DE1915756A1 - Verfahren zur Herstellung dimensionsgenauer Dickfilmstrukturen auf Substraten und nach diesem hergestellte integrierte oder gedruckte elektrische Schaltungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung dimensionsgenauer Dickfilmstrukturen auf Substraten und nach diesem hergestellte integrierte oder gedruckte elektrische SchaltungenInfo
- Publication number
- DE1915756A1 DE1915756A1 DE19691915756 DE1915756A DE1915756A1 DE 1915756 A1 DE1915756 A1 DE 1915756A1 DE 19691915756 DE19691915756 DE 19691915756 DE 1915756 A DE1915756 A DE 1915756A DE 1915756 A1 DE1915756 A1 DE 1915756A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- thick film
- recesses
- film preparation
- photopolymer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1258—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by using a substrate provided with a shape pattern, e.g. grooves, banks, resist pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/702—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof
- H01L21/705—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof of thick-film circuits or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0562—Details of resist
- H05K2203/0568—Resist used for applying paste, ink or powder
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung dimensionsgenauer Dickfilmstrukturen auf Substraten und nach diesem horgestellte integrierte oder gedruckte, elcktrische Schaltungen flie Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung dimensionsgenauer Dickfilmstrukturen auf Substraten, insbesondere zur Herstellung integrierter, elektrischer Schaltungen sowie nach diesem Verfahren hergestellte integrierte oder gedruckte elektrische Schaltungen.
- tntegrierte elektrische Schaltungen bestehen aus einem Substrat, das Leitungszüge, Widerstnnds- und Kondensatorschichten oder andere Schaltungsteile trägt. Zur Herstellung derartiger Schaltungen wurden bisher Dickfilmstrukturen mittels Siebdruck auf das Substrat aufgebracht. Die Anwendbarkeit des Siebdruckverfahrens ist jedoch dadurch eingeengt, daß Strukturen nur bis zu einer Breite von etwa 80 /um realisierbar sind, daß eine ungenügende Kantenschärfe erzielbar ist und daß eine Schichtdicke von höchstens etwa 30 µm erreichbar ist. Sind dickere Schichten erwünscht, müssen die Strukturen in einem zweiten Arbeitsgang überaruckt werden, wobei sie an Genauigkeit verlieren.
- Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung von Dickfilmstrukturen auf Substraten anzugeben, das die nachteile des bekannten Verfahrens vermeidet, sowie integrierte oder gedruckte olektrische Schaltungen nach diesem Verfahren zu realisieren.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß auf das Substrat ein Fotopolymer aufgebracht wird, daß das Fotopoiyiner nach einem der bekannten fotolithogra.-phischen Verfahren mit einer Struktur von Aussparungen versehen wird, daß in diese Aussparungen ein Dickfilmpräparat eingebracht wird, und daß das Dickfilmpräparat eingebrannt wird.
- Vorteilhaft ist es dabei, wenn ein Keramiksubstrat verwendet wird.
- Vorteilhaft ist es, wenn auf das Substrat ein Fotopolymer in Filmfor in wenigstens einer Lage auflaminiert R d, wobei die einzelnen Lagen unterschiedliche Schichtdicken aufweisen können. Derartige Filme werden unter dem Namen Riston von der Firma Dupont in Schichtdicken bis 60 1um angeboten.
- Vorteilhaft ist es, wenn das Dickfilmpräparat mit einer Gummirakel eingestrichen wird. Es können auch andere Techniken, wie Tauchen, Spritzen oder Pinseln, angewendet werden. Als Dickfilmpräparat können isolierende Glas- oder Keramikpasten sowie leitende Pasten zur Ausbildung von Beiter- oder Widerstandsschichten Anwendung finden.
- besonders vorteilhaft ist es, wenn das Verfahren zur Herstellung mehrerer Dickfilmschichten auf einem Substrat wiederholt Wird.
- Vorteilhaft ist es dabei, wenn zum Ausgleich von Höhenunterschieden in die Aussparungen zwischen leitenden Schicht ten ein isolierendes Dickfilmpräparat eingestrichen und anschließend eingebrannt wird.
- Daß erfindungsgemäße Yerfahren läßt sich in besonders vorteilhafter Weise boi der Herstellung integrierter oder gedruckt er elektrischer Schaltungen mit Leitungsverbindungen und/oder elektrischen Schaltelementen oder Teilen derselben anwenden.
- Anhand eines Ausführungsbeispieles wird das erfindungsgemäße Verfahren nachstehend näher erläutert.
- Fig. 1a zeigt als Substrat 1 eine im Querschnitt dargestellte Keramikplatte. Auf diese Keramikplattc 1 wird ein 60 um dicker Film 2 aus Riston der Firma Dupont auflaminiert (Fig. 1b). Anschlieend wird der Fotopolymer 2 über eine nicht dargestellte Muttcrmaskc vorgegebener Struktur belichtet und danach entwickelt, wobei nach Auswaschen der nicht gehärteten Fotopolymerbereiche die Berciche 2' zurUckbleiben, wie dies in Fig. 1c dargestcllt ist. In die Aussparungen der Fotopolymerbereiche 2' wird mit einer Gummirakel ein Dickfilmpräparat 3, wie Platin-Goldpaste 8048 der Firma Dupont, eingestrichen (Fig. Id). Dic Dickenbegrenzung der Schicht 3 ist dabei lediglich durch die Filmdicke des Potopolymers 2' gegeben. Nach dem Aufbringen der Dickfilmstruktur 3 verbleibt das Fotopolymer 2' auf dem Substrat 1 nicht nur bis zum Trocknen der Schicht 5, sondorn bis zu einem bestimmten Moment des Sinbrennvorganges.
- Wie Versuche gezeigt haben, verbrennt das Fotopolymer 2' rückstandslos bei etwa der Temperatur, bei der die Sinterung der Struktur 3 gerade beginnt (Fig. 1c). Durch diese Eigenschaft ist eine hohe Dimensionsstabilität der Struktur <*geben.
- Beta Einbrennen ist das Substrat im Ofen derart gehaltert, daß der Fotopolymer mit der Struktur nach unten zeigt.
- Eventuelle Rückstände des Dickfilmpräparates auf der Fotopolymerschicht gelangen auf diese Weise beim Qbbrennen des Fotopolymers 2' nicht auf das Substrat 1.
- Gegenüber der Siebdrucktechnik läßt sich mit dem erfindungsgemäßen Verfahren eine höhere Kantenschärfc, eine dickere Filmschicht aus DickfilmprÄparat und eine größere Auflösung erreichen.
- Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer integrierten Schaltung, bei der auf einer Keramikplatte 1 Leitungszüge 3 nach dem erfindungsgemäßen Verfahren aufgebracht sind. Diese dienen zum Anschluß eincs Transistors 4 und eines Kondensators 5, deren Anschlußkontakte auf die Leitungszüge 3 aufgelötet sind.
- Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren kann, wie Fig. 3 zeigt, eine integrierte Schaltung auch in der Weise aufgebaut werden daß nach der Herstellung der Leitungszüge 3 (Fig. 3a), wie sie anhand der Fig. 1 erläutert wurde, in die Aussparungen eine Keramikpaste 6 eingestrichen und eingebrannt wird (Fig. 3b). Anschließend wird ein Fotopolymerfilm 21 aufgetragen (Fig. 3c), in den entsprechend dem anhand der Fig. 1 beschriebenen Verfahren Aussparungen eingebracht verden, so daß nur Fotopolymerfilmbereiche 21' verbleiben (Fig. 3d). In diese Äussparungen wird eine Widerstandspaste 7 eingestrichen (Fig. 3e), so daß nach dem erneuten Einbrennen eine Konfiguration nach Fig. 3f vcrbleibt.
- Sind die leitendenSchichten nicht zu stark, so erübrigt sich die Einfügung von isolierenden Schichten zum Höhenausgleich. Diese isolierenden Schichten können bei anderen Ausführungsboispielen auch zur elektrischen Isolierung übereinandcrliegender leitender Schichten dienen.
- 9 Patentansprüche 3 Figuren
Claims (9)
- P a t e n t a n s p r ü c h e 1. Verfahren zur Herstellung dimensionsgenauer Dickfilmstrukturen auf Substraten, insbesondere zur Hcrstcllung integrierter elektrischer Schaltungen, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß auf das Substrat ein Fotopolymer aufgebracht wird, daß der Fotopolymer nach einem der bekannten iotolithographisehen Verfahren mit einer Struktur von Aussparungen versehen wird, daß in diese Aussparungen ein Dickfilmpräparat eingebracht wird, und daß das Dickfilmpräparat eingebrannt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, das u r csh- g e k e n n -z e i c h n e t , daß ein Keramiksubstrat verwendet wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n c t , daß ein Potopolymer in Filmform in wenigstens einer Lagc auflaminiert wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß eine Gesamtfilmstärke größer als 100 /um verwendet wird.
- 5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Dickfilmpräparat mit einer Gummirakel in die Aussparungen eingestrichen wird.
- 6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 5, d a d u-r c h g c -k e n n z e i c h n e t , daß als Diokfilmpräparat eine isolierende Glas- oder Keramikpaste oder. eine leitende Paste zur Bildung von Leiter- oder Widerstandsschichten verwendet wird.
- 7. Verfahren hach einem der vorhergehenden Ansprüche, da d u r c h g e k e n n z c i c h n c t , daß das Verfahren zur Herstellung mehrerer Dickfilmschichten auf einem Substrat wiederholt wird.
- 8. Verfahren nach Anspruch 7, d a d u r c h g.e k e n n -z e i c h n e t , daß zum Ausgleich von Höhenunterschieden in die Aussparungen zwischen leitenden Schichten ein isolierendes Dickfilmpräparat eingcstrichen und anschließend eingebrannt wird.
- 9. Integrierte oder gedruckte elektrischc Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g c -k e n n z e i c h n e t , daß die Leitungsverbindungen und/oder elektrischen Schaltelemente oder Teile derselben nach dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8 hergestellt sind.L e e r s e i t e
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19691915756 DE1915756C3 (de) | 1969-03-27 | Verfahren zur Herstellung dimensionsgenauer Dickfilmstrukturen auf Substraten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19691915756 DE1915756C3 (de) | 1969-03-27 | Verfahren zur Herstellung dimensionsgenauer Dickfilmstrukturen auf Substraten |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1915756A1 true DE1915756A1 (de) | 1970-10-01 |
DE1915756B2 DE1915756B2 (de) | 1975-06-19 |
DE1915756C3 DE1915756C3 (de) | 1976-04-08 |
Family
ID=
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0021833A1 (de) * | 1979-06-26 | 1981-01-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Verfahren zur Herstellung eines thermischen Druckkopfes |
EP0037988A1 (de) * | 1980-04-11 | 1981-10-21 | Braun Aktiengesellschaft | Verfahren zur Aufbringung von elektrisch leitenden Bahnen auf einen Träger aus Isolierstoff |
EP0464224A1 (de) * | 1990-01-25 | 1992-01-08 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Verfahren und material zum bilden von texturierten dicken filmartigen mustern |
US5465937A (en) * | 1993-05-21 | 1995-11-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Fluid pressure control device |
DE102004016205A1 (de) * | 2004-03-30 | 2005-10-27 | Sefar Ag | Leiterplatte sowie Verfahren zum Herstellen einer solchen |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0021833A1 (de) * | 1979-06-26 | 1981-01-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Verfahren zur Herstellung eines thermischen Druckkopfes |
EP0037988A1 (de) * | 1980-04-11 | 1981-10-21 | Braun Aktiengesellschaft | Verfahren zur Aufbringung von elektrisch leitenden Bahnen auf einen Träger aus Isolierstoff |
EP0464224A1 (de) * | 1990-01-25 | 1992-01-08 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Verfahren und material zum bilden von texturierten dicken filmartigen mustern |
EP0464224A4 (en) * | 1990-01-25 | 1993-03-17 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Method of and material for forming thick filmy pattern |
US5580511A (en) * | 1990-01-25 | 1996-12-03 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Method of forming thick film pattern and material for forming thick film pattern |
US5814267A (en) * | 1990-01-25 | 1998-09-29 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Method of forming thick film pattern and material for forming thick film pattern |
US6113836A (en) * | 1990-01-25 | 2000-09-05 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Method of forming thick film pattern and material for forming thick film pattern |
US5465937A (en) * | 1993-05-21 | 1995-11-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Fluid pressure control device |
DE102004016205A1 (de) * | 2004-03-30 | 2005-10-27 | Sefar Ag | Leiterplatte sowie Verfahren zum Herstellen einer solchen |
DE102004016205B4 (de) * | 2004-03-30 | 2008-02-21 | Sefar Ag | Multilayer-Leiterplatte sowie Verfahren zum Herstellen einer solchen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1915756B2 (de) | 1975-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1817434B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Leitungsanordnung | |
DE3433251A1 (de) | Verfahren zur herstellung von galvanischen lotschichten auf anorganischen substraten | |
DE1765164A1 (de) | Verfahren zur Bindung von Stromleitern | |
DE3013667A1 (de) | Leiterplatte und verfahren zu deren herstellung | |
EP0234487B1 (de) | Dünnschichtschaltung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE3929789C2 (de) | Schaltkreissubstrat für Dickfilmschaltung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE1589076B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen | |
DE2251829A1 (de) | Verfahren zur herstellung metallisierter platten | |
DE2146328A1 (de) | Leiterplatte | |
DE2020531C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Höchstfrequenz-Planartransistoren | |
DE1915756A1 (de) | Verfahren zur Herstellung dimensionsgenauer Dickfilmstrukturen auf Substraten und nach diesem hergestellte integrierte oder gedruckte elektrische Schaltungen | |
DE1915756C3 (de) | Verfahren zur Herstellung dimensionsgenauer Dickfilmstrukturen auf Substraten | |
DE19625386A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte | |
DE2553763A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer elektronischen schaltung | |
DE2351664B2 (de) | Verfahren zum elektrolytischen Ätzen einer Dünnschicht aus Gold, Platin und/oder Rhodium | |
DE2301277A1 (de) | Verfahren zum herstellen mehrschichtiger verbindungskonstruktionen, z.b. fuer integrierte halbleiterschaltkreise | |
DE2513859C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Kondensator-Widerstands-Netzwerks | |
DE1791233B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Funktionsblocks,insbesondere fuer datenverarbeitende Anlagen | |
DE2526553C3 (de) | Mehrlagige elektronische Schichtschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1665395B1 (de) | Verfahren zur herstellung gedruckter leiterplatten | |
DE19780905C2 (de) | Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE10317596A1 (de) | Verfahren zur Erzeugung von Lotkugeln auf einem elektrischen Bauelement | |
DE2835017A1 (de) | Verfahren zur herstellung von ueberspannungsableitern | |
DE1665248A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Traegers fuer miniaturisierte elektrische Schaltungen bzw. einer miniaturisierten elektrischen Schaltung mit einem derartigen Traeger | |
DE3524832A1 (de) | Herstellung von duennfilmschaltungen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |