DE1923265B2 - Verfahren zum herstellen eines feldeffekttransistors mit isolierter steuerelektrode - Google Patents
Verfahren zum herstellen eines feldeffekttransistors mit isolierter steuerelektrodeInfo
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Description
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1 2
Hch darauf zurückzuführen, daß bei dem Temperpro-
.· u 7eß in einer Sauerstoffatmosphiire Sauerstoff durch
Patentansprüche: «ß ,£ «J™ g !lindurch in den Siliziumkörper ge-
1. Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekt- langt und an der J^1™ «jgJSSÄÄ
transistors mit isolierter Steuerelektrode, dessen 5 sch.cht und dem Silizium eine ?'|1ZJOX J™
Halbleiterkörper aus Silizium besteht, bei dem erzeugt, die yerhmdert, d^ in ^n^roiiierbarer
auf den Halbleiterkörper eine s^erstoffdurcblfis- We.se unervyunse}% OJÄ^ÄJ" w*!
sige, nicht aus einem Siliziumoxyd bestehende übergangssch.cht Ts£a*r;"^
Isolierschicht für die Steuerelektrode aufgebracht den. Die du·· J d« Tempern unte^ Isoιrech ht
wird, dadurch gekennzeichnet, daß der » entstehende SiO.-Schcht hat g«^™™™1^
Halbleiterkörper nach dem Aufbringen dieser E.genschaften We d, SUD2-Grenzs dacht, tob*
LmSÄ a emer SaUerStOffalmOSphare ße- Sch Tvln^l einer Isolierschicht mit mög-
teT vÄn nach Anspnich 1, dadurch ge- liehst hoher ^f^^^^f^
kennzeichnet, daß das Tempern bei einer Tempe- i5 eine Reduzierung des Kanalwiderstandes des Irans!
ratur zwischen 700 und 1000° C erfolgt. stors erzielt. vn„no*«it-i<* so eewMhlt
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, da- Die Isolierschicht wird^g^ij!*^
durch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht für daß sie eine möglichst hohe D ele-^f ™«ante
die Steuerelektrode derart gewählt wird, daß sie besitzt Als Material fur die ^erschich ^n-;.h
eine mögfichst große Dielektrizitätskonstante be- 20 beispielsweise Titandioxyd (TiO2), Nobpcnto d
sitzt (Nb.,O5), Tantalpentoxyd (Ta2O5) und Zirkondumd
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, (ZrO2). p:n„m a„
dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausaus
Titandioxyd (HO.), Niobpentoxyd (Nb0O5), führungsbeispiel naher erläutert.
Tantalpentoxyd (Ta,O5> oder Zirkondioxyd 25 Die F i g. 1 zeigt einen,Feldeffekttransistor deraus (ZrO ) besteht. " einem Halbleiterkörper 1 aus Süizium mtener ,so-1 -; !jenen Steuerelektrode sowie der Quellelektrode 2
Tantalpentoxyd (Ta,O5> oder Zirkondioxyd 25 Die F i g. 1 zeigt einen,Feldeffekttransistor deraus (ZrO ) besteht. " einem Halbleiterkörper 1 aus Süizium mtener ,so-1 -; !jenen Steuerelektrode sowie der Quellelektrode 2
und der Zugelektrcde 3 besteht. Zur Herstellung der
isolierten Steuerelektrode wird auf den Halbleiterkör-
30 per 1 eine Isolierschicht 4 aufgebracht, deren Material
nach der Erfindung eine möglichst hohe Dielek-
Dic Erfindung betriff, ein Verfahren zum Herstel- trizitätskonstante wie z.B.TiO2, Nb2O5^Ta2O5, ZrH2
len eines Feldeffekttransistors mit isolierter Steuer- aufweist, das Aufbringen der Isolierschicht 4 erfolgt
elektrode, dessen Halbleiterkörper aus Silizium be- beispielsweise durch Hydrolyse der Metallhalogenide,
steht, bei dem auf den Halbleiterkörper eine sauer- 35 Auf die Isolierschicht 4 wird schließlich noch die
stoffdurchlässige, nicht aus einem Siliziumoxyd beste- Steuerelektrode 5 aufgebracht, und zwar beispicls-
hende Isolierschicht für die Steuerelektrode aufge- weise durch Aufdampfen von Al, Au oder Ft im Va-
brachtwird. kuum. „ ... · , ·■
Durch die Literaturstelle »SCP and Solid State Gemäß der Erfindung w.rd der Halbleiterkörper
Technology«. Mai 1967, Seiten 36 bis 41, i&· ein 40 nach dem Aufbringen der Isolierschicht 4, und zwar
Transistor mit isolierter Steuerelektrode bekannt, bei vor oder nach der Herstellung der Steuerelektrode 5,
dem die Isolierschicht zwischen dem Halbleiterkör- in einer Sauerstoffatmosphäre getempert. Das Temper
und der Steuerelektrode aus Titandioxyd besteht. pern erfolgt beispielsweise bei einer Temperatur zwi-
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein sehen 700 und 1000 C. Durch den Temperpro7eß in
Verfahren anzugeben, mit dessen Hilfe die Eigen- 45 einer Sauerstoffatmosphäre wird verhindert, daß in
schäften an der Grenzfläche zwischen dem Isolierma- die Übergangsschicht zwischen der Isolierschicht 4
terial und dem Silizium reproduzierbar einstellbar und dem Siliziumkörper 1 störende Obcrflachenzu-
sind. Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Ver- stände eingebaut werden, und zwar auf Grund der bei
fahren der eingangs erwähnten Art nach der Erfin- dem Temperprozeß gemäß der F i g. 2 entstehenden
dung vorgeschlagen, daß der Halbleiterkörper nach 50 Siliziumdioxydschicht 6. Ein solcher Temperprozeß
dem Aufbringen dieser Isolierschicht in einer Sauer- in einer Sauerstoffatmosphäre ist wichtig bei allen
Stoffatmosphäre getempert wird. Transistoren mit isolierter Steuerelektrode, deren Iso-
Der wesentliche Vorteil der Erfindung ist vermut- lierschicht nicht aus einem Siliziumdioxyd besteht.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19691923265 DE1923265B2 (de) | 1969-05-07 | 1969-05-07 | Verfahren zum herstellen eines feldeffekttransistors mit isolierter steuerelektrode |
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| US32156A US3690945A (en) | 1969-05-07 | 1970-04-27 | Method of producing a transistor with an insulated control electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19691923265 DE1923265B2 (de) | 1969-05-07 | 1969-05-07 | Verfahren zum herstellen eines feldeffekttransistors mit isolierter steuerelektrode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1923265A1 DE1923265A1 (de) | 1970-12-17 |
| DE1923265B2 true DE1923265B2 (de) | 1972-06-22 |
Family
ID=5733477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19691923265 Granted DE1923265B2 (de) | 1969-05-07 | 1969-05-07 | Verfahren zum herstellen eines feldeffekttransistors mit isolierter steuerelektrode |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3690945A (de) |
| DE (1) | DE1923265B2 (de) |
| GB (1) | GB1269188A (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2654689A1 (de) * | 1975-12-03 | 1977-06-16 | Tokyo Shibaura Electric Co | Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung |
| EP0051940A1 (de) * | 1980-11-06 | 1982-05-19 | National Research Development Corporation | Wärmebehandlungsverfahren von Dünnfilm-Halbleiterbauelementen und dadurch hergestellte Bauelemente |
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1969
- 1969-05-07 DE DE19691923265 patent/DE1923265B2/de active Granted
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1970
- 1970-04-16 GB GB08095/70A patent/GB1269188A/en not_active Expired
- 1970-04-27 US US32156A patent/US3690945A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1269188A (en) | 1972-04-06 |
| US3690945A (en) | 1972-09-12 |
| DE1923265A1 (de) | 1970-12-17 |
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