DE1696084C - Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit Hilfe selektiver elektrolytischer Ätzung - Google Patents

Description

fläche bekommen kann, wodurch vei ^

des Elektrolytvorganges völlig ™^m°™ _{swdse aus} Elektrolyt besteht in diesem baue: ν s _sich

einer Fluor-Ionen enthaltenden Lösung

b dß ^ndere mit <Leser ^

wird die Halbleiterscheibe mit der Seite der Zone auf eine Unterstützungsfläche gelegt, die mit der Schleiffläche einen geringen Schleifwinkel bildet. In

dieser Unterstützungsfläche sind vorzugsweise Off- einer Fluor-Ionen enthalten

nungen vorgesehen, durch die die Halbleiterscheibe ₅ ergeben, daß '"f^ondere mit <Leser

auf der Unterstützungsfläche festgesogen wird. Da- passivierende Schicht aul-°"

bei wird der VorteU erreicht, daß die Scheibe infolge Z hchohmige

der Saugkraft wieder flachgezogen werden kann,

falls sie^B. durch vorhergehende Behandlungen etwas krummgezogen ist

Gemäß einer anderen Weiterbildung der Erfindung wird die verlaufende Dicke mit Hilfe eines Ätz-Vorganges erzeugt, bei dem die Behandlung an den

am weitesten vom Anschluß liegenden Stellen langer grundmaterial vorzugsweise epitaxial au e durchgeführt wird als an den näher zum Anschluß _1S Halbleitergrundmatenal aufgebracht wt. liegenden Stellen. Dazu wird vorzugsweise der schräg z. B. bereits vorgeschlagen eine Zone au zu ätzende plattenförmige Körper mit obenliegendem sulfid epitaxial auf eine ™J« Germanium-Anschluß vertikal unter vertikalen Bewegungen, mit Germanium aufzubringen,^raur α _Ätzvorgang von unten nach oben abnehmender Ätzdauer, teil- substrat durch einen ^f^Sn kann dem weise eingetaucht. Statt einer einmaligen allmäh- ₂₀ entfernt wird Auch >ⁿ J°™*ⁿJ_{h der} Erfindung üchen Senkung in den Elektrolyten kann die Platte Substrat gemäß dem Verfahren nacnaer auch nach dem Eintauchen allmählich aus dem eine verlaufende Dicke gegeben wcra

D Efi dd™Hände nige

passivierende Schicht aul-°" einleitendem Zone aus hochohmigem n-iyp ouci g Silicium erhalten werden ^ka?"·

Die Erfindung .st ^f^^^ und eine Zone aus gleichem Ha «g^ beschrankt, sondern ist auch bei <f^mf?,_bldtera einer Zone aus verschiedenen Ha b^terg materialien verwendbar, z. B.wodh grundmaterial vorzugsweise epitaxial au ein a Halbleitergrundmatenal aufgebracht wt.

auf-

Fig ^^^ΐϊ^νϊ. Halb-

emanderfolgende .^en der »e^ J ^

leitennseln auf einem Träger, ausgeuc

Halbleiterscheibe; senkrechtem Schnitt

F. g4 zeigt schemaüs* η senkr _dner

eine Vorrichtung zum elekiroiynsuici.

Halbleiterscheibe;

F i g. 5, 7 8 und 9 zeigen

Stadien der Herstellung von ££

^f^'^D'^eü^l ^' _teil-

F. g. Sctat« aus

auch nach dem Eintauchen allmählich as ne ve

Elektrolyten hochgezogen werden. Auch kann man Die Erfi ndungwird

beide Bearbeitungen abwechselnd durchführen, z.B. nungen dargestellter

nach einer periodischen Bewegung, so daß die Ge- ₂₅ läutert. Es zeigen

schwindigkeit des Eintauchens und des Herauf- Fig. 1 Ws

Ziehens weniger kritisch ist und die Periodizität des

Eintauchens und des Heraufziehens die Dicke-

änderung bedingt. Ist einmal das gewünscht* Stärke-

profil erreicht, so wird mit untergetauchter Halb-

leiterplatte samt Anschluß weitergeätzt, wobei der

Elektrolyt die Zone zuerst an den am weitesten vom Anschluß liegenden Stellen erreicht.

Man kann vor der eigentlichen Entfernung des Stadien der Herstg

Substratnnterials durch den elektrolytischen Ätz- _{35 aus} einem ^scheibe"^formiS^en

vorgang das oben beschriebene Tauchverfahren zur Fig. 6 zeigt, te. weis e:in

ErzTelung eines sich ändernden Stärkeprofils auch m ht n

einem anderen Bad durchführen als das Elektrolyt-

bad, das zum endgültigen Entfernen des Substrats

verwendet wird. Dieses andere Bad kann im Prinzip ebenfalls ein chemisches Ätzbad sein. .

Die vorliegende Erfindung umfaßt auch die

Bildung von getrennten Zonenteilen ζ B. dadurch

daß in der betreffenden Zone zuvor Nuten geb.ldet

werden. Auch können in dieser Zone dadurch Trenn-

kanäle gebildet werden, daß an den Stellen de Trennkanäle eine Verunreinigung über die Tiefe der

Zone eindiffundiert wird, so daß in dieser eigenleitenden oder hochohmigen η-leitenden Zone über die Tiefe der Zone Bereiche des p-Typs bzw. niederohmigen η-Typs gebildet werden, die beim elektrolyrischen Ätzvorgang in Lösung gehen. Der Azvorgang, insbesondere in der zweiten Phase, erfolgt vorzugsweise unter Vermeidung von Strahlung, die photoleitende Effekte im Material der Zone erzeugen kann, z. B. im Dunkeln. Wie oben erwähnt, besteht das zu verbleibende Zonematerial vorzugsweise aus einem eigenleitenden oder hochohmigen η-Typ-Material, während das weggeätzte Substratmatena vorzugsweise aus einem p-Typ oder, wie in der 60 besteht. deutschen Offenlegungsschrift 1 6% 092 beschrieben egeben wcra

Hände nige ^

Dcibpi

Korpers.

45 M^tenals

dieses weiter Fig. 6 zg,
weise in Seitenansicht,
gen Abschleifen eines schei

Beispiel 1

Schnitt durch eine _n Typ-Silicium mit

he Widerstand des n-Typf beträgt 0,007 Ohmcm. Der ^fiiinigen Einkristall aus senkrecht zur Längsrichtung _{f die} oberfläche ^^ _abgeschUffen

_{rf der Kö in übUcher}

*™S%obe\ eine Seite mit Aluminiumvorbehandelt wod _und ^

S? Wasserstoff gemischtem HCl ge-SS S bei der zuletzt genannten

noo⁰ C erhitzt.

^_{3n sic}h bekannter Weise auf

_s ⁿ _chicht 2 epitaxial aufgebracht, Wu P _{n siHdum}

o« _{vQn Q5 ohmcm}

^ Schicht 2 kann z.B. dadurch j Gasgemisch von Siliciumff dem etwas Antimon-

durch
KnstaU
bis zuf

rührung mit dem Elektrolyten eine passivierte Ober- fortgesetzt,

halten wird. Durch Oxydation in feuchtem Sauerstoff bei einer Temperatur von 1100° C wird anschließend eine Siliciumoxidhaut 4 gebildet, in der mit Hilfe eines geeigneten Pholo-Ätzvcrfahrens ein Netzwerk von Kanälen 5 gebildet wird. Die Kanäle 5 haben eine Breite von 20 bis 50.// und teilen die Oxidhaut in rechtwinklige Teile, z. B. viereckiger Form, deren Seiten etwa 350 // betragen. Anschließend wird der Körper einer PhosphordifTusionsbehandlung unterworfen, wobei Trennbereiche 10 aus mit Phosphor dotiertem Silicium mit niedrigem spezifischem Widersland gebildet werden (s. Fig. 2). Diese Trennbereiche schließen an das n-Typ-Material mit niedrigem spezifischem Widerstand des ursprünglichen Halbleiterkörper 1 an, wodurch die epitaxiale Schicht 2 in kleineren Zonen 11 geteilt wird, die aus (lfm n-Typ-Material mit hohem spezifischem Widerstand bestehen, wie es ursprünglich epitaxial aufgebracht war. Gegebenenfalls kann nun die als Maske für die Phosphordiffusion verwendtie Oxidhaut 4 entfernt werden, z. B. mit einer Lösung, die durch Mischung von 1 Volumteil konzentrierter HF-Lösung (50 Gewichtsprozent HF) mit 1 Volumteil Wasser erhalten ist.

Der entstandene Halbleiterkörper wird nun mit der Seite 20 mittels eines geeigneten ätzbeständigen und wasserabweisenden Kitts21, z.B. Kanadabalsam oder Kolophonium, auf einem Glasträger 22 befestigt, wobei auch die ganze Glasoberfiäche bedeckt werden kann, z. B. mit Paraffin.

Mit Hilfe einer aus Polymethylmetacrylat bestehenden Klemme 30 wird dann ein Platinanschluß 31 gegen die Seite 3 an einer Stelle 32 geklemmt, die beim Rand des scheibenförmiiien Körpers liegt (s. Fig. 4).

Der Siliciumkörper wird darauf einer selektiven clektrolytischen Ätzbehandlung unterworfen. Dabei wird ein oben offener, aus Polyäthylen bestehender Behälter 36 verwendet, der eine Elektrolytflüssigkeit 37 enthält, die aus einer verdünnten wäßrigen HF-Lösung besteht, welche durch Mischung von 1 Volumteil konzentrierter Fluorwasserstoffsäure (50 Gewichtsprozent) mit 10 Volumteilen Wasser hergestellt ist. Mittels eines nicht dargestellten Rührers kann für einen guten Umlauf des Elektrolyten gesorgt werden. Im Bad ist noch eine Platinelcktrode 40 angebracht, die aus Platingaze viereckiger Form mit einer Seite von 40 cm besteht und an einem Platinstiel befestigt ist. der teilweise über den Meniskus des Elektrolyten hinaasragt und mit dem die Elektrode elektrisch verbunden ist.

Der Halbleiterkörper 1 mit der Glasplatte und dem Platinkontakt mit federnder Klemme wird nan in vertikaler Lage mit der Kontaktklemme 30 oben und mit der Seite 3 der Platinelektrode 40 zugewendet langsam in den Elektrolyten gesenkt, wobei zwischen dem Platinkontakt 31 and der als Kathode dienenden Platinelektrode 40 eine Spannung von 12 V angelegt wird. Der horizontale Abstand zwischen der Platinkaöiode 40 and der Halbleiteroberfläche beträgt etwa 2 cm. Die Geschwindigkeit mit der der Halbleiterkörper 1 abgesenkt wird, beträgt 2 mm pro Min. Sobald der Platinkontakt 31 mit dem Elektrolyten in Kontakt kommt, wird der fibrige Teil des Halbleiters 5 sofort untergetaucht. Der Behälter 36 wird dann in entern (nicht dargestellten) dankten Raum untergebracht, am photoleitende Effekte, die hochohnnges n-Typ-Material in Lösung bringen könnten, zu verhüten. Die Ätzgeschwindigkeit beträgt etwa 2 μ pro Min. Durch das allmähliche Eintauchen der Halbleiterscheibe ir die Flüssigkeit 37 wird erreicht, daß die Ätzwirkung bei denjenigen Halbleiterteilen anfängt, die an" weitesten vom Platinkontakt 31 entfernt sind. Vor der Seite 3 her wird dann das gut leitende n-Typ-Material weggeätzt. Da die dem Anschluß air nächsten liegenden Teile der elektrolytischen Ätz-

ίο behandlung in einem späteren Zeitpunkt unterworfer werden als die weiter vom Kontakt liegenden Teile wird beim Eintauchen des Kontaktes 31 ein Halb leiterscheibenprofil erhalten, dessen Dicke sich vor der Anschlußstelle bis zum zuerst eingetauchter Scheibenteil allmählich von 290 bis 270// ändert Auf diese Weise wird vermieden, daß während dei weiteren Ätzbehandlnng durch vollständiges Durchätzen des Halbleitermaterials nahe am Kontakt 31 die elektrische Verbindung zwischen diesem Kontaki und weiter entfernt liegenden Teilen des gut leitenden n-Typ-Materials, die noch nicht völlig ausgeätzi sein würden, unterbrochen wird.

Wenn durch das Wegätzen des n-Typ-Materiah des ursprünglichen Körpers 1 dt. Elektrolyt 27 mi

der epitaxialen Zone 2 in Kontakt kommt, wird die Ätzwirkung auf die durch Diffusion erhaltenen gui leitenden Trennbereiche 10 beschränkt, während dii Teile 11 an der Seite des Elektrolyten von eine: passivierenden Haut bedeckt werden, die weitere; Wegätzen des Materials praktisch verhütet. Wcnr die Bereiche 10 durchgeätzl sind, erhält man von einander getrennte Teile 11 etwa viereckiger Forn mit einer Länge und Breite von etwa 350 /< unc einer Dicke von etwa 10μ (s. Fig. 3).

Die erhaltenen viereckigen Körper können in ar sich bekannter Weise zu Halbleitervorrichtungen ver arbeitet werden. Dazu kann man die Halbleitcrkörpei durch Lösen des Klebemittels vom Glassubstrat ent fernen. z. B. im Falle der Verwendung von Kanada

baisam oder Kolophonium durch Lösen in Tetra chlorkohlenstoff oder Chloroform. Obzwar die er haltencn Körper äußerst dünn sind, hat es sich her ausgestellt, daß sie sich mit Hilfe von Saugpipettei noch gut hantieren lassen.

Statt eines Substrats aus n-Typ-Material ist aucl ein Substrat aus p-Typ-Material verwendbar, vor zugsweise mit einem niedrigen spezifischen Wider stand, auf dem ein Material des η-Typs mit hohen spezifischem Widerstand epitaxial aufgebracht wird

Weiterhin kann man die DifJusionsbehandlung fü die Bildung von Trennkanälen durch Durchätzen de epitaxialen Schicht auch unterlassen, wobei nacl dem Ätzvorgang die epitaxiale Zone im ganzen auf rechterhalten bleibt.

Beispiel 2

Ein monokristalfiner scheibenfönniger Silicium körper 50 mit einem Durchmesser von 20 mm un< einer Dicke von 300 p and bestehend aas n-Typ

Silicium mh einem spezifischen Widerstand V01 0,005 Ohmcm, wird auf einer Sehe mit eine epitaxialen Schicht 51 aas n-Typ-Sflicium mh einen spezifischen Widerstand von 0,5 Ohmcm bedeck (s. Fig. 5). Die Dicke der Schicht beträgt 10μ.

6s Beabsichtigt wird, die moHokristallme epitaxial Schicht 51 nach erfolgter Teilung in eitig isolierte Halbleiterinseln, die gemeinsam auf einen Träger gebadet sind, for den Aufbau von Halb

leilcrvorrichtungen, insbesondere Halb'^ elementen, zu verwenden, d.e ^zur .^B'^Id""g'"2' Schaltungen elektrisch ™temandc
den. Einer der Vorgange bei der »crstcUunt,

die Entfernung auf elektrischem Wege vor

«enonimen. ,..;„. Substrat-

Die flachen Seiten ^s sche.bcnform gen Substra^

körpers 50 verlaufen praktisch parajlcl. Gemäß dc vorliegenden Erfindung wird vo. dtr S«teM das Material derart entfernt, daß emt flache *«e » entsteht, die mit der ««prunglichcn Oberfl ac hes* einen geringen Winkel von «V.⁰'™™"^?. ,₃ 3,5 Min.) einschließt. Dazu wird von «ncm Sthtot_ ,_a verfahren Gebrauch gemacht, wie es im nacnloigen dcn beschrieben wird.
lifb

wegt, wobei die Siliciumplalte 50 infolge des Ei gen-I^ _{des HaUcrs 60 au}f die Glasplatte 70 druckt.

Der Schleifvorgang wird forlgesetzt, bis das Substrat-, „ ^₁ ^ _{zur Flache 55} abgeschliffen.« _p. _{g daß djc Schdbe bdm dünnst}cn Tel cmc

n beschrieben wird. . _Vr._rr:_rhtun„

Für die Schleifbearbeitung wird eine Vornchg rwendet, wie sie schematich.·" F'J *™g^s1^

_ao anschließend von Sch.cifrUck- ^^ ^_^ ^^ ^ _{gccigneten Photo}

Ätzverfahrens werden in der epitaxiakn Schicht _{52 ä die sich etwa bis zur} Grenze mit N _SubiLtmaterial erstrecken (s. F ig. 7). An_{schließend wird} in an sich bekannter Weise durch _{der jtaxia},_{cn Schicht und in dc}n

Siliciumoxidhaut 80 aufgebracht, worauf

in an sich bekannter Weise auf der Oxidschicht 80

_{Sjlicium 81 in einer} Schichtdicke von

ι ^y ^ ^ ^ abgeschieden wird, um nach Ent-

fernung des Subs.tratmaterials eine Scheibe a»s-K g ^ ^ ^^ ^ _{ursprü hchc}

_itaxiale Schicht 51 ist jetzt in Teile 53 rechteckiger ^FT^gr

·><*<■ ^—— geschlossene Ende 62 hat eine Außenfläche o», oie mit größter Genauigkeit unter einen Winkel von etwa 0,001 Radian mit der Ebene senkrecht zur Halteachsc flachgeschliffen wurde.

Der Halter 60 paßt genau in eine öffnung 67 einer Führung 65, durch die der Halter 60 in axialer Richtung beweglich durchgeführt werden kann. Die Führung 65 hat an einem Ende einen verbreiterten rohrförmigen Teil 68, in den die öffnung 67 ausmündet. Die Stirnfläche 69 des verbreiterten Teils 68 wurde senkrecht zur Achse der ZylinderöfTnung 67 genau flach geschliffen.

Im Endteil 62 des Halters 60 sind mehrere Kanäle 63 gebildet. Der Halter 60 ist mit einer i.icht dargestellten Absaugvorrichtung verbunden.

Die Siliciumscheibe 50 wird mit der Seite der epitaxialen Schicht 51 an die Fläche 64 des Halters 60 gebracht und durch Einstellung eines Unterdrucks im rohrförmigen Halter 60 und in den Kanälen 63 gegen diese Fläche festgesogen. Mit dicbcrn Festsaugen wird gleichzeitig der Vorteil erreicht, daß, falls die Scheibe 50, 7. B. durch vorhergehende Bearbeitungen, etwas krummgezogen wäre, die Scheibe infolge der Ansaugkraft durch die Öffnungen 63 flach gegen die Oberfläche 64 gezogen werden kann. Die Führung 65 wird darauf mit ihrer Stirnfläche 69 auf eine Glasplatte 70 gesetzt, deren obere Fläche 71 ganz plan ist. Da die Fläche 64 mit der Stirnfläche 69 einen kleinen Winkel einschließt. entsteht ein gleicher kleiner Winkel zwischen der Fläche 54 und der Oberfläche 71 der Glasplatte.

Für die Schleifbearbeitung wird ein Schleifpulver verwendet, das aus Aluminiumoxid mit einer Kornvon 303 Mesh besteht. Mittels dieses Schleif ers zwischen der Platte 70 und dem zu schleifen-rrt 50 wird die Silichnnscheibe an der ι schräg abgeschliffen. Dazu werden die — - — =iu_ die Torr Atzvorgang zum Entfernen *»**■

elektrolytischen Ätzbehandlung unterworfen ^^ ^ ^ ^ ^ ^^ ^ ^ ._{m Beispid {}

^^ ^ ^ ^ ^ ^^ ^ ^ _{m Beispid {}

an Hand der Fi g. 4 beschrieben wurde. Die Platin- ^ ^.^ ^^^ ^^ ^ _der ^ _{behand ln}.

_den Scheibe angebracht, daß ihr Ende 32 gegen den ^_n ^ _{Substratmaterials 50} geklemmt _{der d}„_nnste ^ _{R6 des Substrat}. ,^ ^ ^.^^ ^ _Ansch]uß ^ _{t )St}

_{Dje Schejbe kann} nun sofort in

^ ^ _Ef_ektrolytbad eingetaucht werden, da durch die vorhergehende Schleifbehandlung das gewünschte

f_ntstanden ist. Infolge dieses Profils wird beim ^^ ^ ^^^ ^^ ^ _Zonentd,_{cn 53} ,_uerst

_{g6 def} ^^.^ _{errcicht worauf} die Ent_{fernung des} gesamten Materials des Substrats 50 all-

^ ^ _{djese wdse dnc Stnjktur r}

_{Sejte mehreren voneinander} isolierten einknstallinen _>>Inseln« 53, die gemeinsam auf einem Trager aus „ polykristallinen. Silicium 81 angebracht und gegen

diesen durch die Siliciumoxidschicht 80 ,schert sind _{Die freien nächen der Inseln 52 hege}n

^ J^ ^ _{und sind für an} sich bekannte _{Techniken fur den Aufbau von} Halble.terschaltelementen zugänglich.

_{Hierbei sei} ^^^, daß durch chemische E.n-

wirkung des fluorhaltigen Elektrolyten auf das Oxid _& s.^ ^ ^ _dßr ^^^ _wq ^ _{der Emw},_rkung

_{des E},_ektro!yte„ ausgesetzt wird diese Schicht insbesondere im Boden der Nuten 52 angegriffen «π η kann: diese etwaige Beschädigung kann aber beim _Aufbringen einer Maskierungsschicht auf dte freien Oberflächentefle der Insel S3 für örthche Diffusronsbehandlungen wieder ^»geina^werdetu AuchJkam, eine Siliciumnitridhaut angebrachtjwetdoi. wodmtA ^^ chemische Angriff verhindert wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

daß der Kontakt zwischen dem betreffenden An- Patentanspriiche: schluß und weiter vom Anschluß liegenden Teilen des zu entfernenden Halbleiterbereiches unterbrochen

1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiter- wird. Insbesondere wenn der Halbleiterkörper mehr vorrichtungen, bei dem von einem vorzugsweise 5 oder weniger plattenförmig ist, der selektive elektroplattenförmigen Körper aus einem Halbleiter- lytische Ätzvorgang über eine größere Oberfläche material von gegebenem Leitungstyp und ge- erfolgen muß und über eine größere Oberfläche eine gebener Leitfähigkeit ausgegangen wird, auf dünne Zone von überall gleicher Dicke verbleiben dessen einer Seite wenigstens eine an der Ober- soll, besteht die Gefahr, daß das 'wegzuätzende fläche liegende dünne Zone aus Halbleiter- io Material Örtlich zurückbleibt. Weiterhin müssen material mit von ihrem Substrat verschiedenen Maßnahmen getroffen werden, damit an der Stelle Leitungseigenschaften gebildet ist, wobei durch des Anschlusses während des Ätzvorganges ein eine selektive elektrolytische Ätzbehandlung das bleibender Kontakt zwischen dem Anschluß und Material des Substrats von der der Zone gegen- dem Halbleitermaterial gewährleistet ist Um dafür überliegenden Seite her entfernt wird, dadurch 15 zu sorgen, daß der für sinen bleibenden Kontakt mit gekennzeichnet, daß die Dicke des Körpers dem Anschluß unvermeidlich aufrechtzuerhaltende zwischen der Zonenoberfläche und der dieser Überrest des wegzuätzenden Materials so klein wie gegenüberliegenden Oberfläche verlaufend ge- möglich ist, ist es erwünscht, die Kontaktfläche zwimacht und vorher oder nachher auf der der sehen dem Anschluß und dem Halbleitermaterial dünnen Zone gegenüberliegenden Substratober- 20 möglichst klein zu halten und auf eine bestimmte fläche am dicksten Teil des Körpers wenigstens Stelle zu beschränken. Aus diesem Grunde ist eine ein elektrischer Anschluß angebracht wird. Verteilung von Anschlußstellen über eine große

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Oberfläche zwecks Erhaltung einer konstanteren Ätzkennzeichnet, daß die verlaufende Dicke durch geschwindigkeit weniger geeignet.

Abschleifen an der der dünnen Zone gegenüber- 25 Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zuliegenden Seite erzeugt wird. gründe, diesen Nachteil des bekannten Verfahrens

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- zu vermeiden.

kennzeichnet, daß die verlaufende Dicke mit Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der einHilfe eines Ätzvorganges erzeugt wird, bei dem gangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gedie Behandlung an den am weitesten vom An- 30 löst, daß die Dicke des Körpers zwischen der Zonenschluß liegenden Stellen langer durchgeführt wird oberfläche und der dieser gegenüberliegenden Oberais an den näher zum Anschluß liegenden Stellen. fläche verlaufend gemacht und vorher oder nachher

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch ge- auf der der dünnen Zone gegenüberliegenden kennzeichnet, daß der schräg zu ätzende platten- Substratoberfläche am dicksten Teil des Körpers förmige Körper mit obenliegendem Anschluß 35 wenigstens ein elektrischer Anschluß angebracht vertikal unter vertikalen Bewegungen, mit von wird.

unten nach oben abnehmender Ätzdauer, teil- Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung wird

weise eingetaucht wird. die verlaufende Dicke durch Abschleifen an der der

dünnen Zone gegenüberliegenden Seite erzeugt. 40 Dieses Abschleifen erfolgt vorzugsweise unter einem

solchen geringen Winkel mit der Fläche an der Seite

der dünnen Zone, daß eine allmähliche Änderung der Dicke vom Anschluß her zu den am weitesten von diesem Anschluß liegenden Teilen entsteht, ohne

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Her- 45 daß beim Schleifen die dünne Zone erreicht wird, stellung von Halbleitervorrichtungen, bei dem von Bei Halbleiterscheiben mit größeren Abmessungen einem vorzugsweise plattenförmigen Körper aus und geringerer Dicke, wie sie z. B. durch Sägen eines einem Halbleitermaterial von gegebenem Leitungs- Halbleiterkristalls erhalten werden können, läßt sich typ und gegebener Leitfähigkeit ausgegangen wird, z. B. ein Schleifwinkel in der Größenordnung von auf dessen einer Seite wenigstens eine an der Ober- 50 0,5 X 10~³ bis 2 X IO-³ Radian verwenden,
fläche liegende dünne Zone aus Halbleitermaterial Da unter dem Anschluß bzw. den Anschlüssen

mit von ihrem Substrat verschiedenen Leitungs- wenig Halbleitermaterial entfernt wird, da der Aneigenschaften gebildet ist, wobei durch eine selektive schluß die Oberfläche des Halbleitermaterials örtlich elektrolytische Ätzbehandlung das Material des gegen die Einwirkung des Ätzmittels schützt, wird Substrats von der der Zone gegenüberliegenden Seite 55 im allgemeinen die Kontaktfläche mit dem Anschluß her entfernt wird. für einen wirksamen Ätzvorgang vorzugsweise ver-

Solche Ätzungen sind in der Halbleitertechnik hältnismäßig klein gewählt. Wählt man die Stelle bereits bekannt, wobei an einer Seite eines p-n-Uber- für den Anschluß in der Mitte der Halbleiterplatte ganges Halbleitermaterial elektrolytisch weggeätzt so wird man den Schleif Vorgang vorzugsweise durcl wurde und die Ätzwirkung beim p-n-Übergang prak- 60 Rotation um eine zu dieser Mitte senkrechte Achs< tisch aufhörte. Dazu wurde der Bereich mit dem gegen eine schräge Schleiffläche durchführen. Wähl wegzuätzenden Material mit einem elektrischen An- man die Stelle für den Anschluß am Rand eine schluß versehen, damit an diesen Bereich die er- Halbleiterplatte, so schleift man keilförmig in de forderliche Spannung angelegt werden kann. Die Weise, daß die Platte an den am weitesten vom An Schwierigkeit dabei ist, daß die Ätzgescbwindigkeit 65 schluß entfernten Stellen am dünnsten wird. Weiter in der Umgebung des erwähnten Anschlusses im all- hin ist es bei Anwendung von Schleifbearbeitungei gemeinen höher ist als an weiter von diesem An- für die Formgabe am einfachsten, den Anschlu schluß liegenden Stellen. Dies kann zur Folge haben, nach dem Schleifvorgang anzubringen. Vorzugsweis