DE20100418U1 - Photodetektor - Google Patents

Photodetektor

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    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
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Description

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Claims (15)

1. Photodetektor zur Detektion elektromagnetischer Wellen, insbesondere im UV-Bereich, der mit wenigstens einer eine Substratoberfläche aufweisenden, zum Beispiel aus Silizium bestehenden Substratschicht und wenigstens einer die Substratoberfläche zumindest teilweise bedeckenden, die elektromagnetischen Wellen hindurchtretenlassenden Deckschicht mit einer Deckschichtoberfläche ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht (26, 76) in einem die Substratschicht (21, 71) schneidenden Querschnitt (23, 96) im wesentlichen sägezahn-, trapez- und/oder V-förmig ausgebildet ist und eine inhomogene Deckschichtdicke (25, 78) aufweist.
2. Photodetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Substratschicht (21, 71) mit wenigstens einer Ausnehmung (30, 31, 32; 130, 131, 132; 230, 231, 232) und/oder die Deckschicht (76) mit wenigstens einer Erhebung (80, 81, 82) ausgebildet sind.
3. Photodetektor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmung (30, 31, 32) und/oder die Erhebung (80, 81, 82) pyramidenförmig gestaltet sind.
4. Photodetektor nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmung (30, 31, 32; 130, 131, 132; 230, 231, 232) und/oder die Erhebung (80, 81, 82) wenigstens eine querschnittlich im wesentlichen gerade Flanke (33, 34, 35, 36, 37, 38; 83, 84, 85, 86, 87, 88) aufweisen.
5. Photodetektor nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Substratschicht (21) mit wenigstens einer zumindest eine querschnittlich im wesentlichen gerade Flanke (33, 34, 35, 36, 37, 38) enthaltenden Ausnehmung (30, 31, 32) und die Deckschicht­ oberfläche (27) im wesentlichen eben ausgebildet sind.
6. Photodetektor nach einem Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Flanke (33, 34, 35, 36, 37, 38) mit der Deckschichtoberfläche (27) einen Winkel (41) von größer als 45 Grad, vorzugsweise von größer oder gleich 54,7 Grad ausbildet.
7. Photodetektor nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens zwei Flanken (33, 34; 35, 36; 37, 38) gegenüberliegend und in einem Winkel (43) zueinander angeordnet sind, der vorzugsweise kleiner als 90 Grad, insbesondere kleiner oder gleich 70,6 Grad beträgt.
8. Photodetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschichtdicke (25, 78) eine Dickeninhomogenität von mindestens 0,5 Mikrometer aufweist.
9. Photodetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschichtdicke (25, 78) eine Dickeninhomogenität von mindestens 1 Mikrometer aufweist.
10. Photodetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Substratschicht (21) vorzugsweise mittels eines anisotropen Äzverfahrens mit wenigstens einer Ausnehmung (30, 31, 32) versehen ist, die anschließend mit der Deckschicht (26) aufgefüllt ist.
11. Photodetektor nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die wenigstens eine Ausnehmung (30, 31, 32) mit der Deckschicht (26) ausgefüllt und die Substratoberfläche (22) vollständig unter Ausbildung einer im wesentlichen ebenen Deckschichtoberfläche (27) überdeckt ist.
12. Photodetektor nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht (26) als flüssiger bzw. hochviskoser Stoff, vorzugsweise mittels eines Glas-Spin-Verfahrens auf die Substratschicht (21) aufgebracht ist.
13. Photodetektor nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Substratoberfläche (22) vor dem Vorsehen der wenigstens einen Ausnehmung (30, 31, 32) im wesentlichen eben ausgebildet ist und vorzugsweise vor der Durchführung von halbleiterbildenden Verfahrensschritten mit der wenigstens einen Ausnehmung (30, 31, 32) versehen ist.
14. Spektrometer zur Analyse der spektralen Zusammensetzung von elektromagnetischen Wellen, die durch eine zu analysierende Probe verändert und/oder von einer zu analysierenden Probe emittiert werden, mit einem Photodetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 13.
15. Photodiodenarray-Detektor zur Analyse der spektralen Zusammensetzung von elektromagnetischen Wellen, die durch eine zu analysierende Probe verändert und/oder von einer zu analysierenden Probe emittiert werden, wobei vorzugsweise die Probe durch eine Probenzelle fließt, mit einer Mehrzahl von Photodetektoren nach einem der Ansprüche 1 bis 13.
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