeld zu einem Minimum werden.
In der Arithmetikeinheit 24 erfolgt eine Überprüfung durch Zählen der Fehler in einer
für den Fachmann geläufigen Weise in jedem der im Bildspeicher 23 abgespeicherten
Binärbilder. Mit jedem erkannten Fehler wird der Zähler z. B. um eine Einheit
weitergesetzt. Das Bild mit minimaler Anzahl der Fehler wird ausgewählt.
Die Ansteuereinheit 20 bewirkt eine Übergabe dieses Bildes an die
Bildverarbeitung/Klassifizierung 21, in der eine Klassifizierung der im Bildfeld
vorhandenen Defekte nach bekannten Regeln entsprechend ihrer Farbe, Struktur und
Form mit Hilfe eines Klassifikators erfolgt.
Die klassifizierten Defekte werden in einer Verarbeitungseinheit 26 zusammengefaßt,
abgespeichert und stehen nach Beendigung der Inspektion zur Anzeige zur
Verfügung.
Nach einer zweiten Regel soll die Anzahl der Fehlerpixel im Verhältnis zur
Gesamtfehlerfläche zu einem Minimum werden.
In jedem abgespeicherten Binärbild werden die Fehlerpixel im Verhältnis zur
Gesamtfehlerfläche gezählt. Das Bild mit den wenigsten Fehlerpixeln wird ausgewählt
und der Bildverarbeitung/Klassifizierung zugeführt.
Nach einer dritten Regel, die in den Fig. 4a-4c verdeutlicht wird, soll die Anzahl
der Pseudofehlerpixel zu einem Minimum werden.
Pseudofehlerpixel PPF sind Fehlerpixel, die nicht dem eigentlichen Fehler F zuzuordnen
sind, wobei der Fehler F die zahlenmäßig größte zusammenhängende Anhäufung
von Fehlerpixeln darstellt.
Es werden auch solche Fehlerpixel PF, die einen Mindestabstand dmin zum Fehler
unterschreiten, diesem zugerechnet.
Die unter dieser Voraussetzung übrigbleibenden Pseudofehlerpixel PPF werden
gezählt.
Im vorliegenden Beispiel gemäß der Fig. 4a-4c, bei dem ein Abstand d zum
Fehler F von einer Pixelbreite kleiner ist als der Mindestabstand dmin, ergeben sich in
Fig. 4a fünf, in Fig. 4b ein und in Fig. 4c vier Pseudofehlerpixel PPF.
Das Binärbild, das die wenigsten Pseudofehlerpixel PPF (Fig. 4b) aufweist, wird
ausgewählt und zur Bildverarbeitung/Klassifizierung verwendet.
Schließlich soll nach einer vierten Regel der Fehler mit höchstem Kontrast abgebildet
werden.
Die mit dem CCD-Meßsystem 14 über den Framegrabber 21 aufgenommenen Bilder
werden in der Bildbearbeitungseinheit 25 bearbeitet und einem
Kontrastmaximierungsverfahren unterzogen.
Ein Kontrastmaximierungsverfahren beruht darauf, daß das Bildfeld in Fenster von z. B.
3×3 Pixel aufgeteilt wird. In jedem dieser Fenster wird der Grauwert des
Zentralpixels in den digitalen Stufen 0 bis 255 ermittelt und die Differenz zu den
Grauwerten seiner Nachbarpixel berechnet. Aus diesen Differenzen wird ein
Mittelwert gebildet. Die so für jedes Fenster ermittelte Grauwertdifferenz wird über
das gesamte Bildfeld summiert. Das Ergebnis wird mit dem Bildfeld abgespeichert.
Das Verfahren wird für jede der vorgegebenen Fokuseinstellungen wiederholt.
Das kontrastreichste Bildfeld ist dasjenige mit der maximalen Grauwertdifferenz und
wird zur Bildverarbeitung/Klassifizierung verwendet.
Für die Ausführungsbeispiele zur Fokussierung bei der Inspektion und bei der
Defektklassifikation wird vorwiegend von der vierten Regel Gebrauch gemacht, was
jedoch keine Einschränkung der Anwendbarkeit der übrigen Regeln bedeutet.
Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens müssen sowohl für die
Inspektion als auch die Defektklassifikation zunächst Grundeinstellwerte für die
Fokusregelung gefunden werden, die einerseits gerätetechnische Einflüsse
kompensieren andererseits den Suchbereich für einen, auf ein Teilgebiet der
Oberflächen bezogenen Einstellwert der Fokussierung einengen. So ist z. B. eine
Angleichung des im Infrarotbereich arbeitenden optischen Fokusmeßsystems 13 an
das CCD-Meßsystems 14, das mit sichtbarem Licht arbeitet, erforderlich. Andere
störende Einflüsse sind Driften und Optiktoleranzen.
Von einer gerätefesten Teststruktur in Form eines Schachbrettmusters wird aus einer
Bildfolge mit unterschiedlichen Voreinstellwerten für die Fokusregelung mit Hilfe des
CCD-Meßsystems 14 und des Kontrastprogramms das kontrastreichste Bild
ausgewählt. Der zu diesem Bild gehörige Voreinstellwert für die Fokusregelung bildet
den Grundeinstellwert oder Grundoffset OFFS_G.
Für die Fokussierung bei der Inspektion ist es von Bedeutung, ob die zu inspizierende
Oberfläche unstrukturiert oder strukturiert ist.
Eine unstrukturierte Oberfläche ist im wesentlichen frei von
Reflexionsgradschwankungen. Strukturtopologische Einflüsse auf die
Fokuseinstellung sind unbedeutend.
Einer Anpassung der Fokussierung an den Halbleiterwafer und insbesondere an
Fehler auf dessen unstrukturierter Oberfläche dient eine Arbeitsweise, nach der unter
Zugrundelegung des Grundeinstellwertes OFFS_G von einem ausgewählten Fehler
eine Bildserie mit verschiedenen Voreinstellwerten für die Fokusregelung
aufgenommen wird. Die Ermittlung des Voreinstellwertes, bei dem die
Pseudofehlerrate gemäß der Aufgabenstellung minimiert ist, erfolgt durch
Regelanwendung in Form der zweiten Regel.
Für die Inspektion strukturierter Oberflächen ist es erforderlich, daß das optische
Fokusmeßsystem an die Waferdicke und den Bildinhalt des Halbleiterwafers angepaßt
wird.
Das erfolgt anhand eines Referenzgebietes, das einem Teilgebiet auf dem
Halbleiterwafer entspricht und auch ein Chip oder der Teil eines Chips sein kann.
Die Größe des Referenzgebietes ist dadurch bestimmt, daß auch in den
Randbereichen mit der gefundenen Anpassung des optischen Fokusmeßsystems in
Form des Voreinstellwertes der Fokusregelung keine Defokussierung auftritt.
Zur Auswahl des Referenzgebietes dient ein Verfahren, mit dem an den Orten sich
wiederholender Höhenmarken (Marken, die das Höhenprofil wiedergeben) unter
Zugrundelegung des Grundeinstellwertes Offset_G aus Serien von Bildern, von denen
jedes mit einem anderen Voreinstellwert der Fokusregelung aufgenommen wird,
durch Bildverarbeitung für jeden Ort das kontrastreichste Bild ermittelt wird.
Jeweils dem kontrastreichsten Bild zugeordnete Werte des Abstandes der
Trägerebene E-E zur Bezugsebene B-B ergeben ein Höhenprofil des Halbleiterwafers.
Als Referenzgebiet ist ein ebenes Gebiet geeignet, für das das Höhenprofil den
geringsten Höhengradienten besitzt.
Innerhalb des Referenzgebietes wird an mindestens einer ausgewählten Position
unter Zugrundelegung des Grundeinstellwertes OFFS_G wiederum eine Bildserie mit
verschiedenen Voreinstellwerten der Fokusregelung aufgenommen. Der dem
jeweiligen, durch Bildverarbeitung ermittelten, kontrastreichsten Bild zugeordnete
Voreinstellwert der Fokusregelung wird als Referenzeinstellwert OFFS_ref xi,yi
Bezugsbasis für die Inspektion und mit seinen Ortskoordinaten (i für die x-Richtung, j
für die y-Richtung) gespeichert.
Entsprechend der Anzahl der ausgewählten Positionen ist das Gebiet mit
Voreinstellwerten des optischen Fokusmeßsystems angelernt.
Die Einrichtung ist nunmehr in der Lage, mit dem Referenzgebiet vergleichbare
Gebiete mit dem Ziel der Fehlererkennung bildfeldweise zu inspizieren.
Im regionalen Einstellwert ist die Wafertopologie des Gebietes erfaßt.
Strukturbedingte Reflexionsgradschwankungen beeinflussen im allgemeinen die
Fokussierung nicht in störender Weise aufgrund ihres Wiederholcharakters.
Sofern sich die Reflexionsverhältnisse in verschiedenen Gebieten trotz gleichen
Bildinhalts unterscheiden, ist es selbstverständlich möglich, diese in der bereits
beschriebenen Weise über die Aufnahme einer Bildserie auszugleichen.
Auch für die Defektklassifikation ist es erforderlich, das optische Fokusmeßsystem an
die Waferdicke und den Bildinhalt des Halbleiterwafers unter Verwendung eines
Referenzgebietes anzupassen. Die Auswahl des Referenzgebietes erfolgt in gleicher
Weise wie bei der Inspektion. Die wesentlichen Auswahlkriterien sind deren Ebenheit
und die Freiheit von Fehlern.
Bei der Defektklassifikation ist es für jeden Wafer weiterhin erforderlich,
Reflexionsgradschwankungen auf seiner Oberfläche auszugleichen.
Zu diesem Zweck wird an mindestens einem Ort des Referenzgebietes von einer
Höhenmarke unter Verwendung des Grundeinstellwertes OFFS_G eine Bildserie mit
unterschiedlichen Voreinstellwerten der Fokusregelung aufgenommen und durch
Bildverarbeitung das kontrastreichste Bild ausgewählt. Der zugehörige Einstellwert
der Fokussierung OFFS_ref und der Abstand FP_ref der Trägerebene E-E zur
Bezugsebene B-B werden als Voreinstellwerte für die Defektklassifikation gespeichert.
Defektklassifikation heißt Vergleich des Bildinhaltes mit einem zu klassifizierenden
Fehler mit dem Bildinhalt eines Referenzbildes.
Mit Hilfe der Einstellung des Abstandes FP_ref der Trägerebene E-E zur Bezugsebene
B-B wird der interessierende Bildinhalt in dem Referenzgebiet als Referenzbild
aufgenommen und gespeichert.
Mit dem Voreinstellwert der Fokussierung OFFS_ref wird vom Fehlerbild eine Bildserie
mit unterschiedlichen Einstellungen des optischen Fokus aufgenommen und durch
Bildverarbeitung das kontrastreichste Bild ausgewählt. Der diesem Bild zugeordnete
Abstand der Trägerebene E-E zur Bezugsebene B-B bildet den Einstellwert zur
Aufnahme des Fehlerbildes, das zur Klassifikation mit dem Referenzbild verglichen
wird.
In gleicher Weise wird mit weiteren Fehlerbildern verfahren.
Claims (9)
1. Verfahren zur Fokussierung bei der Abbildung strukturierter Oberflächen von
scheibenförmigen Objekten durch geregelte Verstellung des meßbaren Abstandes
einer zur Auflage für die Objekte dienenden Trägerebene zu einer Bezugsebene,
dadurch gekennzeichnet, daß
der durch geregelte Verstellung hergestellte Abstand durch einen ungeregelten,
mindestens für ein Teilgebiet der Oberfläche anzuwendenden Voreinstellwert
korrigiert wird
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ermittlung des
Voreinstellwertes anhand einer Bildfolge an mindestens einer Position in einem,
im wesentlichen ebenen Referenzgebiet der Oberfläche erfolgt, zu deren
Aufnahme unterschiedliche Voreinstellwerte der Fokusregelung dienen, wobei die
Qualität des Fokuszustandes nach mindestens einer Regel bewertet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der zum kontrastreichsten, durch Bildverarbeitung bestimmten Bild gehörige
Voreinstellwert zur Einstellung eines korrigierten Abstandes dient.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der zum Bild mit minimaler Anzahl der Fehler gehörige Voreinstellwert zur
Einstellung eines korrigierten Abstandes dient.
5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der zum Bild mit minimaler Anzahl der Fehlerpixel im Verhältnis zur
Gesamtfehlerfläche gehörige Voreinstellwert zur Einstellung eines korrigierten
Abstandes dient.
6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der zum Bild mit minimaler Anzahl der Pseudofehlerpixel gehörige
Voreinstellwert zur Einstellung eines korrigierten Abstandes dient.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Auswahl des Referenzgebietes nach dem geringsten Gradienten des
Höhenprofils der Oberfläche erfolgt, zu dessen Bestimmung die Werte des
Abstandes der Trägerebene E-E zur Bezugsebene B-B an Orten sich
wiederholender Höhenmarken für den Voreinstellwert der Fokusregelung zu
ermitteln sind, bei dem mindestens eine Regel erfüllt ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß bei der Inspektion, bei der die Fehlersuche schrittweise nach Bildfeldern
erfolgt, zur Fokussierung der für die Bildfeldposition ermittelte Voreinstellwert der
Fokusregelung dient.
9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Defektklassifikation, bei der ein Bild, das einen zu klassifizierenden Fehler
enthält mit einem Referenzbild verglichen wird, die Aufnahme des Referenzbildes
mit dem für die Referenzbildposition ermittelten korrigierten Abstand der
Trägerebene E-E zur Bezugsebene B-B erfolgt,
und zur Aufnahme des Bildes mit dem zu klassifizierenden Fehler der Wert des
Abstandes der Trägerebene E-E zur Bezugsebene B-B für die Fokuseinstellung
verwendet wird, der zum kontrastreichsten Bild einer Serie von Bildern mit dem
zu klassifizierenden Fehler gehört, für die der für die zugehörige Bildposition
ermittelte Voreinstellwert der Fokusregelung in Stufen variiert wird.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19726696A DE19726696A1 (de) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | Verfahren zur Fokussierung bei der Abbildung strukturierter Oberflächen von scheibenförmigen Objekten |
DE59810959T DE59810959D1 (de) | 1997-06-24 | 1998-06-24 | Verfahren zur fokussierung bei der abbildung strukturierter oberflächen von scheibenförmigen objekten |
US09/446,463 US6696679B1 (en) | 1997-06-24 | 1998-06-24 | Method for focusing of disk-shaped objects with patterned surfaces during imaging |
EP98937407A EP0991934B1 (de) | 1997-06-24 | 1998-06-24 | Verfahren zur fokussierung bei der abbildung strukturierter oberflächen von scheibenförmigen objekten |
KR19997011638A KR20010013628A (ko) | 1997-06-24 | 1998-06-24 | 디스크형 물체의 구조화된 표면을 이미징하는 중에 초점을맞추는 방법 |
JP50358799A JP2002511142A (ja) | 1997-06-24 | 1998-06-24 | ディスク状対象物の構造化表面を結像する際の焦点合わせ方法 |
PCT/DE1998/001726 WO1998059235A1 (de) | 1997-06-24 | 1998-06-24 | Verfahren zur fokussierung bei der abbildung strukturierter oberflächen von scheibenförmigen objekten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19726696A DE19726696A1 (de) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | Verfahren zur Fokussierung bei der Abbildung strukturierter Oberflächen von scheibenförmigen Objekten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19726696A1 true DE19726696A1 (de) | 1999-01-07 |
Family
ID=7833434
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19726696A Ceased DE19726696A1 (de) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | Verfahren zur Fokussierung bei der Abbildung strukturierter Oberflächen von scheibenförmigen Objekten |
DE59810959T Expired - Fee Related DE59810959D1 (de) | 1997-06-24 | 1998-06-24 | Verfahren zur fokussierung bei der abbildung strukturierter oberflächen von scheibenförmigen objekten |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE59810959T Expired - Fee Related DE59810959D1 (de) | 1997-06-24 | 1998-06-24 | Verfahren zur fokussierung bei der abbildung strukturierter oberflächen von scheibenförmigen objekten |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6696679B1 (de) |
EP (1) | EP0991934B1 (de) |
JP (1) | JP2002511142A (de) |
KR (1) | KR20010013628A (de) |
DE (2) | DE19726696A1 (de) |
WO (1) | WO1998059235A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000072078A1 (de) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Verfahren und anordnung zur lageerfassung einer mit einem laser-scanner abzutastenden ebene |
WO2000075709A1 (en) * | 1999-06-04 | 2000-12-14 | Janssen Pharmaceutica N.V. | Robust autofocus system for a microscope |
EP1494059A1 (de) * | 2003-07-03 | 2005-01-05 | Carl Zeiss SMS GmbH | Verfahren zum automatischen Fokussieren bei der Abbildung eines Objektes |
DE102007000597A1 (de) | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Zf Friedrichshafen Ag | Verfahren und Vorrichtung zum berührungslosen Messen einer relativen Verstellung von Bauteilen zueinander |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003066341A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Nec Corp | レチクル検査装置 |
KR100489658B1 (ko) * | 2003-03-14 | 2005-05-17 | 삼성전자주식회사 | 광학측정장치 초점의 최적화방법, 이를 이용한 광학적불량 검출 방법 및 광학적 불량 검출 장치 |
JP2007501942A (ja) | 2003-05-19 | 2007-02-01 | マイクロ−エプシロン・メステヒニク・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カー・ゲー | 好適に円形エッジを有する物体の品質を光学的に制御する光学的試験方法及び光学的試験装置 |
WO2006054962A2 (en) | 2004-11-12 | 2006-05-26 | Toyota Motor Manufacturing, North America Inc | Systems and methods for inspecting coatings, surfaces and interfaces |
US7904845B2 (en) * | 2006-12-06 | 2011-03-08 | Kla-Tencor Corp. | Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review |
WO2009152046A1 (en) | 2008-06-11 | 2009-12-17 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for detecting design and process defects on a wafer, reviewing defects on a wafer, selecting one or more features within a design for use as process monitoring features, or some combination thereof |
US8643835B2 (en) | 2010-07-09 | 2014-02-04 | Kla-Tencor Corporation | Active planar autofocus |
US10460998B2 (en) * | 2010-11-09 | 2019-10-29 | Nikon Corporation | Method for inspecting substrate, substrate inspection apparatus, exposure system, and method for producing semiconductor device |
JP6459431B2 (ja) * | 2014-11-25 | 2019-01-30 | 大日本印刷株式会社 | 光学式検査方法 |
US10964013B2 (en) | 2017-01-10 | 2021-03-30 | Kla-Tencor Corporation | System, method for training and applying defect classifiers in wafers having deeply stacked layers |
US11085761B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-08-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Determining surface structures of objects |
DE102018107356A1 (de) * | 2018-03-28 | 2019-10-02 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Autofokus mit winkelvariabler Beleuchtung |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD280840A1 (de) * | 1987-06-01 | 1990-07-18 | Zeiss Jena Veb Carl | Verfahren zur kompensation von fokusabweichungen bei der digitalen bildverarbeitung zweidimensionaler strukturen |
DE4410603C1 (de) * | 1994-03-26 | 1995-06-14 | Jenoptik Technologie Gmbh | Verfahren zur Erkennung von Fehlern bei der Inspektion von strukturierten Oberflächen |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE280840C (de) | ||||
JPS53116852A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-12 | Olympus Optical Co Ltd | Automatic focus adjusting system |
JPS58153327A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Toshiba Corp | パタ−ン検査装置 |
DE3406578C2 (de) * | 1983-02-24 | 1985-09-05 | Olympus Optical Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Automatische Brennpunktermittlungsvorrichtung |
US4740079A (en) * | 1984-10-29 | 1988-04-26 | Hitachi, Ltd. | Method of and apparatus for detecting foreign substances |
JPH0774856B2 (ja) | 1986-10-16 | 1995-08-09 | オリンパス光学工業株式会社 | 自動焦点調節方法 |
JPH04142055A (ja) * | 1990-10-01 | 1992-05-15 | Nec Yamagata Ltd | 半導体ウェーハの外観検査装置 |
JP3374413B2 (ja) * | 1992-07-20 | 2003-02-04 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法 |
US5808735A (en) * | 1993-06-17 | 1998-09-15 | Ultrapointe Corporation | Method for characterizing defects on semiconductor wafers |
US5483055A (en) | 1994-01-18 | 1996-01-09 | Thompson; Timothy V. | Method and apparatus for performing an automatic focus operation for a microscope |
JP3265504B2 (ja) * | 1993-10-12 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びに半導体素子の製造方法 |
US5960107A (en) * | 1995-12-28 | 1999-09-28 | Vlsi Technology, Inc. | Method for verifying an average topography height function of a photostepper |
US6043475A (en) * | 1996-04-16 | 2000-03-28 | Olympus Optical Co., Ltd. | Focal point adjustment apparatus and method applied to microscopes |
JP2000266995A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Hitachi Denshi Ltd | 顕微鏡合焦点検出方法 |
-
1997
- 1997-06-24 DE DE19726696A patent/DE19726696A1/de not_active Ceased
-
1998
- 1998-06-24 US US09/446,463 patent/US6696679B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-24 JP JP50358799A patent/JP2002511142A/ja active Pending
- 1998-06-24 WO PCT/DE1998/001726 patent/WO1998059235A1/de active IP Right Grant
- 1998-06-24 DE DE59810959T patent/DE59810959D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-24 EP EP98937407A patent/EP0991934B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-24 KR KR19997011638A patent/KR20010013628A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD280840A1 (de) * | 1987-06-01 | 1990-07-18 | Zeiss Jena Veb Carl | Verfahren zur kompensation von fokusabweichungen bei der digitalen bildverarbeitung zweidimensionaler strukturen |
DE4410603C1 (de) * | 1994-03-26 | 1995-06-14 | Jenoptik Technologie Gmbh | Verfahren zur Erkennung von Fehlern bei der Inspektion von strukturierten Oberflächen |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
K. ITOH, A. HAYASHI, Y. ICHIOKA "Digitized optical microscopy with extended depth of field" in: Applied Optics, Vol. 28, No. 15, 1989, S. 3487-3493 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000072078A1 (de) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Verfahren und anordnung zur lageerfassung einer mit einem laser-scanner abzutastenden ebene |
US6594006B1 (en) | 1999-05-19 | 2003-07-15 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Method and array for detecting the position of a plane scanned with a laser scanner |
WO2000075709A1 (en) * | 1999-06-04 | 2000-12-14 | Janssen Pharmaceutica N.V. | Robust autofocus system for a microscope |
EP1494059A1 (de) * | 2003-07-03 | 2005-01-05 | Carl Zeiss SMS GmbH | Verfahren zum automatischen Fokussieren bei der Abbildung eines Objektes |
DE102007000597A1 (de) | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Zf Friedrichshafen Ag | Verfahren und Vorrichtung zum berührungslosen Messen einer relativen Verstellung von Bauteilen zueinander |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6696679B1 (en) | 2004-02-24 |
DE59810959D1 (de) | 2004-04-15 |
KR20010013628A (ko) | 2001-02-26 |
JP2002511142A (ja) | 2002-04-09 |
WO1998059235A1 (de) | 1998-12-30 |
EP0991934B1 (de) | 2004-03-10 |
EP0991934A1 (de) | 2000-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0991934B1 (de) | Verfahren zur fokussierung bei der abbildung strukturierter oberflächen von scheibenförmigen objekten | |
DE68923353T2 (de) | Anordnung und Verfahren zum Ermitteln von Fehlern in zu prüfenden Mustern. | |
DE19822724C2 (de) | Musterfehlerkontrollsystem und Musterfehlerkontrollverfahren | |
DE10000364B4 (de) | Merkmalbasierende Feststellung von Fehlern | |
EP1075642B1 (de) | Lagekoordinaten-Messgerät zur Vermessung von Strukturen auf einem transparenten Substrat | |
DE3937950C2 (de) | ||
DE102013008273B4 (de) | Dreidimensionale Bilderfassungsvorrichtung | |
DE102008045716B4 (de) | Höhenpositionsdetektor für ein auf einem Einspanntisch gehaltenes Werkstück | |
DE19651667C2 (de) | Vorrichtung zur dreidimensionalen Untersuchung eines Objektes | |
DE3785891T2 (de) | Umgekehrtes dunkelfeld-ausrichtsystem fuer einen lithographischen ausrichtscanner. | |
EP1158460B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Bildverarbeitung | |
DE19726094A1 (de) | Verfahren zur Bildverarbeitung | |
EP0085868B1 (de) | Vorrichtung zur automatischen optischen Beschaffenheitsprüfung | |
DE4222804A1 (de) | Einrichtung und verfahren zur automatischen visuellen pruefung elektrischer und elektronischer baueinheiten | |
DE3308191A1 (de) | Automatische scharfstellvorrichtung | |
DE2830846A1 (de) | Vorrichtung zum ermitteln von fehlern in flaechenhaften mustern, insbesondere in photomasken | |
DE102014107143B4 (de) | System und Verfahren zur Messung der Verschiebung einer Objektoberfläche | |
DE102016107900A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Kantenermittlung eines Messobjekts in der optischen Messtechnik | |
DE10232242A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Rastern einer Probe mit einem optischen ab Bildungssystem | |
DE68902271T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur erfassung des verdrahtungsmusters. | |
DE4413831C2 (de) | Verfahren zur Kontrolle von Halbleiterscheiben | |
DE102009010837A1 (de) | Verfahren zur Inspektion von Wafern für Solarzellen auf Sägerillen | |
DE102007017649A1 (de) | Verfahren zum Bestimmen der Fokuslage von mindestens zwei Kanten von Strukturen auf einem Substrat | |
DE3688833T2 (de) | Untersuchungssystem durch Linienabtastung für Schaltungsplatten. | |
EP3988989B1 (de) | Verfahren und mikroskop mit einer einrichtung zum erfassen von verlagerungen einer probe gegenüber einem objektiv |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: LEICA MICROSYSTEMS WETZLAR GMBH, 35578 WETZLAR, DE |
|
8131 | Rejection |