DE19609399C2 - Verfahren zum Bestimmen der Kristallorientierung in einem Wafer - Google Patents
Verfahren zum Bestimmen der Kristallorientierung in einem WaferInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Bestimmen
der Kristallorientierung in einem Wafer aus einem Kristall
mit einer Zinkblende-Kristallstruktur, bei dem eine wie
Kreisskalenstriche nebeneinander angeordnete Maskenöffnungen
aufweisende Ätzmaske in bezug auf eine vorgegebene Markierung
des Wafers aufgebracht wird, und der Wafer anisotrop unter
Gewinnung ausgeätzter Rinnen geätzt wird, wobei aus der
Ätzstruktur der Rinnen auf die Kristallorientierung ge
schlossen wird. Eine Zinkblende-Kristallstruktur weist bei
spielsweise Silizium oder Germanium oder Gallium-Arsenid auf.
Ein derartiges Verfahren ist aus der Veröffentlichung "A lat
ching accelerometer fabricated by the anisotropic etching of
(110)-oriented silicon wafers" von Dino R. Ciarlo in der
Zeitschrift "Micromech. Microeng.", 2, 1992, Seiten 10 bis
13, bekannt. Bei dem bekannten Verfahren sind rechteckige
Maskenöffnungen wie Kreisskalenstriche nebeneinander ange
ordnet. Der Winkel zwischen zwei aufeinanderfolgenden
rechteckigen Maskenöffnungen beträgt 0,1°. Die rechteckigen
Maskenöffnungen sind jeweils 8 µm breit und 3 mm lang. Beim
anisotropen Ätzen der mit der Ätzmaske versehenen Waferober
fläche entstehen an den Seiten der Maskenöffnungen unterätzte
Zonen, die von (111)-Ebenen begrenzt werden. Je nach
Orientierung der Maskenöffnung relativ zur gesuchten Kri
stallorientierung ist die Dimension der unterätzten Zone un
terschiedlich. Die Dimension der jeweiligen unterätzten Zonen
wird optisch ermittelt, und die Lage der Maskenöffnung, an
deren Seite die unterätzte Zone am kleinsten ist, wird zur
Feststellung der Kristallorientierung herangezogen. Die Di
mension der kleinsten unterätzten Zone muß größer als die
Wellenlänge des zum Messen benutzten Lichtes sein, um wahrge
nommen werden zu können, d. h. sie muß größer als etwa 0,5 µm
sein. Dies wird bei dem bekannten Verfahren unter anderem
durch die gewählten Maße der rechteckigen Maskenöffnungen ge
währleistet. Die erreichbare Winkelgenauigkeit bei der Fest
stellung der Kristallorientierung mit dem bekannten Verfahren
ist durch den Winkel zwischen zwei jeweils nebeneinander
angeordneten Maskenöffnungen bedingt. Dieser Winkel kann aus
Maskenherstellungsgründen nicht kleiner als 0,1° gemacht
werden. Die beste erreichbare Genauigkeit bei der Bestimmung
der Kristallorientierung ist also 0,05°. Die erforderliche
Ätzzeit bei dem bekannten Verfahren beträgt, bedingt durch
die Länge der rechteckigen Maskenöffnungen, etwa 30 Stunden.
Eine Reduzierung der Länge der rechteckigen Maskenöffnungen
hätte zwar eine Verkürzung der Ätzzeit zur Folge, würde sich
aber auch auf die Dimension der unterätzten Zonen in der
Weise auswirken, daß diese Zonen optisch nicht mehr meßbar
wären.
Bei einem anderen bekannten Verfahren zum Bestimmen der
Kristallorientierung in einem Wafer (deutsche Offenlegungs
schrift DE 41 36 089 A1) wird auf den Wafer eine Ätzmaske mit
einer streifenförmigen Maskenöffnung in einer Ausrichtung
entlang einer vorgegebenen Markierung des Wafers aufgebracht;
die Maskenöffnung weist jeweils einen spitzen Ansatz an ihren
Längsseiten auf. Durch anisotropes Ätzen wird eine Rinne ge
bildet, und es werden die Winkel zwischen den Rändern dieser
Rinne und den Längsseiten der Maskenöffnung ermittelt. Aus
den Winkeln wird die Kristallorientierung rechnerisch be
stimmt.
Es ist ferner ein Verfahren zum exakten Ausrichten von Masken
zum anisotropen Ätzen von dreidimensionalen Strukturen aus
Siliziumwafern bekannt (deutsche Patentschrift DE 41 34 291 C2),
bei dem eine Maske mit einer beispielsweise quadratischen
Öffnung auf einen Testwafer so aufgebracht wird, daß die
Kante der Öffnung parallel zum Flat des Testwafers liegt. Da
nach wird durch anisotropes Ätzen ein Ätzloch in dem Test
wafer erzeugt. Der Winkel zwischen der Kante der Öffnung und
einer benachbarten Kante des Ätzloches entspricht dem Winkel
zwischen dem Flat und der 111-Richtung. Die Winkelorientie
rung wird durch Ausmessen unter einem Mikroskop und mittels
trigonometrischer Berechnungen ermittelt. Die so festge
stellte Winkelorientierung gilt für alle Wafer, die aus dem
selben Siliziumeinkristall wie der Testwafer geschnitten
sind. Demzufolge können Masken auf den weiteren Wafern unter
Benutzung der ermittelten Winkelorientierung ausgerichtet
werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das eingangs ange
gebene Verfahren zur Bestimmung der Kristallorientierung in
einem Wafer so zu verbessern, daß mit einem vergleichsweise
geringen Zeitaufwand mindestens die gleiche Genauigkeit bei
der Bestimmung der Kristallorientierung wie bei dem bekannten
Verfahren erzielbar ist.
Die Lösung der gestellten Aufgabe wird bei einem Verfahren
der eingangs erwähnten Art erfindungsgemäß dadurch erzielt,
daß die Maskenöffnungen jeweils zwei relativ kurz bemessene
und in ihrer Längsrichtung nahezu parallel zueinander ausge
richtete Segmente enthalten, wobei das jeweils erste Segment
etwas kürzer als das jeweils zweite Segment ist, und jeweils
einen relativ lang bemessenen Bereich aufweisen, der sich
zwischen dem jeweiligen ersten und zweiten Segment unter
Bildung einer doppel-T-artigen Maskenöffnung erstreckt; die
Maskenöffnungen werden unter Erzeugung einer jeweils abgewan
delten doppel-T-artigen Maskenöffnung in der Weise nebeneinander
angeordnet, daß bei gleich großen Abständen der Be
reiche die ersten Segmente und die zweiten Segmente in einem
vorbestimmten, gleichen Abstand voneinander liegen, und die
Kristallorientierung wird mit dem Abstand derjenigen Masken
öffnung von der vorgegebenen Markierung bestimmt, deren
Zwischenraum zu einer benachbarten Maskenöffnung am wenigsten
unterätzt ist.
Ein Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin,
daß die Länge der doppel-T-artigen Maskenöffnungen um minde
stens eine Größenordnung kleiner als die Länge der rechtecki
gen Maskenöffnungen bei dem bekannten Verfahren gewählt wer
den kann und somit die erforderliche Ätzzeit entsprechend re
duziert wird. Dabei bewirkt die Verwendung der doppel-T-arti
gen Maskenöffnungen, daß die Dimension der unterätzten Zonen
optisch gut meßbar bleibt. Die Genauigkeit bei der Bestimmung
der Kristallorientierung ist mindestens so gut wie bei dem
bekannten Verfahren.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen
Verfahrens wird der Wafer solange geätzt, bis zumindest ein
Zwischenraum erhalten bleibt; als Abstand von der vorgegebe
nen Markierung wird die Lage dieses Zwischenraumes ermittelt.
Ein Vorteil bei dieser Vorgehensweise ist darin zu sehen, daß
zur Bestimmung der Lage des Zwischenraumes nur ein relativ
geringer Meßaufwand betrieben werden muß. Beispielsweise ist
es möglich, die Lage dieses Zwischenraumes mit dem bloßen
Auge zu bestimmen.
Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen
Verfahrens wird erreicht, indem der Wafer solange geätzt
wird, bis sich jeweils eine vom ersten Segment oder vom zwei
ten Segment der Maskenöffnungen entlang des Bereiches ausbil
dende Ätzfront über mehr als die halbe Länge des Bereiches
erstreckt, und die Größen aller Zwischenräume zwischen je
weils zwei ausgeätzten Rinnen zur Feststellung der Kri
stallorientierung herangezogen werden.
Ein Vorteil bei dieser weiteren Ausgestaltung des erfindungs
gemäßen Verfahrens ist, daß anhand der Vielzahl von ermittel
ten Größen der Zwischenräume die Kristallorientierung mit ei
ner relativ großen Genauigkeit festgestellt werden kann.
Eine zusätzliche vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsge
mäßen Verfahrens wird erreicht, indem aus optischen Messungen
von längs einer parallel zu den Segmenten verlaufenden und
den Bereich etwa in seiner Mitte schneidenden Orientierungs
gerade von dem Wafer reflektierten Intensitäten eine Reihe
von Intensitätswerten gewonnen wird,
die Reihe von Intensitätswerten zur Berechnung der in Rich
tung der Orientierungsgeraden verbleibenden Größen der nicht
unterätzten Zwischenräume zwischen jeweils zwei nebeneinander
angeordneten ausgeätzten Rinnen herangezogen wird und anhand
des Abstands der den größten festgestellten Zwischen
raumgrößen zugeordneten Rinnen von der vorgegebenen Markie
rung auf die Kristallorientierung geschlossen wird.
Ein Vorteil dieser zusätzlichen Ausgestaltung des erfindungs
gemäßen Verfahrens liegt darin, daß die genaue Feststellung
der Kristallorientierung maschinell durchgeführt werden kann,
d. h. sie kann in einer automatisierten Produktionseinheit
eingesetzt werden.
In einer weiteren Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfah
rens wird bei einem kreisförmigen Wafer als vorgegebene Mar
kierung eine parallel zu einem Flat des Wafers verlaufende
Radiuslinie gewählt, und die Kristallorientierung wird durch
Bestimmen des Winkels ermittelt, der bezogen auf den Mittel
punkt des kreisförmigen Wafers durch den Abstand von benachbarten
Maskenöffnungen mit dem am wenigsten unterätzten
Zwischenraum von der Radiuslinie gegeben ist.
Ein Vorteil dieser weiteren Ausgestaltung des erfindungsgemä
ßen Verfahrens ist darin zu sehen, daß der Wafer nach Ermitt
lung des Winkels durch entsprechendes Drehen leicht in Rich
tung der Kristallorientierung positioniert werden kann.
Zur Erläuterung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist in
Fig. 1 ein Wafer mit einer zur Durchführung des erfindungs
gemäßen Verfahrens geeigneten Maske, in
Fig. 2 ein vergrößerter Ausschnitt aus dem mit der Maske be
deckten Bereich des Wafers, in
Fig. 3 ein Ätzergebnis bei der Anwendung des erfindungsgemä
ßen Verfahrens bei demselben Ausschnitt, in
in Fig. 4 ein Querschnitt durch eine mit einer Ätzmaske ver
sehene geätzte Zinblende-Kristallstruktur an der Stelle einer
Maskenöffnung und in
Fig. 5 eine Kurve reflektierter Lichtintensitäten an der
Stelle derselben Maskenöffnung dargestellt.
In der Fig. 1 ist ein kreisförmiger Wafer 1 dargestellt, der
in Form eines sogenannten Flat eine vorgegebene Markierung 2
aufweist. Die Markierung 2 ist vom Hersteller des Wafers 1
mit einer Genauigkeit von ±0,5° zur Kristallorientierung
angebracht. Diese Genauigkeit ist für viele Fälle der Weiter
bearbeitung eines Wafers nicht ausreichend, weshalb bei
spielsweise vor einer Aufbringung von Masken zur ätzenden Be
arbeitung des Wafers eine bessere Ausrichtung des Wafers im
Hinblick auf seine Kristallorientierung erforderlich ist.
Liegt beispielsweise die Oberfläche des Wafers 1 in der
(100)-Ebene, dann kann es erforderlich sein, die (110)-Rich
tung möglichst genau zu bestimmen. Zu diesem Zweck ist auf
den Wafer 1 eine kreisringförmige Ätzmaske 3 aufgebracht, von
der in der Fig. 1 nur einige Maskenöffnungen 4 schematisch
durch Striche dargestellt sind. Die Maske 3 ist in einem
mittleren Abstand A vom Mittelpunkt M des kreisförmigen
Wafers 1 aufgebracht. Außerdem ist auf den Wafer 1 ein Stück
R einer Radiuslinie markiert, die parallel zu der vorgegebe
nen Markierung 2 ausgerichtet ist.
Wie Fig. 2 im einzelnen erkennen läßt, weist der dort darge
stellte Maskenausschnitt doppel-T-artige Maskenöffnungen 4a,
4b, 4c und 4d auf, die jeweils aus einem ersten Segment 5 und
einem zweiten Segment 6 bestehen, wobei das erste Segment 5
mit einer Länge L1 etwas kürzer als das zweite Segment 6 mit
einer Länge L2 ist; zwischen den Segmenten 5 und 6 jeder der
Maskenöffnungen 4a bis 4d liegt ein Bereich 7. Die doppel-T-
artigen Maskenöffnungen 4a bis 4d sind in einer Weise neben
einander angeordnet, daß die ersten Segmente 5 und die zwei
ten Segmente 6 jeweils in einem vorbestimmten Abstand B von
einander und insgesamt ihrer Längsrichtung nach näherungs
weise in der (110)-Richtung liegen. Dabei sind die Bereiche 7
der Maskenöffnungen in gleichbleibenden Abständen voneinander
angeordnet.
Nach dem Auftragen der Ätzmaske 3 erfolgt ein anisotropes ät
zen. Dabei bilden sich unter die Ätzmaske 3 reichende, un
terätzte Zonen 8 und 9 (schräg schraffiert) zwischen jeweils
zwei zu einer Maskenöffnung zugehörigen Segmenten 5 und 6,
wie Fig. 3 erkennen läßt. Bedingt durch die anisotropen
Ätzeigenschaften der Zinkblende-Kristallstruktur werden die
Zonen 8 und 9 von (111)-Ebenen begrenzt, die die Waferober
fläche in (110)-Richtung schneiden. Längs einer Geraden 10
sich ergebende Breitenabmessungen C1, C2 und C3 nicht un
terätzter Zwischenräume zwischen äußeren Rändern von un
terätzten Zonen 8 und 9 jeweils benachbarter Maskenöffnungen
4a, 4b und 4b, 4c sowie 4c, 4d werden um so kleiner, je wei
ter die jeweilige Maskenöffnung von der Maskenöffnung entfernt
liegt, die recht genau entsprechend der (110)-Richtung
liegt. Mit anderen Worten, es kann die Lage der Maskenöffnung
4a, an deren Seite die Breite C1 des nicht unterätzten
Zwischenraumes am größten ist, zur Feststellung der
Kristallorientierung herangezogen werden.
Die (111)-Ebenen wirken bei dem dargestellten Ausführungsbei
spiel begrenzend auf den Ätzprozeß, weil sie im Vergleich zu
den (110)- und (100)-Ebenen nur mit einer Geschwindigkeit,
die im Verhältnis etwa 600 : 300 : 1 für die (110) : (100) : (111)-
Ebenen liegt, weggeätzt werden. Das bedeutet, daß der Ätz
prozeß solange fortgesetzt werden kann, bis die Breitenab
messungen C2 und C3 zu Null werden und nur noch eine Breiten
abmessung C1 verbleibt. Die Lage des zur verbleibenden Brei
teabmessung C1 gehörigen Zwischenraumes wird dann zur Bestim
mung der Kristallorientierung herangezogen.
Anderseits kann der Ätzprozeß auch unterbrochen werden, nach
dem sich entlang des Bereiches 7 ausbildende Ätzfronten 13
über die Gerade 10 hinaus erstreckt haben. Die Abmessungen
der unterätzten Zonen 8 und 9 können längs der Gerade 10 bei
spielsweise ermittelt werden, indem die Ätzmaske 3 mit Licht
bestrahlt wird und Intensitätswerte längs der Gerade 10 re
flektierten Lichts zur Bildung einer Lichtintensitätskurve
gewonnen werden.
Im einzelnen kann dabei so vorgegangen werden, daß - wie
Fig. 4 zeigt, in der sehr stark vergrößert der Bereich um die
Maskenöffnung 4a dargestellt ist - ein paralleles Bündel bei
spielsweise weißen Lichts 14 auf die Ätzmaske 4 eingestrahlt
wird. Die Maskenöffnung 4a reflektiert das einfallende Licht
am wenigsten, während der die unterätzten Zonen überragende
Teil der Ätzmaske 3 das Licht am stärksten reflektiert. In
teressant ist die Abmessung D der unterätzten Zonen 8 und 9,
weil aus den ermittelten Abmessungen D der unterätzten Zonen
8 und 9 die Breitenabmessungen C1, C2 und C3 der nicht un
terätzten Zwischenräume berechnet werden können.
Aus Flanken 18 und 19 der in Fig. 5 dargestellten Kurve der
Lichtintensität über die Breite X der Maske 3 kann die Abmes
sung D meßtechnisch ermittelt werden.
Sind über die Bestimmung der Breitenabmessungen der unterätz
ten Zwischenräume zwischen den Maskenöffnungen 4a bis 4d die
beiden Maskenöffnungen (z. B. 4a und 4b gemäß Fig. 3) be
stimmt, zwischen denen der Zwischenraum am wenigsten un
terätzt ist, dann wird ihr Abstand X1 von dem Teil R der Ra
diuslinie bestimmt. Aus diesem ermittelten Abstand X1 und dem
Abstand A der Ätzmaske 3 vom Mittelpunkt M läßt sich dann
über die Tangensfunktion der Winkel bestimmen, um den der
Wafer 1 ausgehend vom Flat 2 gedreht werden muß, um eine zur
Bearbeitung des Wafers aufzubringende Ätzmaske exakt zur
Kristallorientierung ausgerichtet plazieren zu können.
Bei Verwendung von doppel-T-artigen Maskenöffnungen 4a bis 4d
mit einer Gesamtlänge von etwa 200 µm kann eine Genauigkeit
von mindestens 0,01° bei der Bestimmung der Kristallorien
tierung erreicht werden, wobei die Ätzzeit geringer als 2
Stunden ist.
Claims (5)
1. Verfahren zum Bestimmen der Kristallorientierung in einem
Wafer aus einem Kristall mit einer Zinkblende-Kristallstruk
tur, bei dem
eine wie Kreisskalenstriche nebeneinander angeordnete Maskenöffnungen aufweisende Ätzmaske in bezug auf eine vorgegebene Markierung des Wafers aufgebracht wird,
der Wafer anisotrop unter Gewinnung ausgeätzter Rinnen ge ätzt wird, wobei aus der Ätzstruktur der Rinnen auf die Kristallorientierung geschlossen wird,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Maskenöffnungen (4a bis 4d) jeweils zwei relativ kurz bemessene und in ihrer Längsrichtung etwa parallel zueinander ausgerichtete Segmente (5, 6) enthalten, wobei das jeweils erste Segment (5) etwas kürzer als das jeweils zweite Segment (6) ist, und jeweils einen relativ lang bemessenen Bereich (7) aufweisen, der sich zwischen dem jeweiligen ersten und zweiten Segment (5, 6) unter Bildung einer doppel-T-artigen Maskenöffnung (4a bis 4d) erstreckt,
die Maskenöffnungen (4a bis 4d) unter Erzeugung einer jeweils abgewandelten doppel-T-artigen Maskenöffnung in der Weise nebeneinander angeordnet werden, daß bei gleich großen Abständen der Bereiche (7) die ersten Segmente (5) und die zweiten Segmente (6) in einem vorbestimmten, gleichen Abstand (B) voneinander liegen, und
die Kristallorientierung mit dem Abstand (X1) derjenigen Maskenöffnung von der vorgegebenen Markierung bestimmt wird, deren Zwischenraum zu einer benachbarten Maskenöffnung am wenigsten unterätzt ist.
eine wie Kreisskalenstriche nebeneinander angeordnete Maskenöffnungen aufweisende Ätzmaske in bezug auf eine vorgegebene Markierung des Wafers aufgebracht wird,
der Wafer anisotrop unter Gewinnung ausgeätzter Rinnen ge ätzt wird, wobei aus der Ätzstruktur der Rinnen auf die Kristallorientierung geschlossen wird,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Maskenöffnungen (4a bis 4d) jeweils zwei relativ kurz bemessene und in ihrer Längsrichtung etwa parallel zueinander ausgerichtete Segmente (5, 6) enthalten, wobei das jeweils erste Segment (5) etwas kürzer als das jeweils zweite Segment (6) ist, und jeweils einen relativ lang bemessenen Bereich (7) aufweisen, der sich zwischen dem jeweiligen ersten und zweiten Segment (5, 6) unter Bildung einer doppel-T-artigen Maskenöffnung (4a bis 4d) erstreckt,
die Maskenöffnungen (4a bis 4d) unter Erzeugung einer jeweils abgewandelten doppel-T-artigen Maskenöffnung in der Weise nebeneinander angeordnet werden, daß bei gleich großen Abständen der Bereiche (7) die ersten Segmente (5) und die zweiten Segmente (6) in einem vorbestimmten, gleichen Abstand (B) voneinander liegen, und
die Kristallorientierung mit dem Abstand (X1) derjenigen Maskenöffnung von der vorgegebenen Markierung bestimmt wird, deren Zwischenraum zu einer benachbarten Maskenöffnung am wenigsten unterätzt ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Wafer solange geätzt wird, bis zumindest ein Zwischen raum erhalten bleibt, und
als Abstand von der vorgegebenen Markierung die Lage dieses Zwischenraumes ermittelt wird.
der Wafer solange geätzt wird, bis zumindest ein Zwischen raum erhalten bleibt, und
als Abstand von der vorgegebenen Markierung die Lage dieses Zwischenraumes ermittelt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Wafer (1) solange geätzt wird, bis sich jeweils eine vom ersten Segment (5) oder vom zweiten Segment (6) der Maskenöffnungen (4a bis 4d) entlang des Bereiches (7) ausbildende Ätzfront über mehr als die halbe Länge des Bereiches (7) erstreckt, und
die Größen (C1, C2, C3) aller Zwischenräume zwischen jeweils zwei ausgeätzten Rinnen zur Feststellung der Kristallorientierung herangezogen werden.
der Wafer (1) solange geätzt wird, bis sich jeweils eine vom ersten Segment (5) oder vom zweiten Segment (6) der Maskenöffnungen (4a bis 4d) entlang des Bereiches (7) ausbildende Ätzfront über mehr als die halbe Länge des Bereiches (7) erstreckt, und
die Größen (C1, C2, C3) aller Zwischenräume zwischen jeweils zwei ausgeätzten Rinnen zur Feststellung der Kristallorientierung herangezogen werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
aus optischen Messungen von längs einer parallel zu den Segmenten (5, 6) verlaufenden und den Bereich (7) etwa in seiner Mitte schneidenden Orientierungsgerade (10) von dem Wafer (1) reflektierten Lichtintensitäten eine Reihe von Intensitätswerten gewonnen wird,
die Reihe von Intensitätswerten zur Berechnung der in Rich tung der Orientierungsgeraden (10) verbleibenden Größen der nicht unterätzten Zwischenräume zwischen jeweils zwei ne beneinander angeordneten ausgeätzten Rinnen herangezogen wird und
anhand des Abstands (X1) der den größten festgestellten Zwischenraumgrößen zugeordneten Rinnen von der vorgegebenen Markierung auf die Kristallorientierung geschlossen wird.
aus optischen Messungen von längs einer parallel zu den Segmenten (5, 6) verlaufenden und den Bereich (7) etwa in seiner Mitte schneidenden Orientierungsgerade (10) von dem Wafer (1) reflektierten Lichtintensitäten eine Reihe von Intensitätswerten gewonnen wird,
die Reihe von Intensitätswerten zur Berechnung der in Rich tung der Orientierungsgeraden (10) verbleibenden Größen der nicht unterätzten Zwischenräume zwischen jeweils zwei ne beneinander angeordneten ausgeätzten Rinnen herangezogen wird und
anhand des Abstands (X1) der den größten festgestellten Zwischenraumgrößen zugeordneten Rinnen von der vorgegebenen Markierung auf die Kristallorientierung geschlossen wird.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüchen,
dadurch gekennzeichnet, daß
bei einem kreisförmigen Wafer (1) als vorgegebene Markierung eine parallel zu einem Flat (2) des Wafers (1) verlaufende Radiuslinie gewählt wird und
die Kristallorientierung durch Bestimmen des Winkels ermittelt wird, der bezogen auf den Mittelpunkt (M) des kreisförmigen Wafers (1) durch den Abstand (X1) von benachbarten Maskenöffnungen mit dem am wenigsten unterätzten Zwischenraum von der Radiuslinie gegeben ist.
bei einem kreisförmigen Wafer (1) als vorgegebene Markierung eine parallel zu einem Flat (2) des Wafers (1) verlaufende Radiuslinie gewählt wird und
die Kristallorientierung durch Bestimmen des Winkels ermittelt wird, der bezogen auf den Mittelpunkt (M) des kreisförmigen Wafers (1) durch den Abstand (X1) von benachbarten Maskenöffnungen mit dem am wenigsten unterätzten Zwischenraum von der Radiuslinie gegeben ist.
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