DE1672315U - Gleichrichter aus einem halbleitermaterial, das mit hoher stromdichte belastet werden kann. - Google Patents
Gleichrichter aus einem halbleitermaterial, das mit hoher stromdichte belastet werden kann.Info
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Description
Gm 24c11c1953
Gleichrichter aus einem Halbleitermaterial, aas mit froher Stromdichte belastet werden
kanne
Es sind in der letzten Zeit wiederholt !Trockengleichrichter
in Vorsohlag gebracht worden, die ihren elektrischen Eigenschaften nach eine wesentlich höhere Stromdichte au transportieren
gestatten als üie bislang üblichen Plaohengleiciirichter, S0B0
mit Selen oder Kupferoxydul als Halbleiter9 Im wesentlichen sind
dabei Gleichrichter aus germanium genannt wordene Diese Gleichrichter
bieten jedoch die Schwierigkeit, dass sie sehr sorgsam
gekühlt werden müssen, um ihre elektrischen Daten während des Betriebes unve3?&7icl§rt beizubehalten,, Dies ist umso wichtiger,
als bei hoher Stromdichte die Gleiohrichterelemente Vergleichs== weise klein ausfallen und deshalb Wärme Stauungen besonders zu
befürchten sind«,
Die vorliegende !feuerung betrifft nun einen Gleichrichter
aus einem Halbleitermaterial, insbesondere einem solchen, das mit hoher Stromdichte belastet werden kann, beispielsweise mit Germanium
oder Silizium als Halbleiter, der sich von dem bisher,be·=
kannten dadurch unterscheidet, dass mehrere kleine Gleichrichtern,
eiaheiten auf einer gemeinsamen Grundplatte angeordnet sindo Auf
diese JLrt und Weise wird erreicht, dass neben der ,Abführung der
Wärme durch konvektion auch noch eine verstärkte Abführung der
Wärme durch Wärmeleitung erfolgt*
Ganz besonders.vorteilhaft ist es, -wenn die Grundplatte
gleichzeitig als Irägerelektrode dient, da hierbei ein weiterer Wärmeübergang zu der durch die Grundplatte gebildeten ICühlflä·=
ehe -eingespart mrd0
Je nach dem Terwendungszweck können dabei die Gleichrichter-Feinheiten
derart angeordnet sein? dasB ihre Gegenelektrode^· .Jede
für sich, lait einer Zuleitung versehen sind, oder aber, dass die
Gegenelektroden aus einer gemeinsamen Deckplatte gebildet werden, die zugleich als Stromzuführung dient» Auch hier hat die Deckplatte wiederum den Zweck, durch verstärkte Wärmeleitung die
entstehende Wärme ^abzuführen«, . .
5859 Gm -.2 *
um das Sperrvermögen der Gleiehrichterelemente zu erhalten
oder zn verbessern, ist es von Torteil, den Halbleiter auf die
iEi-agerelektrode mit einer in dem Halbleiter Defektleitung ~b.eT-vorruf
enden !Material bei Verwendung von Germanium, vorzugsweise
-mit Indium, aufzulöten, -wobei der Hrfcig noch erhöhtwerden kann,
yiexm. die Zuleitung oder die Deckplatte mit einem in den Halblei«=·
:.. i;er Überschugsleitung hervorruf enden-Material., vorzugsweise Zinn
~ oder Antimon* auf den Halbleiter gelötet nyirde Umgeireiirt i-st es
-' --günetigi beim ^e#i;i"tj-tes dee Germaniums ein J^teTial zu. verwenden,
„das üb&rsekuBsleitung hervorruft, beispielsweise Zinn öder .Anti·=
monf -wenn die Zuleiirung oder die Deckplatten mit einem in den
Halbleiter Def efetleitung nervorruf enden Material^ "beisipielsweise
.Indium, aufgelo'tet -werdezU " . - ■- -
Der Gegenstand der Heuerung ist nickt nur auf einfasne
Gleiclirienter besciiränkt, sondern eignet sich aucn unter Hinzufügung
von SteuereleJrtTOden und dergleicken zur Verwendung bei
. ^steuerbaren Gleibnricliterni Eristallverstärlcem oder !ΊΜοηβη«=5
transistoren f allgemein zur Verwendung bei steuerbaren elektrisch
unsymmetrisch leitenden Systemen«
Die Mauren zeigen In Z0T0 schematischer Darstellung ein
Ausführungsbeispiel -eines Gleichrichters aus einem Halbleitern
material gernäss der' Feuerungo "- ' . .".""■■
Xn !"igt, 1 ist 1 eine Grundplatte ? auf die die aus den Trä-.gerelektrQden
2 und den Halbleitern 5 bestehenden Gleichrichter=
einheiten aufgelötet sind» die ihrerseits mit einzelnen Zuleitungen A- versehen sindc
-" . In Pigc 2 liegen die Halbleiter 3 direkt auf der Grundplat-■te
1 und sind unter lufügung von Gegenelektroden 5 mit der Deckenplatte 6-abgedeckte Ss ist ersichtlich* dass bei diesen beiden
Ausführungsformen einmal die Grundplatte und £um anderen diese
und die Deekplatte durch Wärmeableitung zur Kühlung beitragen,
Bei der -Anordnung mach "Figo 1 werden durch den aufgelockerten
Aufbau die WärmeabStrahlungen verbessert, während bei der An-
- Ordnung nach' T±go 2t insbösondere bei sehkrechtem Aufbau, noch
eine zusätzliche Kühlung durch Kaminwirkung-eintritt o" :
Claims (1)
- 5859 Gm SchutzansprücheGleichrichter, beispielsweise mit Germanium oder Silizium als Halbleiter, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere kleine Gleich«=? richtereinheiten auf einer gemeinsamen Grundplatte angeordnet sind«Gleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Grundplatte gleichzeitig als Trägerelektrode dienteGleichrichter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegenelektroden der Gleichrichtereinheiten 3ede iür Sich mit «iner Zuleitung versehen sind, oder aus einer gemeinsamen Deckplatte gebildet werden, die zugleich als Stromzuführung dienteGleichrichter nach Anspruch 2 oder 3 mit Germanium als Halbleiter, dadurch gekennzeichnet t dass der Halbleiter auf die Trägerelektro^- de mit einem in dem Halbleiter Defektleitung hervorrufenden Mate*= rial ρ vorzugsweise Indium, aufgelötet istoGleichrichter nach Anspruch 2 oder 3 mit Germanium als Halbleitert dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter auf uie Irägerelek·= trode mit einem in dem Halbleiter überschuBsTLeitung hervorrufenden MaterialJ5 vorzugsweise Zinn oder Antimon^ aufgelötet istoGleichrichter nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Zuleitungen oder die Deckplatten mit einem in dem Halbleiter tlber-Bchussleitung hervorrufenden Material, vorzugsweise Zinn oder An= timon? auf den Halbleiter gelötet sindoGleichrichter nach Anspruch 5? dadurch gekennzeichnet, dass die Zuleitungen oder die Deckplatten mit einem in dem Halbleiter De«= fekt leitung hervorrufenden Material, vorzugsweise Indium f auf ge«= .lötet sind οGleichrichter nach Anspruch 1 oder einem der folgenden^ dadurch gekennzeichnet, dass der durch Hinzufügung von geeigneten Steuerungselektroden als steuerbarer Gleichrichter, Kristallverstärker -oder Oberfiächentransistor verwendbar isto
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL5813U DE1672315U (de) | 1952-07-29 | 1952-07-29 | Gleichrichter aus einem halbleitermaterial, das mit hoher stromdichte belastet werden kann. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DEL5813U DE1672315U (de) | 1952-07-29 | 1952-07-29 | Gleichrichter aus einem halbleitermaterial, das mit hoher stromdichte belastet werden kann. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1672315U true DE1672315U (de) | 1954-02-25 |
Family
ID=32036333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DEL5813U Expired DE1672315U (de) | 1952-07-29 | 1952-07-29 | Gleichrichter aus einem halbleitermaterial, das mit hoher stromdichte belastet werden kann. |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1672315U (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1192326B (de) * | 1955-11-08 | 1965-05-06 | Westinghouse Electric Corp | Leistungsgleichrichteranordnung mit mehreren elektrisch parallelgeschalteten Halbleiterelementen |
DE1196300B (de) * | 1959-02-06 | 1965-07-08 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiter-schaltungsanordnung |
-
1952
- 1952-07-29 DE DEL5813U patent/DE1672315U/de not_active Expired
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1192326B (de) * | 1955-11-08 | 1965-05-06 | Westinghouse Electric Corp | Leistungsgleichrichteranordnung mit mehreren elektrisch parallelgeschalteten Halbleiterelementen |
DE1196300B (de) * | 1959-02-06 | 1965-07-08 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiter-schaltungsanordnung |
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DE1196296B (de) * | 1959-02-06 | 1965-07-08 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE1196295B (de) * | 1959-02-06 | 1965-07-08 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung |
DE1196299B (de) * | 1959-02-06 | 1965-07-08 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE1196298B (de) * | 1959-02-06 | 1965-07-08 | Texas Instruments Inc | Verfahren zur Herstellung einer mikrominiaturisierten, integrierten Halbleiterschaltungsanordnung |
DE1196297B (de) * | 1959-02-06 | 1965-07-08 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
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DE1196299C2 (de) * | 1959-02-06 | 1974-03-07 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte, integrierte halbleiterschaltungsanordnung und verfahren zu ihrer herstellung |
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