DE19611407A1

DE19611407A1 - Halbleiterbaustein und Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number: DE19611407A1
Application number: DE19611407A
Authority: DE
Inventors: Hirokazu Kasuya; Kouji Numazaki; Takahisa Koyasu; Mitsuhiro Saitou
Original assignee: NipponDenso Co Ltd
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1995-03-23
Filing date: 1996-03-22
Publication date: 1996-09-26
Anticipated expiration: 2016-03-23
Also published as: US5917246A; JPH08264684A; JP3353526B2; DE19611407B4

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich im allgemeinen auf einen Halbleiterbaustein und auf ein Verfahren zu des sen Herstellung. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf einen Halbleiterbaustein bzw. auf ein Halb leitergehäuse wie ein einreihiges Steckgehäuse (SIP, sing le in-line package) oder ein zweireihiges Steckgehäuse (DIP, dual in-line package).

Herkömmlicherweise sind Halbleiterbausteine beispiels weise als in Fig. 26 und 27 dargestelltes SIP ausgebil det, bei welchem eine integrierte Hybridschaltungskompo nente S in einem Gehäuse 1 befestigt und mit Epoxidharz versiegelt ist.

Bei der integrierten Hybridschaltungskomponente S sind ein Halbleiterchip 4 und Bondinseln 5, welche auf der Oberfläche eines Keramiksubstrats 3 angebracht sind, mit jeweiligen Bonddrähten 6 verbunden. Auf die Oberfläche des Keramiksubstrats 3 ist eine kreisförmige Hülse 7 mit der Form eines Dornteils (rampart-shaped sleeve) gebondet. Diese Hülse 7 schließt den Halbleiterchip 4, die jeweili gen Bonddrähte 6 und die jeweiligen Bondinseln 5 bezüglich der äußeren Umgebung ab.

Das Halbleiterchip 4, die jeweiligen Bonddrähte 6 und die jeweiligen Bondinseln 5 sind innerhalb der Hülse 7 (Fig. 27) mit Silikongel bzw. Siliziumgel 8 beständig ver siegelt. Entsprechend Fig. 26 und 27 bezeichnet Bezugs zeichen 9 Anschlüsse, welche sich von einem Endteil des Keramiksubstrats 3 erstrecken.

Beim Herstellen des oben beschriebenen SIP′s wird die Versiegelung wie folgt durchgeführt: wie in Fig. 28 darge stellt wird das Keramiksubstrat 3 derart gehalten, daß die Hülse 7 nach oben offen ist; das Silikongel 8 wird mit ei nem Spender 8a auf ein Gebiet gegossen, welches von der Hülse 7 eingeschlossen ist; danach wird das ausgegossene Silikongel 8 thermisch gehärtet; das resultierende Kera miksubstrat 3, d. h. die integrierte Hybridschaltungskompo nente S, wird in das Gehäuse 1 eingesetzt; das Epoxidharz 2 wird in das Gehäuse 1 gegossen; danach wird das Epoxid harz 2 thermisch gesetzt.

Da es viel Arbeit und Zeit erfordert, diese Schritte manuell durchzuführen, besteht ein Wunsch zur Automatisie rung durch Verwendung von Roboterhänden oder dergleichen.

Bei der automatischen Durchführung dieser manuellen Operationen sollte das Gießen des Silikongels 8 in die Hülse 7 und das Gießen des Epoxidharzes 2 in das Gehäuse 1 unter aufrechtem Halten der jeweiligen Anschlüsse 9 ober halb des keramischen Substrats 3 durchgeführt werden, um das Anhaften des Silikongels 8 und des Epoxidharzes 2 an den jeweiligen Anschlüssen 9 zu verhindern.

Da die Hülse 7 derart gehalten wird, daß dessen Öffnungsteil zur Seite hin geöffnet ist, muß in dieser Posi tion das Gießen des Silikongels 8 in die Hülse 7 seitlich durchgeführt werden. Wenn das Gießen des Silikongels 8 seitlich durchgeführt wird, wird jedoch das in die Hülse 7 gegossene Silikongel 8 aus der Hülse 7 herausfließen.

Als Ergebnis wird die Hülse nicht mit dem Silikongel 8 gefüllt, und der Halbleiterchip 4, die jeweiligen Bond drähte 6 und die jeweiligen Bondinseln 5 werden nicht mit dem Silikongel 8 beständig versiegelt. Daher ist die Hülse 7 einer derartigen Struktur nicht für die automatische Herstellung des Halbleiterbausteins geeignet, was eine Schwierigkeit darstellt.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Halbleiterbaustein, welcher für die automatische Herstel lung geeignet ist, und ein entsprechendes Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiterbausteins vorzuse hen. Insbesondere ist die Hülsenstruktur zum beständigen Versiegeln der Schaltungselemente, welche auf dem Substrat angebracht sind, einschließlich des Halbleiterbauelements und der Bonddrähte zu verbessern.

Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch ein Halbleiter baustein entsprechend der vorliegenden Erfindung, welcher folgende Komponenten enthält: ein Schaltungssubstrat, Schaltungselemente, welche auf dem Schaltungssubstrat an gebracht sind, einschließlich eines Halbleiterbauelements und eines Bonddrahts, ein Gehäuse zur Aufnahme des Schal tungssubstrats zusammen mit den Schaltungselementen, ein Abdeckteil, welches auf dem Schaltungssubstrat zum Abdecken der Schaltungselemente angebracht ist und dessen Öff nungsteil in Richtung entlang des Schaltungssubstrats ge öffnet ist, ein erstes Füllmaterial, welches aus einem Isolierungsharz gebildet ist, zum beständigen Versiegeln der Schaltungselemente durch Gießen in das Abdeckteil durch dessen Öffnungsteil, und ein zweites Füllmaterial, welches aus einem Isolierungsharz gebildet ist, zum Ver siegeln des Schaltungssubstrats durch Gießen in das Gehäu se durch dessen Öffnungsteil.

Es können dabei Silikongel bzw. Siliziumgel (silicon gel) als erstes Füllmaterial und Epoxidharz als zweites Füllmaterial verwendet werden.

Das Abdeckteil kann taschenförmig ausgebildet sein, wobei das Öffnungsteil in Richtung entlang des Schaltungs substrats geöffnet ist.

Das Öffnungsteil des Abdeckteils kann ebenso bezüglich seiner Breite schmaler als das Abdeckteil gebildet sein.

Um den Bereich des Öffnungsteils der Tasche zu vergrö ßern, kann in der Wand des Abdeckteils, welches gegenüber dem Schaltungssubstrat lokalisiert ist, ein Nutteil vorge sehen sein.

Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter bausteins entsprechend der vorliegenden Erfindung wird der Halbleiterbaustein mit einem Schaltungssubstrat und Schal tungselementen, welche auf dem Schaltungssubstrat ange bracht sind, einschließlich eines Halbleiterbauelements und Bonddrähten, welche alle zusammen in einem Gehäuse an geordnet sind, konstruiert, und Anschlüsse erstrecken sich von einem Endteil des Schaltungssubstrats durch eine Öffnung des Gehäuses, wobei das Herstellungsverfahren folgen de Schritte aufweist: Vorsehen eines taschenförmigen Ab deckteils auf dem Schaltungssubstrat zum Abdecken der Schaltungselemente, welches an dem Öffnungsteil in die Er streckungsrichtung der Anschlüsse offen ist, beständiges Versiegeln der Schaltungselemente durch Gießen von Sili kongel in das Abdeckteil durch dessen Öffnungsteil, wäh rend das Abdeckteil derart gehalten wird, daß dessen Öffnungsteil nach oben geöffnet ist, die Schaltungselemente in dem Silikongel versinken und das Silikongel sich setzt, Einsetzen des Schaltungssubstrats in das Gehäuse durch dessen Öffnung, wobei die Anschlüsse nach oben positio niert gehalten werden, und beständiges Versiegeln des Ab deckteils und des Silikongels innerhalb des Abdeckteils durch Gießen des Epoxidharzes in das Gehäuse durch dessen Öffnung, während die Anschlüsse gehalten werden, welche sich von der Öffnung des Gehäuses nach oben erstrecken, und darauffolgendes Setzen des Epoxidharzes.

Entsprechend der vorliegenden Erfindung ist das Ab deckteil auf dem Schaltungssubstrat vorgesehen, um die Schaltungselemente abzudecken, wobei dessen Öffnungsteil in Richtung entlang des Schaltungssubstrats geöffnet ist, und das erste Füllmaterial füllt die Innenseite des Ab deckteils, welches die Schaltungselemente beständig ver siegelt, und das zweite Füllmaterial füllt die Innenseite des Gehäuses, welches das Schaltungssubstrat und das Ab deckteil beständig versiegelt.

Während das Öffnungsteil des Abdeckteils nach oben ge richtet gehalten wird, kann das Füllen des Inneren des Ab deckteils mit dem ersten Füllmaterial, das Einsetzen des Schaltungssubstrats und des Abdeckteils in das Gehäuse und das Füllen der Innenseite des Gehäuses mit dem zweiten Füllmaterial erzielt werden. Als Resultat kann durch Kon struieren des Abdeckteils wie oben beschrieben der Halb leiterbaustein durch automatisches Herstellen geeignet ge bildet werden.

Da das taschenförmige Abdeckteil in Erstreckungsrich tung der Anschlüsse offen strukturiert ist, kann das Gie ßen des Silikongels in das Abdeckteil, das Einsetzen des Schaltungssubstrats in das Gehäuse und das Gießen des Epoxidharzes in das Gehäuse durchgeführt werden, während das Öffnungsteil des Abdeckteils nach oben gerichtet ist. Daher können diese vier Operationen leicht automatisiert werden. Als Ergebnis ist die automatische Herstellung des Halbleiterbausteins dieses Typs möglich.

Da die Anschlüsse stets oberhalb des Abdeckteils posi tioniert sind, gibt es in diesem Fall keine Möglichkeit, daß das Silikongel und das Epoxidharz an den Anschlüssen bei den oben dargestellen Verfahrensschritten des Gießens anhaftet.

Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.

Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht entlang Linie 1-1 von Fig. 2 und zeigt eine Vorderansicht eines Halblei terbausteins entsprechend einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 zeigt ein Querschnittsansicht entlang Linie 2-2 von Fig. 1 und zeigt eine Seitenansicht des aufgenommenen Halbleiterbausteins;

Fig. 3 zeigt ein Verfahrensflußdiagramm zum Herstellen des Halbleiterbausteins von Fig. 1;

Fig. 4 zeigt eine Draufsicht, welche einen Zustand veranschaulicht, bei welchem ein Vielfachkeramiksubstrat in dem Anreiß- und Lötdruckverfahren von Fig. 3 angerissen worden ist;

Fig. 5 zeigt eine Draufsicht, welche einen Zustand veranschaulicht, bei welchem das Vielfachkeramiksubstrat mit jedem Schaltungselement in dem Verfahren zum Anbrin gen, Reinigen und Aufschmelzen von Schaltungselementen von Fig. 3 angebracht worden ist;

Fig. 6 zeigt eine Draufsicht, welche einen Zustand veranschaulicht, bei welchem das Vielfachkeramiksubstrat in dem Abtrennverfahren von Fig. 3 abgetrennt worden ist;

Fig. 7 zeigt eine Draufsicht, welche einen Zustand veranschaulicht, bei welchem ein Keramiksubstrat mit Clips in dem Verfahren zum Anbringen, Reinigen und Aufschmelzen von Clips von Fig. 3 angebracht worden ist;

Fig. 8 zeigt eine Draufsicht, welche einen Zustand veranschaulicht, bei welchem das Keramiksubstrat mit je weiligen Bonddrähten in dem Drahtbondverfahren von Fig. 3 angebracht worden ist;

Fig. 9 zeigt eine Draufsicht, welche einen Zustand veranschaulicht, bei welchem das Keramiksubstrat mit einer Hülse in dem Hülsenanbringungsverfahren von Fig. 3 verbun den worden ist;

Fig. 10 zeigt eine Teilquerschnittsansicht, welche ei nen Zustand veranschaulicht, bei welchem das Kera miksubstrat in Silikongel, welches in einer Tauchwanne enthalten ist, in dem Tauch- und Aushärteverfahren von Fig. 3 eingetaucht worden ist;

Fig. 11 zeigt eine Teilquerschnittsansicht, welche ei nen Zustand veranschaulicht, bei welchem das Kera miksubstrat in das Silikongel, welches in der Ein tauchwanne enthalten ist, in dem Tauch- und Aushärtever fahren von Fig. 3 getaucht worden ist;

Fig. 12 zeigt eine Teilquerschnittsansicht, welche ei nen Zustand veranschaulicht, bei welchem ein Gehäuse teil weise mit Epoxidharz ausgegossen wird und das Kera miksubstrat in das Gehäuse in dem Epoxidharz Vorgießver fahren eingesetzt wird, und das Einsetz- und Epoxidharz gießverfahren von Fig. 3;

Fig. 13 zeigt eine Draufsicht, welche einen Zustand veranschaulicht, bei welchem ein Clipverbindungsteil in dem Clipabtrennverfahren von Fig. 3 abgetrennt worden ist;

Fig. 14 zeigt eine Draufsicht, welche ein wichtiges Teil einer zweiten Ausführungsform entsprechend der vor liegenden Erfindung veranschaulicht;

Fig. 15 zeigt eine Seitenansicht, welche das wichtige Teil der zweiten Ausführungsform veranschaulicht;

Fig. 16 zeigt eine Draufsicht, welche ein wichtiges Teil einer Modifizierung der zweiten Ausführungsform ver anschaulicht;

Fig. 17 zeigt eine Seitenansicht, welche das wichtige Teil der Modifizierung der zweiten Ausführungsform veran schaulicht;

Fig. 18 zeigt eine Draufsicht, welche ein wichtiges Teil einer dritten Ausführungsform entsprechend der vor liegenden Erfindung veranschaulicht;

Fig. 19 zeigt eine Seitenansicht, welche das wichtige Teil der dritten Ausführungsform veranschaulicht;

Fig. 20 zeigt eine Draufsicht, welche ein wichtiges Teil einer Modifizierung der dritten Ausführungsform ver anschaulicht;

Fig. 21 zeigt eine Seitenansicht, welche das wichtige Teil der Modifizierung der dritten Ausführungsform veran schaulicht;

Fig. 22 zeigt eine Draufsicht, welche ein wichtiges Teil der vierten Ausführungsform entsprechend der vorlie genden Erfindung veranschaulicht;

Fig. 23 zeigt eine Seitenansicht, welche das wichtige Teil der vierten Ausführungsform veranschaulicht;

Fig. 24 zeigt eine Draufsicht, welche ein wichtiges Teil der fünften Ausführungsform entsprechend der vorlie genden Erfindung veranschaulicht;

Fig. 25 zeigt eine Seitenansicht, welche das wichtige Teil der fünften Ausführungsform veranschaulicht;

Fig. 26 zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Li nie 26-26 von Fig. 27 und zeigt eine Vorderansicht eines herkömmlichen Halbleiterbausteins;

Fig. 27 zeigt eine Querschnittsansicht entlang Linie 27-27 von Fig. 26 und zeigt eine Seitenansicht des her kömmlichen Halbleiterbausteins; und

Fig. 28 zeigt eine Ansicht, welche einen Zustand ver anschaulicht, bei welchem Silikongel in die Hülse des herkömmlichen Halbleiterbausteins gegossen wird.

Fig. 1 und 2 veranschaulichen einen Halbleiterbau stein entsprechend einer ersten Ausführungsform der vor liegenden Erfindung. Bei der Konstruktion dieses Halblei terbausteins ist eine integrierte Hybridschaltungskompo nente Sa innerhalb eines rechtwinkligen parallelepipeden Gehäuses 10 mit Epoxidharz 20 beständig bzw. fest versie gelt. Als Halbleiterbaustein wird bei dieser Ausführungs form ein einreihiges Steckgehäuse (SIP, single in-line package) verwendet.

Die integrierte Hybridschaltungskomponente Sa besitzt ein Keramiksubstrat 30. An beiden linken und rechten Sei ten der Oberfläche des Keramiksubstrats 30 sind D-MOS-Typ Halbleiterchips 40 bzw. 50 angebracht.

Das Halbleiterchip 40 ist durch das Drahtbondverfahren mit Bondinseln 31 und 32 verbunden, welche auf der Ober fläche des Keramiksubstrats 30 in der Nähe des Halbleiter chips 40 mit Bonddrähten 40a und 40b an Elektroden 41 bzw. 42 gebildet sind.

Andererseits ist der Halbleiterchip 50 durch das Drahtbondverfahren mit Bondinseln 33 und 34 verbunden, welche auf der Oberfläche des Keramiksubstrats 30 in der Nähe des Halbleiterchips 50 mit Bonddrähten 50a und 50b an Elektroden 51 bzw. 52 gebildet sind. Entsprechend Fig. 1 bezeichnet Bezugszeichen 60 eine monolithische integrierte Schaltung (MIC, monolithic integrated circuit), welche auf dem Mittelteil der Oberfläche des Keramiksubstrats 30 an gebracht ist.

Eine Hülse (welche einem Abdeckteil äquivalent ist) 70 ist auf die Oberfläche des Keramiksubstrats 30 gebondet. Die Hülse 70 ist taschenförmig mit Silikonkautschuk gebil det, um von der äußeren Umgebungsseite die jeweiligen Halbleiterchips 40 und 50, die jeweiligen Bonddrähte 40a, 40b, 50a und 50b und die jeweiligen Bondinseln 31 bis 34, welche Schaltungselemente darstellen, wie in Fig. 1 veran schaulicht anzuschließen, und diese Schaltungselemente von der Oberseite wie aus Fig. 2 ersichtlich zu bedecken. Die Hülse 70 besitzt ein Öffnungsteil 71, welches nach unten gerichtet geöffnet ist (entsprechend Fig. 1).

Innerhalb der Hülse 70 ist ein Silikongel 80 thermisch gehärtet, welches als Versiegelungsmaterial hineingegossen wurde, um die oben beschriebenen Schaltungselemente be ständig zu versiegeln.

Eine Mehrzahl von Anschlüssen 90 ist an einem Endteil 35 des Keramiksubstrats 30 angeschlossen, welches an der Seite des Öffnungsteils 71 der Hülse 70 positioniert ist. Die jeweiligen Anschlüsse 90 erstrecken sich nach unten (entsprechend Fig. 1) parallel zueinander von dem Endteil 35 des Keramiksubstrats 30 durch ein Öffnungsteil 11 des Gehäuses 10. Die Verbindung jedes Anschlusses 90 zu dem Endteil 35 des Keramiksubstrats 30 wird durch Anstecken bzw. Befestigen des Endteils 35 des Keramiksubstrats 30 mit den Befestigungsendteilen bzw. Clipendteilen 91 der jeweiligen Anschlüsse 90 und darauffolgendes Aufbringen von jeweiligen Lötungen 91a auf die jeweiligen befestigten Teile erzielt.

Im folgenden wird ein automatisches Verfahren zum Her stellen des wie oben beschrieben konstruierten Halbleiter bausteins unter Bezugnahme auf die Fig. 3 bis 13 be schrieben.

Zuerst wird bei dem Anreiß- und Lötdruckverfahren S1 von Fig. 3 wie in Fig. 4 durch die gestrichelte und durch gezogene Linie angezeigt das Anreißverfahren zum Anreißen bzw. Ritzen eines Vielfachkeramiksubstrats 30A mit Laser strahlen in Vorbereitung zum Trennen desselben in Kera miksubstrate 30 durchgeführt. Danach wird das Lötdruckver fahren auf eine Mehrzahl gewünschter Stellen (Stellen, an welchen die Schaltungselemente anzubringen sind) auf die Teile äquivalent zu beiden linken und rechten Seitenteilen (entsprechend Fig. 4) der Oberfläche jedes Kera miksubstrats 30 des Vielfachkeramiksubstrats 30A unter Verwendung eines Siebdrucksystems angewandt.

Darauffolgend werden in dem Verfahren S2 des Anbrin gens, Reinigens und Aufschmelzens von Schaltungselementen wie in Fig. 5 dargestellt die jeweiligen Halbleiterchips 40 und 50, die MIC 60 und die jeweiligen Bondinseln 31, 32, 33 und 34 temporär auf den oben beschriebenen Lötdrucktei len angebracht. Danach wird das temporär angebrachte Viel fachkeramiksubstrat 30A gereinigt und in einen Aufschmelz ofen gebracht, damit die Lötdruckteile schmelzen und här ten.

Auf diese Verfahrensschritte folgend wird in dem Ab trennverfahren S3 entsprechend Fig. 6 das Vielfachkera miksubstrat 30A entlang der Anreißlinien in jeweilige Ke ramiksubstrate 30 getrennt.

Als nächstes wird in dem Verfahren S4 des Anbringens, Reinigens und Aufschmelzens des Clips wie in Fig. 7 darge stellt ein Clip 90A an dem Endteil 35 jedes Kera miksubstrats 30 angebracht, welches wie oben beschrieben abgetrennt ist. In diesem Fall wird wie in dieser Figur veranschaulicht der Clip 90A durch integriertes Erstrecken der jeweiligen Anschlüsse (Leitungen) 90 von einem Verbin dungsteil (einem Verbindungsbalken bzw. -stab) gebildet. Das Anbringen der jeweiligen Anschlüsse 90 an dem Endteil 35 jedes Keramiksubstrats 30 wird durch Befestigen bzw. Anstecken des Endteils 35 des Keramiksubstrats 30 an den jeweiligen Clipendteilen 91 der jeweiligen Anschlüsse 90 und darauffolgend durch Aufbringen der jeweiligen Lötungen 91a auf die jeweiligen Clipteile erzielt. Üblicherweise wird in diesem Fall eine Mehrzahl von Keramiksubstraten 30 an einem Verbindungsteil 92 befestigt. Es ist natürlich möglich, daß das Verbindungsteil 92, dessen Länge bezüg lich der Breite jedes Keramiksubstrats 30 eingestellt wird, für eine große Anzahl aufbereitet wird und jedes Ke ramiksubstrat 30 in Übereinstimmung mit dem jeweiligen Verbindungsteil 92 befestigt wird.

Danach wird jedes Keramiksubstrat in dem Clipanbrin gungszustand wie oben beschrieben in einen Aufschmelzofen eingebracht. Nachdem die gelöteten Teile der befestigten bzw. angesteckten Teile geschmolzen und gehärtet wurden, werden die Keramiksubstrate 30 gereinigt. Danach wird im Falle, daß eine Mehrzahl von Substraten 30 an einem einzi gen Verbindungsteil 92 aufgehängt sind, das Verbindungs teil 92 durchtrennt, um einzelne Keramiksubstrate 30 aus zubilden.

Darauffolgend werden in dem Drahtbondverfahren S5 wie in Fig. 8 veranschaulicht die jeweiligen Elektroden 41 und 42 des Halbleiterchips 40 jedes Keramiksubstrats 30 durch das Drahtbondverfahren mit den jeweiligen Bondinseln 31 und 32 durch die jeweiligen Bonddrähte 40a und 40b verbun den, und ebenso werden die jeweiligen Elektroden 51 und 52 des Halbleiterchips 50 jedes Keramiksubstrats 30 durch das Drahtbondverfahren mit den jeweiligen Bondinseln 33 und 34 durch die jeweiligen Bonddrähte 50a und 50b verbunden.

In dem Hülsenanbringungsverfahren S6 wird wie in Fig. 9 dargestellt die Hülse 70 präpariert, bevor sie auf die Oberfläche des Keramiksubstrats 30 gebondet wird. Das Bon den wird durch Ausrichten des Öffnungsteils 71 der Hülse 70 auf die Seite des Endteils 35 des Keramiksubstrats 30 und zur selben Zeit durch Abdecken der Halbleiterchips 40 und 50, der jeweiligen Bondinseln 31 bis 34, der jeweili gen Bonddrähte 40a, 40b, 50a und 50b und der MIC 60 er zielt.

In dem darauffolgenden Verfahren S7 des Tauchens und Härtens wird wie in Fig. 10 und 11 veranschaulicht das Keramiksubstrat 30 aufgehängt und direkt oberhalb einer Tauchwanne P durch Ergreifen des Verbindungsteils 92 des Clips 90A von einem Roboterarm gehalten. Von dieser Posi tion wird der Clip 90A durch Herabsetzen des Roboterarms herabgesetzt, und dadurch wird das Keramiksubstrat 30 in das Silikongel, welches sich in der Tauchwanne P befindet, eingetaucht.

Dieses Eintauchen wird fortgesetzt, bis die gesamte Hülse 70 einschließlich des Öffnungsteils 71 davon voll ständig in das Silikongel eingetaucht ist. Da die Hülse 70 taschenförmig ausgebildet und nach oben geöffnet ist, wird zu diesem Zeitpunkt die Luft innerhalb der Hülse 70 durch das in die Hülse 70 eintretende Silikongel nach oben ge drückt. Daher kann das Silikongel in die Hülse 70 eintre ten, ohne daß Luft darin verbleibt.

Wenn eine vorbestimmte Zeit verstrichen ist und das Silikongel vollständig in die Hülse 70 eingetreten ist und alle Schaltungselemente innerhalb der Hülse 70 bedeckt hat, wird der Clip 90A durch Heben des Roboterarms geho ben, und dadurch wird das Keramiksubstrat 30 aus dem in der Tauchwanne P befindlichen Silikongel herausgenommen, und gleichzeitig wird das Silikongel in der Hülse 70 ther misch gehärtet. Sogar wenn innerhalb der Hülse 70 Luft verbleibt, wird zu diesem Zeitpunkt die Luft aus dem Öff nungsteil 71 der Hülse 70 ausgestoßen, wenn das Silikongel thermisch gehärtet wird.

Da der Clip 90A stets oberhalb des in der Tauchwanne P befindlichen Silikongels positioniert ist, wird bei diesem Verfahren das Silikongel nicht an einem der Anschlüsse 90 des Clips 90A anhaften.

Nach Beendigung des obigen Verfahrens wird bei dem Epoxidharz-Vorgießverfahren S8 wie in Fig. 12 veranschau licht ein vorbestimmtes Volumen eines Epoxidharzes (in et wa die Hälfte des Fassungsvermögens des Gehäuses 10) in das Gehäuse 10 gegossen, welches vorher in einem Spender D vorbereitet wurde.

Danach wird bei dem Verfahren S9 des Einsetzens und Epoxidharzgießens und Härtens wie in Fig. 12 veranschau licht das Keramiksubstrat 30 aufgehängt und direkt ober halb des Gehäuses 10 durch Ergreifen des Verbindungsteils 92 des Clips 90A durch den Roboterarm gehalten. Aus dieser Position wird der Clip 90A durch Herabsetzen des Roboter arms herabgesetzt, und dadurch wird das Keramiksubstrat 30 in das Gehäuse 10 eingesetzt. Dieses Herabsetzen wird fortgeführt, bis die jeweiligen Clipteile 91 der jeweili gen Anschlüsse 90 des Clips 90A in das Gehäuse 10 gelan gen.

Da die Hülse 70 taschenförmig ausgebildet ist, kann zu diesem Zeitpunkt das Silikongel vollständig das Innere der Hülse durch automatisches Gießen des Silikongels in die Hülse 70 wie oben beschrieben ausfüllen. Daher kann das automatische Einsetzen des Keramiksubstrats in das Gehäuse 10 leicht erzielt werden, ohne daß das Anhaften des Epoxidharzes an eins der Schaltungselemente innerhalb der Hülse 70 hervorgerufen wird.

Danach wird Epoxidharz in das Gehäuse 10 mit einem Spender D gegossen, bis das Epoxidharz die Hülse 70, das Keramiksubstrat 30 und die jeweiligen Clipteile 91 der je weiligen Anschlüsse 90 bedeckt, und es wird darauffolgend thermisch gehärtet. Dadurch wird das Versiegeln der Hülse 70 und der darin befindlichen Schaltungselemente mit dem Epoxidharz beendet.

Da das Epoxidharz innerhalb des Gehäuses 10 vollstän dig von den jeweiligen Schaltungselementen innerhalb der Hülse 70 mit dem Silikongel innerhalb der Hülse 70 abge schlossen bzw. getrennt ist, können zu diesem Zeitpunkt die jeweiligen Schaltungselemente innerhalb der Hülse 70 vor der thermischen Spannung des Epoxidharzes vollständig geschützt werden.

Da die jeweiligen Schaltungselemente innerhalb der Hülse 70 von der Atmosphäre durch das Silikongel innerhalb der Hülse 70, dem Epoxidharz innerhalb des Gehäuses 10 und dem Gehäuse 10 abgeschlossen sind, wird Feuchtigkeit etc. von außerhalb nicht in die Schaltungselemente innerhalb der Hülse 70 eindringen. Daher kann die Zuverlässigkeit der Schaltungselemente einschließlich der Halbleiterchips 40 und 50 und der Bonddrähte 40a, 40b, 50a und 50b hinrei chend aufrechterhalten werden, und die Lebensdauer der Schaltungselemente kann verlängert werden.

Wie oben beschrieben wird nach der Beendigung des Ein setzens und des Verfahrens S9 des Epoxidharzgießens und Härtens bei dem Verfahren S10 des Clipabtrennens wie in Fig. 13 dargestellt das Verbindungsteil 92 des Clips 90A von den jeweiligen Anschlüssen 90 abgetrennt.

Mit dem obigen Verfahren S1 bis S10 kann die automati sche Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbausteinen hinreichend fertiggestellt werden, und die Halbleiterbau steine der oben beschriebenen Konstruktion können für die Automatisierung der Herstellung geeignet vorgesehen wer den.

Da die jeweiligen Schaltungselemente in dem Silikongel 80, dem Epoxidharz 20 und dem Gehäuse 10 mehrfach bestän dig versiegelt sind, kann hier der Schutz der Schaltungs elemente des Halbleiterbausteins dieses Typs vor der äuße ren Umgebung verstärkt werden.

Fig. 14 und 15 zeigen eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Bei der zweiten Ausführungsform wird anstelle der Hülse 70 der ersten Ausführungsform eine Hülse 100 auf die Oberfläche des Keramiksubstrats 30 als konstruktives Merk mal gebondet.

Die Hülse 100 besitzt ein V-förmiges Öffnungsteil 101 (welches äquivalent zu dem Öffnungsteil 71 der Hülse 70 ist).

Entsprechend der zweiten Ausführungsform beginnt bei dem Verfahren S7 des Tauchens und Härtens, wenn die Hülse 100 in das in der Tauchwanne P befindliche Silikongel auf dieselbe Weise wie die Hülse 70 eingetaucht wird (Fig. 10 und 11), da das Öffnungsteil 101 der Hülse 100 V-förmig ausgebildet ist, die Übertragung des Silikongels in die Hülse 100 früher als in dem Fall der Hülse 70.

Aus diesem Grund kann die zum Füllen des Inneren der Hülse 100 mit Silikongel benötigte Zeit verkürzt werden. Die weitere Konstruktion, der Operationsmodus und die Ef fekte sind dieselben wie diejenigen der ersten Ausfüh rungsform.

Fig. 16 und 17 veranschaulichen eine Modifizierung der zweiten Ausführungsform.

Bei dieser Ausführungsform wird anstelle der oben be schriebenen Hülse 100 eine Hülse 110 auf die Oberfläche des Keramiksubstrats 30 als konstruktives Merkmal gebon det.

Die Hülse 110 besitzt ein Öffnungsteil 111 entspre chend dem Öffnungsteil 71 der Hülse 70 der ersten Ausfüh rungsform. Dieses Öffnungsteil 111 erstreckt sich zu einer rechteckigen Nut 111a, welche in dem Mittelteil einer Wand 112 gebildet ist, welche gegenüber dem Keramiksubstrat 30 lokalisiert ist.

Bei dieser Konstruktion beginnt bei dem Verfahren S7 des Tauchens und Härtens, wenn die Hülse 110 in das in der Tauchwanne P befindliche Silikongel auf dieselbe Weise wie die Hülse 100 eingetaucht wird (Fig. 10 und 11), die Übertragung des Silikongels in die Hülse 110 von der Nut 111a aus.

Daher beginnt das Gießen des Silikongels in die Hülse 110 früher als bei dem Fall der Hülse der Hülse 100. Als Ergebnis kann die zum Füllen des Inneren der Hülse 110 mit Silikongel benötigte Zeit weiter verkürzt werden.

Die Horizontalbreite der Nut 111a sollte bezüglich des Verfahrens S7 des Tauchens und Härtens vorzugsweise eng genug sein, um das Ausfließen des Silikongels, welches in die Hülse 110 übertragen wurde, von der Nut 111a vor dem Härten infolge der Oberflächenspannung zu verhindern.

Fig. 18 und 19 veranschaulichen eine dritte Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung.

Bei der dritten Ausführungsform wird anstelle der Hülse 70 der ersten Ausführungsform eine Hülse 120 auf die Oberfläche des Keramiksubstrats 30 als konstruktives Merk mal gebondet.

Unterschiedlich zu dem Öffnungsteil 71 der Hülse 70 besitzt die Hülse 120 ein schmales Öffnungsteil 121, wel ches zur Seitenmitte in Richtung der Breite des Endteils 35 des Keramiksubstrats 30 geöffnet ist.

Entsprechend der dritten Ausführungsform ist das Öff nungsteil 121 der Hülse 120 schmaler als das Öffnungsteil 71 der Hülse 70. Daher ist die Kontaktfläche des Silikon gels, welches das Innere der Hülse 120 füllt, um die je weiligen Schaltungselemente innerhalb der Hülse 120 be ständig zu versiegeln, und des Epoxidharzes, welches das Innere des Gehäuses 10 füllt, im Vergleich mit der ersten Ausführungsform kleiner.

Als Ergebnis kann der Schutz der jeweiligen Schal tungselemente innerhalb der Hülse 120 durch das Epoxidharz innerhalb des Gehäuses 10 verstärkt werden. Die übrige Konstruktion, der Operationsmodus und Effekte sind die gleichen wie diejenigen bei der ersten Ausführungsform.

Fig. 20 und 21 veranschaulichen eine Modifizierung der dritten Ausführungsform.

Bei dieser Ausführungsform ist anstelle der oben be schriebenen Hülse 120 eine Hülse 130 auf die Oberfläche des Keramiksubstrats 30 als konstruktives Merkmal gebon det.

Die Hülse 130 besitzt ein Öffnungsteil 131, welches schmaler als das Öffnungsteil 121 der Hülse 120 ist. Die ses Öffnungsteil 131 öffnet sich zu der Seitenmitte in Richtung der Breite des Endteils 35 des Keramiksubstrats 30 und erstreckt sich ebenso nach oben zu einer rechtecki gen Nut 132a, welche in einer Wand 132 der Hülse 130 ge bildet ist, die gegenüber dem Keramiksubstrat 30 lokali siert ist.

Wenn bei dieser Konstruktion bei dem Verfahren S7 des Tauchens und Härtens die Hülse 130 in das in der Tauch wanne P befindliche Silikongel auf dieselbe Weise wie die Hülse 120 eingetaucht wird (Fig. 10 und 11), beginnt die Übertragung des Silikongels in die Hülse 130 von der Nut 132a.

Daher beginnt die Übertragung des Silikongels in die Hülse früher als bei dem Fall der Hülse 120. Als Ergebnis kann die zum Füllen des Inneren der Hülse 130 mit dem Si likongel benötigte Zeit weiter verkürzt werden, während der Operationsmodus und die Wirkung der dritten Ausfüh rungsform erlangt werden.

Dabei sollte die Horizontalbreite der Nut 132a bezüg lich des Verfahrens S7 des Tauchens und Härtens vorzugs weise schmal genug sein, um das Ausfließen des Silikon gels, welches in die Hülse 130 von der Nut 132a aus über tragen wird, vor dem Härten infolge der Oberflächenspan nung zu verhindern.

Fig. 22 und 23 veranschaulichen eine vierte Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung.

Bei der vierten Ausführungsform wird anstelle der Hülse 70 der ersten Ausführungsform eine Hülse 140 auf die Oberfläche des Keramiksubstrats 30 als konstruktives Merk mal gebondet.

Die Hülse 140 besitzt ein Paar von Öffnungsteilen 141 und 142. Die Öffnungsteile 141 und 142 sind in einer Wand 143 der Hülse 140 ausgebildet, welche gegenüber dem Kera miksubstrat 30 lokalisiert ist. Das Öffnungsteil 141 ist gegenüber dem Halbleiterchip 40, beiden Bonddrähten 40a und 40b und beiden Bondinseln 31 und 32 lokalisiert, wel che in der Beschreibung der ersten Ausführungsform darge stellt wurden, und das Öffnungsteil 142 ist gegenüber dem Halbleiterchip 50, beiden Bonddrähten 50a und 50b und bei den Bondinseln 33 und 34 lokalisiert, welche bezüglich der ersten Ausführungsform beschrieben wurden. Die übrige Kon struktion ist dieselbe wie diejenige der ersten Ausfüh rungsform.

Bei der vierten Ausführungsform, welche wie oben be schrieben konstruiert ist, wird bei dem Verfahren S7 des Tauchens und Härtens das Keramiksubstrat 30 geneigt gehal ten, wobei beide Öffnungsteile 141 und 142 der Hülse 41 geneigt und nach oben gerichtet geöffnet sind, und es wird danach unter Beibehaltung dieser Lage in das in der Tauch wanne P befindliche Silikongel abgesenkt. Durch das Ein tauchen wird das Silikongel in die Hülse 140 übertragen.

Da die Öffnungsbereiche beider Öffnungsteile 141 und 142 der Hülse 140 kleiner als der Oberflächenbereich der obigen Wand 143 der Hülse 140 sind, kann in diesem Fall die Übertragung des Silikongels in die Hülse 140 geeignet erzielt werden, obwohl das Keramiksubstrat 30 sich in der geneigten Position befindet.

Wegen der geneigten Position sind des weiteren die An schlüsse des Clips 90A stets über dem in der Tauchwanne P befindlichen Silikongel positioniert, und somit wird das Silikongel nicht an einem der Anschlüsse 90 des Clips 90A anhaften.

Da die Herstellung des Halbleiterbausteins mit dem ke ramischen Substrat 30 in der geneigten Position wie oben beschrieben durchgeführt werden kann, ist demgemäß sogar dann, wenn der Halbleiterbaustein die Hülsenkonstruktion entsprechend der vierten Ausführungsform besitzt, die Au tomatisierung der Herstellung des Halbleiterbausteins mög lich, und der Halbleiterbaustein kann für die automatische Herstellung geeignet vorgesehen werden.

Da wie oben das Öffnungsteil 141 gegenüber dem Halb leiterchip 40, beiden Bonddrähten 40a und 40b und beide Bondinseln 31 und 32 lokalisiert ist und das Öffnungsteil 141 gegenüber dem Halbleiterchip 50, beiden Bonddrähten 50a und 50b und beiden Bondinseln 33 und 34 lokalisiert ist, kann eine visuelle Inspizierung jedes Schaltungsele ments durch die Öffnungsteile 141 bzw. 142 leicht durchge führt werden.

Die Anzahl von beiden Öffnungsteilen 141 und 142 kann geändert werden. Je näher die Position beider Öffnungs teile 141 und 142 bezüglich der obigen Wand 143 zu der Seite des Anschlusses 90 ist, desto leichter ist das auto matische Gießen des Silikongels in die Hülse 140. Das Gießen des Silikongels in die Hülse 140 entsprechend der vierten Ausführungsform kann ebenso von Hand mit einem Spender durch horizontales Halten der Hülse 140 durchge führt werden. In diesem Fall ist es wünschenswert, daß das Silikongel einmal nach dem Gießen als Vorgießen thermisch gehärtet wird, und danach sollte das Siliziumsubstrat 30 in das Silikongel wiederum als Hauptgießen getaucht wer den. Zu diesem Zeitpunkt ist es möglich, das Silizium substrat 30 wie in Fig. 10 und 11 veranschaulicht ver tikal abzusenken.

Fig. 24 und 25 veranschaulichen eine fünfte Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung.

Bei der fünften Ausführungsform ist anstelle der Hülse 70 wie bezüglich der ersten Ausführungsform beschrieben eine Hülse 150 auf die Oberfläche der Keramiksubstrats 30 gebondet, und die Verwendung des Silikongels 80 ist aufge hoben.

Die Hülse 150 ist kastenförmig. Die Hülse 150 deckt insgesamt die jeweiligen Halbleiterchips 40 und 50, die MIC 60, die jeweiligen Bonddrähte 40a, 40b, 50a und 50b und die jeweiligen Bondinseln 31 bis 34 auf der Oberfläche des Keramiksubstrats 30 ab.

Daher kann jedes Schaltungselement innerhalb der Hülse 150 lediglich mit der Hülse 150 ohne Verwendung des Sili kongels beständig versiegelt werden.

Da die Verwendung des Silikongels 80 aufgehoben ist, kann des weiteren das Verfahren des Gießens von Silikongel in die Hülse wie bezüglich der ersten Ausführungsform be schrieben ebenso aufgehoben werden. Als Ergebnis ist die automatische Herstellung des Halbleiterbausteins möglich, und es ist ebenso das Einsparen von Konstruktionsmateria lien möglich.

Bei der obigen Beschreibung der jeweiligen Ausfüh rungsformen und entsprechenden Modifizierungen werden Bei spiele beschrieben, welche Silikonkautschuk als Hülse bil dendes Material verwenden. Jedoch ist das die Hülse bil dende Material nicht auf Silikonkautschuk beschränkt, son dern es kann statt dessen irgendein anderes Material ver wendet werden, welches elektrische Isolierungseigenschaf ten besitzt und die Möglichkeit bietet, die Übertragung von thermischer Dehnung des Epoxidharz es auf das Silikon gel wie ein Isolierungsmaterial eines elastischen Harzes zu verhindern.

Des weiteren können bei der vorliegenden Erfindung an stelle des bezüglich der jeweiligen Ausführungsformen und Modifizierungen beschriebenen Epoxidharzes verschiedene Harze und verschiedene Arten von Silikonkautschuk verwen det werden, welche dieselben oder ähnliche Eigenschaften wie das Epoxidharz besitzen.

Des weiteren ist die vorliegende Erfindung nicht auf den Typ des Halbleiterbausteins mit einreihigem Steckge häuse (SIP) beschränkt, sondern der Halbleiterbaustein kann ebenso als zweireihiges Steckgehäuse (DIP) ausgebil det sein, welches das beständige Versiegeln der Schal tungselemente einschließlich der Halbleiterchips und der auf dem Keramiksubstrat angebrachten Bonddrähte erfordert.

Vorstehend wurde ein Halbleiterbaustein und ein Verfah ren zu dessen Herstellung offenbart. Der Halbleiterbaustein ist derart ausgebildet, daß er einen Schutz der Schaltungs elemente vor der äußeren Umgebung vorsieht. Ein einreihiges Steckgehäuse ist durch beständiges bzw. festes Versiegeln einer integrierten Hybridschaltungskomponente innerhalb ei nes Gehäuses mit Epoxidharz konstruiert. Eine Hülse ist auf die Oberfläche eines Keramiksubstrats gebondet. Die Hülse ist aus Silikonkautschuk gebildet und besitzt eine Taschen form, um jeweilige Schaltungselemente der integrierten Hy bridschaltungskomponente abzudecken. Die Hülse besitzt ein Öffnungsteil. Silikongel ist in die Hülse als beständiges bzw. festes Versiegelungsmaterial eingegossen und gehärtet, um die jeweiligen Schaltungselemente zu versiegeln. An schlüsse erstrecken sich nach unten parallel zueinander von einem Endteil des Keramiksubstrats durch ein Öffnungsteil des Gehäuses.

Claims

1. Komponente für einen Halbleiterbaustein, welche ein in nerhalb eines Gehäuses (10) aufgenommenes Schaltungssubstrat (30) und ein auf dem Schaltungssubstrat angebrachtes Schal tungselement (40, 50, 40a, 40b, 50a, 50b) aufweist, wobei die Komponente ein Abdeckteil (70, 100, 110, 120, 130) aufweist, wel ches eine Konfiguration besitzt, die zum Abdecken und Umwan den des angebrachten Schaltungselements geeignet ist, während ein Öffnungsteil (71, 101, 111, 121, 131) es ermöglicht, daß das angebrachte Schaltungselements mit einem Versiegelungsma terial (80) versiegelt wird.

2. Komponente nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Öffnungsteil bezüglich einer Öffnung (11) des Gehäuses ausgerichtet ist.

3. Komponente nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß Abdeckteil taschenförmig ausgebildet ist und mit dem Öff nungsteil versehen ist, welches in Richtung entlang des Schaltungssubstrats geöffnet ist.

4. Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge kennzeichnet, daß das Abdeckteil aus einem elastischen Iso lierungsmaterial gebildet ist.

5. Komponente nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das elastische Isolierungsmaterial Silikonkautschuk ist.

6. Halbleiterbaustein mit:
einem Schaltungssubstrat (30);
einem auf dem Schaltungssubstrat angebrachten Schaltungs element (40, 50, 40a, 40b, 50a, 50b);
einem Gehäuse (10), welches das Schaltungssubstrat und das Schaltungselement aufgenommen hat;
einem auf dem Schaltungssubstrat angebrachten Abdeckteil (70, 100, 110, 120, 130), welches das Schaltungselement ab deckt und mit einem Öffnungsteil (71, 101, 111, 121, 131) versehen ist, welches in Richtung entlang des Schaltungs substrats geöffnet ist;
einem ersten Füllmaterial (80), welches aus einem Isolie rungsharz besteht, wobei das erste Füllmaterial in das durch das Abdeckteil und das Schaltungssubstrat gebildete Innere gefüllt wird, um das Schaltungselement zu versiegeln; und
einem zweiten Füllmaterial (20), welches aus einem Iso lierungsharz besteht, wobei das zweite Füllmaterial in das Gehäuse gefüllt wird, um das Schaltungssubstrat und das Ab deckteil zu versiegeln.

7. Halbleiterbaustein nach Anspruch 6, dadurch gekennzeich net, daß das erste Füllmaterial Silikongel und das zweite Füllmaterial Epoxidharz ist.

8. Halbleiterbaustein nach Anspruch 6, dadurch gekennzeich net, daß das Abdeckteil taschenförmig ausgebildet ist und mit dem Öffnungsteil versehen ist, welches auf einen Einlaß (11) des Gehäuses ausgerichtet ist.

9. Halbleiterbaustein nach Anspruch 8, dadurch gekennzeich net, daß das Öffnungsteil (121, 131) des Abdeckteils (120, 130) eine Öffnungsbreite besitzt, welche schmaler als die Breite des Abdeckteils ist.

10. Halbleiterbaustein nach Anspruch 8, dadurch gekennzeich net, daß das Öffnungsteil (101, 111, 131) kontinuierlich auf einer Wand vorgesehen ist, welche gegenüberliegend zu dem Schaltungssubstrat lokalisiert ist.

11. Halbleiterbaustein mit:
einem Schaltungssubstrat (30);
einem auf dem Schaltungssubstrat angebrachten Schaltungs element (40, 50, 40a, 40b, 50a, 50b);
einem Gehäuse (10) zur Aufnahme des Schaltungssubstrats und des Schaltungselements;
einem auf dem Schaltungssubstrat angebrachten kastenför migen Abdeckteil (140), welches das Schaltungselement abdeckt und mit einem Öffnungsteil (141, 142) versehen ist, das an einem Teil einer Wand (143) geöffnet ist, welche gegenüber dem Schaltungssubstrat lokalisiert ist;
einem ersten Füllmaterial (80), das aus einem Isolie rungsharz besteht, wobei das erste Füllmaterial in das durch das Abdeckteil und das Schaltungssubstrat gebildete Innere gefüllt wird, um das Schaltungselement zu versiegeln; und
einem zweiten Füllmaterial (20), welches sich aus einem Isolierungsharz zusammensetzt, wobei das zweite Füllmaterial in das Gehäuse gefüllt wird, um das Schaltungssubstrat und das Abdeckteil zu versiegeln.

12. Halbleiterbaustein nach einem der Ansprüche 6 bis 11, da durch gekennzeichnet, daß das Abdeckteil aus einem elasti schen Isolierungsmaterial gebildet ist.

13. Halbleiterbaustein nach Anspruch 12, dadurch gekennzeich net, daß das elastische Isolierungsmaterial Silikonkautschuk ist.

14. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbausteins, mit den Schritten:
Anbringen eines Schaltungselements (40, 50, 40a, 40b, 50a, 50b) auf einem Schaltungssubstrat (30);
Versehen eines Schaltungssubstrats mit einem Anschluß (90), welcher sich von einem Seitenende (35) des Schaltungs substrats erstreckt;
Anbringen eines taschenförmigen Abdeckteils (70, 100, 110, 120, 130) auf dem Schaltungssubstrat, um das Schaltungs element derart zu bedecken, daß ein Öffnungsteil (71, 101, 111, 121, 131) in eine Erstreckungsrichtung des Anschlusses ausgerichtet ist;
Versiegeln des Schaltungselementes durch Tauchen des Schaltungssubstrats in Silikongel (80), während das Öffnungs teil des Abdeckteils nach oben geöffnet ist, Gießen des Sili kongels in das Abdeckteil durch das Öffnungsteil davon und Härten des eingegossenen Silikongels;
Einsetzen des Schaltungssubstrats und des Abdeckteils durch einen Einlaß (11) eines Gehäuses (10), während der An schluß oberhalb des Schaltungssubstrats positioniert wird; und
Versiegeln des mit dem Silikongel gefüllten Abdeckteils und des Schaltungssubstrats durch Gießen von Epoxidharz (20) in das Gehäuse durch den Einlaß davon und Härten des einge gossenen Epoxidharzes, während sich der Anschluß nach oben von dem Einlaß des Gehäuses erstreckt.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Öffnungsteil des Abdeckteils eine sich auf ein Teil er streckende Konfiguration besitzt, welches gegenüber dem Schaltungssubstrat lokalisiert ist.

16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Teil V-förmig ausgebildet ist.

17. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Öffnungsteil des Abdeckteils eine Öffnungsbreite besitzt, welche schmaler als die Breite des Abdeckteils ist.