DE1956055A1

DE1956055A1 - Halterungsvorrichtung aus Graphit zur Erzeugung isothermer Temperaturverteilungen auf mittels Hochfrequenzenergie erhitzten,epitaktischen Prozessen zu unterwerfenden Halbleiterplaettchen

Info

Publication number: DE1956055A1
Application number: DE19691956055
Authority: DE
Inventors: Wnite Jun William Henry; Andrea Spiro
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1968-11-08
Filing date: 1969-11-07
Publication date: 1970-06-04
Also published as: FR2022844A1; US3539759A; GB1287797A; DE1956055B2; DE1956055C3; JPS4812671B1

Description

IBM Deutschland Internationale Büro-Maachinen Geaelhdiaft mbH

Böblingen, 4. November 1969 si-sc

Anmelderin: International Business Machines

Corporation, Armonk, N.Y. 10504

Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung

Aktenzeichen der Anmelderin: Docket FI 968 020

Halterungsvorrichtung aus Graphit zur Erzeugung isothermer Temperaturyerteilungen auf mittels Hochfrequenzenergie erhitzten, epitaktischen Prozessen zu unterwerfenden Halblei terplättchen . -

Die vorliegende Erfindung erstreckt sich auf eine Halterungsvorrichtung aus Graphit zur Erzeugung isothermer Temperatur-Verteilungen auf mittels Hochfrequenzenergie erhitzten, epitaktischen Prozessen zu unterwerfenden Halbleiterplättchen. Die Vorrichtung dient als Unterlage bzw. zum Haltern von Plättchen aus kristallinem Halbleitermaterial, z.B. aus Silicium während der Fabrikation beispielsweise von Halbleiterbauelementen, insbesondere während der Verfahrensschritte, in denen höhere Temperaturen zur Durchführung epitaktischer Aufwachsprozesse angewendet werden.

009823/1681

Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen und von integrierten Schaltungen erstreckt sich die Prozeßführung auf verhältnismäßig kleine Halbleiterplättchen, welche etwa einen Durchmesser von 1,3 cm - 2,0 cm besitzen. Die Herstellung des Plättchens selbst und seine Formgebung gehören nicht zum Gegenstand der vorliegenden Erfindung.

Eine bereits weitgehend entwickelte konventionelle Methode bei der Herstellung von integrierten Schaltungen betrifft die Abscheidung ausgewählter Materialien aus dem gasförmigen Zustand auf ausgewählte Oberflächeribereiche eines jeweils zu behandelnden HaIbleiterplättchens. Bei derartigen Prozessen dient das Halbleiterplättchen als Unterlage oder als Substrat und der Abscheidungsvorgang aus dem gasförmigen Zustand erfordert eine chemische Prozeßführung bei einer erhöhten Temperatur. Bei den z.Zt. gebräuchlichen Verfahren wird für die Halbleiterplättchen eine Unterlage aus Graphit benutzt, welche auch oft als Schiffchen bezeichnet wird. Diese Unterlage muß hohe Temperaturen aushalten ohne hierbei chemisch mit dem Material der daraufliegenden HaIbleiterplättchen zu reagieren. Um ein möglichst hohen Grad an Reproduzierbarkeit der so hergestellten Halbleiterbauelemente bezüglich ihrer Arbeitscharakteristiken zu erhalten, ist es erforderlich, eine im wesentlichen gleichförmige Verteilung der Bedingungen z.B. der Temperaturverteilung sicherzustellen, denen die einzelnen Plättchen während des Herstellungsverfahrens ausgesetzt sind. Dieses ist etwas problematisch bei den z.Zt. bekannten Prozessen, da die Temperaturverteilung innerhalb der benutzten Reaktionskammer nicht ohne weiteres innerhalb ihres gesamten Volumens gleichförmig verteilt ist. Vielmehr werden meistens merkliche Temperaturgradienten innerhalb des Volumens des Reaktionsrohres aus Quarz bestehen. Oft sind bereits Temperaturunterschiede von vorneherein unvermeidbar, wenn nämlich die zu behandelnden Plättchen durch einen Bewegungsvorgang aus einer weniger heißen Zone in die eigentliche Heizzone gebracht werden. Darüber hinaus

Docket pi 968 020 009823/1661

wird im allgemeinen die Lage des Graphitträgers von einer Charge zur anderen gewissen Änderungen unterworfen sein, was sich wiederum ungünstig auf die Gleichförmigkeit und Reproduzierbarkeit der Temperaturverteilung auswirkt.

Fernerhin erfolgt die chemische Behandlung der Halbleiterplättchen innerhalb eines in einem Ofen befindlichen Reaktionsrohres aus Quarz durch Einführung verschiedener gasförmiger Substanzen in das Reaktionsrohr. Die so transportierten gasförmigen Substanzen lie- t fern einen weiteren Grund für eine nicht gleichförmige Verteilung der Temperatur im Inneren und auf der Oberfläche der zu behandelnden Halbleiterplättchen.

Die Granphitträger, welche eine Charge von zu behandelnden Halbleiterplättchen während der Prozeßführung aufnehmen, tragen bis zu einem gewissen Grade zu einer Temperaturstabilisation dieser Plättchen bei. Die bisher zur Aufnahme der Plättchen benutzten Unterlagen besitzen aber als Primärfunktion meist zunächst nur den Zweck, die Halbleiterplättchen mechanisch innerhalb der Reaktionskammer zu haltern und sind meist nicht dafür konstruiert, in erster Linie für stabile Temperaturbedingungen innerhalb der verschiedenen Halbleiterplättchen einer Charge zu sorgen, wobei durch geeignete Formgebungs- und Betriebsmaßnahmen ein Angleich auch der Temperaturbedingungen für verschiedene Chargen angestrebt werden kann.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei der Verarbeitung von Halbleiterplättchen insbesondere durch epitaktische Prozesse die Temperaturverteilung innerhalb und auf der Oberfläche dieser Plättchen besonders günstig zu gestalten, wobei insbesondere Wert darauf gelegt wird, einen hohen Grad von Gleichförmigkeit bezüglich der Temperabrverteilung über die Oberfläche eines jeden Plättchen hinweg zu gewährleisten, unabhängig von der jeweiligen Lage des Plättchen auf der Halterungsvorrichtung, so daß durch diese Maßnahme Temperaturgradienten und damit innere

009823/1661

Docket FI 968 020

thermische Beanspruchungen vermieden oder zumindestens reduziert werden. Durch Sicherstellung eines guten Wärmeübergangs zwischen der die Halbleiterplättchen tragenden Graphitunterlage und den Plättchen soll erreicht werden, daß die Unterlage selbst temperaturstabilisierend für jedes darauf befindliche Plättchen wirkt. Weiterhin sollen Maßnahme ergriffen sein, um Wärmeverluste durch Wärmestrahlung insbesondere an den Ecken der zu behandelnden Plättchen auf ein geringes Maß herabzusetzen.

Die nach der Lehre der vorliegenden Erfindung konstruierte Halterungsvorrichtung erfüllt die oben gestellten Forderungen. Sie besteht im wesentlichen aus einem aus einem umgebenden Hochfrequenzfeld Wärmeenergie aufnehmenden Graphitblock mit einer Masse, die wesentlich größer ist als die der zu halternden Halbleiterplättchen .

Die Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Halterung der Plättchen innerhalb kreiszylindrischer Aussparungen im Graphitblock so erfolgt, daß die Plättchen lediglich in peripheren Bereichen durch ringförmige Leisten unterstützt werden, derart, daß die Aufheizung der Halbleiterplättchen überwiegend durch " Wärmestrahlung zwischen Boden- und Wandflächen der Aussparungen und der Halbleiterplättchen erfolgt.

Einzelheiten der Erfindung gehen aus der folgenden Beschreibung sowie aus den dazugehörigen Figuren hervor. In diesen bedeuten:

Fig. 1 Eine schematische Ansicht einer Reaktionskammer bestehend aus einem Quarzrohr mit eingesetztem Träger zur Halterung von einem oder mehreren Halbleiterplättchen. Träger mit Plättchen sind von einem Hochfrequenzfeld überlagert und werden auf eine für die jeweils auf dem Plättchen abzuscheidende Substanz geeignete Temperatur aufgeheizt;

Docket FI 968 020 009823/1661

Fig. 2 einen vergrößerten Ausschnitt aus dem Träger für die Halbleiterplättchen in dem die einzelnen Halterungsstellen (Aussparungen) für die Plättchen deutlich zu sehen sind;

Fig. 3 eine Querschnittsdarstellung entlang der Geraden 3-3 in Fig. 2;

Fig. 4 eine graphische Darstellung der Temperaturverteilung über ein zu behandelndes Halbleiterplättchen;

Fig. 5 eine graphische Darstellung ähnlich wie in Fig. 4, bei der jedoch keine Zentrierung des Trägers bezüglich der Heizzone vorgenommen wurde und

Fig. 6 eine Querschnittsdarstellung ähnlich wie in Fig. 3 mit einer etwas gegenüber Fig. 3 modifizierten Halterungsweise für Halbleiterplättchen größeren Durchmessers .

Wie aus der Fig. 1 zu entnehmen,ist die schematisch dargestellte Reaktionskammer 10, bestehend aus einem Quarzrohr 12 sowie aus einem herausnehmbaren Graphitträger oder Schiffchen 20 für die Halterung einer Charge von zu behandelnden Halbleiterplättchen in einem Hochfrequenzfeld angeordnet. Dieses bewirkt die Aufheizung der Halterung mit den darauf befindlichen Halbleiterplättchen. Die Hochfrequenzspule 14 erhält ihre Energie aus der schematisch angedeuteten Hochfrequenzsqueüe 16. Mit 18 ist eine Zuführungsmöglichkeit für verschiedene für die Behandlung der Halbleiterplättchen erforderliche Materialien angedeutet, die für diesen Zweck vorgesehenen Gasquellen sind ebenfalls schematisch angedeutet und mit 20a, 20b, 20c bezeichnet.

Docket FI 968 020 009823/1661

Nach Einschaltung der Hochfrequenzenergiequelle 16 werden sowohl der aus Graphit bestehende Träger 20 als auch die kristallinen Halbleiterplättchen 25 Energie aus dem Hochfrequenzfeld aufnehmen. Die Masse des Trägers 20 ist wesentlich größer als die Gesamtmasse der zu behandelnden kristallinen Halbleiterplättchen 25. Die in dem Graphitträger gespeicherte Wärmemenge gibt bei geeigneter Anordnung Anlaß zu einer weitgehend gleichförmigen Tem-

^ peraturverteilung über die zu behandelnden Halbleiterplättchen.

™ Eine solche gleichförmige Verteilung ist in jedem Fall zur Optimierung der Abscheidungsbedingungen für die auf den Plättchen zu erzeugenden dünnen Materialschichten erforderlich.

In der Halbleitertechnik ist es zwar seit langem bekannt, Träger aus Graphit für die Halterung der zu behandelnden Halbleiterplättchen innerhalb eines Reaktionsgefäßes aus Quarz anzuordnen, um so mittels eines hochfrequenten Feldes die erforderliche Aufheizung der Halbleiterplättchen zu bewirken. Bisher wurde jedoch die Aufmerksamkeit weniger darauf gerichtet, die Anordnung dieses Graphitträgers so zu treffen, daß eine für die durchzuführenden Abscheidungsreaktionen optimale Wärmeverteilung sichergestellt wird.

Die Formgebung und die Anordnung dieser die zu behandelnden Halbleiterplättchen halternden und aufheizenden Trägervorrichtungen wird nach der Lehre der vorliegenden Erfindung so getroffen, daß infolge der Massenverteilung und der Geometrie des Trägers isotherme Zonen in der Umgebung eines jeden der zu behandelnden Halbleiterplättchen entstehen, so daß sich insgesamt für die vorzunehmenden Abscheidungsreaktionen optimale Bedingungen, insbesondere geringe Wärmestrahlungsverluste von den nicht so intensiv aufgeheizten Stellen an den Kanten und Ecken der Plättchen eintritt, was im wesentlichen durch Sicherstellung eines guten und gleichförmigen Wärmeübergangs zwischen den Plättchen und der Graphitunterlage bewirkt wird.

Zur Erläuterung dieser Maßnahmen ist insbesondere auf die Fign. 2

»χ** π »β «ο 008823/1661

und 3 zu verweisen. Wie aus der Fig. 2 hervorgeht, ist der Graphitträger 12 mit einer Reihe von taschenartigen Aussparungen 30 versehen, in die jeweils ein Plättchen der/behandelnden Charge eingegeben wird, wobei die Abmessungen der Aussparungen und der zu behandelnden Plättchen optimal aneinander angepasst sind. Die in Fig. 2 gezeigte Aussparung 30 ist im wesentlichen eine kreiszylindrische Vertiefung mit der peripheren Wand 32, die in Bodennähe in die ringförmige Leiste 34 übergeht, deren Höhe sich nur geringfügig über das Bodenniveau der Aussparung 30 erstreckt. Diese Einzelheiten der Geometrie der Aussparung 30 sind im Detail in der Querschnittsdarstellung von Fig. 3 gezeigt, wobei dieser Schnitt entlang der Linie 3-3 der Fig. 2 genommen wurde. Wie aus der Fig. zu ersehen, bildet die periphere Wand 32 der Aussparung 30 die äußere Begrenzung des für das Einsetzen eines Halbleiterplättchens vorgesehenen Raumes, wobei die Abmessung des Plättchens selbst so eingerichtet wird, daß es bequem in die Aussparung 30 hineinpasst und auf der ringförmigen Leiste 34 aufsitzt. Der durch die periphere Wand 32 gegebene Durchmesser der kreisförmigen Aussparung beträgt D + 0,12 cm, wobei D dem vorgesehenen Durchmesser des in der zu halternden Halbleiterplättchens entspricht. Da die Aussparung einen etwas größeren Durchmesser als das Plättchen besitzt, kann dieses in die vorgesehene Aussparung eingegeben oder herausgenommen werden, ohne daß eine Reibung an der Fläche der peripheren Wand 32 in Kauf genommen werden müsste.

Der innere Durchmesser der ringförmigen, stufenartigen Leiste 34 ist gegeben durch D - 0,12 cm, wobei D wieder den Durchmesser des in die Aussparung einzusetzenden Halbleiterplättchen bedeutet.

Die genannten Abmessungen der Aussparung stellen sicher, daß das Plättchen leicht und ohne Reibung in die Aussparung eingesetzt oder herausgenommen werden kann. Gleichzeitig wird erreicht, daß das zu halternde Halbleiterplättchen nur innerhalb eines kleinen peripheren Flächenbereiches auf der unterstätzenden Leiste 34 aufliegt.

Docket FI 968 020 009823/1661

Die vertikalen Abmessungen der Aussparungen sind in Fig. 3 ebenfalls angedeutet, wobei der Buchstabe S die Stärke des zu behandelnden Plättchen im Rohzustand, d.h. vor seiner Behandlung bedeutet. Wie zu entnehmen, sind etwa 3/4 der Stärke des Plättchens als Tiefenerstreckung der Aussparung und zwar gemessen von der Oberfläche bis zur oberen Kante der ringförmigen Unterstützungsstufe vorgesehen. Die Höhe der ringförmigen unterstützenden Leiste

|ϊ' 34 ist entsprechend geringer und liegt in der Größenordnung von

etwa 1/4 der Stärke des zu behandelnden Plättchens. Das Halbleiterplättchen wird jeweils so in die halternde Aussparung eingepasst, daß es die in Fig. 2 dargestellte symmetrische Laga einnimmt, was für die Wärmeübergangsverhältnisse zwischen Träger und gehaltertem Plättchen bedeutsam ist. Wie aus der Fig. 3 zu ersehen, ist der Abstand zwischen der unteren Fläche des gehalterten Plättchens und der Bodenfläche der Aussparung ziemlich gering und fast die gesamte Oberfläche des Plättchens wird daher durch Strahlung von der Bodenfläche 36 der Aussparung aufgeheizt. Gleichzeitig befindet sich die unterstützende ringförmige Leiste auf einer verhältnismässig gleichförmigen, durch die verhältnismässig große Masse des Graphitträgers 12 stabilisierten Temperatur. Infolge der be-

W schriebenen Anordnung wird jeder asymmetrische Wärmemengenverlust des Plättchens durch eine gleichförmige Wärmezufuhr an den peripheren Stellen des Plättchens vermieden, über die unterstützende Leiste 34 ist eine zusätzliche Ausmittelung der Temperaturwerte über die gesamte Oberfläche der zu behandelnden Plättchen hinweg gegeben, so daß bei der Anordnung nach der Lehre der vorliegenden Erfindung eine gleichförmigere Temperaturverteilung erzielt wird, als das bei bisher benutzten halternden Trägern für Halbleiterplättchen der Fall war. Temperaturdifferenzen zwischen benachbarten Punkten innerhalb der kristallinen Halbleiterplättchen werden so im wesentlichen vermieden. Infolgedessen sind die dünnen, auf der Oberfläche der zu behandelnden Plättchen abgeschiedenen Schichten weniger stark Beanspruchungen während des Aufheizens oder während des Abkühlens der Plättchen auf normale Umgebungstemperatur unterworfen.

009823/1661
Docket FI 968 O2o

_ 9 —

Die Fign. 4 und 5 zeigen graphische Darstellungen der Temperatur-Verteilungen, welche an herkömmlichen Halterungsvorrbhtungen für kristalline Halbleiterplättchen gemessen wurden, bei denen keine besondere Maßnahmen zum Temperautrausgleich vorgesehen sind. Außerdem sind in den Figuren Vergleichsmessungen für die entsprechende Temperaturverteilung gezeigt, die bei Halterungen nach der Lehre der vorliegenden Erfindung gemessen wurden.Der Unterschied dieser Temperaturverteilungen ist typisch und besonders in der Gegend der Peripherie der Plättchen bemerkenswert. Wie aus der Fig. 4 ersichtlich, zeigt der an einer gewöhnlichen bisher in der Halbleitertechnik üblichen Halterung für Halbleiterplättchen gemessene Kurvenverlauf 40 ein ziemlich stark ausgeprägtes Maximum, von dem aus die Temperaturen nach beiden Seiten, d.h. vom Zentrum des Plättchen zur Peripherie hin, einen ziemlich starken Abfall aufweisen.

Andererseits zeigt die Kurve 50, gemessen an einer isothermen Halterung für Halbleiterplättchen nach der Lehre der vorliegenden Erfindung, eine sehr viel gleichförmiger verlaufende Temperaturverteilung über den Durchmesser des Plättchens hinweg, wobei die Temperaturdifferenzen im Vergleich zur Kurve 40 besonders an den peripheren Stellen stark voneinander abweichen.

Die in Fig. 4 gezeigten Messungen wurden bei einer Anordnung durchgeführt, bei der die Plättchenträger bezüglich der Heizzone zentrisch innerhalb der Reaktionskammer einjustiert waren, um so eine besonders symmetrische Temperaturverteilung zu erzielen. Fig. 5 zeigt dahingegen zwei entsprechende Kurven, die bei einem weiteren Versuch gemessen wurden, bei dem der Träger mit den Halbleiterplättchen willkürlich, d.h. also ohne zusätzliche Zentriermaßnahmen in die Reaktionskammer eingesetzt wurden. Die Kurve 60 zeigt hier bei Messwerte, die mit in herkömmlicher Weise gehalterten Halbleiterplättchen gewonnen wurden. Die Kurve zeigt ein ähnlich ausgeprägtes Maximum mit starkem Abfall nach den peripheren Seiten zu, wie dies für die Kurve 40 der Fall ist. Die Kurve 70 verläuft

Docket FI 968 020 0 0 9 8 2 3/1661

ähnlich wie das für die Kurve 50 in der Fig. 4 der Fall ist, was der hier ebenfalls vorliegenden isothermen Halterung des Plättchens nach der Lehre der vorliegenden Erfindung zuzuschreiben ist. Die in Fign. 4 und 5 gezeigten Kurven sind bezüglich de Höchstwertes aller gemessener Werte normiert. Normalerweise besitzen die kristallinen Plättchen 25 einen verhältnismäßig kleinen Durchmesser und eine ziemlich geringe Stärke. In manchen Fällen ist es jedoch wünschenswert, die Lehre der vorliegenden Erfindung auch auf Halbleiterplättchen mit größeren Abmessungen anzuwenden. Wird der Durchmesser der Plättchen vergrößert, so ist naturgemäß durch die stattfindende Erhitzung die Möglichkeit einer Ausdehnung und einer gewissen Absenkung im zentralen Bereich des Plättchens gegeben. Die in Fig.' 6 gezeigte Modifikation der Ausbildung der Trägeraussparung zeigt, wie einer derartigen Absenkung des zentralen Bereiches des Plättchens mittels eines zusätzlich vorgesehenen zentralen ünterstutzungspunkt 38 abgeholfen werden kann. Hierdurch wird auch bei Erhitzung des Plättchens ein Absenken seines zentralen Bereiches vermieden und im wesentlichen die oben beschriebenen Resultate sichergestellt. Im folgenden seien die Vorteile eines nach der Lehre der vorliegenden Erfindung ausgebildeten halternden Trägers für die zu behandelnden Halbleiterplättchen zusammengefasst:

1. Die zu behandelnden Halbleiterplättchen werden in erster Linie durch Wärmezufuhr mittels Strahlung vom Träger aufgeheizt, wodurch eine ungfeLche Aufheizung durch unterschiedlichen Wärmeübergang, hervorgerufen durch unterschiedlichen Wärmekontakt zwischen Plättchen und Unterlage vermieden wird;

2. Eine gleichförmigere Temperaturverteilung über das Halbleiterplättchen hinweg infolge der Aufheizung durch Wärmestrahlung für den überwiegenden Flächenbereich der Plättchen und durch Aufheizung,nur geringer peripherer Bereiche,

DooKet PI 968 020 009823/1661

durch Wärmeleitung und durch Strahlung;

3. Die gleichmäßigere Aufheizung der als Substrat dienenden Halbleiterplättchen bewirkt ein gleichförmigeres Wachsen

der auf dem Plättchen abzuscheideiien Schichten. Umgekehrt erfolgt auch bei Dampfätzungen eine gleichförmigere Abtragung des Siliziummaterials;

4. Eine Herabsetzung oder Vermeidung eines Massentransportes

vom Träger zum Halbleiterplättchen auf der Kontaktseite. , Die Rückseiten der behandelten Halbleiterplättchen fallen glatter aus, da die sonst bei ganzflächiger Unterstützung an bestimmten Auflagestellen bevorzugt wachsende Siliziumstellen durch die klein gehaltene Auflagefläche (Unterstützung nur an den peripheren Stellen) ebenfalls stark reduziert werden.

Zusammenfassend kann gesagt werden, daß die im allgemeinen kreisförmigen Halbleiterplättchen im wesentlichen an ihren peripheren Stellen auf dem Träger aus Graphit gehaltert werden. Der Träger bzw. das Schiffchen erstreckt sich innerhalb des Reaktionsgefäßes im wesentlichen in querverlaufender Erstreckung etwa in dessen Mittelebene. Unter dieser Bedingung erhält man durch die hochfrequente Heizung mit Hilfe der Spulen 14 eine maximale Heizwirkung in der Gegend der Wände des Reaktionsgefäßes. Gleichzeitig ist aber der zentrale Bereich der Halbleiterplättchen weiter von diesen maximal beheizten Bereichen entfernt, wodurch der induktive Heizeffekt im wesentlichen nach einer Sinusfunktion an dieser Stelle reduziert erscheint. Diese Reduktion wird wirksam dadurch kompensiert, daß eine Wärmeleitung sowohl durch die Halterung selbst als auch durch die zu behandelnden Plättchen hindurch erfolgt. Dieser Ausgleicheffekt trägt wesentlich zur gewünschten isothermen Temperaturverteilung über das gesamte Halbleiterplättchen bei.

Docket FI 968 020 009823/1661

Claims

PATENTANSPRÜCHE

^rl. Halterungsvorrichtung aus Graphit zur Erzeugung isothermer Temperaturverteilungen auf mittels Hochfrequenzenergie erhitzen, epitaktischen Prozessen zu unterwerfenden Halbleiterplättchen mit einer Masse, die wesentlich größer als die der zu behandelnden Halbleiterplättchen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Halterung der Plättchen innerhalb kreiszylindrischer Aussparungen (30) im Graphitblock so erfolgt, daß diese Plättchen lediglich in peripheren Bereichen durch ringförmige Leisten (34) unterstützt werden, derart, daß die Aufheizung der Halbleiterplättchen überwiegend durch Wärmestrahlung zwischen Boden- und Wandflächen der Aussparungen (3o) und der Halbleiterplätbchen erfolgt.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die kreiszylindrischen Aussparungen (30) einen Durchmesser

k D + 0,12 cm und eine Höhe von etwa 3/4 S und die ringförmigen Leisten einen inneren Durchmesser von D - 0,12 cm bei einer -Höhe von etwa 1/4 S besitzen, wenn D den Durchmesser und S die Stärke der zu behandelnden Halbleiterplättchen bedeuten.
3. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl die Halbleiterplättchen bezüglich der Aussparungen als auch die Halterungsvorrichtung selbst bezüglich des aufheizenden hochfrequenten Feldes zentriert eingepasst werden.
4. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß für Halbleiterplättchen mit größerem Durchmesser ein Sützpunkt 38 zur Vermeidung der Absenkung des zentralen Bereiches der Plättchen vorgesehen ist.

Docket FI 968 020 009823/1661